Transistores - Electrónica I PDF

Centro de Estudiantes
de Ingeniería Tecnológico (C.E.I.T.)

U.T.N. – F.R. Avellaneda
Apunte de Transistores
Autor: Daniel Malec
Contenido
Tema: Pág.:
Introducción _________________________________________ 3
1. Transistores bipolares de juntura (TBJ) __________________ 3
1.1. Transistores bipolares de juntura NPN _________________ 4
1.2. Transistores bipolares de juntura PNP _________________ 6
1.3. Modos de trabajo del transistor _______________________ 8
2. Polarización de un transistor __________________________ 9
2.1. Determinación del punto de trabajo Q _________________ 10
2.2. Ejemplo con emisor conectado directamente a masa ______ 12
2.3. Ejemplo agregando una resistencia entre emisor y masa ___ 14
2.4. Recata de carga estática (R.C.E.) _____________________ 15
2.5. Distintas formas de polarizar un transistor ______________ 17
2.5.1. Realimentación por emisor en corriente continua _______ 17
2.5.2. Realimentación por colector en corriente continua ______ 18
2.5.3. Autopolarización ________________________________ 19
3. Fuente partida ______________________________________ 27
4. Potencia __________________________________________ 31
4.1. Potencia disipada en la resistencia Rc _________________ 32
4.2. Potencia Disipada en el colector ______________________ 32
4.3. Rendimiento de conversión __________________________ 32
5. Limitaciones en el uso de los transistores bipolares ________ 34
5.1. Limitación en tensión ______________________________ 34
5.2. Limitación en la corriente ___________________________ 34
5.3. Limitación en la potencia ___________________________ 34
5.4. Mecanismos de transmisión _________________________ 36
6. Amplificadores _____________________________________ 40
6.1. Recta de carga dinámica (R.C.D.) _____________________ 41
6.2. Recorte de la señal de salida _________________________ 42
6.3. Clases de operación de un amplificador ________________ 45
6.4. Máxima excursión simétrica _________________________ 49
7. Análisis de amplificadores monoetapa __________________ 50
7.1. Emisor común ____________________________________ 50
7.2. Base común ______________________________________ 55
7.3. Colector común ___________________________________ 58
7.4. Resumen de las configuraciones ______________________ 61
7.5. Circuitos realimentados ____________________________ 65
8. Amplificadores diferenciales __________________________ 68
8.1. El amplificador diferencial __________________________ 69
8.2. Análisis para corriente alterna _______________________ 71
8.3. Fuentes de corriente _______________________________ 76
8.4. Circuitos D’arlington ______________________________ 77
Cultos para ser libres – Tipeado en el Gabinete Informático Graciela Panne

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Tema: Pág.:
9. El transistores de efecto de campo JFET _________________ 80
9.1. Comparaciones entre el JFET y el TBJ ________________ 82
9.2. Característica de salida _____________________________ 85
9.3. Característica de transferencia _______________________ 88
10. Polarización del JFET ______________________________ 89
10.1. Distintas formas de polarizar un JFET ________________ 91
10.1.1. Por realimentación de fuente ______________________ 91
10.1.2. Polarización fija ________________________________ 92
10.2. Determinación del punto de trabajo Q ________________ 94
10.3. Recta de carga estática ____________________________ 95
11. Análisis del JFET como amplificador___________________ 97
11.1. Configuración fuente común ________________________ 98
11.2. Configuración gate común _________________________ 99
11.3. Amplificador seguidor por fuente (Drenaje común) ______ 101
11.4. Resumen de las configuraciones _____________________ 102
12. Bibliografía _______________________________________ 103

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Transistores
Introducción
Este apunte “Transistores” está orientado a los alumnos que cursan la materia
Electrónica I para la carrera de Ingeniería Eléctrica, sirviendo también de ayuda para los
alumnos que cursan esta materia para la carrera de Ingeniería Electrónica.
Este material pretende guiar a los alumnos sobre los temas más importantes
relacionados con el comportamiento de los transistores como amplificadores de
señales.
1. Transistores bipolares de juntura (TBJ)

La palabra transistor deriva de transferencia de resistencia (en inglés: transfer
resistor).
Los transistores son dispositivos semiconductores activos, o sea, son dispositivos
capaces de amplificar tensión y corriente y obtener ganancia de potencia.
Existen dos tipos: los transistores bipolares de juntura (TBJ), y los de efecto de campo
(JFET y MOSFET).
Los Transistores Bipolares de Juntura (TBJ) consisten básicamente en tres electrodos:
EMISOR - BASE - COLECTOR.
Los símbolos de los transistores son los siguientes: (Ver Fig. 1.1 a y Fig. 1.1 b)
(La flecha indica el sentido de la corriente).
En la construcción de un transistor bipolar de juntura, se combinan dos diodos de
juntura, con una sección P o N (según el caso) común a ambos, y el transistor resultante
es del tipo NPN o PNP.
En ambos casos la sección central o común, denominada BASE, es muy delgada
comparada con las otras dos. (Ver Fig. 1.2 a y Fig. 1.2 b).

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NPN PNP
C C
B
B
E E
Fig. 1.1a Fig. 1.1 b
E B C E B C
N P N P N P
VBE VCB VEB VBC
Fig. 1.2 a Fig. 1.2 b
1.1. Transistor bipolar de juntura NPN

Consiste en una capa de silicio tipo P, muy delgada, entre dos secciones de silicio
tipo N.
Las barreras de potencial de las dos junturas son: positiva para las secciones N y
negativa para las secciones P.
Los niveles de energía para el transistor NPN sin polarizar se muestran en el gráfico de
la Fig. 1.3. De acuerdo con las reglas para la polarización de transistores, se polariza al
emisor (o sección NP de entrada) en sentido directo o de baja resistencia, es decir, el
emisor es negativo con respecto a la base. Se polariza al colector (o sección PN de
salida) en sentido inverso o de alta resistencia, es decir, el colector es positivo con
respecto a la base.
Debido al potencial negativo aplicado, los electrones libres en el emisor N se moverán
hacia la primera juntura.
La barrera de potencial de esta juntura se ve reducida por la polaridad de la batería de
polarización del emisor como se ve en los gráficos de energía potencial (Fig. 1.3a y Fig.
1.3b).

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Diagramas de energía potencial para el transistor NPN:
N P N N P N
ENERGÍA ENERGÍA
POTENCIAL DE POTENCIAL DE
ELECTRONES ELECTRONES
JUNTURA JUNTURA JUNTURA JUNTURA
BASE EMISOR COLECTOR BASE BASE EMISOR COLECTOR BASE
Fig. 1.3 a: Sin polarización Fig. 1.3 b: Polarizado en modo

activo directo
Una cantidad de electrones pasará a través de la juntura y entrará en la sección P, donde

algunos de ellos se combinarán con lagunas mientras otros pasarán de largo.
Los electrones que pasan a través de la sección P lo hacen debido al poco espesor de la
sección y al efecto de la barrera de potencial de la segunda juntura PN. Realmente la
barrera de potencial en la segunda juntura acelera a los electrones hacia la sección
colectora N. Una vez que están en el colector, los electrones libres son atraídos por la
tensión positiva aplicada entre el colector y la base.
Sabemos que por convención, el sentido de un flujo de electrones es contrario al
sentido de la corriente eléctrica que genera.
Electrones
Corriente eléctrica
En el emisor (juntura NP de entrada), un flujo de electrones va desde el polo negativo

de la fuente de polarización a la entrada del emisor.
Por lo tanto una corriente eléctrica circula en sentido contrario, es decir, sale del
transistor hacia la fuete.
En la base, un flujo de electrones sale del transistor y se dirige al polo positivo de la
fuente de polarización EMISOR-BASE, de esta manera repone las lagunas que se
recombinan en la base con los electrones provenientes del emisor.
En consecuencia una corriente eléctrica circula en sentido contrario, desde el polo
positivo de la fuente hacia el transistor, entrando en él.
Por último el flujo de electrones sale del colector y se dirige al polo positivo de la fuente
de polarización COLECTOR-BASE, lo cual hace que la corriente eléctrica circule hacia
el colector penetrando en él.

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Es importante destacar que el movimiento de los electrones y lagunas no es un proceso
de intercambio de uno por otro. Un pequeño porcentaje (aproximadamente el 5 %) de
los electrones que entran en la sección P (región de la base) desde el emisor N, se
combina con lagunas de la sección P. Sin embargo, la mayoría de los electrones del
emisor pasan a través de la región P. Es decir, la mayor parte del flujo de electrones se
realiza entre el emisor y el colector.
Los electrones que salen del emisor, sin embargo, son controlados por la tensión de
polarización aplicada entre el emisor y la base.
1.2. Transistor bipolar de juntura PNP

El transistor de juntura PNP consta de una capa muy delgada de silicio tipo N entre dos
secciones de silicio tipo P.
En este transistor, las barreras de potencial de las dos junturas son: positiva para la
sección N y negativas para las secciones P. Los niveles de energía para un transistor
PNP sin polarizar se ven en el diagrama de energía potencial (Fig. 1.4a).
En el transistor PNP, para Modo Activo Directo, la conexión de la batería de
polarización del emisor debe ser: negativo a la base y positivo al emisor, para tener
polarización directa. La batería de polarización del colector debe tener al terminal
negativo conectado al colector y el positivo a la base para tener polarización inversa.
La barrera de potencial de juntura del emisor disminuye debido a la polarización directa
(Fig. 1.4b).
Diagramas de energía potencial para el transistor PNP:
P N P P N P
ENERGÍA ENERGÍA
POTENCIAL DE POTENCIAL DE
ELECTRONES ELECTRONES
J UNTURA JUNTURA JUNTURA JUNTURA
EMISOR BASE BASE COLECTOR EM ISOR BASE BASE COLECTOR
Fig. 1.4 a: Sin polarizar Fig. 1.4 b: Polarizado en modo

activo directo
En el funcionamiento del transistor de juntura PNP, las lagunas son forzadas a moverse
desde el emisor P hacia la base N, debido al potencial positivo del emisor, que también
crea más lagunas debido a la extracción de electrones.
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En la base un pequeño número de lagunas (alrededor del 5 %) se combina con
electrones de la base. Sin embargo, como la base es muy delgada, la mayoría de las
lagunas continúan moviéndose hacia el colector P antes de poder combinarse con
electrones de la base. En el colector P las lagunas son atraídas hacia el terminal negativo
del colector y se combinan con los electrones de este electrodo. De este modo la mayor
parte de la corriente de lagunas va desde el emisor al colector, mientras que la corriente
de emisor a base es muy pequeña. Es importante destacar que en el transistor PNP
los portadores mayoritarios son lagunas mientras que en el NPN son electrones.
En el emisor se crean pares electrón-lagunas; las lagunas pasan a formar parte del flujo
de lagunas que se dirigen a la base, mientras que los electrones son atraídos por el polo
positivo de la fuente de polarización EMISOR-BASE. De esta manera se genera una
corriente eléctrica que se dirige desde el polo positivo de la fuente de polarización
EMISOR-BASE hacia el emisor penetrando en el transistor.
El polo negativo de la fuente de polarización EMISOR-BASE emite electrones que se
dirigen hacia la base, donde reemplazan a los electrones que se recombinan con las
lagunas en tránsito al colector. De esta manera se genera una corriente que va desde la
base al polo negativo de la fuente de alimentación EMISOR-BASE. Por último el polo
negativo de la fuente de polarización COLECTOR-BASE emite electrones hacia el
colector, por lo cual se genera una corriente eléctrica que va desde el colector, hasta el
polo negativo de la fuente de polarización COLECTOR-BASE.
Para tener en cuenta:

IC IC
C C
IB IB
B B
IE IE
E E
Fig. 1.5 a: Transistor PNP Fig. 1.5 b: Transistor NPN
En las figuras 1.5a y 1.5b podemos observar el sentido de las corrientes en los
transistores PNP y NPN respectivamente.

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Recordemos que, como este transistor tiene dos junturas: emisor-base y base-colector,
la base, que forma parte de las dos junturas, tiene polaridad distinta al emisor y al
colector.
1.3. Modos de trabajo del transistor

El transistor puede trabajar en alguno de los siguientes modos:
Modo activo directo:

Se produce cuando la juntura base-emisor está polarizada en directa y la base-colector
en inversa. En esta forma trabajan casi todos los casos de circuitos de amplificadores.
Modo activo inverso:

La juntura base-emisor en inversa y la juntura base-colector en directa, también para
amplificadores, pero su uso no es muy común.
Saturación:
Sucede cuando las dos junturas están polarizadas en forma directa.
Corte:
Sucede cuando las dos polarizaciones están en inversa.
En los dos casos anteriores el transistor no trabaja como amplificador.

El transistor TBJ funciona siempre como amplificador cuando la juntura B-E esta en
directa y la juntura B-C en inversa, o viceversa.
En el capitulo siguiente aprenderemos de que se trata la polarización.

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2. Polarización de un transistor
Para introducirnos en este tema podemos decir que el transistor forma básicamente 2
mallas.
Esto lo podemos observar en el siguiente circuito PNP:
IE IC
IE = IB + IC
E C
IC = α ⋅IE + I C B 0 B
RE RC
IB
VE E VC C
Fig. 2.1
donde: I CB 0 : Corriente de minoritarios; cuando el emisor está abierto y circula a través
de la base y el colector. Es despreciable.
IC
α ≡ hfb ⇒ α = Relación entre la corriente del colector y la corriente del emisor.
IE
Debido a que α x IE =IC , y por otra parte 0,95 < α < 0,99 ; esto significa que IE ≅ IC por
lo tanto IB puede considerarse despreciable frente a IC e IE , porque IB esta en el orden de
los microamper.
Como IC es entre 100 y 1000 veces más grande que IB; reemplazando en las ecuaciones
de (Ic) expresadas anteriormente, tenemos que:
I C = α ⋅ ( I B + I C ) + I CB0
I C ⋅ (1 − α ) = α ⋅ I B + I CB0
α I CB
IC = ⋅ IB + 0
1−α 1−α
α 1
con β = ⇒ = β +1 ; β ≅ entre 100 y 600
1−α 1−α

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I C = β ⋅ I B + ( β + 1) ⋅ I CB0
{
despreciab le
IC ≅ β ⋅ I B ; donde β = hFE ⇒
Curva hFE = f ( IC ):
hF
a b c
IC
Fig. 2.2
En la zona a, hFE aumenta a medida que Ic crece.

En la zona b, hFE es aproximadamente constante.
En la zona c, a medida que aumenta Ic , hFE disminuye.
2.1. Determinación del punto de trabajo Q

Cuando se trata de encontrar el punto de trabajo Q (ICQ ; VCEQ) hay que considerar que
el circuito que forma el transistor, incluye dos mallas:
− La malla de entrada; que contiene la tensión VBE .
− La malla de salida; que contiene la tensión VCE .
Esto lo podemos ver en el circuito de la figura 2.3.

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Polarizaciónen in versa Malla de entrada: Entre base y emisor
Malla de salida: Entre colector y emisor
RB Polariza- RC
ción en IB
directa
VB VCC Como se puede observar,
ésta es la curva de un
diodo polarizado en
directa.
VBE
Fig. 2.3 Fig. 2.4
VCEQ ⎫⎪
Siempre se busca calcular
I CQ ⎬⎪
Q
⎭
La tensión VBE corresponde a la tensión de un diodo polarizado en forma directa y su

valor oscila entre 0,65 y 0,75 V si el material del transistor es silicio.
A los efectos de la resolución de problemas consideramos VBE = 0,7 V, por lo que la
curva IB = f (VBE) quedará así:
IB
0,7 V VBE
Fig. 2.5
El siguiente gráfico representa las curvas de salida de un transistor. Observamos que

para cada valor de IB, a partir de la tensión VCE de saturación (que la podemos
considerar en un valor de 0,2 Volt). Las curvas se comportan como rectas con
pendiente. Esas pendientes se deben a la variación de hFE.
El fabricante nos indica, de acuerdo al tipo de transistor, los valores en los que hFE varía.

