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CONTRIBUCIONES A LA IMPLEMENTACIÓN DE
ARQUITECTURAS EMERGENTES DE
TRANSMISIÓN BASADAS EN CONCEPTOS DE
AMPLIFICACIÓN DE ALTA EFICIENCIA
(c) Todos los derechos reservados: Instituto Superior Politécnico “José Antonio Echeverría”,
2015.
Editorial Universitaria
Calle 23 entre F y G, No. 564.
El Vedado, Ciudad de La Habana, CP 10400,
Cuba
Instituto Superior Politécnico “José Antonio Echeverría”
Facultad de Ingeniería Eléctrica
Departamento de Telecomunicaciones
Tutores:
La Habana, Cuba
2013
“(…) old dog seems able to learn some new tricks.”
S. Cripps
Agradecimientos
AGRADECIMIENTOS
Antes de comenzar, quisiera agradecer de todo corazón a aquellas personas que de una
En primer lugar, a Dios por darme voluntad y fuerzas para salir adelante en una etapa tan
difícil de mi vida.
A mi mamá y mi abuela, que han sido todo para mí desde que nací. Por no dejarme sola a
A mi hermano, que como dice mi mamá: es la alegría de la casa y el niño de mis ojos.
A mi tía, a pesar de todo, por la ayuda que me ha ofrecido, por darme la oportunidad de
cambiar mi vida, pero sobre todas las cosas por considerarme una hija.
A mi familia toda, con sus defectos y virtudes, por enseñarme lo bueno y lo malo.
A mi suegra Mercy, porque sin su apoyo y su total comprensión, en estos días de maratón,
A Alejandro, por soportarme en las buenas y las malas, por su apoyo logístico, por
seguirme en mis locuras, por las malas noches, pero sobre todo por su amor.
A Karen, por impulsarme en el trabajo, por la ayuda que me ha brindado todos estos años,
desde muchos puntos de vista, por ser mi confidente, por ser mi amiga, mi compañera, en
A mis amigos en general, en especial a Zail, Jaris y Jean Claude, que si no ayudan,
molestan, pero sin ellos el camino hubiera sido mucho más largo. Que conste que esta vez,
Agradecimientos
sin la ayuda de “el negro”, no lo hubiera logrado. También a Katia que siempre está
pendiente de mi.
A Zoe, Mariela, Yunier, que no me han dejado de llamar para darme ánimos.
A Pedri, Hurtado, Carmita, Orlando, Miriam y Mesa, por tendernos la mano cuando más lo
necesitamos.
A Alain “el jefe”, por ser una persona con la que siempre se puede contar, por su sentido de
A Marante, a quien debo el privilegio de ser parte del proyecto con la Universidad de
A Lorena y Jolín, por toda la ayuda desinteresada que me han prestado y las molestias que
les he causado a lo largo de este tiempo, por su amabilidad y por hacerme parte de su
trabajo.
A Nieves y Jessica, por ser más que compañeras, por siempre tener tiempo para ayudarme y
A Vanesa y los niños, por todo el cariño que nos han ofrecido en estos años.
Al director y artífice de este proyecto, a Jose, por “tantas” cosas que no caben en estas
líneas, por sus eternas atenciones, su gentileza, su exigencia, por compartir su familia, sus
conocimientos, por hacerme cada día mejor profesional, por su perseverancia y por
convertirse en mi ejemplo. Por su paciencia en los días que he tenido que conmutar al
módulo “científica”…
Agradecimientos
A Ángel Mediavilla, por no conocer los imposibles, por la generosidad que siempre nos ha
A Don José Luis García, que sin conocerme me tendió su mano. Por los consejos.
A la AECID, por concedernos la Acción Integrada que ha hecho posible que muchos de
A todos ustedes y espero que no se me quede nadie, que han sido parte de esta etapa de mi
A mi familia
Síntesis
SÍNTESIS
En este trabajo, se presenta un estudio del estado del arte en lo referente a las arquitecturas
elemento que consume mayor potencia dentro del transmisor, por lo que su diseño
campo (FET). Se demuestra además, que aún cuando no se cuente con el modelo no lineal
del transistor y/o con herramientas sofisticadas de medición, los amplificadores diseñados
comunicaciones en el futuro.
Abstract
ABSTRACT
In this work, a state-of-art overview of emerging wireless transmitter architectures, that are
been developed for overcoming the limit in the linearity versus efficiency trade-off for
amplifier (RFPA) as the key factor in the transmitter power consumption, so that the
A set of considerations for empirical basis design of high efficiency RF power amplifiers,
which can be applied to different frequencies and devices inside the family of Field-Effect
Transistors (FET), are proposed. Besides, even when device nonlinear models or
sophisticated measuring tools are not available, the amplifiers designed under these
considerations are in the efficiency levels state-of-art and satisfied the linearity standards
efficiency amplification concepts are shown in order to corroborate the impact of these
ÍNDICE
INTRODUCCIÓN .................................................................................................................. 1
ANEXO IV: Útiles y bancos de medidas para la caracterización de transistores .............. 151
Índice de figuras
ÍNDICE DE FIGURAS
Figura 2.1 Distribución de la energía en una estación base de radio tradicinal [85]. ........... 36
Figura 2.2 Modelo equivalente en gran señal de un transistor HEMT [97]. ........................ 40
Figura 2.3 Característica de transferencia y curvas IV del transistor HEMT de potencia
utilizado en el diseño del amplificador a 960 MHz. ............................................................. 44
Figura 2.4 Representación de los círculos de PAE, Pout y ganancia máximas, junto al valor
de impedancia óptima calculado. .......................................................................................... 46
Figura 2.5 Curvas de eficiencia, PAE, ganancia y potencia de salida del dispositivo para
Zopt. ........................................................................................................................................ 47
Figura 2.6 Evolución de la impedancia a conseguir con la red de salida. ............................ 49
Figura 2.7 Resultados de ganancia, eficiencia y PAE para diferentes valores de Vdd. ......... 50
Índice de figuras
Figura 2.8 Perfiles simulados de ganancia, eficiencia y PAE frente a potencia para Vdd= 28
V............................................................................................................................................ 50
Figura 2.9 Perfiles simulados de ganancia, eficiencia y PAE frente a frecuencia para Vdd=
28 V y Pin=24 dBm. .............................................................................................................. 51
Figura 2.10 Layout de las placas de entrada y salida del amplificador a construir. ............. 52
Figura 2.11 (a) Layout de la placa diseñada para optimizar la red de salida del amplificador.
