OBJETIVO

Implementar de forma experimental el uso de los circuitos impulsores opto-aislados para el

disparo de transistores en electrónica de potencia.

INTRODUCCIÓN

Los circuitos de accionamiento son comúnmente usados para amplificar señales de

controladores para controlar interruptores de potencia en dispositivos semiconductores. Los
circuitos del conductor a menudo asumen funciones adicionales que incluyen aislar el
circuito de control y el circuito de potencia, detectar fallos de funcionamiento, almacenar e
informar fallos al sistema de control, actuar como precaución contra fallas, analizar señales
de sensor y crear tensiones auxiliares.

En la presente práctica se realizó la implementación de un circuito impulsor para el disparo

de transistores, la primera parte de la practica realizada consistía en aplicar al circuito una
señal TTL y variar la frecuencia hasta 1 Mhz del generador de señales, después se analizó
la señal de entrada contra la señal de salida del circuito impulsor y se observó cómo es que
la señal de salida se ve amplificada en comparación de la señal de salida, posteriormente
al circuito se le aplicó una señal PWM para regular la velocidad de un motor de C.D. de 12V
modificando el ciclo útil del PWM, se incorporó al circuito un mosfet para generar la
corriente al motor, además como protección se le incorporo al arreglo un diodo en paralelo
al motor como protección.

MARCO TEÓRICO

CIRCUITOS IMPULSORES.

Potencia del circuito impulsor:

Cuando el MOSFET es encendido y apagado, la capacitancia CGE se carga y descarga con

una corriente IG que fluye hacia y desde la compuerta del MOSFET. El valor de esta
corriente debe ser lo suficiente para cargar y descargar apropiadamente la capacitancia de
compuerta. Si la carga (QGE) es grande o el valor de RG es pequeña, el valor pico de IG

1
aumenta a medida que el MOSFET maneja un nivel de corriente mayor, por lo que, el
consumo de corriente de la compuerta también aumenta.

La potencia disipada por la resistencia RG, se puede determinar a partir de.

1 1
𝑃𝑑(𝑜𝑛) = 𝑓𝑠 [ 𝑄𝐺 |+𝑉𝐺𝐸 | + 𝐶𝑖𝑒𝑠 | − 𝑉𝐺𝐸 |2 ]
2 2

𝑃𝑑(𝑜𝑛) = 𝑃𝑑(𝑜𝑓𝑓)

𝑃𝑑 = 𝑃𝑑(𝑜𝑛) + 𝑃𝑑(𝑜𝑓𝑓)

𝑃𝑑 = 𝑓𝑠 [𝑄𝑔 | + 𝑉𝐺𝐸 |+𝐶𝑖𝑒𝑠 |-𝑉𝐺𝐸 |2]

Donde Qg y Cies son proporcional por el fabricante. Se considera que la energía disipada en
la resistencia durante el encendido y apagado son igual. El consumo de potencia del circuito
impulsor aumenta con la frecuencia de operación [2].

Parámetros del circuito impulsor:

Algunos de los parámetros que hay que tomar en cuenta en el diseño del circuito impulsor
pueden ser: el voltaje de compuerta VGE, la resistencia de compuerta RG, la corriente de
compuerta máxima IGmax, es necesario conocer cada uno de estos parámetros asi como las
características de conmutación del MOSFET para diseñar adecuadamente el circuito
impulsor [2].

AILASMIENTO OPTICO.

Para llevar a cabo el aislamiento del circuito impulsor se utilizó el opto acoplador con muy
alto rechazo al ruido, el dispositivo utilizado es el TL250. Este opto acoplador permite
conseguir un excelente aislamiento eléctrico [1].Debido a que la señal de accionamiento
tiene que ser aislada del circuito principal, también se tiene que mejorar la capacidad de
accionamiento de la tensión de accionamiento PWM para accionar el MOSFET, se utiliza
un opto acoplador TLP250 fabricado por Toshiba construyendo un circuito de aislamiento y
de accionamiento [2].

2
 Fig. 1. Estructura interna del TLP250 y forma de onda.

EFECTOS DE LA RESISTENCIA DE COMPUERTA (RG).

La resistencia RG es un parámetro que tiene un efecto muy importante en las formas de las
𝑑𝑖 𝑑𝑣
señales de corriente y de voltaje. Si RG es pequeña, el y el aumentan, como
𝑑𝑡 𝑑𝑡

consecuencia de las perdidas por conmutación disminuyen. Una de las ventajas al tener
𝑑𝑣
una RG pequeña es que se mejora la inmunidad al ruido provocado por el lo que significa
𝑑𝑡

que se redice el riesgo de que el MOSFET pueda encenderse accidentalmente [2].

Valores grandes de resistencias darán menores esfuerzos transitorios de corriente y voltaje:

pero se paga con un aumento en las pérdidas por conmutación. Siempre debe existir un
compromiso entre las pérdidas en el encendido y, el aumento de RG para reducir los
esfuerzos transitorios [2].

MOSFET.

Es un dispositivo que maneja frecuencias superiores con respecto al BJT. Está constituido
por tres terminales; compuerta, drenaje y fuente. El voltaje del umbral (Vt) es una de los
parámetros de control más importantes en este dispositivo. Si el voltaje entre compuerta y
fuente (VGS) es más grande que Vt el transistor conduce corriente entre drenaje y fuente.
Por el contrario, si VGS es menor que Vt el transistor no conduce. En resumen, este
dispositivo se considera como una fuente de corriente dependiente del voltaje [3].

3
 Fig. 2. Estructura interna del MOSFET.

REFERENCIAS.

[1] “Solar energy sistem”. Chung Yuan Christian University (Tao-Yuan, Taiwan), March
2010. [Online]. Disponible: http://www.freepatentsonline.com/y2010/0132757.html.

[2] Alfonso Pérez Sánchez. “Desarrollo de un circuito de prueba para la caracterización

del interruptor bidireccional”. M.C. Tesis, Centro Nacional de Investigación y Desarrollo
Tecnológico, Cuernavaca, Morelos, México, 2008.

[3] Esteban Osvaldo Guerrero Ramírez. “Estudio del desempeño del amplificador clase E
conmutado a voltaje cero, utilizando diferentes dispositivos de potencia como interruptor”.
M.C. Tesis, Centro Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológico, Cuernavaca,
Morelos, México, 2004.

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