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ZONA DE ZONA ACTIVA
SAT URACIÓN IE = h Fe ⋅I B
IC 60 μA = I B 1
40 μA = I B 2
20 μA = I B 3
10 μA = I B 4
VCE Sat. VCE 0

Límite de zona de VCE
saturación en la activa.
Límite de trabajo
Fig. 2.6 del transmisor
2.2. Ejemplo con emisor conectado directamente a masa

BC 327 - PNP
De las características de este transistor observamos que100 ≤ hFE ≤ 600.
VBB = 24 Volt
RB = 46 KΩ
VCC = 48 Volt
RC = 100 Ω
(−)
(−) (+)
RB Rc
VBB Vcc
Fig. 2.7

- 12 -
De la malla de entrada:
⎧VBB = RB ⋅ I B + VEB
⎪
⎪
⎨ I B = VBB − VEB ⇒ I C = VBB − VEB
⎪ RB RB
⎪
⎩ hFE
Como explicamos antes, de la malla de entrada se calcula IC y de la malla de salida se

calcula VEC
- VEC - IC . RC + VCC = 0 ; VEC = VCC - IC . RC
23,3 V
Para h FE = 100 ⇒ I C1 = ⇒ I C 1 = 50 mA ;
1
46
100
V CE 1 = 48 V − 50 mA ⋅ 100 Ω ⇒ V CE 1 = 43 V
Para h FE 2
= 600 ⇒ I C 2 = 300 mA ;
V CE 2
= 48 V − 300 mA ⋅ 100 Ω ⇒ V CE 2
= 18 V
Ahora graficaremos con los datos obtenidos:
VCC
IC Máx. = ; pues en este punto VCE =0;
RC
IC
VCEMáx. = VCC ; pues en este punto IC = 0
ICMáx
Podemos apreciar que, debido a la variación
Q2
IC2 de hFE , la corriente IC , y por lo tanto VCE se
alteran considerablemente; por lo que un
IC1 Q1 circuito de estas características no es
recomendable.
VCE2 VCE 1 VCEMáx. VCE

Fig. 2.8

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2.3. Ejemplo agregando una resistencia entre emisor y masa
Vemos que pasa si al mismo circuito le agregamos una resistencia entre el emisor y la
masa.
RE es la nueva
resistencia
RB RC
RE = 8KΩ
RE
VBB VCC
Fig. 2.9
I CE VBB − VEB (∗)

VBB = RB ⋅ I B + VEB + RE ⋅ I E Como I B = y I E ≅ IC ⇒ IC =
hFE RB
+ RE
hFE
VCC = I C ⋅ RC + VEC + I E ⋅ RE ⇒ VEC = VCC − I C ⋅ (RC + RE )
Entonces:
Para hFE1 = 100 ⇒ I C1 = 2,75 mA ⇒ VEC1 = 25,72 V
Para hFE2 = 600 ⇒ I C2 = 2,88 mA ⇒ VEC2 = 24,67 V
Vemos entonces que si agregamos una resistencia RE , el espectro de variación de IC es

mucho menor.
De resta manera minimizamos el efecto producido por la variación de hFE .
RB
Para considerar esto como válido debe suceder que: RE ≥ 10
hFE
IC ⎛ 1 ⎞
I E = IC + I B ⇒ I E = IC + ⇒ I E = I C ⎜⎜1 + ⎟⎟
hFE ⎝ hFE ⎠
≅1
(∗ )Es válido considerando que IE ≅ IC , ya que IE = α ⋅ IC ; siendo α ≅ 1

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Recordar siempre:
- Con la malla de entrada calculamos IC
- Con la malla de salida calculamos VCE (Tensión colector - emisor) (ó VEC, según el
caso)
- Con esto en claro, estamos en condiciones de obtener el punto Q (Punto de trabajo).
2.4. Recta de carga estática (R.C.E):

En este transistor PNP, la malla de salida es
la siguiente:
VCC =IC ⋅ RC +VEC +IE ⋅ RE ⇒ VEC =VCC −IC ⋅ (RC +RE )

RB RC Si consideramos IC = f (VEC), donde IC estará
RE en el eje de las ordenadas y VEC en las
VBB VC C abscisas, obtendremos la siguiente recta, que
denominaremos recta de carga estática
(R.C.E.). (Ver gráfico).
Fig. 2.10
IC IB1
ICMá x. IB2
IB3
Q
ICQ
IBn
Recta de carga
estática
VECSat . VECQ VEC Máx VEC
Fig. 2.11
Esta recta es fácil de obtener, pues como sabemos bastan dos puntos para determinarla;
y esos dos puntos los podemos obtener cuando dicha recta corta a los ejes coordenados.

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VCC
VECMáx. = VCC porque IC = 0 ; I CMáx. = cuando VCE = 0
RC + RE
Sobre esta recta estará el punto de trabajo, pues si conocemos IB , determinamos el

punto Q en la intersección de la R.C.E. con la curva de IB correspondiente.
Pero si trabajamos con el valor de hFE típico dado por el fabricante, ICQ la obtenemos de
la malla de entrada, y con ese valor encontramos el valor correspondiente a VCEQ.
El punto Q tiene un límite para trasladarse. Por ejemplo para VCE ≅ 0,2 V la IC tenderá a
la ICMáx. y si IC la aproxima, iguala o supera estará en la zona de saturación.
Si VEC es igual a VECMáx. o mayor que este valor, este transistor se encontrará en modo
de corte.
Puede suceder que matemáticamente ICQ > ICMáx. , en ese caso VCEQ sería negativo (el
punto Q estaría en el segundo cuadrante) y el transistor entra en la zona de saturación.
Pero si el transistor se satura (VCE ≅ 0,2 V), IC tendrá el valor correspondiente de
acuerdo a la R.C.E. y por lo tanto no tendrá validez la ecuación matemática. Además
tampoco se cumplirá en este caso que IC = hFE ⋅ IB .
Ver figura 2.12
IC
ICMáx.
saturación
Q
VCE ≅ 0,2 Volt VCE Máx. VCE
Fig. 2.12

- 16 -
2.5. Distintas formas de polarizar un transistor
VC C
RE
RC VBB RB
RB
RE
VBB VC C
RE
2.13 a 2.13 b
Este circuito tiene la desventaja de tener dos fuentes. Para solucionar este problema hay
distintas maneras:
2.5.1. Realimentación por emisor en corriente continua

Utiliza a VCC también como fuente para la base.
VC C
RB RC
RE
Fig. 2.14
Malla de salida:
IC
VCC − I B ⋅ R B − VBE − I E ⋅ R E = 0 ; I E ≅ IC ; IB =
hFE
IC
VCC − ⋅ RB − VBE − I C ⋅ RE = 0ç
hFE
IC depende de RE , por eso el nombre de este circuito como realimentado por emisor en
continua.
V CC − V BE
I CQ =
RB
+ RE
h FE

- 17 -
Malla de salida:
VCC − I C ⋅ RC − VCE − I C ⋅ RE = 0
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE )
La desventaja de este circuito es que las fuentes VBB y VCC no son independientes, pues
son la misma fuente de tensión.
2.5.2. Realimentación por colector en corriente continua
VC C
IB + IC Malla de salida:
RC
VCC − (I B + I C ) ⋅ R C − VCE = 0 ; I E = ( IB + IC ) ≅ IC
RB IB IC VCE = VCC − I C ⋅ R C
Malla de entrada:
VCC − (IB + IC ) ⋅ RC − IB ⋅ RB − VBE = 0
VCC − IB (1 + hFE ) ⋅ RC − IB ⋅ RB − VB E = 0
Fig. 2.15
VCC − VBE
IB = ; I B = hFe ⋅ I C
(1 + hFe ) ⋅ RC + RB
VCC − VBE
IB = IC depende de RC
R
RC + B
hFE
El problema de esta configuración que es compleja su resolución en alterna. (RB está

entre dos tensiones: VB y VC).

- 18 -
2.5.3. Autopolarización (la polarización más usada.).
Utiliza la forma de realimentación por emisor, pero con la siguiente variación:
VC C
RB 1 RC
RB1 RB
A
A
A ≡
VC C VBB
RB2
RB 2 RE B
B B
Fig. 2.16 a Fig. 2.16 b
Aplicando el Teorema de Thevenin:
VC C
RC
VCC ⋅ RB2
RB = RB1 // RB 2 ; VBB = RB
R B1 + RB2 A
VBB RE
B
Fig. 2.17
De esta manera, si bien hay una sola fuente (VCC), es como si existieran dos: VBB y VCC.
VBB es directamente proporcional a RB2
Nota:
Este circuito es muy conveniente desde el punto de vista del espacio (una resistencia
ocupa menos espacio y es más liviana que una fuente de tensión) y desde el punto de
vista económico (una resistencia es muchísimo más barata que una fuente de tensión).

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Ejemplo 1:
VC C Transistor BC 549 - NPN
RB 2 RC VC C = 24V
RC = 1KΩ
A RE = 2,2KΩ
RB1 = 10KΩ
RB1 RE
B RB2 = 40KΩ
Fig. 2.18
10 KΩ ⋅ 40 KΩ 400 KΩ 2
RB = RB1 // RB2 = = = 8 KΩ
10 KΩ + 40 KΩ 50 KΩ
VCC ⋅ RB1 24 V ⋅10 KΩ

VBB = = = 4,8 Volt
RB1 + RB2 10 KΩ + 40 KΩ
En la hoja de datos encontramos: VBETípico = 620 mV ; (en el caso de no conocer VBE,

para el diseño de amplificadores se considera VBE = 0,7 Volt.)
hFETípico = 290
Para este tipo de circuitos IC debe encontrarse en el orden de los mA.
Una vez que aplicamos el Teorema de Thevenin nos queda el siguiente circuito:
VC C = 24 V
RC = 1 K Ω
RB = 8 K Ω
VBB
RE = 2,2 K Ω
Fig. 2.19

- 20 -
Malla de entrada:
IE ≅ IC
(1) VBB - IB ⋅ RB – VBE - IE ⋅ RE = 0 I C;
IB =
h FE
Malla de salida:
(2) VCC - IC ⋅ RC - VCE - IE ⋅ RE = 0
IC
de (1) ⇒ VBB − ⋅ R B − VBE − I C ⋅ R E = 0
h FE
VBB − VBE
IC =
RB
+ RE
hFE
de (2) ⇒ VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE )
Si reemplazamos por los valores:

4,8 V − 620 × 10 −3 V
IC = ⇒ I C = 1,87 mA
8 × 10 3 Ω
+ 2,2 × 10 3 Ω
290
VCE = 24 V − 1,87 mA ⋅ (1 KΩ + 2,2 KΩ) =
VCEQ = 18,02 V
I CQ = 1,87 mA
IC [mA]
ICMáx.=7,5
Q
ICQ=1,87
VCE Q=18,01 VCEMáx.=24 VCE [Volt]

Fig. 2.20
- 21 -
Recordemos que en este caso IC máx = Vcc / (Rc + RE) = 7,5 mA
VCE máx = VCC = 24 V
Ejemplo 2:
En este caso con un transistor NPN genérico
Transistor NPN (genérico)

RB2 RC
VCC = 15V VBE = 0,7V
VC C RC = 2,2KΩ hFE = 100

RE = 1,2KΩ
RB1 RE RB1 = 36KΩ
RB2 = 12KΩ
Fig. 2.21
36 KΩ ⋅12 KΩ
RB = RB1 // RB2 = = 9 KΩ
36 KΩ + 12 KΩ
VCC ⋅ RB1 15 V ⋅ 36 KΩ
VBB = = = 11,25 Volt
RB1 + RB2 36 KΩ + 12 KΩ
VC C RC
RC
VB RB
B
RB
RE
RE VBB VC C
Fig. 2.22 a Fig. 2.22 b

- 22 -
Malla de entrada:
VBB - IB ⋅ RB – VBE - IE ⋅ RE = 0
VBB − VBE (11,25 − 0,7)V

IC = = = 8,18 mA > I CMáx .
RB 9 KΩ
+ RE + 1,2 KΩ
hFE 100
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + RE )
VCE = 15 V − 8,18 mA ⋅ 3,4 K = −12.8 V
VCC
VCEMáx. = VCC ; I CMAX = = 4.41 mA
RC + RE
Matemáticamente
VCC − VCE 15 V − 0,2 V
VCE < 0 ⇒ Transistor saturado ⇒ VCE = 0,2 V ⇒ I CQ = = = 4,35 mA
RC + RE 3,4 KΩ
IC [mA]
ICMáx.= 4.41
saturació
0,2V VCE Máx.= 15 V VCE [Volt.]
Fig. 2.23
Este es un ejemplo donde vemos que matemáticamente el punto Q estaría en el seguido

cuadrante, pero como estamos en saturación VCE ≅ 0,2 V por lo tanto IC = 4,35 mA.
O sea, este transistor con estos valores no puede trabajar como amplificador.

- 23 -
Cambiemos RB2 por RB1 y veamos que sucede
VCC = 15V VBE = 0,7V

RB1 RC
RC = 2,2KΩ hFE = 100
VC C RE = 1,2KΩ
RB1 = 36KΩ
R B2 RE
RB2 = 12KΩ
Fig. 2.24
36 KΩ ⋅ 12 KΩ RC
R B = R B1 // R B 2 = = 9 KΩ
36 KΩ + 12 KΩ
VC C
RB
VCC ⋅ R B2 15 V ⋅ 12 KΩ RE
V BB = = = 3,75 Volt
R B1 + R B2 48 KΩ VBB
Fig. 2.25
De la malla de entrada:
VBB - IB ⋅ RB - VBE - IE ⋅ RE = 0
VBB − VEB (3,75 − 0,7)V

IC = = = 2,36 mA < ICMáx
RB 9 KΩ
+ RE + 1,2 KΩ
hFE 100
VCC
I CMáx . = ; VCEMáx. = VCC
RE + RC
De la malla de salida:
VCC - IE ⋅ RE - VCE - IC ⋅ RC = 0
VCE = VCC - IC ⋅ (RE + RC) = 0
VCE = 15 V - 2,36 mA⋅ (1,2 KΩ + 2,2KΩ) = 6,98 V

- 24 -
IC [mA]
ICMáx.= 4.41
Q
ICQ= 2,36
VCEQ= 6,98 VCEMáx.= 15 VCE [Volt]
Fig. 2.26
Resolvemos nuestro problema, pues ahora el punto Q se encuentra dentro de la zona de

M.A.D. (Modo Activo Directo)
Ejemplo 3:
Ahora resolveremos un circuito utilizando un transistor PNP:
VEE = 12V
RB2 RC
VBE = 0,7 V
VEE RC = 2KΩ
hFE = 80
RB1 RE RE = 1KΩ
RB1 = 10KΩ
Fig. 2.27
RB2 = 40KΩ
Aplicando el Teorema de Thevenin nos queda el siguiente circuito:
RC
RB
VBB
RE
VEE = 12V
Fig. 2.28

- 25 -
Donde:
10 KΩ ⋅ 40 KΩ
R B = R B1 // RB2 = = 8 KΩ y
10 KΩ + 40 KΩ
V EE ⋅ R B2 12 V ⋅ 40 KΩ
VBB = = = 9,6 Volt
RB1 + R B2 50 KΩ
Malla de entrada:
VEE – IE ⋅ RE - VEB – IB ⋅ RB - VBB = 0
Despejando Ic, y reemplazando por los valores queda:

VEE − VEB − V BB (12 − 0,7 − 9,6)V
IC = = = 1,54 mA
RB 8 KΩ
+ RE + 1 KΩ
hFE 80
Malla de Salida:
VEE – IC ⋅ RE - VEC – IC⋅ RC = 0
Despejando VEC y reemplazándolo por sus valores, queda:
VEC = 12 V – 1,54 mA⋅ (2 K Ω 1 KΩ ) = 7,38 V
VEE 12V
I CMáx . = = = 4mA > I CQ ; VECMáx. = VEE = 12V > VECQ
R E + RC 3K
Recta de carga estática

IC [mA]
IC Máx.= 4
Q
IC Q= 1,54
VECQ= 7,38 VECMáx.= 12 VEC [Volt]

Fig. 2.29

- 26 -
3. Fuente partida
En estos circuitos podemos observar que la tensión, en lugar de aplicarse totalmente
sobre uno de los componentes del transistor (emisor o colector), se reparte entre el
emisor y el colector, generalmente la mitad de su valor en cada componente.
De esta manera se puede lograr que el punto de reposo Q se encuentre lo más centrado
posible dentro de la Recta de Carga. De esta manera se puede lograr, como veremos
más adelante, la máxima excursión posible.
+ VC C + VC C
+ VC C
R1 RC
R1 RC RC
VB B RB
R2 RE
R2 RE RE
− VEE − VEE
− VEE
Fig. 3.1 a Fig 3.1 b Fig 3.1 c
El signo negativo de VEE es debido a que está en oposición con respecto a VCC
⎛ V + VE E ⎞ ⎛V + ⎞
R B = R1 // R 2 ; V BB = ⎜⎜ CC ⎟⎟ ⋅ R 2 − V EE ; V B B = VC C − ⎜⎜ C C E E ⎟⎟ ⋅ R1
R1 + R2 ⎠
⎝1 42 ⎝1R1 + R2 ⎠
43 42 43
I R2 I R1
1 4 42 4 43 1 44 2 44 3
C aída de t ensión en R 2 C aída de te nsión en R1
Ejemplo:
VCC = 24 V
VBE = 0,7 V
hFe = 200
RC = 1 KΩ
RE = 2 KΩ
R1 = 40 KΩ
R2 = 10 KΩ

- 27 -
VC C
R1 RC
RC
VBB RB
R2 RE
RE
Fig. 3.2 a Fig 3.2 b
De la figura 3.2 a , aplicando el Teorema de Thevenin, pasamos a la figura 3.2 b
40 KΩ ⋅ 10 KΩ
RB = = 8 KΩ
40 KΩ + 10 KΩ
VCC ⋅ R2 24 V ⋅ 10 KΩ
VBB = = = 4,8 V
R1 + R2 50 KΩ
Malla de entrada:
VBB − I B ⋅ RB − VBE − I E ⋅ RE = 0
⎧I E ≅ I C
⎨
⎩ I B = I C / hFE
V BB − V BE 4,8 V − 0,7 V
IC = = = 2 mA
RB 8 KΩ
+ RE + 2 KΩ
hFE 200
Malla de salida:
VCC − I C ⋅ RC − VCE − I E ⋅ RE = 0
VCE = VCC − I C ⋅ ( RC + R E ) = 24 V − 2 mA ⋅ (3 ⋅ KΩ) ⇒
I CQ = 2 mA ; VCEQ = 18 V
I CMáx . = 8 mA ; VCEMáx. = 24 V

- 28 -
IC [mA]
ICMáx.= 8
Q
ICQ= 2
VCE Q= 18 VCEMáx.= 24 VCE [Volt]

Fig. 3.3
Resolvemos el mismo circuito, pero en vez de VCC = 24V, tendremos

⏐VCC⏐=⏐VEE⏐=12V. O sea: VCC + VEE = 24V.
VC C = 12V
RC = 1 K Ω R1 = 40 KΩ
RC RE = 2 K Ω R2 = 10 KΩ
VBB RB
RE
VEE = -12V
Fig. 3.4
RB = R1 / / R 2 = 8 KΩ
⎛ V − V EE ⎞ ⎛ 12 V − ( − 12 V ) ⎞
V BB = VCC − ⎜⎜ CC ⎟ ⋅ R1 = 12 V − ⎜ ⎟ ⋅ 40 KΩ = −7 ,2 V
⎟ ⎜ 10 K Ω + 40 KΩ ⎟
⎝ R1 + R2 ⎠ ⎝ ⎠
Al acoplarle una fuente partida se corre el punto Q hacia la derecha (lejos de la

saturación) igual que si aumenta VCC . Pero es mejor tener una fuente partida ya que la
caída de potencial quedará repartida en el circuito en vez de tener todo el potencial en

un solo punto.