(b) Esquema de medida de la evolución de la impedancia en el analizador de redes. ......... 53
Figura 2.12 Evolución del S21 de la red de adaptación multiarmónica para el amplificador
de ejemplo. ............................................................................................................................ 54
Figura 2.13 Esquema implementado para el segundo ajuste de la red de salida. ................. 55
Figura 2.14 Circuito esquemático final del amplificador clase E implementado. ................ 56
Figura 2.15 Fotografía del amplificador clase E implementado. .......................................... 57
Figura 2.16 Diagrama del sistema de caracterización empleado. ......................................... 59
Figura 2.17 Ganancia, potencia de salida, eficiencia y PAE medidos frente a la potencia de
entrada, a VDD=28V, VGG= -3.5 V y f0 = 960 MHz. .............................................................. 59
Figura 2.18 Ganancia, potencia de salida, eficiencia y PAE medidos frente a tensión de
drenador, a Pin=24 dBm, VGG = -3.5 V y f0 = 960 MHz. ...................................................... 60
Figura 2.19 Ganancia, potencia de salida, eficiencia y PAE medidos frente a tensión de
drenador, a Pin=24 dBm, VGG = -3.5 V y VDD = 28 V. .......................................................... 61
Figura 2.20 Señal de dos tonos a la entrada del amplificador (rojo) y señal de dos tonos a la
salida: sin predistorsionar (azul) y predistorsionada (verde), a VGG = -3.5 V y VDD = 28 V.
.............................................................................................................................................. 62
Figura 2.21 Señal multitono a la entrada del amplificador (rojo) y señal multitono a la
salida: sin predistorsionar (azul) y predistorsionada (verde), a VGG = -3.5V yVDD = 28V. .. 63
Figura 3.1 Diagrama simplificado del convertidor resonante Clase E2 en RF. .................... 67
Figura 3.2 Esquema circuital equivalente válido para cada una de las etapas clase E del
transmisor.............................................................................................................................. 68
Figura 3.3 Detalles de implementación del convertidor DC/DC clase E2. ........................... 69
Figura 3.4 Resultados de caracterización del convertidor DC/DC a) frente a la tensión de
alimentación del inversor (f0=770 MHz), y b) frente a la frecuencia de RF (VDD=28 V). ... 70
Índice de figuras
Figura 3.5 Resultados de caracterización del convertidor DC/DC, con filtro reconstructor a
su salida frente al ciclo útil de los pulsos (500 kHz) usados para modular la excitación de
RF (f0=770 MHz y VDD=28 V). ............................................................................................ 70
Figura 3.6 Arquitectura del transmisor polar propuesto. ...................................................... 71
Figura 3.7 Detalles de implementación e integración de las etapas de potencia del
transmisor (convertidor, filtro reconstructor y amplificador de RF). ................................... 72
Figura 3.8 Espectro de la señal EDGE original (con predistorsión) y la recuperada a la
salida del transmisor polar. ................................................................................................... 73
Figura 3.9 Diagrama de la agrupación conjugadora de fase de tipo “outphasing”. ............. 77
Figura 3.10 Evolución de |Gds1| y Gmd con VGS y POL para un E-PHEMT (ATF54143 de
Avago Semiconductors) a VDS=0 V.. .................................................................................... 80
Figura 3.11 Sistema de caracterización vectorial dinámico de los perfiles de modulación. 81
Figura 3.12 a) Detalles geométricos de la antena diseñada. b) Fotografía de la agrupación
de 4x1 elementos implementada. .......................................................................................... 82
Figura 3.13 Diagrama de la plataforma de caracterización de tipo vectorial empleada para la
medida de la agrupación retrodirectiva full-duplex. ............................................................. 83
Figura 3.14 Espectro de la señal CDMA 2000 forward capturada devuelta en la posición
del interrogador para un valor de elevación de -10°. ............................................................ 84
Figura 3.15 Resultados medidos en campo lejano: patrones de radiación monoestático (‘-’)
y biestático (para posiciones de la fuente a ‘-□’ -20º, ‘-○’ -10º, ‘-◊’ 0º y ‘-☆’ 10º) y
evolución del ACPR (‘--‘).. .................................................................................................. 85
Figura 3.16 Esquema LINC con combinación de potencias en el extremo receptor. ........... 87
Figura 3.17 Esquema de la antena parche, usada en los extremos transmisor y receptor, con
sus dimensiones. ................................................................................................................... 88
Figura 3.18 Valores medidos de adaptación y aislamiento entre las puertas de la antena. .. 89
Figura 3.19 Fotografía del amplificador clase E implementado. .......................................... 90
Figura 3.20 Esquema simplificado del sistema de caracterización en campo lejano utilizado.
.............................................................................................................................................. 90
Figura 3.21 Representación de los espectros de señal medidos en el extremo receptor para
una excitación de dos tonos: (a) señal suma y (b) señal diferencia.. .................................... 92
Índice de figuras
Figura 3.22 Representación de los espectros de señal medidos en el extremo receptor para
una excitación WCDMA: (a) señal suma y (b) señal diferencia.. ........................................ 92
Figura 3.23 Esquema LINC con combinación de potencias en el extremo receptor y
transmisión de señales a través de un arreglo de parches cuadrados. ................................... 95
Figura 3.24 Sistema de medición del transmisor LINC con combinación de potencias en el
extremo receptor y transmisión de señales a través de un arreglo de parches cuadrados..... 96
Figura 3.25 Espectro de la señal WCDMA original y la capturada en el extremo receptor
(para la señal suma).. ............................................................................................................ 97
Figura 3.26 Diagramas de radiación para la polarización circular: a) señal suma y b) señal
diferencia. ............................................................................................................................. 98
Figura 3.27 Diagramas de radiación y nivel de potencia en los lóbulos laterales superior e
inferior. ................................................................................................................................. 98
Figura AI.1 Circuito de alta eficiencia clase E original [92]. ............................................. 124
Figura AI.2 Circuito de clase E asumiendo corriente sinusoidal en la carga [4], [99]. ...... 126
Figura AI.3 Formas de onda teórica de tensión y corriente en conmutador clase E [4], [99].
............................................................................................................................................ 128
Figura AI.4 Red de carga externa vista por el dispositivo conmutador a frecuencias de RF
[4], [99]. .............................................................................................................................. 131
Figura AII.1 Circuito clase E con elementos discretos L-serie/C-paralelo [4], [99]. ......... 134
Figura AII.2 Red de carga externa del circuito clase E vista a la salida del dispositivo
conmutador a la frecuencia de operación [4], [99]. ............................................................ 134
Figura AIII.1 Circuito clase E con líneas de transmisión serie/paralelo [4], [99]. ............. 136
Figura AIII.2 Circuito equivalente de la red de carga para el circuito clase E con líneas de
transmisión serie/paralelo, a la frecuencia de trabajo [4], [99]. .......................................... 137
Figura AIII.3 Circuito clase E con líneas de transmisión, presentando una impedancia de
circuito abierto al segundo armónico en la puerta de salida [4], [99]................................. 140
Figura AIII.4 Circuito clase E con líneas de transmisión, presentando una impedancia de
circuito abierto al segundo y tercer armónico en la puerta de salida [4], [99].................... 141
Índice de figuras
Figura AIV.1 Esquema del sistema propuesto para la caracterización de transistores [107].
