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Cuando las condiciones son propicias, al frotar dos objetos entre sí, estos adquieren una carga
eléctrica; es decir, se electrizan.
La electrización es uno de los fenómenos que estudia la electrostática, la cual trata sobre los
fenómenos relacionados con cargas eléctricas en reposo.
Los fenómenos eléctricos han sido estudiados por el hombre desde la antigüedad, se le atribuye a
Tales de Mileto el descubrimiento de la electrificación por frotamiento entre un trozo de ámbar y
un trozo de piel; pero no son éstos los únicos materiales que pueden adquirir una carga eléctrica.
En un clima seco, al frotar un pedazo de plástico en el cabello se escucha un chasquido y se
observan pequeñas chispas, las cuales son diminutas descargas eléctricas.
Benjamín Franklin, mediante sus experimentos en electrostática, demostró que cualquier material
que se encuentre con carga eléctrica es capaz de ejercer una atracción sobre pequeños pedazos
de papel; y estableció que al frotar dos cuerpos uno de ellos se electriza positivamente, en tanto
que el otro se electriza negativamente. De estos razonamientos dedujo que existen dos tipos de
cargas eléctricas, las que llamó positivas (vítreas) y negativas (resinosas).
Toda la materia está formada por moléculas, las cuales, a su vez, se componen de átomos, y éstos
están constituidos por partículas subatómicas que poseen carga eléctrica; así, los protones
contienen una carga positiva, mientras que los electrones la poseen negativa.
El frotamiento, el contacto y la inducción son tres de las formas más empleadas para electrizar un
cuerpo.
La electrización por frotamiento se obtiene cuando dos cuerpos de diferente material son frotados
entre sí; por ejemplo: cuando se frota una varilla de vidrio en un pedazo de seda.
El vidrio adquiere una carga eléctrica positiva al perder un determinado número de cargas
negativas (electrones); estas cargas negativas son atraídas por la seda, con lo cual se satura de
cargas negativas. Al quedar cargados eléctricamente ambos cuerpos, ejercen una influencia
eléctrica en una zona determinada que depende de la cantidad de carga ganada o perdida, dicha
zona se llama campo eléctrico.
OBJETIVO
MATERIALES
Un bolígrafo de plástico
Paño de algodón
PROCEDIMIENTO
ANALISIS (OBSERVACIONES)
Al frotar el bolígrafo con el paño, este se caliente por la fricción. Según Benjamín Franklin la
fricción ayuda en el intercambio de electrones. Los pequeños trozos de papel son atraidos hacia el
extremo frotado del boligrafo. Después de un momento, estos se desprenden.
La electrización por frotamiento se explica del siguiente modo. Por efecto de la fricción, los
electrones externos de los átomos del paño de algodón son liberados y cedidos al boligrafo
plástico, con lo cual éste queda cargado negativamente y el paño positivamente. En términos
análogos puede explicarse la electrización del trozo de ambar por el trozo de piel.
Es importante tener en cuenta que todos los materiales ejercen una cierta resistencia al paso de la
corriente eléctrica. Esto quiere decir que la totalidad de las sustancias se oponen, con mayor o
menor éxito, a la circulación de la corriente. Aquellos materiales que ejercen una resistencia
eléctrica muy reducida se llaman conductores. El oro y el aluminio, por ejemplo, suelen emplearse
como conductores.
Los elementos que presentan una elevada resistencia eléctrica se utilizan en los circuitos como
resistores. Se trata de piezas que incluso reciben el nombre de resistencia eléctrica y que se ubican
entre dos puntos específicos del circuito para resistir el paso de la corriente.
Para crear un resistor es necesario combinar ciertos elementos resistivos, como el carbón, gracias
a lo cual se consigue disminuir el paso de la corriente eléctrica. El valor máximo de potencia que
un resistor sea capaz de disipar condiciona su tensión eléctrica máxima (también conocida como
diferencia de potencial, es una magnitud que da un valor a la diferencia que tienen dos puntos
cualesquiera en potencial eléctrico).
Si los electrones fluyen a través de un conductor con escasa resistencia eléctrica, no encontrarán
problemas para avanzar. En cambio, cuando se topan con una resistencia eléctrica importante, su
flujo se interrumpe y los electrones comienzan a chocar entre sí y se desordenan, produciendo
calor.
El descubrimiento de la resistencia eléctrica data del año 1827, y la persona a la cual se le atribuye
es Georg Simon Ohm, un matemático y físico que vivió en Alemania hasta mediados del siglo XIX.
Como su nombre sugiere, fue también él quien propuso la Ley de Ohm, una de las leyes de la
electricidad, que determina que la intensidad de la corriente que pasa por un conductor dado es
proporcional a la diferencia de potencial que hay entre sus dos extremos.