- 29 -
Por lo dicho:
VCC = 12 V y V EE = 12 V conviene
VCC = 24 V no conviene
Malla de entrada:
VBB − I B ⋅ R B − VBE − I E ⋅ R E − V EE = 0
IC
VBB − ⋅ R B − VBE − I E ⋅ RE − V EE = 0
hFE
⎛ R ⎞
VBB − V BE − V EE = I C ⋅ ⎜⎜ RE + B ⎟⎟
⎝ hFE ⎠
− 7,2 V − 0,7 V − (−12 V )
IC = = 2 mA
8
2+
200
Malla de salida:
VCC − I C ⋅ RC − VCE − I E ⋅ R E − V EE = 0
VCE = VCC − I C ⋅ RC − VCE − I E ⋅ R E − VEE
VCE = 12 V − 2 mA ⋅ 1 KΩ − 2 mA ⋅ 2 KΩ − (−12 V ) ⇒ VCEQ = 18 V
VCE
I CMáx . = VCC + = 8 mA
RC + RE
VCEMáx. = 24 V
IC [mA]
ICMáx .= 8
Q
ICQ= 2
VCE Q= 18 VCEMáx .= 24 VCE [Volt]

Fig. 3.5

- 30 -
4. Potencia
En este capitulo analizaremos como influye la potencia en estos dispositivos.
Tendremos otra herramienta más que es necesaria para poder diseñar un circuito
amplificador. Recordemos que la energía se conserva, y que la potencia que se disipa en
estos dispositivos se transforma en calor
La potencia de continua que entrega la fuente de tensión se disipa en las resistencias y

en el transistor.
La potencia media entregada es:
1 T
P=
T 0∫
V ⋅ I ⋅ dt
Donde: V = VCC , I = I CC + iC = I CQ + I C ⋅ cos(ωT ) y P = PCC
Reemplazamos y queda:
PCC =
1 T
T ∫0
(
VCC ⋅ I CQ + I C ⋅ cos ωt dt )
1 T 1 T
PCC = ⋅ VCC ⋅ I CQ ∫ dt + ⋅ VCC ⋅ I C ∫ cos ωt dt
T 0 T 0
⋅ VCC ⋅ I CQ ⋅ (T − 0) − ⋅ VCC ⋅ I C ⋅ (sen ωT − sen 0)

1 1
PCC =
T T
⋅ VCC ⋅ I CQ ⋅ T/ − ⋅ VCC ⋅ I C ⋅ (sen 2π )

1 1
PCC =
T/ T
PCC = VCC ⋅ I CQ
( )
En realidad PCC = VCC ⋅ I CQ + I1 donde I 1 es la corriente que circula por R1 , pues el
circuito de polarización es el siguiente:

ICC
R1 I1 RC ICQ
VCC
R2 RE
Fig. 4.1

- 31 -
4.1. Potencia disipada en la resistencia RC
Es la potencia eficaz:
I C VCE I C ⋅ VCE
PS = ⋅ =
2 2 2
Donde I C y VCE son las amplitudes de las ondas de alterna.
4.2. Potencia disipada en el colector

La potencia media de continua entregada por la fuente se disipa en potencia media de
continua en los resistores RC y R E y en potencia eficaz en la resistencia RC . El resto
de potencia que corresponde al balance energético se disipa en el transistor.
2
VCC ⋅ I CQ = (RC + RE ) ⋅ I CQ + RC ⋅
2 IC
+ PdT
2
Donde: PdT = Potencia disipada en el transistor.
Despejando:
2
PdT = VCC ⋅ I CQ − I CQ ⋅ (RC + RE ) −
2 IC
⋅ RC
2
Se ve que Pd T es máximo cuando no hay señal aplicada. (iC = 0) ⇒
Pd M = VCC ⋅ I C − I CQ ⋅ (RC + RE )
2
[ ]
Pd M = I CQ ⋅ VCC − I CQ ⋅ (RC + R E ) ⇒ Pd M = I CQ ⋅ VCEQ
144424443
VCEQ
4.3. Rendimiento de conversión

El porcentaje de energía útil existente en la salida respecto de la energía entregada por
la fuente se denomina rendimiento de conversión = n%
PS
n% = ⋅100
PCC
Si la corriente de colector circula los 360º (amplificador clase A) el rendimiento de
conversión será el máximo y del 50%.

- 32 -
Nota: Si la potencia PS , es disipada en la carga R L .
Considerando el siguiente circuito de alterna:
IC
RC I0 RL
Fig. 4.2
RC
I0 = IC ⋅
RC + RL
La potencia eficaz sobre la carga R L es:

I 0 ⋅ VCE VCE RC
PS ' = = ⋅ IC ⋅
2 2 RC + R L
Como:
VCE ⋅ I C
PS =
2
Resulta:
RC
PS ' = PS ⋅
RC + RL

- 33 -
5. Limitaciones en el uso de los transistores bipolares
Hasta aquí observamos como se comportan los transistores de acuerdo a distintos
parámetros. En este capitulo analizaremos las limitaciones que estos tienen. Eso nos
servirá para poder diseñar nuestros amplificadores y saber las características de cada
componente para su buen funcionamiento. Por ultimo veremos, de acuerdo a las
limitaciones por temperatura, la necesidad, o no, de colocar elementos disipadores en
los transistores para su uso en circuitos amplificadores.
5.1. Limitación en tensión

La tensión de sustentación (Tensión colector-emisor con la base abierta) se produce
antes que la tensión de ruptura, pues cuando en la zona desierta de la juntura C-B
comienza a haber generación de pares laguna-electrón por choque, de dichos pares las
lagunas entran en la Base de forma tal que si se quisiera mantener IC = cte., IB debería
disminuir. Por lo tanto si IB = cte., IC comenzará a aumentar.
El fabricante especifica una Vrup. (tensión de ruptura) menor que la menor de las
tensiones de ruptura medidas estadísticamente como VCE M .
5.2. Limitaciones en la corriente

Si la corriente aumenta por sobre un valor determinado las conexiones internaspueden
quebrarse.
El fabricante especifica una ICMáx. menor que la que resisten las soldaduras. Este límite
está dado por la degradación de las características eléctricas de transistor (se toma hFE
mínimo).
5.3. Limitaciones en la potencia

Se debe fundamentalmente a la temperatura de trabajo.
− Existen dos límites :
a) Temperatura de almacenamiento.
b) Temperatura de funcionamiento.
El rango de temperatura de funcionamiento es menor que el rango de temperatura de
almacenamiento.

- 34 -
a) Temperatura de almacenamiento:
Mínima: El transistor se fabrica a altas temperaturas. Cuando la temperatura
decrece, los materiales se contraen térmicamente y como, en general tienen
diferentes coeficientes de dilatación, aparecen entre ellos fuerzas.
Si la temperatura disminuye demasiado, puede quebrarse el semiconductor.
Máxima: Se debe a cambios irreversibles que pueden producir las impurezas no
deseadas al reaccionar químicamente con el semiconductor.
También se debe al reblandamiento de las soldaduras internas del transistor.
Se fija para el Ge (germanio) ≈ 100 ºC y para el Si (silicio) ≈ 300 ºC.
b) Temperatura de funcionamiento:
En un TBJ, la mayor temperatura se dará en la juntura C-B (colector-base), pues:
IC ≅ I E ⎫
⎬ ⇒ I C ⋅ VCB >> I C ⋅ VCE
VCB >> V BE ⎭
La potencia total producida en el transistor es:

I C ⋅ VCE = I C ⋅ (VCB + V BE ) ≅ I C ⋅ VCB
Sin embargo, como la Base es muy angosta, puede aceptarse que no existe gradiente
térmico en ella y que las dos junturas están a la misma temperatura.
TjMáx . : Es la máxima temperatura de funcionamiento que admite la juntura C-B. Da la
máxima potencia que puede disipar el TBJ.

Límite superior: Queda determinado por degradación de las características
eléctricas del transistor. Es menor que la temperatura que admite el transistor antes
de destruirse.
El fabricante da como Tj Máx. la temperatura a la cual los cambios reversibles se hacen
notables.
Se fija para el Ge (germanio) ≈ 70 ºC y 100 ºC, y para el Si (silicio) ≈ 100 ºC y
200 ºC.
Límite inferior: También queda determinado por degradación de las características
eléctricas del transistor. Es mayor que la temperatura Tmín. de almacenamiento.
Puede deberse a que los portadores sean insuficientes, es decir, que no estén los
átomos totalmente ionizados en el semiconductor, especialmente en el emisor, que es
un material degenerado.

- 35 -
5.4. Mecanismos de transmisión
Van desde la juntura hasta el aire.
conducción: juntura a carcaza
convección⎫
⎬ carcaza a medio ambiente
radiación ⎭
Por lo tanto, la cantidad de calor que se puede disipar será:

Pd = K ⋅ (T j − Ta )
Pd = Potencia que se puede disipar para la diferencia Tj - Ta dada.

Tj = Temperatura de juntura.
Ta = Temperatura de medio ambiente.
1
K=
θ ja
⎡ºC ⎤
θja = Resistencia térmica entre juntura y medio ambiente, cuya unidad es ⎢ ⎥ . Para el
⎣W ⎦
ºC
transistor BC 337 θ ja = 200 .
W
A mayor capacidad de disipación del transistor, menor será θja .
Si hacemos una analogía eléctrica, tendremos el siguiente circuito:
Tj Ta
θja
Pd C
Fig.5.1
Tj y Ta se consideran potenciales eléctricos respecto de la temperatura cero (masa).
Pd se considera un generador de corriente constante.
La capacitancia C, sería la capacidad térmica del cuerpo. θja equivaldría a la oposición
de la transferencia de ese calor al medio ambiente.

- 36 -
Si se considera una potencia Pd de acuerdo al siguiente gráfico:
Pd
La diferencia de potencial Tj - T a
t1 t crecerá según la figura:
Tj - Ta
t1
Fig. 5.2
⎛ −
t −t1
⎞
⎜
T j − Ta = θ ja ⋅ Pd ⋅ 1 − e
θ ja ⋅C ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Para régimen permanente (t → ∞) tendremos: T j − Ta = θ ja ⋅ Pd Tj Tc Ta

θca
Juntura a cápsula ⇒ conducción: θja
Pd
Cápsula a medio ambiente ⇒ convección: θja = θjc θca
En circuitos de baja señal θja ≥ 100 ºC/W
En transistores de potencia θja ≈ algunos ºC/W Fig. 5.3
Esto se debe a que:
− Se los construye de forma que el calor pase de la juntura a la cápsula de la forma
más fácil posible.
− Se agregan disipadores.
Los valores de θca dependen de la cápsula utilizada.

- 37 -
Ejemplo:
Para el transistor BD 135
θjc = 10 ºC/W
θca = 90 ºC/W Verificamos Pd =
T jMáx . Ta
=1 W
Tamb. = Tc (cápsula) = 70 ºC θ jc + θ ca
TjMáx. = 150 ºC
PdMáx. = 8 W
El transistor sólo puede disipar 1 Watt respecto a los 8 Watt que decía el fabricante,
pero esto, como vimos, es válido para Tc = 70 ºC, entonces ...
¿Cuánto vale Tc si Ta = 50 ºC?
Tc = T jMáx . − θ jc ⋅ Pd = 140 º C
La temperatura de la cápsula es de 140 ºC.
Para solucionar esto se coloca un disipador (de baja resistencia) en paralelo con θca (que
es muy elevada respecto a θjc).
Ver figuras 5.4 y 5.5

Tj Tc Ta
θ jc θca
Pd
θcd T θ
da
Fig. 5.4
θ ca >> θ cd + θ da , entonces queda el siguiente circuito:
Tj Tc T Ta
θ jc θcd θda
Pd
Fig. 5.5

- 38 -
ºC
θ cd ≅ 3
W
Para el transistor BD 135,
ºC ºC
si θ da = 7 ⇒ θ ja = θ jc ⋅ θ cd ⋅ θ da = 20
W W
Este transistor disipará una potencia máxima de 5 Watt, pues
TjMáx . Ta 150 º C − 50 º C
Pd Máx . = = = 5 Watt
θ ja 20 º C / W
Se busca que el contacto entre el transistor y el disipador sea lo más estrecho posible,
para lo cual se usa grasa siliconada entre ambos.
Cuanto mayor sea el disipador, mayor superficie de convección habrá en contacto con el
aire. Pero si el área del disipador es muy grande, la parte que esté más alejada del
transistor queda inactiva, pues todo el calor fue disipado antes de llegar.
Se pretende que la conducción en el disipador sea lo más fácil posible para su
construcción; por ello se puede usar cobre (Cu).
Nota:
Muchos prefieren aluminio (Al) por ser de menor costo. También se utiliza aluminio
arrodizado (negro mate) para favorecer la radiación.

- 39 -
6. Amplificadores
Ahora que conocemos un poco mas que es un transistor, estamos en condiciones de
conocer las características de un amplificador. Esto es lo que estudiaremos en este
capitulo.
El siguiente es un circuito amplificador mono-etapa, o sea que utiliza un solo transistor
para lograr amplificar una señal.
VCC
RB1 RC C3
C1
R3 RB2 RL v0 = vce
RE C2
vi = vbe
VS ~
Fig 6.1
Para estudiar el funcionamiento de este circuito, en primera instancia lo dividiremos en
un circuito de continua y en otro de alterna, tal como se puede ver en las figuras 6.2 y
6.3 respectivamente.
En primer lugar, mediante el circuito de continua se podrá determinar el punto de
trabajo (o reposo) Q, tal como vimos anteriormente.
Con el circuito de alterna se podrá analizar el comportamiento del amplificador frente a
señales alternas.
Los capacitores de acople (C1 y C3 ), cuando se los utiliza tienen como fin evitar que la
componente de continua llegue al generador señal y a la carga.
El capacitor de desacople (C2) cuando se lo utiliza, tiene como objetivo que la señal
entre el terminal común (en este caso el emisor) y la masa se anule.
Los capacitores externos son considerados como un corto circuito para la señal alterna a
frecuencias medias, pues las impedancias que forman los capacitores (1/jwc) son de
muy poco valor.
Para el análisis de la señal de alterna la fuente de tensión continua es considerada
“masa”.

- 40 -
ic i0
iS ib
VCE RC
RB VBE Rie RS vbc =vE RL v0 = vce
RE RiS
R0
VBB VCC vS ~ Ria Ri R0e
R0S
Fig. 6.2 Fig. 6.3
Circuito de Circuito de
continua alterna
6.1. Recta de carga dinámica (R.C.D)

La Recta de Carga Dinámica (RCD) es el lugar geométrico por donde se desplaza la
intersección de las señales de corriente ic y la tensión Vce.
La RCD siempre pasa por el punto Q.
De acuerdo a la figura 6.3 R0s = RC // RL
La señal se va a desplazar sobre la recta de carga dinámica.
IC [mA ]
r.c.d. (recta de
carga dinámica)
R.C.E. (recta de
carga estática)
VCEQ I CMáx.
R C // RL
IC Q
VCEQ VCEM VCE [Volt]
ICQ (RC // RL )
Fig. 6.4
El punto Q divide a la recta de carga dinámica en dos segmentos.