............................................................................................................................................ 152
Figura AIV.2 Esquema del sistema propuesto para la caracterización de transistores [97],
[107]. ................................................................................................................................... 152
Figura AIV.3 Dibujo y fotografía del diseño de la base para medidas en die [107]. ......... 153
Figura AIV.4 Sistema para la caracterización de un HEMT de potencia de 15 W [107]... 153
Figura AIV.5 Sistema para la caracterización de un dispositivo que alcanza los 12 W [107].
............................................................................................................................................ 154
Figura AIV.6 Sistema para la medida de transistores con encapsulado [107]. .................. 155
Figura AIV.7 Esquemas de los diferentes elementos que integran el estándar de calibración
TRL [107]. .......................................................................................................................... 156
Figura AIV.8 Circuito equivalente de un dispositivo HEMT [97], [107]. ......................... 157
Figura AIV.9 Características I/V de un HEMT de potencia de 15 W para una tensión de
reposo de VGS = -2.8V y VDS = 28V [97], [107]. ................................................................ 159
Índice de tablas
ÍNDICE DE TABLAS
INTRODUCCIÓN
Introducción
INTRODUCCIÓN
En los próximos años se espera que el tráfico medio de datos en sistemas inalámbricos
las TIC (Tecnologías de la Información y las Comunicaciones) para que llegue a ser
Teniendo en cuenta que las redes y los equipos de comunicaciones de hoy en día están
cambiar drásticamente las estrategias de diseño, con el fin de hacer frente a desafíos futuros
la protección del medio ambiente. Al mismo tiempo, la conexión con el usuario debe
mantenerse con el grado de calidad de servicio deseado, así como con total transparencia de
convierte en señal de radiofrecuencia (RF). Una alta eficiencia reduce los costos eléctricos
costo-eficiencia mejora mucho. Por otra parte, se pueden considerar dichos sistemas
1
Introducción
lineales (aquellos que cumplen con el principio de la superposición [1]), cuando la amplitud
eficiencia, es por ello que se debe establecer un compromiso entre estos dos parámetros de
los sistemas de transmisión, sin perder de vista, por supuesto, los requerimientos
Gracias a los más recientes avances en las técnicas de procesamiento digital de la señal,
el peso del crecimiento exponencial que vienen experimentando las TIC. Al reducir los
costos operacionales, incrementar la vida útil de las baterías, así como reducir el impacto
impuesto por las tendencias de la economía global del siglo XXI. Por tanto, resulta de vital
2
Introducción
soluciones, no sólo para proporcionar conectividad global, sino también para asegurarla
por ejemplo el caso de los estándares WCDMA y OFDM, los cuales permiten alcanzar una
envolvente y una estadística bastante compleja, con un valor de relación entre la potencia
potencia. Para el caso de las estaciones base, esta ineficiencia es responsable de que la
porción de los costos operacionales asociada a la factura eléctrica resulte prohibitiva (un
25% o más de los OPEX totales, de los cuales la mitad es debida al amplificador de
potencia), mientras que en los terminales de usuario restringe el tiempo necesario entre
disponible de las baterías se pierde en forma de calor, disipado en buena parte por sus cinco
3
Introducción
(con valores orientativos por debajo del 5% para señales PAPR>= 10 dB y del 15% para
señales con PAPR>= 6,5 dB), resulte insuficiente para la introducción costo-efectiva y
El problema identificado sitúa como objeto de estudio la teoría general de diseño de los
de RF (elemento que aporta el mayor consumo de potencia dentro del transmisor y a su vez
desventajas.
4
Introducción
dichas arquitecturas.
transmisión vigente.
polarización.
extensión de las técnicas de transmisión lineal con alta eficiencia a las agrupaciones
retrodirectivas.
Durante el desarrollo del trabajo se emplearon varios métodos de investigación, entre los
que se encuentran:
la tesis y para proponer nuevas líneas de investigación a partir de los resultados obtenidos.
5
Introducción
muchas de las cuales son capaces de superar las principales limitaciones que presentan los
lineal del dispositivo activo y/o con herramientas potentes de medición (sintonizador de
impedancias, load-pull).
6
Introducción
potencia añadida (PAE) superior al 80% (en el estado del arte), basados en las
consideraciones planteadas.
hecho, es de las pocas técnicas que lo consiguen utilizando el principio heterodino para
la conjugación de fase.
uso de una antena parche de microcinta con polarización ortogonal dual, a la frecuencia
de 2 GHz.
supera las limitaciones del primero a través del uso de un arreglo de parches como
Estructura de la memoria:
7
Introducción
Capítulo 1: Se realiza un estudio del estado del arte sobre las arquitecturas emergentes de
transmisión inalámbrica, comentando (de forma más extensa y detallada para el caso las
topologías polar y LINC) sus ventajas y principales desventajas, así como las alternativas
cuenta las limitaciones que se presentan en la actualidad para lograr un diseño adecuado de
los mismos, por no contar con un modelo apropiado de los transistores a utilizar o con
herramientas potentes que permitan sintetizar la impedancia de carga del transistor (load-
futuras, teniendo en cuenta que todavía queda mucho por hacer para solventar las
8
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
COMPROMISO LINEALIDAD-EFICIENCIA EN
TRANSMISORES DE RADIOFRECUENCIA
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
1.1 Introducción
tecnologías tan diversas como UMTS, IEEE 802.11x, IEEE 802.16x, Bluetooth, redes
móviles ad-hoc o redes de sensores sin hilos y la definición del nuevo concepto de
Uno de los condicionantes más importantes para este desarrollo es maximizar la autonomía
optimizar su eficiencia energética. Hay que tener en cuenta que tales servicios requieren el
linealidad, tanto para garantizar la correcta recuperación del mensaje como para evitar el
clave, debido a que es el responsable del mayor consumo de potencia dentro del sistema y
además el que aporta los niveles de distorsión más significativos. Por estas razones se
podría considerar según [3] como el principal actor dentro del compromiso que se establece
9
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
1.2.1 Eficiencia
varios términos:
PoutRF
ηD = (1.1)
PinDC
PoutRF − PinRF 1
PAE = = η D (1 − ) (1.2)
PinDC G
10
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
• Eficiencia total (η): compara la potencia total recibida por el amplificador (RF+DC),
PoutRF ηD (1.3)
η= =
PinRF + PinDC η D + 1
G
1.2.2 Linealidad
señal de salida varía linealmente con la de la señal de entrada, y además, la diferencia entre
respuesta a una señal que está compuesta por la suma de dos o más señales elementales,
está dada por la suma de las respuestas a estas señales elementales, cuando se toman
salida también es función del grado de saturación. Por lo tanto, la distorsión de la señal es
11
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
saturación.
en función de la potencia de entrada. Para obtener una amplificación lineal, el nivel pico de
potencia debe mantenerse dentro de la región lineal del amplificador, y evitar así los efectos
opción más común consiste en trabajar lejos del punto de compresión y en consecuencia
Figura 1.3 Ganancia de compresión y variación de fase debidas a la saturación de un amplificador de potencia
[4].
