Diseño y montaje para el accionamiento de motor a
partir de par Darlington y señal de compuerta lógica
TTL.
Yurley Katherine Echeverria Leal César Arturo Guerrero Camacho
Electrónica de Potencia Electrónica de Potencia
Universidad de Pamplona Universidad de Pamplona
Pamplona,Colombia Pamplona,Colombia
echeverriayurley@yahoo.es frodriguezdav@hotmail.com
Abstract: This practice consists on turning on a motor with an
inrush current of 1.5A by using a logical gate (AND) which has an
outer current between 0 mA and 4 mA. Only one transistor is not
enough to generate such a current that allows to flow 1.5 A. For
this reason, discrete Darlington configuration is required, this
configuration is composed by a cascade of two single transistors,
they will allow to increase beta value considerably and as a
consequence first transistor base current will be amplified to the
second transistor. This amplification will allow more current to
flow for this purpose the inrush current.
Resumen: La práctica consiste en el accionamiento de un
motor con corriente de arranque de 1.5 A utilizando una
compuerta lógica (AND) que genere una salida de corriente
entre 0 mA y 4 mA. Un solo transistor, no es suficiente para
generar tal corriente que permita el paso de 1.5 A por tal
motivo se requiere el uso de la configuración de Darlington
discreto el cual está provisto por dos transistores en cascada
que permitirán la elevación del beta considerablemente y en
consecuencia amplificar la base del primer transistor (Q1) en
el segundo transistor (Q2) y permitir el paso de una corriente
mucho más grande del motor permitiendo su arranque.
Keywords: Darlington configuration, logical gate, and, inrush
current, transistors, bjt, amplification.
Palabras clave: Configuración Darlington, compuerta lógica, and,
corriente de arranque, transistores, bjt, amplificación.
I. INTRODUCCION
La amplificación de una señal de corriente muy pequeña
obtenida a la salida de una compuerta TTL es posible gracias a
la configuración Darlington, que permitirá el accionamiento
de un motor de 1.5 A de corriente de arranque. Con esto se
analizará dicho par en modo activo directo calculando la
INFORME DE PRACTICAS DE LABORATORIO, PROGRAMA INGENIERIA ELECTRONICA, UNIVERSIDAD DE PAMPLONA ©2017 IEEE
Eliasib Bernal Tique
Electrónica de Potencia
Universidad de Pamplona
Pamplona,Colombia
eliasib.bernal@hotmail.com
resistencia de base en el transistor Q1 y se comprobarán los
datos de los cálculos mediante la experimentación y obtención
de datos reales, también si un disipador de calor es requerido
para cada uno de los transistores que componen la
configuración.
II. ESTADO DEL ARTE
1. Tuned Performance of small-signal BJT Darlington
pair.
“One of the most important concepts and applications in
electronic circuits is amplification. Virtually all electronic
analog, digital, or mixed analog and digital systems require
amplifiers for scaling signals to a useful level. The output
signals from these systems are generally weak (in the range of
millivolts to microvolts) which possess a very small amount of
energy. So, these signals are often too small in magnitude to
be processed reliably to perform any useful function. A
Darlington pair, which is a two-stage amplifier, can amplify
these signals. The Darlington pair is driven by an ac input
signal which is applied to the base transistor, Q1. This input
signal is applied through the coupling capacitor C1, and the
series resistance RS. The output signal voltage is obtained at
the emitter of transistor Q2 through the capacitor C2 (see Fig.
1). The increase in current gain at the output stage transistor
of a Darlington pair is realized by reducing the base current
required to drive the transistors. The Darlington
configuration is equivalent to a single transistor with a
current gain βT, which is equivalent to the product of the
current gain of the two individual transistors. The base to
emitter voltage, VBE, of the Darlington circuit is almost twice
the value of VBE for a single BJT. The Darlington pair, when
used as an emitter follower (e.g. common-collector–common-
collector configuration), normally behaves as a voltage
follower with a voltage gain of approximately unity. It
demonstrates, however, superior low-frequency and high-
frequency characteristics” [2].  El transistor 1 que será el transistor impulsor debe
tener una ganancia de corriente elevada y una
corriente en el colector máxima pequeña.

