Professional Documents
Culture Documents
PENDAHULUAN
Apabila kita berbicara tentang elektronika maka tidak akan lepas dari
semikonduktor. Memang pada awal kelahirannya elektronika didefenisikan sebagai
cabang ilmu listrik yang mempelajari pergerakan muatan didalam gas ataupun
vakum.Penerapannya sendiri juga menggunakan komponen-komponen yang utamanya
memanfaat keduamedium ini, yang dikenal sebagai Vacuum Tube.Akan tetapi
sejak ditemukannya transistor, terjadi perubahan tren dimana penggunaan
semikonduktor sebagai pengganti material komponen semakin populer dikalangan
praktisi elektronika. Puncaknya adalah saat ditemukannya Rangkaian Terpadu
(Integrated Circuit ) pada akhir dekade 50-an yang telah menyederhanakan berbagai
rangkaian yang sebelumnya berukuran besar menjadi sangat kecil. Selain itu
penggunaan material semikonduktor juga memberikan fleksibilitas dalam
penerapannya.
1|Page
1.2 Rumusan Masalah
1.3 TUJUAN
Untuk mengetahui apa yang di maksud dengan semi konduktor
Untuk mengetahui sifat pada semi konduktor
Dapat diliat alat apa saja yang digunakan untuk cara kerja pada bahan semi
konduktor
2|Page
BAB II
PEMBAHASAN
a. Pengertian Umum
b. Pengertian Khusus
2. Pada suhu kamar bersifat konduktor, makin tinggi suhunya makin bersifat
konduktor
a. Semikonduktor Intrinsik
Kedua muatan inilah yang memberikan kontribusi adanya aliran listrik pada
semikonduktor murni. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi lubang
tersebut, maka akan terjadi lubang baru ditempat yang lain dan seolah-olah sebuah
muatan positif bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru.Proses aliran muatan ini,
yang biasa disebut sebagai “arus drift” dapat dituliskan sebagai berikut “Peristiwa
hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat adanya dua partikel masing-masing
bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan arah yang berlawanan akibat
adanya pengaruh medan listrik”. Akibat adanya dua pembawa muatan tersebut,
besarnya rapat arus dinyatakan sebagai konduktivitas.
Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak, maka pada
semikonduktor murni, besar energi yang dibutuhkan untuk membentuk pasangan
4|Page
elektron dan hole pada semikonduktor intrinsik ditentukan oleh jarak celah energi antara
pita valensi dengan pita konduksi semakin jauh jaraknya maka semakin besar energi
yang dibutuhkan untuk membentuk elektron – hole sebagai pembawa muatan.
b. Semikonduktor Ekstrinsik
A) Semikonduktor tipe n
5|Page
B) Semikonduktor Tipe p
6|Page
6 Indium antimonida (In Sb) Magnetoresistor,
piezoresistor detektor dan
radiasi inframerah
7|Page
18 Plumbun Selenium (Pb Se) Foto sel
a. Transistor
b. Dioda
c. Microprosessor
d. Thermistor
e. Sel Surya
f. IC (Integrated Circuit)
1. Dioda
Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan, maka akan didapat
sambungan P-N (p-n junction) yang dikenal sebagai dioda. Pada pembuatannya
memang material tipe P dan tipe N bukan disambung secara harpiah,melainkan dari
satu bahan (monolithic) dengan memberi doping (impurity material) yang berbeda. Jika
diberi tegangan maju (forward bias), dimana tegangan sisi P lebih besar darisisi N,
elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N mengisi kekosongan elektron (hole)
di sisi P. Sebaliknya jika diberi tegangan balik (reverse bias), dapat dipahami tidak ada
elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P, karena tegangan
potensial di sisi N lebih tinggi. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah
saja, sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). Dioda, Zener,
LED, dan Varactor.Dioda Bertegangan Tinggi (High Voltage Diodes), Menyediakan
jajaran produk dioda daya yang serbaguna termasuk tipe dioda kaca dengan keandalan
yang tinggi, perangkat pelindung tekanan tegangan (surge suppression) untuk
8|Page
melindungi peralatan elektronik (terutama dalam aplikasi otomotif) dan jenis
bertegangan tinggi untuk pengoperasian tampilan pada frekuensi tinggi. Tersedia dalam
bentuk axial lead, press-fit dan paket pemasangan permukaan (surfacemount).
2. Transistor
9|Page
Cara Kerja Transistor
Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar
transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect
transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.Transistor bipolar
dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas
pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus
listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone,
dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk
mengatur aliran arus utama tersebut.FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya
menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe
FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan
depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah
Basis memotong arah arus listrik utama). Ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat
dirubah dengan perubahan teganganyang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal
konduksi tersebut.
10 | P a g e
BAB III
PENUTUP
3.1 Kesimpulan
3.2 Saran
11 | P a g e
DAFTAR PUSTAKA
12 | P a g e