12
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
amplificador no varía.
simplificado del amplificador de potencia, que no tiene en cuenta los efectos de memoria,
Los efectos de las no linealidades en los amplificadores de potencia son dobles: por un lado
(distorsión fuera de banda o armónica), mientras que por otro lado, causan distorsión dentro
de la propia banda de transmisión (de intermodulación), degradando por tanto el bit error
13
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
rate (BER). Los organismos reguladores fijan, a través de los diferentes estándares de
emisión de potencia que delimitan el adjacent channel power ratio, ACPR), así como de la
propia distorsión en banda, por ejemplo especificando porcentajes máximos de error en las
La distorsión armónica puede eliminarse mediante filtrado, pero no ocurre así con la
distorsión producida por los productos de intermodulación en banda, ya que las frecuencias
14
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
Dado que la señal pasobanda a transmitir se conforma en bajo nivel, los amplificadores de
misma, y por lo tanto sobredimensionarles con respecto al nivel de potencia media que se
desea radiar. En la medida en que la relación potencia pico-potencia promedio sea mayor, y
objetable. Por otra parte se buscaba, en general, lograr niveles de distorsión típicos cercanos
al punto de compresión de 1dB, en el régimen de pequeña señal. Sin embargo, esos “oasis”
15
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
satisfacer los fuertes requisitos que aparecen en nuevos estándares relacionados con la
El control del comportamiento no lineal ha pasado por dos vertientes, el control a nivel de
la salida (Load-Pull) del transistor o los relativos al punto de polarización (sweet-spot) del
vertiente asociada a las técnicas de linealización a nivel de sistema. Entre las técnicas a
Predistorsión, el concepto básico de un sistema de este tipo (figura 1.5 a), presupone la
RF, de forma tal que la combinación de las características transferenciales de ambos sea
Predistorsión digital, estas técnicas aprovechan el potencial considerable que brindan los
16
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
puede, además operar con diferentes tipos de señales de entrada, las más comunes a
Las dos variantes más utilizadas de predistorsión digital son la de mapeo [7] y la de
ganancia constante.
demostrado buenas prestaciones para señales de banda estrecha. Presenta limitaciones por
pueden incluir las de linealización mediante predistorsión por realimentación [9], esta
técnica consiste en realizar una predistorsión previa de la señal en banda base de tipo
17
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
una continua actualización del predistorsionador que permite seguir las derivas que puede
linealizar, el problema de ajuste entre la amplitud y fase de los lazos que componen este
Estas técnicas han constituido un paliativo, pero no una solución a los bajos niveles, que en
que surgieron y se han desarrollado de forma vertiginosa en estos años las denominadas
siguiente.
general, diferentes del transmisor IQ, están fundamentadas en el uso de la energía y tienen
hace décadas, pero incorporan los más recientes avances tecnológicos en procesado digital
18
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
fijas. Por las razones antes expuestas vienen recabando cada vez mayor atención en los
también conocida como Envelope Tracking (ET) [6, 9], han ganado un gran protagonismo,
energética que es posible alcanzar con tales amplificadores. Aunque estos niveles pueden
ser menores que los que se logran a partir de otras arquitecturas emergentes, desde el punto
de vista de complejidad tecnológica, el ET suele ser, en ocasiones, más viable. Es por ello
transistor del amplificador de potencia, de modo que esta polarización variable se ajuste a
tiende a una señal de estadística gaussiana [2]. Este elevado PAPR implica que sólo en
19
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
polarización del transistor de potencia. Por tanto, se puede decir que durante gran parte de
reducirse ajustando la polarización del mismo, sin que implicara ningún recorte de los picos
Una solución para reducir el PAPR de las señales son las técnicas de clipping [12], que
pretenden recortar/reducir los picos de la envolvente para que se aproxime más al valor
polarización variable, cuyo esquema genérico puede verse en la figura 1.6 y que se
comentarán a continuación.
Figura 1.6 Esquema de los subsistemas que conforman un amplificador con predistorsión digital y
esta tensión se ajusta según el valor de la envolvente de la señal, lo cual puede provocar
20
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
tensión de puerta variable deseada, también compensen los efectos no-lineales mediante
predistorsión digital [13]. La fuente de alimentación que se esté usando para la tensión de
en esencia, por el hecho de que para lograr un control sobre la potencia o tensión de salida
variar la VGS no se produce ningún cambio significativo, es por ello que resulta más factible
salida variable eficientes (lo cual se consigue usando fuentes conmutadas) y que puedan
variar a alta velocidad, ya que han de ser capaces de seguir el ancho de banda de la
envolvente [5]. Este ancho de banda requerido puede llegar a ser de decenas de MHz.
variable
amplificador. Es decir, que para diferentes valores de la envolvente se van a tener diferentes
21
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
ganancias. Esto se puede solventar mediante el uso de un predistorsionador digital. Por otra
parte, en amplificadores de señales con gran ancho de banda la posible presencia de no-
linealidades dinámicas (lo que se denomina como nonlinear memory effects, es decir
predistorsionadores más complejos [5]. En la práctica el procesador más adecuado para este
El transmisor polar, derivado de las técnicas de modulación por placa usadas en los
En lugar de trabajar con las componentes i(t) y q(t) de la envolvente, utiliza las
x (t ) = x AM (t ) cos(ω c t + x PM (t )) (1.6)
Tal y como se muestra en su esquema (ver figura 1.7), la portadora es modulada sólo con la
componente de fase. Al tener una amplitud constante, dicha señal se puede amplificar con
etapas de RF altamente eficientes operadas en modo conmutado (clases D-1, E/E-1 ó F/F-1).