El ohm es la unidad de medida de la resistencia que oponen los materiales al paso de la corriente
eléctrica y se representa con el símbolo o letra griega " " (omega). La razón por la cual se acordó
utilizar esa letra griega en lugar de la “O” del alfabeto latino fue para evitar que se confundiera con el
número cero “0”.
El ohm se define como la resistencia que ofrece al paso de la corriente eléctrica una columna de
mercurio (Hg) de 106,3 cm de alto, con una sección transversal de 1 mm2, a una temperatura de
0oCelsius.
De acuerdo con la “Ley de Ohm”, un ohm ( 1 ) es el valor que posee una resistencia eléctrica cuando
al conectarse a un circuito eléctrico de un volt ( 1 V ) de tensión provoca un flujo de corriente de un
amper ( 1 A ). La fórmula general de la Ley de Ohm es la siguiente:
La resistencia eléctrica, por su parte, se identifica con el símbolo o letra ( R ) y la fórmula para despejar
su valor, derivada de la fórmula genral de la Ley de Ohm, es la siguiente:.
Circuitos en serie y paralelo
Este tutorial ha sido escrito por el técnico en electrónica César Antonio Saldías Caro, de Valparaíso,
Chile. Quien nos ha otorgado el permiso de publicarlo en nuestro blog. Puedes encontrar más
información en su sitio ingenieropic.wordpress.com.
Circuitos en serie
Un circuito en serie, es aquel en donde los terminales de cada dispositivo que forma el circuito
están conectados secuencialmente. Es decir, el terminal de salida de un dispositivo, se conecta con
el terminal de entrada del dispositivo siguiente, y así sucesivamente. En la siguiente imagen
podemos apreciar un circuito con una fuente de alimentación de 12V y dos resistencias en serie:
En un circuito en serie, la resistencia total es igual a la suma de las resistencias parciales. Por lo
tanto:
I= Intensidad (Corriente)
RT= 660Ω
Teniendo la resistencia total del circuito, que es de 660Ω, podemos calcular la corriente que
circula a través de él. Utilizando la ley de Ohm, sabemos que la corriente es igual al voltaje dividido
por la resistencia. Por lo tanto:
I= V / R
I= 12V / 660Ω
I= 18,18mA
La corriente total que fluye por este circuito es de 18, 18mA, y por ley, en un circuito en serie la
corriente es igual en cada uno de los dispositivos que lo forman. Es decir, que en ambas
resistencias tendremos 18, 18mA de corriente.
La ley de Ohm dice que el voltaje es igual a la corriente multiplicada por la resistencia. De este
modo podremos calcular el voltaje que está presente en cada resistencia, y comenzaremos con la
resistencia de 100Ω:
V= I x R
V= 18,18mA x 100Ω
V= 1,818V
V= I x R
V= 18,18mA x 560Ω
V= 10,1808V
Según los cálculos teóricos, tenemos 1,818V en la Resistencia de 100Ω y 10,8108V en la resistencia
de 560Ω. Y en base a esto se cumple otra ley de los circuitos en serie que dice que la suma de los
voltajes parciales es igual al voltaje total del circuito. También es importante mencionar que el
voltaje en cada resistencia será diferente si el valor de la resistencia es diferente.
En la siguiente simulación del circuito podemos ver que se cumplen los valores que hemos
calculado:
Los voltímetros en la parte superior nos muestran el voltaje presente en cada resistencia. El
amperímetro en la parte inferior refleja el valor de corriente que circula por el circuito.
Circuitos en paralelo
Un circuito en paralelo, es aquel en donde todos los terminales de entrada de los dispositivos
están conectados entre sí. Del mismo modo, todos los terminales de salida están también
conectados. En la siguiente imagen podemos ver un circuito con una fuente de alimentación de
12V y dos resistencias conectadas en paralelo:
Para calcular la resistencia total del circuito en este caso, no basta con sumar ambos valores, sino
que debe aplicarse la siguiente fórmula:
RT= R1 x R2 / R1 + R2
RT= 195Ω
En cualquier circuito en paralelo, la resistencia total siempre tendrá un valor inferior al valor de la
resistencia más pequeña que se encuentre en el circuito.
La fórmula vista anteriormente solo es efectiva cuando tenemos dos resistencias. Pero, si
tuviésemos tres o más resistencias, entonces la fórmula para calcular la RT sería diferente. Veamos
el siguiente circuito:
Circuito en serie:
- La corriente que fluye por el circuito es la misma en el circuito completo y en cada dispositivo.
- El voltaje en cada dispositivo será distinto si la resistencia de estos es distinta.
- La suma de los voltajes de cada dispositivo, es igual al voltaje de la fuente de alimentación.
- La suma de las resistencias del circuito, es igual a la resistencia total del circuito.
Circuito en paralelo:
- El voltaje es el mismo en cada uno de los dispositivos y corresponde al voltaje de la fuente de
alimentación.