Haciendo una proyección en el eje de VCE, un segmento está comprendido desde el
origen hasta VCE Q, y el otro segmento va desde VCE Q hasta VCE Q + ICQ . ROS
El menor de los segmentos determina dónde la señal correspondiente a la tensión de
salida va a recortarse primero. Ese segmento lo llamamos Vo máx. O sea que Vo máx será

- 41 -
el valor máximo de señal de tensión alterna que el circuito tendrá a la salida sin recortar
en ninguno de los dos semiciclos.
Como Vs = Vo/ Avs, el máximo valor de Vs para que a la salida no haya recorte será:
vˆ0Máx .
vˆsMáx . =
Avs
De esta manera la máxima señal de entrada estará dada por la máxima amplitud de
salida sobre la ganancia de tensión del sistema.
6.2. Recorte de la señal de salida:

Tal como expresan en su apunte de AMPLIFICACION DE UN CIRCUITO
MONOETAPA los ingenieros Glas y Velo: “Si el punto de trabajo Q no está
convenientemente elegido en relación con la amplitud de la señal de entrada, puede ser
que exista un recorte de onda en uno o ambos semiciclos de la señal de salida.
Si el punto Q se encuentra dentro de la zona de saturación puede suceder que la
corriente del colector deje de aumentar por efecto de la saturación. Por lo tanto la señal
correspondiente a ic sufrirá un recorte por saturación”. Esto lo podemos observar en la
Figura 6.5.
Allí podemos ver que este recorte no se producirá si aumentamos VCE Q , o sea que el
recorte por saturación se produce por falta de tensión disponible entre colector y emisor
para reproducir exactamente la señal de entrada.
“Si la corriente de polarización de base IBQ fuera excesivamente muy pequeña, podría
suceder que la tensión sobre el diodo base-emisor fuera inferior a la tensión de barrera,
por lo tanto la corriente de base sería prácticamente nula. Cuando esto suceda, la
corriente de colector también se anularía, y de esta manera se produciría un recorte de la
señal en el semiciclo negativo de la corriente de colector. En este caso se dirá que el
transistor recorta por corte”. Esto se puede observar en la Figura 6.6
Para eliminar este recorte deberá aumentarse la corriente I CQ .
En la Figura 6.6 observamos que si queremos eliminar este recorte deberemos aumentar
la corriente de polarización de colector. Debido a la falta suficiente de corriente de
polarización se produce el recorte por corte.
Notemos que durante el recorte por corte se anula la corriente que circula por el
colector, pero no la que circula por RC y RL.

- 42 -
Ic
t
∧
Ic ic
Ica
Q IBQ
t
Icq
∧
Ic
∧
IBQ - I b
RCD
VCE VCE K VCE Q VCE
t
Fig. 6.5

- 43 -
IC
RCD
t
ib
ic
Q IC
ICQ
t
VCE VCE
V̂CE vce
Fig. 6.6
Obsérvese que al haber recorte en la señal de salida, el valor medio o continuo de la

corriente de colector IC , no coincide con la corriente de polarización continua ICQ ,
siendo mayor que esta última cuando hay recorte por corte y menor cuando hay recorte
por saturación.
Si se observa la señal de salida mediante un osciloscopio, para una u otra forma de
recorte se notará que la transición desde la zona aproximadamente lineal hasta la que
corresponde a corriente de colector prácticamente constante, se produce pasando por
una zona curva que resulta más abrupta en el caso de saturación que en el corte. Esto se
debe a la curvatura del diodo de entrada con corriente de base muy baja.
Para evitar la deformación excesiva en parte del semiciclo negativo de la corriente de
colector, la corriente de base no debería disminuir por debajo de un cierto nivel,
indicado como IBmín.. Por este motivo se considera normalmente que el valor instantáneo
de la corriente de colector no debe ser inferior a un cierto valor ICmín. que se elige como
una cierta fracción de ICQ .

- 44 -
6.3. Clases de operación de un amplificador:
Los ingenieros Glas y Velo analizan lo siguiente sobre este tema:
“Según la ubicación del punto de reposo sobre las características del colector, se definen
para un amplificador distintas clases de operación que se designan con el nombre de
clases: A, AB, B y C”.
Clase A:
Se dice que un amplificador trabaja en clase A cuando su punto de reposo estático está
ubicado de modo tal que para cualquier amplitud de las señales de excitación, el
transistor nunca entra a trabajar en la zona de corte.
Esto equivale a decir que no haya limitación o recorte en el semiciclo negativo de la
corriente del colector.
Por lo tanto siempre, en el punto de trabajo, habrá una corriente de reposo IC distinta de
cero, ya que el punto de reposo deberá estar en la zona central de las características
(zona analógico-lineal).
Ver Figura 6.7
IC t
RCD i b = î b ⋅ sen(ω t )
Q IB t
ICQ
i c = ÎC ⋅ sen(ω t )
VCEQ VCE
v ce = v̂ ce ⋅ sen (ω t )
t
Fig. 6.7

- 45 -
Clase AB:
Si el punto de trabajo tiene una corriente de colector IC , de valor tal que la forma de
onda de salida esté limitada por efecto de corte, se dice que el transistor trabaja en
clase AB.
Esto indica que para señales de excitación muy débiles el amplificador trabajará en
clase A y para señales fuertes el punto de trabajo instantáneo entrará en la zona de corte
en los extremos negativos de la tensión VBE .
En este caso también siempre habrá una corriente de reposo ICQ distinta de cero.
Ver Figura 6.8
IC
t
Î b
Q IB4
I CQ
t
VCE Q VCE
V̂CE
t
Fig. 6.8

- 46 -
Clase B:
En este caso el amplificador trabaja con su punto de reposo ubicado justo en corte.
Es decir, que hay una corriente de colector sólo durante medio período de la señal
aplicada, y la corriente de reposo es aproximadamente nula ( I CQ ≈ 0 ) (En realidad, si se
polariza la base del transistor con IB = 0, la mínima corriente de colector que puede
obtenerse es I CE 0 ; con transistores de silicio se admitirá I CE 0 ≈ 0 ).
Se admite normalmente que I CQ = 0 y VCE Q = VCC .
Prácticamente sólo hay corriente variable en colector, durante la semionda positiva de la

corriente de base, ya que, durante la negativa la corriente de colector se anula
prácticamente durante todo el semiciclo.
Durante la semionda positiva, circula en colector una corriente media, que es
IˆC
prácticamente igual a
π , y durante el otro semiciclo la corriente es nula.
Ver figura 6.9
IC
RCD
t
i b ⋅ Î b ⋅ sen (ωt )
Îb
iC
IC Q Î C
Q I BQ = 0 t
VCE Q VCE
V̂Le
vCE
Fig. 6.9

- 47 -
Clase C:
En esta forma de funcionamiento que se observa en el gráfico de la Figura 6.10, el punto
de reposo está ubicado de modo tal que sólo hay conducción en colector, durante una
parte del semiciclo positivo de la tensión de señal.
La corriente del punto de reposo es: I CQ = I C0 ≈ 0 y VCE0 ≅ VCE .
Sobre la característica de transferencia i C − v BE el punto Q se ubica tal como se ilustra

en la Figura 6.11.
Este tipo de amplificadores se utiliza en circuitos de comunicaciones.
ic
t
i b ⋅ Î b ⋅ sen (ω t )
ic
IB = 0
E0 Q
IB = -IC0 VCE
0
VCE Q
t
vce
Fig. 6.10
I 0C
Q
I CS
Q I C0
VBEQ *
VBE tensión de VBE
barrera
VBEQ : tensión de base en reposo
Fig. 6.11

- 48 -
*
VBE es la mínima tensión negativa base-emisor que lleva a saturación inversa dicho
diodo. Para tensiones VBE más negativas, la corriente de colector permanece igual a IC0 .
Si se comparan las cuatro clases de funcionamiento, puede verse que para un período de
onda senoidal de tensión de base, la corriente de colector circula durante 360º en clase
A. En clase AB hay conducción en colector durante un ángulo θ tal que 180º < θ < 360º.
En clase B, θ ≈ 180º y en clase C, θ < 180º.
Sólo se estudiará amplificadores trabajando en clase A, por lo cual, en adelante sólo se
aclarará la forma de trabajo si se opera en alguna de las otras tres clases de
funcionamiento.
6.4. Máxima excursión simétrica

Habíamos visto en el punto anterior que la máxima amplitud de señal de salida de un
amplificador sin recorte en ninguno de los dos semiciclos era el menor de los valores de
Vceq ó Icq . Ros
Para lograr que el recorte comience simultáneamente en los dos semiciclos, o sea, que el
recorte se produzca tanto por corte como por saturación simultáneamente, se deberán
modificar las condiciones de polarización del circuito amplificador.
De acuerdo a lo que se observa en la figura 6.14, el punto de reposo Q deberá estar justo
en el medio de la recta de carga dinámica (R.C.D).
O sea: VCEQ = I CQ ⋅ ( ROS )
Como: VCEQ = VCC − I CQ ⋅ ( RS + R E ) , despejamos y queda la siguiente ecuación:
Vcc
VCC = I CQ ⋅ ( ROS + RC + RE ) ⇒ I CQ =
Ros + Rc + RE
Una vez determinado Icq, de la malla de entrada del transistor podemos obtener los
valores de R1 y R2 que forman RB.
Ic
−1
tgγ =
RC Q VCE Q Ros
Icq =
R os −1
RC E tgδ =
Q Ros
α
VCE VCE
Fig. 6.12
- 49 -
7. Análisis de amplificadores monoetapa
Una vez que obtuvimos el punto de reposo Q obtenido del análisis de continua del
circuito amplificador, analizaremos el comportamiento del circuito en presencia de una
señal.
Previo a ello vamos a definir el concepto de “Transconductancia”.
Definimos transconductancia (gm) de un transistor a la variación de su corriente de
salida en función de la tensión de entrada.
Para los transistores TBJ:
d Ic
gm =
d Vbe
Icq
De acuerdo a la ecuación del transistor TBJ nos queda gm =
VT
Como VT = 25 mV ⇒ gm = 40 I CQ
Ahora sí, a partir de aquí, al hacer el análisis del amplificador tenemos que tener en
cuenta que existen tres tipos de configuración en los amplificadores mono etapa: Emisor
común, Base común, y Colector común.
Cuando la señal entra por Base, y sale por colector, estamos en presencia de la
configuración Emisor común.
Cuando la señal sale por colector pero entra por Emisor, la configuración es Base
común.
Por último, en la configuración Colector común la señal entra por Base y sale por
Emisor.
A continuación nos pondremos a analizar cada una de estas configuraciones:
7.1. Emisor comun

VCC
RB1 RC C3
C1
R3 RB2 R L v0
RE C2
vi
VS ~
Fig. 7.1

- 50 -
Como podemos observar en la figura, la señal entra por la Base, y sale por el Colector.
Considerando que los capacitores externos actúan como un cortocircuito a frecuencias
medias, y la fuente de tensión es considerada “masa”, el circuito que nos queda es el
siguiente:
ic i0
iS ib
RC
RS vi RL v0
RiS R0
vS ~ R ia Ri R0
R0
Fig. 7.2
Para esta configuración, podemos considerar el transistor como el siguiente cuadripolo:

(Asumimos que estamos trabajando a frecuencias medias, por lo tanto las capacitancias
parásitas que se encuentran entre Base y Emisor, y entre Base y Colector, se las
considera un circuito abierto).
B E
1
hie hfe.ib hoe
E E
Fig. 7.3
Reemplazando el cuadripolo en el circuito equivalente, nos queda el siguiente circuito,

del cual vamos a analizar por el método de simple inspección las impedancias de
entrada y salida, las ganancias de tensión y corriente, y por ende, la ganancia de
potencia:

- 51 -
RS 1
RB hie hfe ⋅ ib RC RL
h 0e
vs ~
Fig. 7.4
Podemos dividir al circuito en “Transistor”, que abarca la línea de puntos;

“Amplificador”, que abarca el circuito que está dentro de los segmentos; y el circuito
completo, que incluye al Generador de señal con su impedancia interna, y a la
resistencia de carga RL.
Como expresáramos anteriormente, vamos a resolver por simple inspección las
impedancias, y por lo tanto encontraremos a la entrada Ri, que es la resistencia de
entrada del transistor; Ria, que es la resistencia de entrada del amplificador; y Ris, que
es la resistencia de entrada del sistema.
A la salida encontraremos Ro (Resistencia de salida del transistor), Roa (Resistencia de
salida del amplificador), y Ros (Resistencia de salida del sistema).
Entonces, de acuerdo a lo observado en la figura, las resistencias para este circuito,
serán las siguientes:
Ri = hie
Ria = RB // Ri
Ris = Rs + Ria
1
Ro =
hoe
Roa = Rc // Ro
Ros = RL // Roa
hfe y hoe son datos que nos entrega el fabricante del transistor.

- 52 -
Vamos a encontrar ahora las ganancias de tensión:
En primer lugar, definimos Ganancia o Amplificación de Tensión a la relación entre la
tensión a la salida respecto de la tensión de entrada de un circuito.
De acuerdo al circuito de la figura , podemos ver que, como la tensión de salida del
transistor y la del amplificador es la misma, y lo mismo sucede con las tensiones de
entrada, concluimos que la ganancia de tensión del transistor y del amplificador
coinciden.
Esta ganancia o amplificación de tensión la llamamos AV.
AV será igual a la relación entre la tensión de salida Vo y la tensión de entrada Vi
Vo
AV =
Vi
Vo es igual a la corriente que circula por la malla de salida, que en este caso es la
corriente generada por la fuente de corriente (hfe . ib), multiplicada por la resistencia de
la malla de salida Ros.
Podemos observar en la figura que el sentido de la corriente es opuesto al de la tensión
en la salida, por lo que Vo tendrá un signo negativo.
Vi la podemos definir como la corriente de entrada del transistor ib multiplicada por la
resistencia de entrada del transistor hie.
Entonces tendremos
Vo hfe.ib.Ros
AV = =
Vi ib.hie
hfe
hie = , entonces, simplificando nos queda: AV = − gm ⋅ Ros
gm
El signo negativo significa que la señal de salida del amplificador desfasará 180°
respecto de la señal de entrada, o sea que la señal se invertirá.
Nos queda encontrar la ganancia de tensión del sistema Avs
Vo
AVS =
Vs
Si multiplicamos y dividimos por un valor, matemáticamente es lo mismo, entonces:
Vo Vi
AVS = ⋅
Vi V s
Vo V
Como ya lo obtuvimos antes, y es AV , nos queda averiguar i .
Vi Vs

- 53 -
Analizamos la entrada del amplificador en el siguiente circuito:
RS
Vi
Ria
VS N
Fig. 7.5
De acuerdo a las leyes de Kirchof, la corriente en la Resistencia Ria es la misma que la

corriente de toda la malla, o sea:
Vs V Vi Ria
= i ⇒ =
( Rs + Ria ) Ria Vs Ris
Entonces:
Ria
AVS = AV ⋅
Ris
Ganancia de corriente del transistor:
Como la corriente de entrada es la corriente de base ib , y la corriente de salida es i c ,
ic
Ai =
ib
Como ic = h fe ⋅ib , si reemplazamos, Ai = h fe
El paso siguiente es encontrar la ganancia de corriente del circuito:

io
Ais =
is
VO Vs Ris
Como io = y is = ⇒ Ais = Avs ⋅
RL Ris RL
Por último A ps = Avs ⋅ Ais

- 54 -
Conclusiones:
En esta configuración, el amplificador gana tensión (con inversión de fase a la salida),
y también gana corriente.
La impedancia de entrada del transistor es generalmente del orden de los cientos de
ohm o del megaohm, luego, al estar en paralelo con RB, generalmente será del orden
del valor de esa resistencia. La impedancia de salida es muy elevada (se puede
considerar en muchos casos tendiente a infinito) pues hoe es muy pequeño (del orden
de los μ mho). Luego esa resistencia, al estar en paralelo con Rc, toma el valor de dicha
resistencia.
7.2. Base común

VCC
RB 1 RC
Rs
RE RL
+
Vs N RB2
_
Fig.7.6
En esta configuración, como podemos observar, la señal entra por emisor y sale por
colector.
Considerando los capacitores un corto circuito, y la fuente de tensión “masa”, nos queda
el siguiente circuito:

- 55 -
Vi
Rs
RE RC RL V0
+
Vs V
-
Fig. 7.7
El cuadripolo equivalente para Base-Común es el siguiente:
E C
hfb.ie 1
hib hfb.ie=hfe.ib
hoe
B B
Fig. 7.8
Reemplazándolo en la figura, nos queda el siguiente circuito:

Ro PoR Ros
Ria Ri
+ +
R 1
Vi hib hfe.ib RC RL V0
Ris RE hoe
+
_
Vs _
-
Fig. 7.9
Al igual que en el Emisor Común, analizaremos las resistencias de entrada y salida, las
ganancias de tensión, corriente y potencia.
Entonces, de acuerdo a la figura 7.9 tendremos:
1
Ri = hib =
gm
Ria = R E // Ri
Ris = Rs + Ria
1
Ro =
hoe
Roa = Rc // Ro
Ros = RL // Roa
- 56 -
Haciendo un análisis similar al que hicimos cuando analizamos las Ganancias en la
configuración de Emisor Común obtendremos:
Nota: Como podemos observar en el circuito de esta configuración, dado el sentido de

circulación de la corriente de salida, en este caso no va a haber desfasaje entre la
tensión y la corriente a la salida, y por lo tanto tampoco va a haber inversión de fase en
la amplificación de tensión.
Vo
AV =
Vi
Vo = h fe ⋅ ib ⋅ Ros
Vi = ie ⋅ hib
Resolviendo y simplificando nos queda:
AV = gm ⋅ Ros
Al igual que en el Emisor común Avs será:

Ria
AVS = AV ⋅
Ris
La ganancia de corriente del transistor será en este caso:
ic h fe
Ai = =
ie (h fe + 1)
Como podemos observar, en esta configuración no hay amplificación de corriente.