22
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
tensión en drenador. Idealmente, este esquema podría asegurar la linealidad deseada con un
100% de eficiencia, pero como en cualquier solución de ingeniería, existen una serie de no
PM, así como garantizar un ancho de banda adecuado para los trayectos. Desde el punto de
vista circuital, es imprescindible comprender las causas que dan origen a las no linealidades
parásita de fase (Vdd -PM). Los elementos más críticos en el diseño son el amplificador de
global del transmisor. Atendiendo a las no idealidades del transmisor, y teniendo en cuenta
que el ancho de banda de las componentes A(t) y ϕ(t) sería en principio infinito, el
transmisor polar suele implementarse a través de algún tipo de técnica híbrida EER/ET,
las transiciones por cero de la envolvente compleja). Por otro lado, se requiere acudir a
23
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
técnicas de predistorsión digital, donde los efectos de memoria pueden ser significativos,
eficiencia total del sistema (se obtiene como el producto de la eficiencia del amplificador de
espectral que puede abarcar desde DC hasta un valor de frecuencia varias veces superior al
de ancho de pulso, PWM [20], la frecuencia de la señal moduladora debe ser una fracción
de la frecuencia de conmutación (un 20% o menos de dicho valor). Al quedar esta última
limitada a cientos de kHz, o decenas de MHz en el mejor de los casos, debido a su impacto
sobre las pérdidas de conmutación, estos convertidores pueden utilizarse de modo eficiente
24
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
con la frecuencia en este tipo de señales, con cerca de un 80% del valor total concentrado
apropiadamente con amplificadores de tipo lineal [21, 22], de modo a conseguir una
vez los requisitos tan restrictivos de linealidad. De cara a mejorar cada vez más las
El ahorro de costos que implicaría poder manipular con un sola cadena transmisora señales
de esta naturaleza, pero con varias portadoras (los casos de WCDMA de 4 y 8 portadoras,
por ejemplo), la evolución hacia formatos de modulación cada más complejos, como los
técnicas a otras aplicaciones, con mayores anchos de banda (centenas de MHz), hacen
necesarias soluciones alternativas a este tipo de topología híbrida (conmutado + lineal). Tal
del arte permiten cubrir anchos de banda de ese orden, al operar sobre una frecuencia
elevada y con ello reducir las exigencias en cuanto a ancho de banda fraccional o relativo se
partido de la resonancia de los elementos reactivos parásitos del transistor que contribuyen
25
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
combina dos amplificadores de potencia de igual capacidad a través de una red inversora de
impedancia de carga de los amplificadores [6]. Este concepto plantea que la resistencia o la
reactancia de una carga de RF se puede modificar aplicando corriente desde otra fuente, en
fase con la primera. Esta relación estaría caracterizada por la siguiente expresión:
I +I
Z1 = RL 1 2 (1.7)
I2
26
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
Donde Z1 es la impedancia vista por el primer generador y que puede ser controlada
El amplificador principal (de portadora) se polariza en clase B, mientras que el auxiliar (de
igual o menor que la mitad del valor pico de la envolvente, sólo opera el amplificador
para mantener la eficiencia elevada. En este régimen la potencia de salida crece de forma
proporcional a la potencia de entrada porque la relación entre ellas es casi lineal, como se
La limitación fundamental de este esquema está dada por el hecho de que al usar
trabaja con señales cuyo PAPR está por encima de los 10 dB. Por otra parte ambos
actualmente en las estaciones base, para elevar la eficiencia, puesto que solamente implica
Doherty convencional, pero si por una asimétrica de tres niveles (un amplificador principal
y dos auxiliares), que permita manipular señales reales de comunicación donde la PAPR se
27
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
[6, 12, 28-41] (figura 1.9), y empleado en una gran variedad de aplicaciones inalámbricas.
amplitud y fase:
s (t ) = a (t ) e jθ (t ) , 0 ≤ a (t ) ≤Vm (1.8)
s1 = s (t ) −e (t )
(1.9)
s 2 = s (t ) + e (t )
2
Vm
e (t ) = j s (t ) −1 (1.10)
a 2 (t )
Estas dos señales son amplificadas por separado y posteriormente combinadas. Mediante la
red de combinación, las señales en fase se suman, mientras que las señales de cuadratura se
28
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
cancelan mutuamente, por lo tanto se obtiene una réplica amplificada de la señal de entrada.
Resulta imprescindible entonces, para preservar los altos niveles de eficiencia de potencia
en este sistema, lograr que la red de combinación de potencias sea eficiente. Una alternativa
sería el uso de un combinador reactivo puro, como el planteado por Chireix en [27] o un
combinador tipo “T” sin pérdidas como en [35], sin embargo estos métodos se encuentran
del desfase que se produce entre las dos ramas de amplificación del LINC.
En este punto, se podría subrayar que el transmisor “outphasing” o LINC presenta como
eficiencia teórica del 100% (p. e. amplificadores conmutados), para alcanzar una
decir el uso de esta arquitectura emergente ofrece una vía para elevar los límites actuales
aplicaciones donde la duración y el tamaño de la batería sean de suma importancia [2, 32].
tolerancia extremadamente ajustada que tiene que existir entre las dos ramas de
29
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
ajustada respecto a la correspondencia entre las dos ramas de amplificación, sin la cual
resulta difícil lograr que el rechazo del espectro fuera de banda de la señal de salida, sea
fase entre las dos ramas amplificadoras no se logra realizar una completa cancelación de las
Los requerimientos típicos para la mayoría de las aplicaciones prácticas, según plantean
Entre las alternativas propuestas para minimizar las no-correspondencias existentes entre
realimentaciones, los cuales intentan mantener un balance adecuado entre las ramas y no
las técnicas presentadas por [42-43] se consigue controlar el desequilibrio de fase, sin
como de ganancia.
A modo de conclusión podría plantearse que existen alternativas que consiguen equilibrar
30
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
La otra desventaja que presenta la arquitectura LINC está relacionada con la potencia que
varias alternativas para llevar a cabo dicha combinación, entre ellas destacan el uso de un
degradación de la eficiencia.
unión T y dos reactancias paralelo (cargas reactivas a través de las cuales se deriva una
corriente), con valores opuestos, a la entrada de cada línea de transmisión, como se muestra
en la figura 1.10. Este combinador puede ser descrito de maneras diferentes [6], [12], [27],
[49], pero las expresiones de la salida y la eficiencia instantánea a las que se arriba son
similares [50-51].
31
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
Figura 1.10 Esquema de un transmisor LINC con combinador de potencias tipo Chireix [49].
En resumen, la principal limitación del uso del combinador Chireix a las frecuencias de
microondas está dada por el hecho de que los amplificadores de potencia no se comportan
como fuentes ideales de tensión, sin embargo teniendo en cuenta los resultados expuestos
“outphasing”.
Su función consiste en aislar las salidas de los amplificadores ofreciéndoles una impedancia
óptima, pero sólo se podría alcanzar el 100% de eficiencia para la potencia de salida
máxima. Cuando las entradas se desfasan para seguir las variaciones de amplitud, se pierde
32
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
en la figura 1.11.