 El transistor 2 o transistor de potencia debe tener una

ganancia de corriente pequeña y una corriente de
colector máxima elevada.
 Los dos transistores deben estar trabajando
ligeramente en el modo activo directo por lo que se
debe cumplir que:

(1)

(2)

Figura 1. Schematic diagram of a C-C/C-E

Darlington pair. Unless otherwise specified, for the
circuit, the input signal was 50 IV. MATERIALES
mV, CB=20μF, CC=100μF, CE=100μF, CL=0μF, R1
=17.2 kΩ, R2=12.8 kΩ, RC=2.4 kΩ, RE=2.4
kΩ, RL=10 kΩ, and VCC=15 V. [2] 1 Transistor BJT NPN 2N2222
1 Transistor de potencia TIP41C
1 TTL 7408
1 Resistencia de 10KΩ
1 Resistencia de 15KΩ
2 Trimmers
III. MARCO TEORICO 2 Pulsadores

1. Configuración Darlington
Es una configuración de dos transistores BJT en cascada, su
principal característica es que los dos BJT trabajan como un
solo transistor con su relación de amplificación de corriente
como el producto de las relaciones de amplificación de dos
BJT independientes. En otras palabras si β1 y β2 son las
relaciones de amplificación de corriente de los dos BJT (Q1 y
Q2), entonces la ganancia de corriente total en la conexión
Darlington es de: β1+ β2(β1+ 1) [1].
V. PROCEDIMIENTO Y ANALISIS DE RESULTADOS
Cálculos previos al montaje
Inicialmente se escogen los dos transistores que cumplan con
las características de ganancia de corriente y de corriente en el
colector Icmax, conociendo que la corriente de arranque del
motor es de 1.5 A.

Ic/Ib nos representa el valor de la ganancia total de los dos

transistores ya que Ic/Ib= β1+ β2(β1+ 1). (3)

Ib se refiere a la corriente que debe estar a la salida de la

compuerta lógica TTL despejando la ecuación (3).

Figura 2. Par Darlington [1] Datos iniciales:

2. Condiciones para el montaje de par Darlington VOH= 4.73V

discreto Ico=32.8 mA
Vin = 5V
Deben darse dos condiciones para el montaje de un par IA= 1.56 A
Darlington: VCEsat = 1.5 V
Im= 0.5A
Para hallar el valor de RB1: R/. El transistor no requiere disipador.

V = I*R; R=V/I
Para 2N2222

 Calculamos PD:
Rb= 11.825kΩ
PD = VCE*IC
 Para cumplir la condición de 0<IB<0.4 mA IB1 = VCE1*B1
IC1 = 0.2 mA * (219)
RB1≥12 kΩ IC1 = 43.8 mA
PD = IC1*VCE1
1. V+≥Vm+VCEsat; V+≥5V+1.5V; V+≥6.5V PD = 0.4 V * 43.8 mA
2. –VOH+IB1*RB1+VBE1+VBE2 = 0; PD= 17.52 mW

 Calculamos Tj =Ta + (PD*Rθja)

Tj= 35°C + (17.52 mW*77°C/W)

Tj = 35°C+1.35°C/W
Tj= 36.35°C

Rb1= 15.6kΩ Se cumple que RB1≥12KΩ  ¿φ≤T/Tjmax<0.5?

 Ahora de acuerdo a la ecuación (3): ¿φ≤36.35/200<0.5?

Ic/Ib= β1+ β2(β1+ 1) (3); 8000 = β1+ β2(β1+ 1) 36.35/200 = 0.181

Si β1 = 219 entonces: R/. El transistor no requiere disipador.

8000 = 219 + β2 (220)

7781 = β1 (220) MONTAJE Y MEDICIONES

β2 = 36

Diseño térmico

Para TIP41C

 Calculamos PD:

PD = VCE*IC
PD = 1.5 V * 0.5 A
PD= 0.75 W

 Calculamos Tj =Ta + (PD*Rθja)

Tj= 35°C + (0.75*62.5°C/W)

Tj = 35°C+46.875°C/W
Figura 3. Circuito con configuración Darlington
Tj= 81.875°C

 ¿φ≤T/Tjmax<0.5?

¿φ≤35.0187/175<0.5?

81.875/175 = 0.467
 Por otro lado la malla 2

-(V+)+Vm+Vce2 = 0

-7 + 5 V + 0.8 = 0

En este caso el voltaje Vce medido estuvo por debajo

del valor del voltaje de saturación (1.5V) por lo que
nos indica que el transistor Q2 se encuentra
trabajando en zona de saturación.