La ganancia de corriente del sistema Ais será:
Ris
Ais = Avs ⋅
RL
Por último, la ganancia de potencia será:
A ps = Avs ⋅ Ais
Conclusiones:
En esta configuración tenemos ganancia de tensión (sin inversión de fase), pero no hay
ganancia de corriente.
Las Resistencias de salida son similares a las del Emisor Común, pero las Resistencias
de entrada son muy bajas.

- 57 -
7.3. Colector común
VCC
RB1 RC
Rs
RB2 RE RL Vo
+
VS
-
Fig. 7.10
En esta configuración la señal entra por la base, pero a diferencia del Emisor común,
donde la señal sale por colector, en este caso sale por el emisor.
El circuito equivalente en alterna es el siguiente:
RS
RB RE RL
+
VS
_
Fig. 7.11
Considerando el circuito equivalente del transistor en la configuración de Emisor común

también para esta configuración, el circuito equivalente será el siguiente:
Rie Ri Ro Roq Ros

hie E
+
RS
1 RE RL V0
Ris Vi RB hfe.ib
+ hoe
Vs
_
-
Fig. 7.12

- 58 -
Para encontrar la resistencia de entrada del transistor recordemos que:
vi
Ri =
ib
vi = ib ⋅ hie + ie ⋅ ( RE // R L )
Como ie = h fe ⋅ ib , reemplazamos, sacamos factor común ib y nos queda:
vi = ib ⋅ (hie + h fe ⋅ ( RE // RL ))
Entonces:
vi
Ri = = hie + h fe ⋅ ( R E // RL )
ib
Luego:
Ria = RB // Ri
Ris = Rs + Ria
Para encontrar la resistencia de salida partimos de lo siguiente:

vo
Ro =
ie
vo = ib ⋅ hie + ib ⋅ ( RB // RS )
ie
Como ib ⋅ hie = ie ⋅ hib y además ib = , reemplazamos y obtenemos:
(h fe + 1)
ie
vo = ie ⋅ hib + ⋅ ( R B // RS )
h fe
Nota: Debido a que h fe es mucho más grande que 1, despreciamos el 1 y nos queda
h fe + 1 = h fe
Despejamos ie y entonces llegamos a tener Ro :
vo ( R // RS )
Ro = = hib + B
ie h fe
Luego:
Roa = RE // Ro
Ros = RL // Roa
Corresponde ahora encontrar la amplificación de tensión AV :
vo
AV =
vi
- 59 -
Donde:
vo = ie ⋅ ( RE // R L ) = ib ⋅ h fe ⋅ ( RE // RL )
vi = ib ⋅ hie + ie ⋅ ( RE // RL ) = ib ⋅ hie + ib ⋅ h fe ⋅ ( RE // RL )
h fe
Recordando que hie = h fe ⋅ hib =
gm
Si en vo y en vi sacamos factor común ib ⋅ h fe , cuando resolvemos AV queda lo
siguiente:
vo ( RE // RL )
AV = =
vi 1
+ ( RE // RL )
gm
Multiplicamos gm en el numerador y el denominador y por último tendremos:
vo ( RE // RL )
AV = = gm ⋅
vi 1 + gm ⋅ ( RE // RL )
De donde se desprende que AV nunca será mayor que 1, o sea que en la configuración
Colector Común no hay ganancia de tensión.

En muchos casos gm ⋅ ( RE // RL ) >> 1
Cuando esto sucede AV = 1 aproximadamente.
En este caso decimos que la configuración Colector común es un seguidor por emisor,
pues la señal que entra por la Base es prácticamente la misma que sale por el Emisor.
Recordemos que:
Ria
AVS = AV ⋅
Ris
Para encontrar la Ganancia de corriente del transistor en el Colector común tendremos:
ie ib ⋅ (h fe + 1)
Ai = = ⇒ Ai = h fe + 1
ib ib
Ris
Ais = Avs ⋅
RL
Por último tendremos la ganancia de Potencia:
A ps = Avs ⋅ Ais

- 60 -
Conclusiones:
Esta configuración no tiene ganancia de tensión, y se la llama Seguidor por Emisor,
pues la señal que entra por el colector es prácticamente la misma que sale por el emisor.
El Colector común amplifica las señales de corriente, y respecto de las Resistencias
podemos concluir que las de entrada son muy elevadas ( de hecho cuando queremos
tener una impedancia de entrada muy alta seleccionaremos para esa etapa un Colector –
Común) y las de salida muy bajas.
7.4. Resumen de las configuraciones

Antes de presentar el resumen de las configuraciones, proponemos que el alumno
realice un circuito amplificador monoetapa con un transistor igual y con las mismos
valores de resistencia (Rs, R1 y R2, RE y RC, lo mismo que la carga RL) y plantearlo
para las 3 configuraciones: Emisor Común, Base Común y Colector Común.
De esa manera con los valores obtenidos de las Amplificaciones y las Resistencias se
podrá comparar mejor las características de cada una de las etapas.
La siguiente es una tabla donde se resume las tres configuraciones y sus
características principales.
Ri Ro Av Ai
Emisor hfe 1 − gm( Rc // RL ) hfe
hie =
Común gm hoe
Base 1 1 gm( Rc // RL ) hfe

hib =
Común gm hoe hfe + 1
Colector hie + hfe( RE // RL ) RB // Rs gm( RE // RL ) hfe + 1

hib +
Común hfe 1 + gm(RE // RL )

- 61 -
Ejercicio:
RB1= 10 KΩ Transistor
hFE = 300 VCC
RB2= 40 KΩ
hfe = 400 RB1 RC C3
R3 = 100 Ω
RC = 1 KΩ C1
RE = 2 KΩ R3 RL
RB2
RL = 3 KΩ RE C2
VC C =15 V VS ~
Fig. 7.13
En primer lugar resolvemos el circuito de Corriente Continua:
VC C = 15
RC = 1 KΩ
VBB = 3
RB = 8
RE = 2 KΩ
Fig. 7.14
10 KΩ ⋅ 40 KΩ
R B = R B1 // R B 2 = = 8 KΩ
10 KΩ + 40 KΩ
VCC 15 V
VBB = ⋅ RB1 = ⋅ 10 KΩ = 3V
RB1 + RB2 10 KΩ + 40 KΩ
Malla de entrada:
IC
VBB − I B ⋅ R B − VBE − I E ⋅ R E = 0 ⇒ 3 V− ⋅ 8 KΩ − 0,7 V − I C ⋅ 2 KΩ = 0
h FE
3 V − 0,7 V ⎧ I E ≅ IC
IC = = 1,13 mA ; ⎪
8 KΩ ⎨I = I C
+ 2 KΩ ⎪⎩ B hFE
300
Malla de salida:
VCC − I C ⋅ RC − VCE − {
I E ⋅ RE = 0
IC
VCE = − I C ⋅ ( RC + RE ) + VCC = 1,13 mA ⋅3 KΩ + 15 V ≅ 11,6 V

- 62 -
VCEQ = 11,6 V IC RCD
(este gráfico está fuera de escala)
ICMáx.
I CEQ = 1,13 mA
Q
Vcc I CQ
I e max = = SmA
Rc + R E
VCE
VCE max = 15 V VCEQ Má x.
V CE
Fig. 7.15
Una vez que resolvimos el punto de reposo Q, resolveremos el circuito desde el punto
de vista de las señales de alterna, donde encontraremos las Resistencias de entrada y
salida y luego, las Amplificaciones de Tensión, Corriente y Potencia.
Para ello, de acuerdo a lo visto cuando analizamos la configuración Emisor Común, el
circuito equivalente será el siguiente:
Rs = 100 1
RB = 8 hie hfe ⋅ ib RC = RL = 3
h 0e
vs ~
Fig. 7.16
De acuerdo a lo visto en la Figura 7. 2 tendremos a la entrada:
Ri = hie
h fe 400
hie = = = 8,85 KΩ
gm I ca
25 mV
RB ⋅ hie 8 KΩ ⋅ 8,85 KΩ
Ria = = = 4,2 KΩ
RB + hie 8 KΩ + 8,85 KΩ
Ris = Rs + Ria = 0,1 KΩ + 4,2 KΩ = 4,3 KΩ
A la salida tendremos lo siguiente:

R0 a = RC = 1 KΩ
RL ⋅ RC 3 K Ω ⋅ 1 KΩ
R0 s = = = 0,75 KΩ
RL + RC 3 KΩ + 1 KΩ
Ahora se trata de encontrar las Ganancias de Tensión y Corriente:
1
Av = − g m ⋅ ( RL // RC ) = −0,0452 ⋅ 0,75 KΩ = − 33,9
Ω

- 63 -
Ria 4,2 KΩ
Avs = Av ⋅ = −33,9 ⋅ = − 33,11
Ris 4,3 KΩ
ic
Ai = = hfe = 400
ib
Ris
Ais = Avs. = 47,46
Ri
Por último analizaremos la Ganancia de Potencia:
Ap = Av ⋅ Ai = 33,9 ⋅ 400 = 13560
Aps = Avs ⋅ Ais = 33,11 ⋅ 47,47 = 1571,73
El último paso se trata de hallar v̂sMáx . :
Para ello, primero se trata de encontrar VOMáx , entonces compararemos VCEQ con
I CQ ⋅ ( RC // RL )
vˆ0Máx . = I cq ⋅ RC // RL = 1,13 mA ⋅ 0,75 KΩ = 0,847 V < VCEQ = 11,6 V *
* Elijo el valor más chico.

Entonces:
vˆ0máx . 0,847 V
vˆsMáx. = = = 25,6 mV
Avs 33,11
Ahora si sacamos el capacitor de la carga en el circuito original, tendremos el circuito
de la Figura 7.17.
En la Figura 7.18, veremos como queda el circuito equivalente en continua. En esta
figura observamos que la malla de entrada no sufrirá modificaciones, por lo que IcQ
será la misma del circuito anterior. Pero en la malla de salida, observamos que la carga
influirá en el circuito.
Por eso, aplicando el Teorema de Thevenin encontraremos R’c y V’cc:

- 64 -
Vcc = 15 V
VCC = 15 V
40k Ω 1kΩ
40 KΩ 1 KΩ
100 Ω 3 KΩ
10 KΩ
2 KΩ 10k Ω 3kΩ
VS ~ 2kΩ
Fig. 7.17 Fig. 7.18
R'C = 1 KΩ // 3 KΩ = RC // RL
15 V ⋅ 3KΩ V ⋅R
V 'CC = = CC L
1 KΩ + 3 KΩ RC + RL
Ahora la malla de salida quedará de la siguiente manera:

VCEQ = V 'CC − I CQ ⋅ ( R'C + RE ) = 8.09 V
V’C C = 11,2 V
R’C = 0,75 KΩ
VBB = 3 V
RB = 8 KΩ
RE = 2 KΩ
Fig. 7.19
Dejamos para el alumno encontrar la Recta de Carga Estática (R.C.E), donde verificará
que IcMáx y VcEMáx serán diferentes respecto del ejercicio anterior.
Con respecto al circuito para señal alterna, al comportarse el capacitor como un corto
circuito, su ausencia en el circuito original no altera su resolución. Solamente variarán
los valores que dependen de Icq.
7. 5. Circuitos realimentados
Si bien se analizará en otra unidad de la materia con mayor detenimiento el significado
de la realimentación negativa en los circuitos amplificadores, es oportuno destacar en
este tema, que si sacamos el capacitor que está en paralelo con el terminal común (en
este caso el emisor) el amplificador queda realimentado negativamente. Ver Figura.

- 65 -
Si bien desde el punto de vista del circuito en corriente continua el circuito no sufre
ninguna modificación, no sucede lo mismo en el circuito de alterna.
V CC = 15 V
40 KΩ 1 KΩ
100 Ω 10 KΩ RL = 3 KΩ
2 KΩ
vS ~
Fig. 7.20
Un circuito realimentado negativamente pierde ganancia de tensión Av y gana

estabilidad y mejora la respuesta de frecuencia.
Av Circuito sin
realimentar.
Circuito realimentado
negativamente.
t
Fig. 7.21
Si bien el análisis de Respuesta en Frecuencia de un Amplificador no es tema de esta

materia, sí nos compete analizar las modificaciones que se producen respecto de las
Resistencias y Ganancias.
Ri B C
1
Rs hie hfe ⋅ ib
h 0e
vi RB E RC RL
vs ~
Fig. 7.22

- 66 -
* R0 = ∞
* R0a = RC La salida no cambia.
* R0s = RC // RL
Consideramos vi la tensión que se encuentra entre la Base y masa.
A diferencia del circuito sin realimentar, además de la caída de tensión en hie, habrá que
sumarle la tensión en R E .
Ya que no tenemos la misma corriente en la base y el emisor, vi quedará de la siguiente
manera:
vi = ib ⋅ hie + ie ⋅ RE = ib ⋅ hie + ib ⋅ (hFe + 1) ⋅ RE
14243
despreciamos el1
vi = ib ⋅ (hie + h fe ⋅ RE )
vi = ib ⋅ [hie + (h fe + 1) ⋅ Re ]
Por lo tanto encontraremos Ri para este circuito:

vi
* Ri = = hie + (h fe + 1) ⋅ RE
ib
Llegamos a la conclusión que aumentó la resistencia de entrada considerablemente.
* Ria = RB // Ri
* Ris = Rs + Ria
La ganancia de corriente no varia en su forma de cálculo, pero sí en su valor.
En cambio, de acuerdo a lo comentado unos párrafos atrás, la ganancia de tensión
disminuye, y ahora lo demostraremos:
− gm ⋅ (RC // RL )
v − h fe ⋅ ib ⋅ ( RC // R L ) − h fe ⋅ ( RC // R L ) − RC // R L Av =
Av = 0 = = = ⇒ 1+ gm ⋅ Re
vi ib ⋅ [hie + h fe ⋅ Re ] ⎛ hie ⎞ 1
h fe ⋅ ⎜ + RE ⎟ + R E
⎜h ⎟ gm
⎝ fe ⎠
Demostramos que Av realimentado es menor que Av de un amplificador mono etapa sin

realimentar.
Luego:
Ria
Avs = Av ⋅
Ris
Es interesante que el alumno haga los cálculos con el ejemplo anterior y compare las
diferencias.