Figura 1.11 Representación de la potencia perdida en forma de calor en un transmisor LINC [54].
los amplificadores. Múltiples variantes han sido propuestas por [54-56] basadas en la
transmisor en alrededor de un 15% respecto a la del LINC convencional, para señales con
PAPR de alrededor de 6.5 dB. Otra sería, teniendo en cuenta los principios desarrollados
por [57], implementar el convertidor RF-DC a partir del uso de un amplificador conmutado
33
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
permiten variar el ángulo de desfase entre las señales que llegan al combinador, de acuerdo
Las ventajas que ofrece la configuración del LINC, no han quedado restringidas solamente
1.5 Conclusiones
inalámbricos y del estado del arte referente a las arquitecturas emergentes, se podría arribar
34
Capítulo 1
Técnicas emergentes de mejora del compromiso linealidad-eficiencia en transmisores de radiofrecuencia
con un nivel de complejidad relativamente bajo, sin embargo persiste la limitación en ancho
plantear que aunque el primero presenta una eficiencia teórica del 100%, esta se encuentra
fuertemente limitada por el diseño del amplificador de envolvente. En el caso del LINC
ambos amplificadores se diseñan en RF, por lo que la eficiencia total puede alcanzar
valores altos, sin embargo es imprescindible reducir los niveles de pérdidas que se
en los transmisores. No obstante, las soluciones ofrecidas para disminuir las pérdidas de
potencia en el proceso de combinación de las señales todavía son insuficientes, por lo que
35
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
POTENCIA DE RF
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE RF
2.1 Introducción
elemento que consume mayor cantidad de potencia, tal y como se muestra en la figura 2.1:
Figura 2.1 Distribución de la energía en una estación base de radio tradicional [91].
transmisión que mejoren los límites actuales del compromiso linealidad-eficiencia, si antes
del modelo no lineal del transistor a utilizar o se cuenta con uno incompleto, es realmente
obtención de los círculos de máxima eficiencia, ganancia y potencia de salida, sin embargo
estos equipos de medición son extremadamente caros. Teniendo en cuenta las limitaciones
36
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
a través del diseño de un amplificador clase E a 960 MHz que será utilizado
“outphasing”.
Los amplificadores de potencia se dividen en dos grandes grupos, los que operan en modo
fuente de corriente controlada (clases A, B, AB, C) y los que lo hacen en modo conmutado
(clases D, D-1, E, F, F-1 y S). Las diferentes clases para el primer grupo se determinan en
función del ángulo de conducción y permiten variar el punto de operación del dispositivo
Los amplificadores en modo conmutado pueden alcanzar una eficiencia teórica del 100%,
37
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
Los amplificadores de potencia en modo conmutado son no lineales por excelencia, pero
consiguen altas eficiencias, ya que funcionan como un conmutador, minimizando con ello
por el conmutador fluye corriente (encendido), y se fuerza la corriente a cero cuando existe
(pinch-off). Las formas de onda de tensión y corriente no se solapan (una es nula, cuando la
otra es distinta de cero), consiguiendo así el efecto del comportamiento como conmutador,
Estos factores, junto con un tiempo de conmutación (también distinto de cero), hacen que la
Sokal, 1975 [92]), pero quedó relegado, hasta que, alrededor de los 90’s, el despliegue de la
activo.
38
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
La red resonante de salida incluía [92], como principal innovación, una capacidad en
paralelo con el dispositivo. Esta capacidad será aportada de manera externa, o bien estará
Sus ventajas principales son, además de la elevada eficiencia, mayor fiabilidad, reducción
del tamaño y el peso de los equipos y sobre todo, su diseño predecible y consistente, gracias
(Anexo III).
de frecuencia de 1-40 GHz [93]. Como se había comentado antes, dentro del diseño de las
quien por su parte depende en gran medida del transistor de potencia seleccionado. En este
apartado, se abordan de forma general las bondades que ofrece el uso de transistores HEMT
de potencia, para lograr diseños robustos y eficientes, así como las limitaciones que surgen
39
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
Miguel Da Silva [96], no se cuenta con un modelo no lineal del dispositivo, el cual consiste
en el cálculo, o extracción de los valores de los elementos del circuito equivalente, así
como de los parámetros utilizados para acercar las curvas de medidas a las del modelo [97].
diseño del amplificador a partir de la simulación, ya que los modelos de los transistores que
amplificadores modo fuente de corriente controlada (A, AB, B, C), no está pensado para
conmutado, como el que se pretende diseñar, debe operar justo entre esa región y pinch-off.
aunque la eficiencia que se alcanzó fue alta (algo superior al 70%), quedó por debajo de lo
40
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
que se podría esperar (por encima de 85%) a partir de la simulación. Es preciso añadir que
en estos resultados, también influye que los modelos de los elementos pasivos, bobinas y
condensadores, no siempre son exactos, y para tener una correcta estimación del
comportamiento del circuito sería necesario incluir las vías a masa, los pequeños tramos de
línea necesarios para interconectar elementos (p. e. un condensador y una bobina), etc., lo
modo se evita el uso del modelo del transistor y la realización de un diseño a ciegas, basado
en general.
caro [102], así como compleja la calibración y puesta a punto del sistema de medición, y en
CUJAE).
Es por todas las limitaciones mencionadas anteriormente, que se propone como uno de los
41
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
muy simples. En resumen, un diseño en el que se evite confiar en los resultados de aquellas
Una vez que se analizan los aspectos teóricos en el diseño de amplificadores [103-104] y
mencionadas las limitaciones que presupone no contar con un modelo no lineal del
transistor a utilizar, se presentan algunas consideraciones para el diseño con base empírica
aplicación de cada una de ellas se ejemplifica, a través del diseño de un amplificador clase
efectiva para diferentes frecuencias y dispositivos dentro de la familia de los FET, tal como
Los transistores más utilizados según la bibliografía consultada para lograr diseños de alta
eficiencia son los HEMTs sobre tecnología de band-gap amplio y los LDMOS de alta
42
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
Para lograr el modo de funcionamiento conmutado [4], [92], [104], que permite garantizar
transistor ligeramente por debajo del valor de la tensión de corte (pinch-off). Una forma
rápida y sencilla de determinar la tensión a la cual debe ser ejecutado el diseño, es analizar
tensión de drenador (VDS) seleccionada. Al subir VGS, en determinado valor este parámetro
evolución a lo largo del borde de la carta de Smith). La tensión de puerta para operar de una
potencia de 30 W escogido para el diseño del amplificador a 960 MHz. (VGS= -3.5 V y VDS=
(DC) y dinámica (RF) del transistor, mostradas en la figura, radica en que para el segundo
43
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
caso la resistencia térmica no se tiene en cuenta, puesto que cuando el dispositivo opera en
RF no le da tiempo a calentarse.