Cálculos reales en zona de saturación para diseño térmico

Para TIP41C
Figura 4. Montaje del circuito con configuración
Darlington  Calculamos PD:

PD = VCE*IC
PD = 0.82* 0.61 A
PD= 0.5 W

 Calculamos Tj =Ta + (PD*Rθja)

Tj= 35°C + (0.5*62.5°C/W)

Tj = 35°C+31.25°C/W
Tj= 66.25°C

 ¿φ≤T/Tjmax<0.5?

¿φ≤66.25/175<0.5?

66.25/175 = 0.38

R/. El transistor no requiere disipador.

Figura 5. Toma de datos de temperatura durante su
funcionamiento.
Para 2N2222

MEDIDA VALOR VALOR REAL  Calculamos PD:

CALCULADO
PD = VCE*IC
VCE TIP 41C 1.5 V saturación 0.82 V IB1 = VCE1*B1
VCE 2N2222 0.7 V saturación 0.047 V IC1 = 0.1226 mA * (219)
VOH 4.73 V 3.5 V IC1 = 26.84 mA
Vm 5V 5V PD = IC1*VCE1
PD = 0.047 V * 26.84 mA
Iarranque 1.6 A 1.16 A
PD= 1.26 mW
Imnominal 0.5 A 0.61 A
Ioh – IB1 0.2 mA 122.6 uA  Calculamos Tj =Ta + (PD*Rθja)
V+ 7V 7V
Tj= 35°C + (1.26 mW*77°C/W)
Analizando la malla 1 Tj = 35°C+0.097°C/W
Tj= 35.097°C
Donde –Voh+(Ib1*Rb)+Vbe1+Vbe2 = 0 [1]
 ¿φ≤T/Tjmax<0.5?
Se obtiene -3.5 + (0.1226 mA*15KΩ) + 0.72-0.7 = 0
¿φ≤35.097/200<0.5?
 manuales de cada transistor o elemento usado en el
35.097/200 = 0.175 diseño con el objetivo de conocer si se requiere o no
un disipador de calor que mitigue y reduzca los
R/. El transistor no requiere disipador. efectos de la potencia que se deba disipar y permita
así un correcto funcionamiento de todo el montaje.

Tiempo - Existen dos maneras de modificar el valor del VCE

TIP 41C (°C) 2N2222 (°C)
acumulado (seg.) en los transistores, uno de ellos es modificar el
10 21.7 20.3 voltaje que alimenta la carga, en este caso el motor;
20 24.1 20.9 el otro consiste en modificar el valor de la resistencia
30 26.4 21.1 base. Al incrementar esta resistencia se reduce el
40 28.7 21.2 paso de corriente hacia la base y por consiguiente
50 29.9 21.5 modificará los valores de voltaje en el VCE1 y
60 32.8 21.8 VCE2, para llegar a superar el valor del voltaje de
saturación del transistor se requiere un aumento
Tabla 1. Valores medidos de temperatura vs tiempo mayor de dicha resistencia en el rango de 150 a 200
KΩ llevando los transistores a zona activa.

Valores dentro de los rangos normales con temperatura
ambiente máxima estimada de 30°C.
VI. BIBLIOGRAFÍA
M. H. Rashid, Circuitos microelectrónicos, análisis y diseño,
Florida: International Thomson Editores, 2000.
CONCLUSIONES
- El diseño y los cálculos previos dan un mejor
panorama al momento de tomar decisiones como la
elección de los transistores, valores de las resistencias
y el diodo de protección.
- El valor de la corriente base del transistor Q1 es muy
pequeña ya que es el valor de corriente de una salida
de una compuerta lógica (AND), en este caso micro-
amperios pero gracias a la configuración Darlington
que permite la amplificación de esta corriente de
forma que el Q2 logra la activación de un motor en el
orden de las unidades de amperio.
-
VII. REFERENCIAS
[1] B. Singh y R. Singh, Electronic Devices and Integrated
Circuits, New Delhi, India: Pearson Education, 2009.
[2] A. Motayed y S. N. Mohamad, «Tuned performance of
small-signal BJT Darlington pair,» Solid state -
Electronics - Pergamo, p. 3, 2000.

- Es imperativo obtener todos los valores de las

características eléctricas como térmicas de los