- 67 -
8. Amplificadores diferenciales
Definimos como amplificadores diferenciales a aquellos circuitos amplificadores que
tienen dos señales en la entrada y cuya señal de salida depende de la diferencia entre las
dos señales de entrada.
v1 v0
v1
Fig. 8.1
v 0 = v1 ⋅ A V1 + v 2 ⋅ A V2 (1)
v0 v
donde A V1 = para v2 = 0 ; A V2 = 0 para v1 = 0
v1 v2
Nótese que la ganancia de tensión Av1 es positiva, pues está asociada con la señal de
entrada no inversora, mientras que la ganancia Av2 es negativa, pues está asociada con la
señal de entrada inversora.
La señal de entrada de un amplificador diferencial puede ser dividida en dos partes:
a) Una señal en modo diferencial que es igual a la diferencia entre las dos señales de
entrada v1 y v2 .
vd = v1 - v2 (2)
b) Una señal en modo común, que es igual al valor promedio de las dos señales de
entrada.
V1 + V2
VC = (3)
2
Despejando de (2) y (3):
Vd
v1 = VC + (4)
2
Vd
v 2 = VC − (5)
2
Reemplazando (4) y (5) en (1):
⎛ V ⎞ ⎛ V ⎞
v 0 = ⎜ VC + d ⎟ ⋅ A V1 + ⎜ VC − d ⎟ ⋅ A V2 ⇒
⎝ 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠

- 68 -
(
⇒ v 0 = VC ⋅ A V1 + A V2 + ) Vd
2
( )
A V1 − A V2 = VC ⋅ A VC + Vd ⋅ A Vd
donde A Vd =
v0 1
(
= A V1 − A V2
vd 2
) para VC = 0
v0
y A VC = = A V1 + A V2 para Vd = 0
vc
Una medida para analizar la capacidad del amplificador diferencial de distinguir entre
una señal de modo diferencial y una señal de modo común es la relación de rechazo de
modo común (RRMC) y, se define como:
A Vd
RRMC = ρ =
A VC
La señal de salida puede ser expresada con los parámetros de modo común y modo
diferencial.
⎛ Vc ⎞
⎜ ⎟
⎛ V ⋅A ⎞ V
V0 = Vd ⋅ A Vd + Vc ⋅ A Vc == Vd ⋅ A Vd ⋅ ⎜⎜1 + c Vc ⎟⎟ = Vd ⋅ A Vd ⋅ ⎜1 + d ⎟
⎝ Vd ⋅ A Vd ⎠ ⎜ ρ ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Idealmente, el valor de ρ debe ser infinito, de modo tal que el valor de AVc es igual a
cero cuando el amplificador diferencial es perfectamente simétrico y cuando los dos
dispositivos activos (en este ejemplo: transistores TBJ) son perfectamente idénticos.
8.1. El amplificador diferencial

Un circuito puede ser el siguiente:
VCC
I CQ1 I CQ2
RS RC
T1
v1 ~ R T2
RS RL v0
~ v2
RE
− VEE
Fig. 8.2

- 69 -
Las corrientes de colector I CQ1 e I CQ2 de los transistores T1 y T2 respectivamente son
iguales, pues la corriente I CQ depende de la malla de entrada, pero las mallas de entrada
de los dos transistores no son exactamente iguales. Cualquier diferencia que exista entre
los transistores T1 y T2 (distintos hFE y/o distintas VBE), se ajusta por medio de la
resistencia variable RV .
Ajustando RV podemos hacer que I CQ1 sea igual a I CQ2 .
Si queremos encontrar el punto Q, en primer lugar debemos hallar I CQ1 (ó I CQ2 ) a través
de la malla de entrada.
Por RE circulan I CQ1 y I CQ2 , pero como estas corrientes son iguales, la corriente que
circula por RE es igual a 2 ⋅ I CQ . Además, si bien RV permite ajustar los transistores para
que I CQ1 sea igual a I CQ2 , consideremos en principio que RV se reparte en partes iguales
en T1 y T2 .
Entonces ahora sí, analizando la malla de entrada tendremos:
RV IC VEE − VBE
VEE = 2 ⋅ I Cq ⋅ RE + I Cq ⋅ + VBE1 + q1 ⋅ RS ⇒ I Cq =
2 hFE1 R R
2 ⋅ RE + V + S
2 hFE1
I CQ = I CQ
1 2
Para las mallas de salida:

RV
T1: VCC − VCEQ1 − I CQ1 ⋅ − 2 ⋅ I CQ1 ⋅ RE + VEE = 0 ⇒
2
⎛R ⎞
⇒ VCEQ1 = VCC + VEE − I CQ1 ⋅ ⎜ V + 2 ⋅ RE ⎟
⎝ 2 ⎠
RV
T2: VCC − I CQ2 ⋅ RC − VCEQ2 − I CQ2 ⋅ − 2 ⋅ I CQ2 ⋅ RE + VEE = 0 ⇒
2
⎛ R ⎞
⇒ VCEQ2 = VCC + VEE − I CQ2 ⋅ ⎜ RC ⋅ V + 2 ⋅ RE ⎟
⎝ 2 ⎠
De acuerdo al circuito de la Figura 8. 2, como el Transistor T1 no tiene resistencia en el
Colector, tendrá una VcEQ mayor que la del transistor T2.
Dejamos para el alumno como ejercicio y repaso del tema anterior encontrar las Rectas
de Carga estática de cada uno de los transistores del amplificador diferencial.

- 70 -
8.2. Análisis para corriente alterna
Recordemos que las fuentes de tensión son consideradas como masa y que al considerar
que trabajamos a frecuencias medias, los capacitores extremos son considerados un
cortocircuito, y las capacitancias internas se considera un circuito abierto.
El circuito equivalente es el siguiente:
RS
T1
v1 ~ R T2
RS RC RL v0
~ v2
RE
Rd = RC // RL
Fig. 8.3
Si reemplazamos T1 y T2 por sus modelos equivalentes:
RV / 2 RV / 2 hfe2 .ib2
E1 E2
h ie1 hie 2
B2
iB2 V0
hfe.ib RS 1 RE RS 2 Rc//RL
+ +
v2 ~
V1 ~
−
−
Fig. 8.4
Si expresamos las corrientes en función de i E1 e i E 2 y además desdoblamos el generador
de corriente h fe 2 ⋅ i b 2 , nos queda el siguiente circuito:
E1 RV / RV / E2
h ie 1 h ie 2
i E1 iE 2
h fe1 + 1 h fe 2 + 1
B1
RS i B2 RS
h fe 1 ⋅ i B1 RE h fe 2 ⋅ i b 2 h fe 2 ⋅ i b1 Rd v0
h fe 1 + 1 h fe 2 + 1
+ +
v1 ~ ~ v− 2
−
Fig. 8.5

- 71 -
O sea que el circuito que se obtiene (considerando los dos transistores iguales) es el
siguiente:
RV / 2 RV / 2
h ib
h ib iC iC
RS RS
RE h fe ⋅ i B Rd v0
h fe h fe
+ +
v1 ~ ~ v2
− −
Fig. 8.6
De la malla de salida observamos que: v0 = −h fe ⋅ i B ⋅ Rd
v0 = −iC ⋅ Rd
Vd Vd
De (4) y (5)° ∗ ⇒ v1 = VC + ; v2 = VC −
2 2
Reemplazamos V1 y V2 en función de Vd y Vc, y nos queda ahora el circuito de la
Figura 8. 7:
RV / RV /
h ib
h ib iC iC
RS i B2 RS
RE h fe ⋅ i B Rd v0
h fe h fe
+ +
vC ~ ~ v− C
−
+ −
vd / 2 ~
− ~ v+ d / 2
Fig. 8.7
∗ hie RS R
Recordar que hib = , que ≅ S y que i C ≅ i E .
h fe + 1 h fe +1 h fe

- 72 -
Si aplicamos el principio de superposición, obtendremos dos circuitos, uno para los
⎛ V ⎞
generadores VC ⎜ con d = 0 ⎟ y el otro para Vd (con VC = 0).
⎝ 2 ⎠
A continuación se superpondrán los resultados.
v0 = v0C + v0d = AVC ⋅ vC + AVd ⋅ vd
Vd
Primero consideramos =0
2
RV / RV /
h ib
h ib iCC iCC
RS RS
RE h fe ⋅ i b Rd v0
h fe h fe
+ +
vC ~ ~ v−C
−
Fig. 8.8
Podemos pasar al circuito de la Figura 8. 9:

RV / 2
h ib i CC Pues por RE circula dos veces iC . Si queremos

resolver la malla y considerar que circula iC por esa
RS
2⋅RE malla trasladamos el 2 a la resistencia RE .
hfe
+
vC ~
−
Fig. 8.9
⎛R R ⎞
VC = iCC ⋅ ⎜ S + hib + V + 2 ⋅ RE ⎟
⎜h 2 ⎟
⎝ fe ⎠
RS R
2 ⋅ RE >> + hib + V ⇒
h fe 2
VC
⇒ iCC ≅ ⇒ vC = iCC ⋅ 2 ⋅ RE
2 ⋅ RE
v0C = AvC ⋅ vC

- 73 -
v0 iC ⋅ Rd R
AvC = =− C ⇒ AVC = − d
vC iCC ⋅ 2 ⋅ RE 2 ⋅ RE
Consideremos ahora vC = 0
RV / 2 RV / 2
h ib
h ib i Cd iCd
RS RS
RE h fe ⋅ i b R d v0
h fe h fe
+ +
vd / 2 ~ ~ vd / 2
−
Fig. 8.10
Como podemos observar, la corriente que circula por RE es nula, pues por el efecto de
una malla, la corriente circula en un sentido, y por efecto de la otra, la corriente circula
en el otro sentido; y como éstas son iguales deducimos que i Cd en RE es igual a cero.
Por lo tanto nos queda el siguiente circuito:

RV / 2 RV / 2
h ib
h ib
i Cd RS
RS
h fe h fe
+ −
vd / 2 ~ ~ v+ d / 2
−
Fig. 8.11
Y en la que nos queda la siguiente ecuación:
vd vd ⎛ R ⎞
+ = vd = iCd ⋅ ⎜ 2 ⋅ S + 2 ⋅ hib + RV ⎟
2 2 ⎜ h ⎟
⎝ fe ⎠
o sea que:
− iCd ⋅ Rd
V0 d = AVd ⋅ vd ⇒ AVd = ⇒
⎛ R ⎞
iCd ⋅ ⎜ 2 ⋅ S + 2 ⋅ hib + RV ⎟
⎜ h ⎟
⎝ fe ⎠

- 74 -
− Rd
⇒ AVd =
RS
2⋅ + 2 ⋅ hib + RV
h fe
AVd 2 ⋅ RE
Recordemos que ρ (RRMC) = ⇒ ρ=
AVC RS
2⋅ + 2 ⋅ hib + RV
h fe
Como se trata de lograr que ρ tienda a infinito, para que las condiciones reales se
aproximen a las ideales, hay que lograr que RE sea lo más elevado que el circuito
permita.
Más adelante volveremos sobre este tema.
Nos queda encontrar las impedancias de entrada en modo diferencial. (R i d y en modo
común R i C ) .
Para encontrar R i C , volvamos al siguiente circuito:
RV / 2 viC RV
RiC = ⇒ RiC = hie + ⋅ h fe + 2 ⋅ h fe ⋅R E
ibC 2
h ib
RiC ≅ 2 ⋅ h fe ⋅ RE
i CC
RS
2⋅RE
h fe
+ [R iSC = RS + RiC = RS + 2 ⋅ h fe ⋅ RE ]
viC ~
−
Fig. 8.12
Para encontrar R id :
RV
vid
2 ⋅ h ib Rid = ; Rid = 2 ⋅ hie + h fe ⋅ RV
ibd
i Cd
2 ⋅ RS
h fe
+
[R iS d = 2 ⋅ RS + Rid = 2 ⋅ RS + 2 ⋅ hie + h fe ⋅ RV ]
vd ~
−
Fig. 8.13

- 75 -
Habíamos dicho anteriormente, que hay que lograr que RE sea lo más elevada posible
para que ρ tienda a infinito.
Una manera de lograr esto es colocando una fuente de corriente en lugar de la
resistencia.
VCC
IC Q ICQ
RS
1 2
RC
T1
v1 ~ R T2
RS
~ v2
R0
VEE
Fig. 8.14
Donde R0 tiene un valor muy alto, proporcional a la impedancia de salida de un
transistor.
8.3. Fuentes de corriente

Hay varios tipos de fuentes de corriente que se pueden poner a continuación de los
emisores de un amplificador diferencial.
Nosotros veremos la fuente denominada "espejo".
Vec
Re Rc RC
IR R RS
T2 RV T1
~ RS RL
v1
IC4
~ v2
T4 T3
I B4 I B3
− VEE
Fig. 8.15

- 76 -
En este caso podemos observar que :
VCC + VEE − VBE4
VCC = R ⋅ I R + VBE4 − VEE ⇒ I R =
R
Por otra parte:
I R = I C4 + I B3 + I B4
como T3 ≡ T4 ⇒ I B3 = I B4 ; I C3 = I C4 ⇒
2 ⋅ I C4 ⎛ 2 ⎞
⇒ I R = I C4 + 2 ⋅ I B4 ⇒ I R = I C4 + ⇒ I R = I C 4 ⎜1 + ⎟ ⇒
hFE4 ⎜ hFE ⎟
⎝ 4 ⎠
I R ≅ I C4
como T3 ≡ T4 ⇒ I C3 = I R
O sea que la corriente IR se refleja en la corriente de colector del transistor T3

I C3
Y como I C3 = 2 ⋅ I C1 ⇒ I C1 = I C2 =
2
Por otra parte:
1 − (RC // R L ) − (RC // R L ) R0 3
R0 3 = ⇒ AVd = ; AV C = ; ρ=
h03 2 ⋅R S 2 ⋅ R0 3 RS
+ 2 ⋅ hib + hib
h fe1 h fe
8.4. Circuitos d'arlington

Estos circuitos se utilizan para obtener una elevada ganancia de corriente.
I C1
C1 C
IB1 C2
B IB 2 IC 2 IB IC
I E1 ≡ B
E1 B
I E2 IE
E2
E
Fig. 8.16 Fig. 8.17

- 77 -
(1) I BD = I B1
(2) I CD = I C1 + I C2
(3) I E1 = I B2
(4) I ED = I E2
(5) I C1 = hFE1 ⋅ I B1
(6) I E1 ≅ I C1 (9) I CD = hFE ⋅ I BD
(7) I C2 = hFE2 ⋅ I B2 (10) I ED ≅ I CD
(8) I E2 ≅ I C2
En (9) reemplazamos ICD de acuerdo a (2)

En (10) reemplazamos IED e ICD de (4) y (2)
(11) I C1 + I C2 = hFED ⋅ I B1
(12) I E2 ≅ I C1 + I C2
Reemplazamos (1) en (11) :

I C1 + hFE2 ⋅ I B2 = hFED ⋅ I B1
De (4) y (6):
I C1 + hFE2 ⋅ I C1 = hFED ⋅ I B1
Luego:
( )
I C1 ⋅ 1 + hFE2 = hFED ⋅ I B1
Como: I C1 = hFE1 ⋅ I B1
( )
hFE1 ⋅ I B1 ⋅ 1 + hFE2 = hFED ⋅ I B1
Finalmente nos queda:

hFE1 + hFE1 ⋅ hFE2 = hFED

- 78 -
Ejemplo:
VCC
R1 RC
T1
C T2
RS R2 RL
vS ~ RE
Fig. 8.18
Análisis en continua:
VCC VBB − I B1 ⋅ RB − V BE1 − VBE2 − I E ⋅ RE = 0
RC
RB I CD
VBB VBB − ⋅ RB − 2 ⋅ VBE − I C D ⋅ R E = 0
T1 hFED
T2
RE VBB − 2 ⋅ VBE
I CD =
RB
+ RE
hFED
Fig. 8.19
En alterna:
T1
T2
RS
RB RC RL
vS ~
.
Fig. 8.20
⎛ 1 h fe ⎞
Ri = hie1 + h fe1 ⋅ hie2 = h fe1 ⋅ ⎜ + 2 ⎟
⎜ gm gm ⎟
⎝ 1 2 ⎠
AV = −
(RC // RL )
hib + hie2

- 79 -
9. El Transistor de Efecto de Campo JFET
(*)Esta unidad está extraída casi en forma textual del capítulo 13 de la 5º edición del libro “Principios de Electrónica” de Albert
Paul Malvino.
La idea básica en la que se funda el FET de unión, o simplemente JFET (Juntura

Transistor de Efecto de Campo), es la siguiente: la Figura 9.1a muestra una sección de
semiconductor tipo n, la cual no es un JFET, sino el primer paso de su fabricación. El
extremo inferior se llama fuente (source) y el superior drenador (drain). La fuente de
alimentación VDD obliga a los electrones libres a fluir desde la fuente hacia el drenador.
La fuente y el drenador de un JFET son análogos al emisor y al colector de un transistor
bipolar.
Para producir un JFET el fabricante difunde dos áreas de semiconductor tipo p en el
semiconductor tipo n, como se muestra en la Figura 9.1b. Cada una de estas zonas p se
denomina puerta (gate). Cuando el fabricante conecta un terminal separado a cada
puerta, el dispositivo se llama JFET de doble puerta.
La mayoría de los JFET tienen las dos puertas conectadas internamente para tener un
solo terminal de conexión externo, como se muestra en la Figura 9.1c. Debido a que las
dos puertas están siempre conectadas al mismo potencial, el dispositivo actúa como si
tuviera solo una.
Nos concentramos en el JFET de puerta única debido a que este es más utilizado que el
JFET de doble puerta. A propósito de ello, la puerta del JFET es equivalente a la base
del transistor bipolar.
En la Figura 9.1c, la puerta es una zona p, mientras que la fuente y el drenador son
zonas n. Por ello, un JFET se asemeja a dos diodos. La puerta y la fuente forman uno de
los diodos y la puerta y el drenador constituyen el otro. Como los JFET son dispositivos
de silicio, se requiere solo 0.7 V de polarización directa para tener una corriente
significativa en cualquiera de los diodos.