Figura 2.3 Característica de transferencia y curvas IV del transistor HEMT de potencia utilizado en el diseño
En caso de que no se cuente con el modelo no lineal del transistor, algo frecuente para
para la extracción de las curvas IV. El banco de medida y los útiles necesarios se describen
calibración Thru-Line-Reflect (TRL) [107-108], que permite llevar las calibraciones del
A partir de la pendiente de las curvas IV obtenidas, se puede calcular la Ron del transistor en
44
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
transistor como conmutador (incluyendo también la Cout y la Roff), para estimar la eficiencia
máxima a obtener del amplificador. Con este modelo simplificado, no se podrían hacer
variaciones de la PinRF, pero se podría conocer lo que ocurre cuando el dispositivo opera al
nivel de saturación.
De las medidas del parámetro S22 para el VDS de interés y diferentes tensiones VGS, se puede
estimar la tensión de polarización de puerta a utilizar (justo el valor antes de que el S22 se
empiece a mover hacia el centro de la carta de Smith), así como la Cout y la Roff.
donde:
Yout = Y0 (1 − S 22 ) (1 + S 22 ) (2.3)
si,
Y0 = 1 Z 0 = 20 mS (2.4)
para que opere, por ejemplo, como amplificador clase E [4], [92], [107], está dada por la
ecuación:
K 0 jθ 0
Z d ( f ) opt = e (2.5)
ωsCs
donde K0=0.28015 y θ0=49.0524˚ (valores constantes). Para obtener el valor de Cs, a estas
45
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
simulación o medida de la admitancia de salida del dispositivo, polarizado por debajo del
Para simular cómo se comporta el dispositivo con esta impedancia de carga, y estimar
La capacidad equivalente de salida a 960 MHz para transistor HEMT de potencia utilizado,
Figura 2.4 Representación de los círculos de PAE, Pout y ganancia máximas, junto al valor de impedancia
óptima calculado.
Partiendo del valor de impedancia óptima obtenido y utilizando otra herramienta con
46
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
parámetros.
Los valores de eficiencia, PAE, ganancia y potencia de salida obtenidos para la impedancia
óptima, cuando se realiza un barrido de la potencia de entrada se muestran en las figura 2.5.
Nótese que, para 35 dBm se obtiene la máxima PAE sin embargo el nivel de ganancia
Figura 2.5 Curvas de eficiencia, PAE, ganancia y potencia de salida del dispositivo para Zopt.
A la vista de los resultados obtenidos se podría probar con otros valores cercanos a la Zopt y
mejor ubicados dentro de los círculos centrales de la PAE, la Pout y la ganancia, tal y como
47
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
de salida se tiene en cuenta que, para asegurar por ejemplo el funcionamiento clase E [4],
[92], [107], es necesario fijar una impedancia a la frecuencia fundamental igual a Zopt, y
tercer armónico).
Utilizando la red de salida seleccionada como carga del transistor, se diseña la red de
La impedancia a conseguir con dicha red debe permitir que el dispositivo conmute con el
menor nivel de PRFin disponible. Una vez completado el diseño de las redes del
potencia de entrada con el objetivo de alcanzar los valores máximos de eficiencia, ganancia
y PAE.
Para el diseño de las redes de adaptación de entrada y salida del amplificador de ejemplo se
utilizaron bobinas y condensadores de alto factor de calidad, de los fabricantes ATC [111-
comportamiento para la frecuencia de este diseño. Para establecer los valores iniciales de la
forzar los abiertos a segundo y tercer armónico. Los valores obtenidos a partir de los
cálculos son ideales, por tanto se deben aproximar a los valores comerciales de LC más
cercanos posibles.
K0 ωs Cs R
Lf = sin θ 0 + cos θ 0 − 1
ω s C s
2
K 0 cos θ 0
(2.6)
48
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
K0 ωs Cs R
Cf = −1
ωs R K 0 cos θ 0 (2.7)
1 1
LC = =
ωs 2
(2π n f 0 )2 (2.8)
Para la red de entrada implementada, la adaptación que se consigue para es mejor que -5 dB
para un rango de potencias de entrada de 25-40 dBm (-14.98 dBm para Pin=35dBm). Con
su inclusión también se logra mejorar la estabilidad del circuito. Un análisis más completo
vista del barrido mostrado en la figura 2.7, la tensión de drenador que maximiza la
49
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
Figura 2.7 Resultados de ganancia, eficiencia y PAE para diferentes valores de Vdd.
Para este tipo de amplificadores se ha de tener en cuenta que la tensión de ruptura es bien
elevada, con lo cual se podría operar incluso a mucho más tensión. En este sentido se
observa que a medida que aumenta Vdd, la ganancia también aumenta a costo de una leve
Los perfiles frente a potencia de entrada, para Vdd=28 V (tensión de drenador típica
Figura 2.8 Perfiles simulados de ganancia, eficiencia y PAE frente a potencia para Vdd= 28 V.
50
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
torno a la frecuencia de diseño (960 MHz), que muestra la sensibilidad del amplificador
Figura 2.9 Perfiles simulados de ganancia, eficiencia y PAE frente a frecuencia para Vdd= 28 V y Pin=24 dBm.
A partir de estos resultados es posible determinar que para un ancho de banda de 100 MHz
los parámetros fundamentales del amplificador diseñado se comportan de una manera muy
estable, superando en todo el intervalo, para el caso de la eficiencia y la PAE, el 75% y para
relativa, altura del substrato, tangente del ángulo de pérdidas y altura de la metalización.
51
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
Las dimensiones de las placas deben estar de acuerdo con la disposición de los elementos
fabricación de una base de aluminio que se ajuste a las dimensiones del transistor, para
garantizar una correcta fijación mecánica, disipación térmica, así como un buen contacto
eléctrico (los elevados valores de eficiencia que se obtienen para los diseños basados en
El dibujo de las placas (cuyas dimensione en conjunto son de 90 mm de ancho por 160 mm
Figura 2.10 Layout de las placas de entrada y salida del amplificador a construir.
52
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
los valores iniciales para las bobinas y condensadores (o stubs), a usar en las redes
armónico. En este punto se hace necesaria la construcción de una placa para la red de salida
(cómo se muestra en la figura 2.11), conjuntamente con una base, que permita reajustar en
líneas y los parásitos de los elementos pasivos concentrados), los valores de bobina y
pensar para que, una vez ajustada la red de salida, pueda ser integrada al amplificador, a
necesario conectar la placa de ajuste a los terminales de cualquier analizador de redes, que
(a) (b)
Figura 2.11(a) Layout de la placa diseñada para optimizar la red de salida del amplificador. (b) Esquema de
53
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
Una vez ajustados los armónicos superiores, se puede medir la impedancia a ver en el
condiciones cercanas al abierto a 3f0 y 2f0. A partir del valor de impedancia medido a f0, se
puede simular una red LC simple, que permita llevar ese valor lo más cerca posible de la
Zopt. La red obtenida en simulación se reajusta, una vez montada sobre la placa, midiendo
nuevamente la evolución del S21 con el analizador de redes N3383A de Agilent Techn.