- La corriente en cada dispositivo será distinta si la resistencia de estos es distinta.
- Por lo tanto, resistencia y corriente son inversamente proporcionales.
- La suma de las corrientes de cada dispositivo, será igual a la corriente total del circuito.
- La resistencia total, es menor que el valor de la resistencia más pequeña del circuito.
El diodo
El Diodo es un componente electrónico que solo permite el paso de la corriente en un sentido (por
eso es un semiconductor, por que es conductor solo en determinadas condiciones). Si quieres
saber como funcionan los semiconductores físicamente vete al siguiente enlace
:Semiconductores.
Arriba puedes ver la gráfica típica de funcionamiento de un diodo. Para tensiones con polarización
directa del diodo, según aumentamos la tensión en los bornes del diodo (patillas o extremos) va
aumentando la corriente que circula por él. Lógicamente el diodo tendrá una tensión máxima de
trabajo que no se podrá sobrepasar porque se quemaría. Para tensiones con polarización negativa
no conduce y por lo tanto, por mucho que aumentemos la tensión no se producirá corriente
alguna a través del diodo.
Como vemos los diodos semiconductores tienen la valiosa propiedad de que los electrones
solamente fluyen en una dirección a través de ellos y, como resultado, actúan como un
rectificadores (ver rectificador de media onda). Son la estructura fundamental de los
semiconductores y muchos otros componentes electronicos se fabrican teniendo como base a los
diodos. Los diodos tienen una estructura electrónica llamada Union PN, es decir son la unión de un
material semiconductor llamado N con otro llamado P. Para saber más sobre esto vete al enlace
anterior.
Solo hay unos diodos especiales que conducen en tensiones contrarias, es decir polarizados
inversamente, son los llamados diodos zener, si quieres saber más sobre estos diodos sigue el
siguiente enlace: Diodo Zener. El resto su funcionamoento es el explicado.
Otro tipo de diodos son los Diodos Led, que emiten luz cuando están polarizados directamente,
pero la mayoría de los diodos se utilizan como rectificadores de corriente, un puente de diodos
(varios diodos conectados) puede rectificar una corriente alterna en una continua. Aqui te
dejamos el puente de diodos:
Este rectificador de diodos es muy utilizado en las Fuentes de Alimentación. Una onda senoidal
alterna a la entrada se convierte en una onda continua rectificada por los diodos.
El transistor
Generalidades
Sus inventores, John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, lo llamaron así por la propiedad
que tiene de cambiar la resistencia al paso de la corriente eléctrica entre el emisor y el receptor.
El transistor tiene tres partes, como el triodo. Una que emite electrones (emisor), otra que los
recibe o recolecta (colector) y otra con la que se modula el paso de dichos electrones (base). Una
pequeña señal eléctrica aplicada entre la base y el emisor modula la corriente que circula entre
emisor y receptor. La señal base-emisor puede ser muy pequeña en comparación con la emisor-
receptor. La señal emisor-receptor es aproximadamente la misma que la base-emisor pero
amplificada. El transistor se utiliza, por tanto, como amplificador. Además, todo amplificador
oscila; así que puede usarse como oscilador y también como rectificador y como conmutador on-
off. El transistor también funciona por tanto como un interruptor electrónico, siendo esta
propiedad aplicada en la electrónicaen el diseño de algunos tipos de memorias y de otros circuitos
como controladores de motores de Corriente directa y de pasos.
Polarización de un Transistor
Zonas de Trabajo
Corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también es
nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor se
comporta como un interruptor abierto. IB es igual a IC es igual a IE es igual a 0; VCE es igual a Vbat
Saturación: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de
colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la
carga conectada en el Colector.
Activa: Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente. Cuando trabaja en la
zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva, como si fuera
un interruptor. La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores
ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente
de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características, también aparece con
la denominación hFE. Se expresa de la siguiente manera:
ß = IC / IB
Tipos de transistores
Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificación más aceptada consiste en
dividirlos en transistores de bipolares o BJT (Bipolar Junction Transistor) y transistores de efecto
de campo o FET (Field Effect Transistor). La familia de los transistores de efecto de campo es a su
vez bastante amplia, englobando los JFET, MOSFET, MISFET, etc...
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la
que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La
corriente de base es capaz de modular la resistencia que se “ve” en el colector, de ahí el nombre
de “transfer resistor”. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin
embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.
También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo
en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los
terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y
se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le
llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de
drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
Transistor bipolar
Los transistores bipolares surgen de la unión de tres cristales de semiconductor con dopajes
diferentes e intercambiados. Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN.
Tecnológicamente se desarrollaron antes los transistores BJT que los FET. El transistor de unión
bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio,
Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales
son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos
donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o “huecos” (cargas
positivas).