- 80 -
Drenador
n n
Puerta Puerta
+ Puerta
1 2
n V
DD p p p p
-
n n
Fuente
Fig. 9.1a Fig. 9.1b Fig. 9.1c
El término efecto de campo se relaciona con las zonas de deplexión que rodean a cada
zona p, como se observa en la Figura 9.2b. Las uniones entre cada zona p y las zonas n
tienen capas de deplexión debido a que los electrones libres se difunden desde las zonas
n en las zonas p. La recombinación de los electrones libres y los huecos crea las zonas
de deplexión mostradas por las áreas sombreadas de la Figura 9.2b.
p p
Fig. 9.2b
En el instante en que la tensión de alimentación del drenador se aplica al circuito, los

electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador. Éstos tienen que
pasar a través del estrecho canal situado entre las zonas de deplexión. La tensión de
puerta controla el ancho de este canal. Cuanto más negativa sea la tensión de puerta,
más estrecho será el canal y menor será la corriente del drenador.
Casi todos los electrones libres que pasan a través del canal fluyen al drenador. Por
tanto la corriente de Drenaje será igual a la corriente de Source, o sea:
ID = IS

- 81 -
El JFET que hemos estudiado se llama JFET de canal n, debido a que el canal entre las
zonas de deplexión esta hecho de semiconductor tipo n. La Figura 9.3a muestra el
símbolo eléctrico de un JFET de canal n. En muchas aplicaciones de baja frecuencia, la
fuente y el drenador son intercambiables debido a que se puede usar uno de los
terminales como fuente y el otro como drenador.
Aunque cualquiera de los dos terminales de la mayoría de los JFET se puede utilizar
como fuente para bajas frecuencia, esta situación no se da para altas frecuencias. Casi
siempre el fabricante minimiza la capacidad interna en el lado del drenador del JFET.
La capacidad entre la puerta y el drenador es menor que la capacidad entre la puerta y la
fuente.
Existe también un JFET de canal p. Se compone de un material tipo p con zonas
difundidas de material tipo n. El símbolo eléctrico de un JFET de canal p es similar al
del JFET de canal n, excepto en que la flecha de la puerta apunta desde el canal hacia la
puerta (Ver Figura 9.3b). La acción de un JFET de canal p es complementaria, lo que
significa que todas las tensiones y corrientes están invertidas.
Drenador Drenador
Puerta Puerta
Fuente Fuente
JFET tipo n JFET tipo p
Fig. 9.3a Fig. 9.3b
Existe una gran analogía entre el transistor bipolar y el JFET. Debido a ella, muchas de
las formulas que describen los circuitos con JFET no son mas que las formulas para los
transistores bipolares escritas con parámetros del JFET. Por ejemplo, la primera
analogía a notar la constituyen las tres regiones:
Bipolar JFET
Emisor Fuente
Base Puerta
Colector Drenador
La idea básica consiste en cambiar los subíndices. Por ejemplo, en lugar de una
corriente continua de emisor I E , un JFET tiene una corriente continua I S

- 82 -
9.1. Comparaciones entre el JFET y el TBJ
El transistor bipolar es la espina dorsal de la electrónica. Su funcionamiento se basa en
dos tipos de cargas, electrones y huecos. Por esta causa se denomina bipolar; el prefijo
bi significa “dos”. Para muchas aplicaciones lineales el transistor bipolar es la mejor
selección. Pero hay otras muchas aplicaciones donde el transistor unipolar es el mas
adecuado. El funcionamiento del transistor unipolar depende de un solo tipo de carga,
que puede ser de electrones o de huecos. A este hecho debe su nombre; el prefijo uni
significa “uno”.
El transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar.
El FET tiene más similitudes que diferencias con un transistor bipolar. Debido a este
hecho, casi todo lo que hemos aprendido antes acerca de los transistores bipolares se
aplica a los transistores de efecto de campo, aunque con ciertas restricciones.
La figura 9.4 presenta la manera normal de polarizar un JFET. Observe cuidadosamente
y podrá notar que esta es diferente del modo en que polarizamos un transistor bipolar.
Drenador
n
Puerta +
p p V
DD
-
-
VGG
n
+
Fuente
Fig. 9.4
La gran diferencia en relación a un transistor bipolar, es que en este polarizamos en

directa el diodo base-emisor, pero en JFET siempre polarizamos en inversa el diodo
puerta-fuente. Debido a la polarización inversa, sólo una corriente inversa muy pequeña
puede existir en el terminal de la puerta. Como aproximación, la corriente de puerta es
cero. Es decir,
IG = 0
Si un dispositivo no tiene corriente de entrada, esta situación indica que el dispositivo

tiene una resistencia de entrada infinita.

- 83 -
Por ejemplo, si VGG = 2 V e I G = 0 , la resistencia de entrada es:
2V
RG = =∞
0
La situación real es que I G no es exactamente cero, así que la resistencia de entrada no
es del todo infinita, pero si muy cercana. Un JFET típico tiene una resistencia de entrada
de cientos de megaohms. Esta es la gran ventaja que tiene un JFET sobre un transistor
bipolar. Y es la razón de que los JFET sean excelentes en aplicaciones en las que se
requiere una gran impedancia de entrada. Una de las aplicaciones mas importante del
JFET es el seguidor de fuente, circuito análogo al seguidor de emisor, excepto en que su
impedancia de entrada es del orden de cientos de megaohms para frecuencias bajas.
Algunas veces, la característica más sobresaliente de un dispositivo representa también
su punto débil. El JFET tiene una impedancia de entrada casi infinita, pero el precio que
se paga por ella es una perdida del control sobre la corriente de salida. En otras palabras,
un JFET es menos sensible a cambios en la tensión de entrada que en un transistor
bipolar. En la mayoría de los JFET un cambio en VGS de 0.1 V produce una variación en
la corriente de drenador menor de 10mA. Pero en un transistor bipolar, el mismo
cambio en VBE produce una variación en la corriente de salida mucho mayor de 10mA.
Esto significa que en un amplificador JFET tiene mucha menor ganancia de tensión que
un amplificador bipolar. Por esta razón, la primera regla de diseño que dirige los dos
dispositivos es ésta: utilice bipolares para ganancia de tensión alta y emplee JFET para
conseguir alta impedancia de entrada. Frecuentemente, un diseñador combina un FET
con un transistor bipolar para obtener lo mejor de ambos. Por ejemplo, la primera etapa
puede ser un seguidor de fuente con JFET y la segunda puede ser un amplificador
bipolar en EC. Esta composición da un amplificador multietapa con una impedancia de
entrada alta y una ganancia de tensión grande.
Como la puerta de un JFET está polarizada en inversa en vez de en directa, el JFET
actúa como un dispositivo controlado por tensión en lugar de un dispositivo controlado
por corriente. En un JFET, la magnitud de entrada que controla es la tensión puerta-
fuente VGS . Los cambios en VGS determinan cuánta corriente puede circular desde la
fuente al drenador. Esta es la principal diferencia con el transistor bipolar, donde la
magnitud de entrada controladora es la corriente de base I B .

- 84 -
En la Figura 9.2 a, la tensión de alimentación del drenador es positiva y la tensión de
alimentación de la puerta es negativa. Por este motivo, le tensión entre la puerta y el
drenador es negativa. En consecuencia, el diodo puerta-drenador está polarizado en
inversa. Como se ve, ambos diodos, en un JFET, están polarizados en inversa durante el
funcionamiento normal. No hay excepciones.
9.2. Características de salida

En la Figura 9.5a se muestra un JFET con tensiones de polarización normales. En este
circuito la tensión de puerta-fuente VGS es igual a la tensión de alimentación de la puerta
VGG , y la tensión de drenador-fuente VDS es igual a la tensión de alimentación de
drenador V DD .
+ +
+ +
- V DS V DS
- VDD V DD
V GG
V
GS
+ - - - -
+
Fig. 9.5a Fig. 9.5b
Corriente de drenador máxima:

La corriente de drenador máxima que sale de un JFET se produce cuando la tensión
puerta-fuente es cero, como se muestra en la Figura 9.5b. Se puede ver que la fuente de
alimentación de la puerta esta reemplazada por un cortocircuito, lo que garantiza que
VGS = 0
En la Figura 9.6 se presenta la grafica correspondiente de la corriente de drenado I D en

función de la tensión drenador-fuete VDS . Aprecie la similitud con la curva de colector.

- 85 -
I
D
Puerta en cortocircuito
IDSS
Zona
activa
V P V DS(máx) VDS
Fig. 9.6
La corriente de drenador se incrementa rápidamente al principio, luego se estabiliza y se
hace casi horizontal. En la zona entre VP y VDS ( Máx ) la corriente de drenador es casi
constante. Si la tensión de drenador es demasiado alta, el JFET entra en la zona de

ruptura, como se muestra en dicha figura.
Semejante a un transistor bipolar, un JFET actúa como una fuente de corriente cuando
esta funcionando a lo largo de la sección casi horizontal de la curva de drenador. Esta
parte casi horizontal de la curva de drenador se localiza entre una tensión mínima VP y
una tensión máxima VDS ( Máx ) . La tensión minima V P se denomina tensión de
estrangulamiento o contracción, y la tensión máxima VDS ( Máx ) se llama tensión de
ruptura. Entre el estrangulamiento y la ruptura, el JFET actúa aproximadamente como

una fuente de corriente con un valor de I DSS .
I DSS representa la corriente desde el drenador hacia la fuente con la puerta en
cortocircuito e I DSS es la corriente de drenador máxima que un JFET puede conducir.
Todas las hojas de características de los JFET dan el valor de I DSS . Este es uno de los
parámetros del JFET más importantes y es el primero que debe mirar el lector, ya que
proporciona la limitación de corriente en el JFET. Por ejemplo, el MPF102 tiene una
I DSS típica de 6mA, lo cual nos indica que no importa para qué esté diseñado el circuito,
la corriente de drenador estará entre 0 y 6mA para un MPF102 típico.
Corte y estrangulamiento de la puerta:

En la figura 9.7 se muestra un conjunto de curvas de salida para un JFET con una I DSS
de 10mA. La curva superior corresponde a una VGS = 0 . La tensión de estrangulamiento

- 86 -
es de 4V, y la tensión de ruptura es de 30V. Hay una curva para VGS = −1 V , otra para
VGS = −2 V , y así sucesivamente. Como se puede ver, cuando mas negativa sea la
tensión puerta-fuente, menor será la corriente de drenador.

I D
V =0
GS
10mA
V =-1
GS
5.62mA
V =-2
GS
2.5mA V =-4
V =-3
GS
GS
0.625mA
4 15 30 V DS
Fig. 9.7
La curva inferior es especialmente importante. Obsérvese que una VGS de -4V reduce la
corriente de drenador a casi cero. Esta tensión se denomina tensión puerta-fuente de
corte. En las hojas características se representa con VGS ( off )
La formula que recuerda que la tensión puerta-fuente de corte es igual al valor negativo
de la tensión de estrangulamiento es esta:
VGS ( off ) = −V P
Nos indica que la tensión puerta-fuente de corte es igual al valor negativo de la tensión
de estrangulamiento.
La zona óhmica:
En la Figura 9.7, la tensión de estrangulamiento es aquella donde la curva superior pasa
de ser casi vertical a ser casi horizontal. Es una tensión muy importante porque separa
las dos zonas principales de funcionamiento del JFET. La parte casi vertical de la curva
de salida se llama zona óhmica, y es equivalente a la zona de saturación de un transistor
bipolar. Cuando un JFET funciona en la zona óhmica, actúa como una resistencia
pequeña con un valor aproximado de
VP
R DS =
I DSS

- 87 -
9.3. Característica de transferencia
La característica de transferencia de un JFET es una gráfica que representa la corriente
de drenador en función de la tensión puerta-fuente, es decir, I D en función de VGS . Al
relacionar los valores de I D y de VGS , en la Figura 9.7 podemos dibujar la característica

de transferencia que se muestra en la Figura 9.8a. En general, la curva de transferencia
de cualquier JFET tendrá la misma forma que la Figura 9.8a, solo diferirá en los
números.
ID ID
10mA IDSS
5.62mA
2.5mA
0.625mA
-4 -3 -2 -1 0 VGS VGS(off) VGS
Fig. 9.8a Fig. 9.8b
En la Figura 9.8b se muestra como aparecerá la característica de transferencia de

cualquier JFET. El principio físico en que se basa el funcionamiento de un JFET es el
mismo que el de todos los JFET. Sólo el tamaño de las zonas de dopado, el nivel de
dopado, etc., cambia de un JFET a otro. Por este motivo, todos los JFET tienen una
característica de transferencia que se puede expresar por la siguiente ecuación:
2
⎛ V ⎞
I D = I DSS ⎜1 − GS ⎟ (1)
⎜ V ⎟
⎝ GS ( off ) ⎠
Esta ecuación se puede deducir mediante conocimientos de física y de matemática
avanzadas.
Recordar:
- En un JFET canal N: I D > 0 ; VGS < 0
- En un JFET canal P: I D > 0 ; VGS > 0

- 88 -
10. Polarización del JFET
Se puede polarizar un JFET mediante diferentes procedimientos. Lo importante es
recordar que el diodo puerta-fuente tiene que estar polarizado en inversa. Por esta razón,
no todos los métodos de polarización que se usaron con los transistores bipolares serán
adecuados.
Para hacer una analogía con los transistores bipolares partiremos de lo que podría ser el
equivalente al circuito de polarización fija reemplazando el transistor bipolar por un
JFET.
Partimos de un circuito donde polarizamos directamente con una fuente VGG = cte entre
gate y fuente (Ver Figura 10.1).

ID
IGS iD
sentido real IDSS
VDS
Rs RD
RG VGS ID Q
vgs
vs ~ VGG VDD
Fig. 10.1 VP VGG=-VGG VGS

Fig. 10.2
VGSQ = −VGG porque en RG no puede haber caída, pues se admite I GSQ ≅ 0 .
Esta recta esta representada en la Figura 10.2. A su vez, este gráfico nos muestra como
varia I D en función de VGS . Esta variación responde a la ecuación del JFET, a partir de
la cual podemos calcular la corriente de puerta I D

2
⎛ V ⎞
I D = I DSS ⋅ ⎜⎜1 − GS ⎟⎟
⎝ VP ⎠

- 89 -
Motivo para colocar RG :
Desde el punto de vista de la polarización da lo mismo que RG esté o no, pues la
corriente I G es muy pequeña; por lo tanto, la tensión entre gate y source VGS será
directamente VGG .
RG impide que se cortocircuite la señal alterna del generador de excitación.
Valores alternativos de RG :
Desde el punto de vista de la polarización, RG puede tomar cualquier valor diferente a
cero.
Pero desde el punto de vista del circuito de alterna, no conviene que RG tenga un valor
pequeño porque se pierde una de las propiedades más importantes del FET que es la
elevada impedancia de entrada.
Ri = RG // Rcg
Que en general será Ri ≈ RG .
Con respecto al RGmáx nos encontramos con un problema pues la juntura puerta-fuente,
está polarizada en inversa, por lo tanto debe circular la corriente I GS que sale por gate,
pues debe ir del material n al canal p que forma el gate.

I GS circula por RG causando una caída con la polaridad indicada.
VGS = −VGG + I G ⋅ RG
I G ⋅ RG ≠ 0
Se podría pensar que se soluciona el problema aumentando VGG , pero hay un problema
grave porque I GS es una corriente de saturación inversa de una juntura, por lo tanto
tiene una gran inestabilidad térmica (se duplica cada 10 ºC de aumento de temperatura).
Si I GS ⋅ RG no es despreciable ( I GS ≈ nA ), el punto de reposo se hace muy inestable por
efectos de la temperatura, por lo tanto para lograr que el punto de trabajo Q sea estable
debe ser:
I GS ⋅ RG << VGG ⇒ RGmáx . ≈ 3 a 4 MΩ
Mientras no haya problemas térmicos ni de dispersión el circuito funciona

perfectamente pero hay una gran dificultad, ya que se necesitan dos fuentes y para
colmo de distinta polaridad.
- 90 -
No se puede obtener VGG a través de un divisor como en los transistores bipolares de
juntura, pues VDD es positivo y VGG es negativo.
El problema fundamental en estos transistores, es la dispersión de las características del

FET.
El ancho metalúrgico del canal ( t0 ) es un parámetro muy variable de un ejemplar a
otro.
El fabricante nos proporciona los valores de I DSS y VP , que son proporcionales a t 0 (al
cuadrado y al cubo).
I DSS (Corriente de drenaje de saturación) es el máximo valor que tomara la corriente I D
VP (Tensión de estrangulamiento) es el máximo valor teórico que podrá tomar VGS
4 mA < I DSS < 20 mA⎫⎪

⎬ Datos del fabricante
2 V < VP < 8 V ⎪⎭
Por otra parte, se podría lograr t 0 más estable haciendo el gate por implantación iónica,
pero esto significa un aumento en el costo de fabricación de estos transistores.

Lo mas común es producir el gate por difusión, pero t 0 no queda uniforme, lo que
provoca una gran dispersión de t0 .
Para polarizar un JFET, lo mejor es tener un circuito realimentado en continua (ver

Figura 10.3), no solo para estabilizar el punto Q, sino también para no tener que utilizar
dos fuentes de tensión.
10.1. Distintas formas de polarizar un JFET
10.1.1. Por realimentación de fuente:
ID RD
VGS
~ RG Rs
VD
Fig. 10.3

- 91 -
Si analizamos la malla de entrada que contiene la tensión VGS y considerando que la
caída de tensión en RG es despreciable (recordar que la corriente que circula por esa
resistencia es muy pequeña), obtenemos la siguiente ecuación:

VGS = − I D ⋅ RS
Nos queda entonces un sistema de dos ecuaciones (la del JFET y la de la malla de
entrada) con dos incógnitas: I D y VGS .
⎛ I DQ ⎞ VGSQ1
VGS Q1 = VP1 ⋅ ⎜1 − 1 ⎟ ; I DQ = −
⎜ I DSS1 ⎟ RS
⎝ ⎠
Represento la recta de polarización en la Figura 10.4:
ID
I DSS
1
tg γ = −
Q RS
I DQ
γ
VP − VGS Q VGS
Fig. 10.4
10.1.2. Polarización fija:
RD
RG
RS
VDD
VGG
Fig. 10.5
En este caso, siendo la caída de tensión en RG despreciable, tenemos:
VGG − VGS − I D ⋅ RS = 0

- 92 -
Por lo tanto, la ecuación nos queda de la siguiente manera:
VGS VGG
ID = − +
RS RS
Se va a presuponer VGG siempre positivo.
(Vale aclarar que en los circuitos donde considerábamos VGG negativo, no teníamos la
resistencia RS en la fuente).
Esto lo logramos poniendo un generador de continua en serie con RG .
ID
I DSS
Q
I DQ
VP − VGSQ VGG VGS

VGG
ordenada al origen
RS
Fig. 10.6
Si VGG es positiva, el gate ahora queda positivo respecto del terminal común.
Para un mismo valor de I D , tenemos que aumentar RG si queremos lograr que VGS sea
cada vez menor.

Si en el límite, logramos que VGS sea despreciable frente a I D ⋅ RS ⇒ VGG − I D ⋅ RS = 0 ,
entonces la corriente quedaría fija solo por VGG . Esto es lo que ocurre en el transistor
bipolar, donde la tensión VBE es constante y de un valor aproximado a los 0.7V.

Notar que siendo VGS < 0 en valores absolutos quedará:
VGG = I DQ1 ⋅ RS − VGS Q1
De donde siempre la caída de tensión en RS deberá ser mayor en valor absoluto que
VGG , tanto para un JFET canal n como para un canal p.

- 93 -
Es importante aclarar que para llegar a obtener RG y VGG podemos partir del circuito de
la figura 10.8a, y aplicando el Teorema de Thevenin llegamos a la Figura 10.8b.
+VDD
+VDD
R G1 RD RD
VGq = VGG
VG RG 2 RG
RS VG
RS
VGG
Fig. 10.8a Fig. 10.8b
10.2. Determinación del punto de trabajo Q

En los transistores bipolares de juntura TBJ la determinación del punto de reposo se
simplificaba mucho al admitir VBE = cte . En cambio, en los circuitos de JFET la
relación entre la corriente de salida y la tensión de entrada responde a una ecuación
cuadrática, lo que hace mucho más incómoda la resolución algebraica.
( )
Para obtener el punto de reposo Q I DQ − VDS Q deben plantearse tres ecuaciones. Dos de
ellas permitirán encontrar I DQ , y la tercera, circulando por la malla de salida permitirá
obtener VDSQ .
RD
VDS
VGS ID
VDD
VG ≈ 0 RQ
RS VS
Fig. 10.9

- 94 -
Para hallar I DQ se debe plantear la ecuación de circulación de Kirchoff por la malla de
entrada, que contenga a los terminales de compuerta y fuente, y la ecuación de

transferencia del transistor (que supondremos en la zona de características saturadas).
(1) VGS = − I D ⋅ RS
2
⎛ V ⎞
(2) I D = I DSS ⋅ ⎜⎜1 − GS ⎟⎟
⎝ VP ⎠
Sistema de dos ecuaciones en donde la primera determina las condiciones impuestas por
el circuito y la segunda las correspondientes al dispositivo.
La resolución analítica surge de reemplazar la (1) en la (2) y resolver la ecuación
cuadrática resultante para obtener I DQ tomando siempre la solución correspondiente a la
rama de la parábola que corta al eje vertical (dada por la ecuación (2) para VGS Q ≤ VP ).
Dado que tendremos dos resultados matemáticos, deberá cumplirse siempre que los
valores de I DQ y VGSQ se encuentren entre los límites correspondientes.
0 ≤ I DQ ≤ I DSS ; 0 ≤ VGSQ ≤ VP
Una vez obtenido I DQ , tendremos que encontrar la tensión de salida del transistor VDS Q
(equivalente a la tensión VCEQ del TBJ).
Para obtenerla, resolvemos la malla de salida de la misma manera que lo hacíamos en

los Transistores bipolares de Juntura.
VDS =V DD− I D ⋅ RS
10.3. Recta de carga estática

Tengamos en cuenta que hay que encontrar en este caso I Dmáx y VDSmáx , y que el punto
de trabajo Q obtenido anteriormente debe estar dentro de la zona de Modo Activo

Directo.
VDSmáx =V DD
VDD
I Dmáx =
RS

- 95 -
I D
I Dmáx
I DQ
Q
V DS Q V DSmáx V DS
Fig. 10.10
Para tener en cuenta:

En todos los casos (ya sea transistores de efecto de campo o bipolares de juntura), para
encontrar la corriente del punto de reposo deberá tenerse en cuenta la polaridad de la
caída de potencial en RS o RE y la correspondiente a VBE o VGS para los transistores
bipolares y de efecto de campo respectivamente.

Las mismas se encuentran en el siguiente esquema, donde se ha considerado el sentido
real de la corriente de colector y drenaje para los transistores PNP y JFET canal p y en
el bipolar se ha supuesto I E = I C .
IC +VEE ID
+ +VSS
− RE +
VBE + IC − −
ID
+ VGS + RS
VBE + IC + −
− VGS +
RE RS ID
− −
−
IC
−VEE −VSS ID
TBJ NPN TBJ PNP
JFET canal JFET canal
Fig. 10.11a Fig. 10.11b Fig. 10.11c Fig. 10.11d

- 96 -
11. Análisis del JFET como amplificador
La figura 11.1 muestra un circuito equivalente simple para pequeña señal de un JFET.
Entre la puerta y la fuente hay una resistencia muy grande rgs . Esta es del orden de
decenas o centenas de megaohms. El drenador de un JFET actúa como una fuente de

corriente con un valor de gm ⋅ Vgs . Si conocemos gm y Vgs , podemos calcular la
corriente alterna del drenador id .
Tengamos en cuenta que en este modelo no estamos teniendo en cuenta las

capacitancias parásitas que influyen en las altas frecuencias.
G D
gm .v gs
v gs r gs r ds
S S
Fig. 11.1
Para la determinación de los parámetros de alterna se siguen exactamente los mismos

procedimientos vistos para transistores bipolares utilizándose normalmente los teoremas
de reducción y trabajando con un h fe (o β ) de bajas frecuencias para el JFET definido
como:
β = g m ⋅ rgs
rgs se obtiene en forma directa y es un dato que nos proporciona el fabricante.
Tengamos en cuenta que gm es la transconductancia del transistor, o sea que refleja la

variación de la corriente de salida en función de la tensión de entrada del mismo. En
este caso:
dI D
gm =
dVGS
Entonces, de acuerdo a la ecuación del JFET quedará:
dID - 2IDSS ⎛ VGS ⎞

gm= ⎜1- ⎟
dVGS VP ⎜⎝ VP ⎟⎠

- 97 -
11.1. Configuración fuente común
En el circuito de la Figura 11.2a observamos que la señal del amplificador entra por el
gate y sale por el drenaje, por lo tanto estamos en presencia de un amplificador de
Fuente o Source común, pues este es el terminal común entre la entrada y la salida
+VDD
R C iL
is C
Rs RL
R RS C3 vds
vgs
vs ~
Fig. 11.2a
⇓
id iL
is ig
RD RL v0 = vds
Rs
vgs RG
vs ~
RIA Ri R0 R0A
Fig. 11.2b
La Figura 9.23 nos muestra al circuito equivalente de alterna del amplificador. Si

reemplazamos el transistor por el modelo equivalente de la Figura 11.1 podemos
comenzar a resolver las ganancias e impedancias.
Para su resolución podemos hacer una analogía con la configuración Emisor Común de
los transistores bipolares de juntura.
Siendo id = g m ⋅ vgs resultará:
= − g m ⋅ (rds // RD // RL )
vds
Av =
v gs
vds
Si : rds >> RD // RL = RDa ⇒ Av = = − g m ⋅ RDa
v gs

- 98 -
vg v gs
Ri = = Rgs ; Ria = = RG // Ri
ig is
Como normalmente: rgs >> RG
v gs
Será Ri = ≅ RG
is
vds Ri
Avs = = Av ⋅ ri = − g m ⋅ RDa ⋅
vs Rs + Ri
R0 = rds
R0 s = RD // R0 ≅ RD (en la mayoría de los casos)
Si en el circuito de fuente común hay un resistor de fuente sin desacoplar para la señal
alterna se tendrá:
vg
Rig = = rgs + β ⋅ RS = rgs + g m ⋅ rgs ⋅ RS = rgs ⋅ (1 + g m ⋅ RS )
ig
Ri = RG // RiG
vd rgs g ⋅R
Av = = − g m ⋅ RDa ⋅ = − m Da
vg rgs + g m ⋅ rgs ⋅ RS 1 + g m ⋅ RS
Donde generalmente no podrá despreciarse la unidad como ocurre con los transistores
bipolares.
11.2. Configuración gate común

Haciendo en este caso una analogía con la configuración Base Común de los TBJ,
vemos que la resistencia dinámica que se encuentra a la entrada del transistor es igual a
1
.
gm
Esto es así porque, al aplicar una determinada tensión alterna entre fuente y gate, la
corriente que circula por el terminal de fuente será β veces mayor que la que circule
por rgs de manera que su efecto sobre el terminal de fuente será equivalente al de una
resistencia del siguiente valor:

rgs rgs 1
= =
β g m ⋅ rgs gm

- 99 -
+VDD
R is ii = is id iL
is CA iD C iL
Rs
Rs vi = RS RD RL v0
v0 = vdg
RS RD c.a.
vi = vs ~
≡
vs ~
Ria Ri R0 R0a
Fig. 11.3a Fig. 11.3b
La Figura 11.3b nos muestra el circuito equivalente de alterna del amplificador de la
Figura 11.3a, donde observamos que la señal entra por gate y sale por drenaje, de ahí
que concluimos que este amplificador es un gate común.
Reemplazando el JFET por su circuito equivalente, obtenemos las ganancias e
impedancias:
vdg
Av = = g m ⋅ (Roa // RL )
vsg
vsg 1
Ri = = ; Ria = RS // Ri
is gm
vdg Ri
Avs = = AV ⋅
vs Rs + Ri
RO → ∞ ; Roa = RD // Ro ≅ RD
Si la resistencia del terminal de compuerta quedara sin desacoplar para la alterna,
llamando v s a la tensión de fuente referida a masa (que no es la misma tension del
generador de excitación) los parámetros característicos de alterna serán:
vs 1 RG 1 RG 1 ⎛ R ⎞
Ri = = + = + = ⋅ ⎜1 + G ⎟
is g m β g m g m ⋅ rgs g m ⎜ rgs ⎟⎠
⎝
RG v 1
Normalmente será: << 1 , de donde: Ris = s =
rgs is g m
vs 1
Ri = = RS //
is gm
Av = d = g m ⋅ (Roa // RL ) ⋅ ≅ g m ⋅ (Roa // RL )
v gm
vS 1 ⎛⎜ RG ⎞⎟
⋅ 1+
g m ⎜⎝ rgs ⎟⎠

- 100 -
11.3. Amplificador Seguidor por fuente (Drenaje común):
id
+VD
iD
is is ig
iL R0
vGS is
Rs Rs vgs
v0 = vS
vi = vg
RG RL c.a. vi = vg
v0 = vS
RS R
vs ~ ≡ RS RL
vs ~
Fig. 11.4a Ri Ri
R0
Fig. 11.4b
En la Figura 11.4a vemos que la señal entra por gate y sale por fuente, por lo tanto el
terminal común es el Drenaje.
La Figura 11.4b muestra el circuito equivalente de alterna, y para encontrar las
impedancias y ganancias en esta configuración, reemplazamos el JFET por su circuito
equivalente.
La resolución para esta configuración es análoga a la de Colector Común de los TBJ:
vg
Rig = = v gs + β ⋅ (RS // RL ) = rgs + g m ⋅ rgs ⋅ (RS // RL )
ig
vg
Ri = = rgs ⋅ (1 + g m ⋅ RS // RL )
ig
vg
Ria = = RG // Ri
is
vs β ⋅ RS // RL g m ⋅ RS // RL
Av = = =
v g rgs + β ⋅ RS // RL 1 + g m ⋅ RS // RL
vS g m ⋅ RS // RL Ri
Avs = = =
vs 1 + g m ⋅ RS // RL Rs + Ri
vS 1 Rs // RG 1
Ro = = + ≅
iS gm β gm
1
Roa = RS //
gm

- 101 -
11.4. Resumen de las configuraciones
La siguiente es una tabla donde se resume las tres configuraciones y sus
características principales.
Ri Ro Av
Fuente rgs rds − gm(rds // RD // RL )
Común
Gate 1 →∞ gm( Roa // RL )
Común gm
Drenaje rgs (1 + gm( RS // RL )) 1 gm( RS // RL )

Común gm 1 + gm(Rs // RL )
Recodar :
- La impedancia de entrada de los amplificadores Ria para cualquier configuración es
la resistencia externa a la entrada del circuito que esta en paralelo con Ri .
- La impedancia de entrada del sistema siempre es Ris = Ria + Rs ( Rs = Resistencia
interna del generador).

- La impedancia de salida del amplificador Roa es la resistencia externa del circuito
por donde se mide la tensión de salida, en paralelo con Ro .
- La impedancia de salida del sistema siempre es Ros = Roa // RL ( RL = Resistencia de
carga del sistema).

Ri
- La ganancia de tensión del sistema siempre es Avs = Av ⋅ .
Rs + Ri
Ris
- La ganancia de corriente del sistema siempre es Ais = Avs ⋅ .
RL

- 102 -
12. Bibliografía:
- P. Gray & R. C. Meyer: Analysis and Design of Analogue Integrated Circuits.

- J. F. Pierce & T. J. Paulus: Applied Electronics.
- P. Gray & C. L. Searle: Principios de Electrónica.
- Albert Paul Malvino: Principios de Electónica
- J. M. Virgili: Electrónica Analógica I.
- G. Glas y E. Velo: en apuntes de la materia “Circuitos Electrónicos I”. Facultad de
Ingeniería U.B.A. Centro de Estudiantes de Ingeniería. Año 1986.

- 103 -

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1. Transistores bipolares de juntura (TBJ)

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VBE VCB VEB VBC

Fig. 1.2 a Fig. 1.2 b

1.1. Transistor bipolar de juntura NPN

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Fig. 1.3 a: Sin polarización Fig. 1.3 b: Polarizado en modo

Una cantidad de electrones pasará a través de la juntura y entrará en la sección P, donde

En el emisor (juntura NP de entrada), un flujo de electrones va desde el polo negativo

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1.2. Transistor bipolar de juntura PNP

Diagramas de energía potencial para el transistor PNP:

Fig. 1.4 a: Sin polarizar Fig. 1.4 b: Polarizado en modo

Para tener en cuenta:

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1.3. Modos de trabajo del transistor

Modo activo directo:

Modo activo inverso:

En los dos casos anteriores el transistor no trabaja como amplificador.

En el capitulo siguiente aprenderemos de que se trata la polarización.

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En la zona a, hFE aumenta a medida que Ic crece.

2.1. Determinación del punto de trabajo Q

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La tensión VBE corresponde a la tensión de un diodo polarizado en forma directa y su

El siguiente gráfico representa las curvas de salida de un transistor. Observamos que

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VCE Sat. VCE 0

2.2. Ejemplo con emisor conectado directamente a masa

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Como explicamos antes, de la malla de entrada se calcula IC y de la malla de salida se

- VEC - IC . RC + VCC = 0 ; VEC = VCC - IC . RC

Ahora graficaremos con los datos obtenidos:

VCE2 VCE 1 VCEMáx. VCE

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I CE VBB − VEB (∗)

VCC = I C ⋅ RC + VEC + I E ⋅ RE ⇒ VEC = VCC − I C ⋅ (RC + RE )

Para hFE2 = 600 ⇒ I C2 = 2,88 mA ⇒ VEC2 = 24,67 V

Vemos entonces que si agregamos una resistencia RE , el espectro de variación de IC es

(∗ )Es válido considerando que IE ≅ IC , ya que IE = α ⋅ IC ; siendo α ≅ 1

2.4. Recta de carga estática (R.C.E):

VCC =IC ⋅ RC +VEC +IE ⋅ RE ⇒ VEC =VCC −IC ⋅ (RC +RE )

VECSat . VECQ VEC Máx VEC

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Sobre esta recta estará el punto de trabajo, pues si conocemos IB , determinamos el

VCE ≅ 0,2 Volt VCE Máx. VCE

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2.5.1. Realimentación por emisor en corriente continua

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2.5.2. Realimentación por colector en corriente continua

El problema de esta configuración que es compleja su resolución en alterna. (RB está

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Fig. 2.16 a Fig. 2.16 b

Aplicando el Teorema de Thevenin:

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VCC ⋅ RB1 24 V ⋅10 KΩ

En la hoja de datos encontramos: VBETípico = 620 mV ; (en el caso de no conocer VBE,

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