[114], lo cual resulta más sencillo que hacerlo a través del análisis de la evolución de la
Figura 2.12 Evolución del S21 de la red de adaptación multiarmónica para el amplificador de ejemplo.
alternativa para poder reajustar las redes de adaptación es hacer los stubs, tanto en el dibujo
como en la posterior construcción de las placas, unos milímetros más grandes que en la
simulación.
2.5.7 Montaje del transistor, de las redes de polarización y los condensadores de desacoplo
Existen diferentes variantes para el diseño de las redes de polarización, a lo largo del
54
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
bobina que resuene y se comporte muy cercana al abierto a la frecuencia fundamental, así
como un condensador que resuene, y en este caso se comporte cercano a un corto, también
Finalmente se monta sobre el disipador la base de aluminio y sobre ésta, la placa en la cual
Para el montaje de este último se debe tener especial cuidado, sobre todo cuando se
salida
Para reajustar por segunda ocasión la red de adaptación de salida, esta vez teniendo en
cuenta los efectos del transistor, los elementos concentrados y los tramos de líneas que los
Figura 2.13 Posible esquema a implementar para el segundo ajuste de la red de salida.
en ese terminal. La aparición de corriente indica que la unión Schottky puerta-fuente del
55
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
más alto, forzando una operación del transistor lo más parecida posible a un conmutador.
valores iniciales de la red de adaptación en puerta, a partir de ellos y una vez conseguido el
esto se busca conseguir la operación como conmutador para la menor potencia de entrada
ajuste quedaría:
56
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
La tabla con los valores de los componentes y la fotografía del montaje final del
Desde el punto de vista teórico un amplificador clase E, por ejemplo, no podría tener
inestabilidades (de tipo lineal o no lineal). Al estar polarizado por debajo de la tensión de
corte, el dispositivo no tiene apenas transconductancia (el S21 sería despreciable) y no puede
ofrecer ganancia como para provocar una oscilación en ausencia de señal de excitación. Al
aplicar la señal de entrada, como su nivel debe ser suficientemente alto para saturar al
57
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
para que aparezcan inestabilidades de este último tipo. Estas pueden controlarse adaptando
posible a partir de las simulaciones realizadas y ajustando por dos ocasiones las redes de
adaptación del amplificador, compensar las limitaciones que trae consigo el hecho de no
contar con un modelo no lineal o un modelo no lineal apropiado del dispositivo activo y
además carecer del equipamiento necesario para realizar medidas de load-pull al transistor.
amplificador de potencia clase E diseñado, ante una excitación de onda continua, en primer
lugar y posteriormente frente a excitaciones más parecidas a las de los sistemas reales de
comunicación.
Las señales de excitación fueron enviadas al amplificador de potencia clase E a través del
generador ESG E4438C de Agilent Techonologies [114], una vez pre-amplificadas gracias
58
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
2.6.2 Resultados de la medida del amplificador ante una excitación de onda continua
100 50
Pout Pout [dBm] & Ganancia [dB]
Eficiencia & PAE [%]
80 40
60 30
Ganancia
40 20
Eficiencia (+)
20 & PAE 10
0 0
6 10 14 18 22 26
Pin [dBm]
Figura 2.17 Ganancia, potencia de salida, eficiencia y PAE medidos frente a la potencia de entrada, a
59
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
de la tensión de pinch-off del transistor. Para niveles de entrada muy altos, la potencia de
tensión de drenador. Estas características serían de interés si se desea modular dicha tensión
con la envolvente, como ocurre en técnicas tipo envelope tracking o transmisores polares.
La potencia de entrada se fijó en 24 dBm, valor para el cual la PAE alcanzó su valor
máximo. Resulta interesante resaltar que, para todo el rango de tensión, el valor de la
100 50
Pout [dBm] & Ganancia [dB]
Pout
Eficiencia & PAE [%]
80 40
Eficiencia (+)
& PAE
60 30
40 20
Ganancia
20 10
0 0
10 15 20 25 30 35
Vdd [V]
Figura 2.18 Ganancia, potencia de salida, eficiencia y PAE medidos frente a tensión de drenador, a
60
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
También cabe resaltar que para el valor máximo de tensión de drenador, la potencia de
salida alcanza los 45.1 dBm (32.36 W), superando así los 30 W que según la hoja de
figura 2.19. Se consigue una eficiencia de drenador y una PAE de más del 65% sobre un
ancho de banda de 200 MHz (más de un 25% en términos de ancho de banda relativo o
fraccional).
100 50
80 40
Eficiencia (+)
60 & PAE 30
40 Ganancia 20
20 10
0 0
0.86 0.90 0.94 0.98 1.02 1.06
Frecuencia [GHz]
Figura 2.19 Ganancia, potencia de salida, eficiencia y PAE medidos frente a tensión de drenador, a
máximo y mínimo de aproximadamente 6 dB. Para la banda de 860 MHz a 960 MHz esta
61
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
Para realizar un análisis más completo del funcionamiento del amplificador implementado
y por ende dar validez a las consideraciones de diseño establecidas, es necesario examinar
cercana a la realidad. En el primero de los casos (figura 2.20), se envía al amplificador una
señal de dos tonos separados 100 kHz, desde un generador vectorial de señal (se observa en
rojo). En color azul se muestra la señal obtenida posterior a la amplificación, sin realizar
47.02%.
0
Sx de salida del
Potencia Normalizada [dB]
amplif. s/Predist.
Sx de salida del
amplif. c/Predist.
-20 Sx de entrada al amplif.
-40
-60
-80
0.959 0.9595 0.96 0.9605 0.961
Frecuencia [GHz]
Figura 2.20 Señal de dos tonos a la entrada del amplificador (rojo) y señal de dos tonos a la salida: sin
Finalmente, en color verde, se destaca la señal de dos tonos obtenida al enviar la señal de
entrada predistorsionada, consiguiendo una diferencia entre los niveles de potencia de los
dos tonos y el armónico de tercer orden, de unos 50 dB. En este caso la eficiencia que se
62
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
El uso de una señal compuesta por 250 tonos (figura 2.21), con 20 kHz de separación entre
ellos, lo que representa un ancho de banda total de 5 MHz, cuyas fases se han controlado
para conseguir una relación potencia pico potencia promedio de 6 dB, a modo de
eficiencia se mantiene con un nivel aceptable de 47% para el caso de la señal multitono o
multisine predistorsionada.
0
Sx de salida del
Potencia Normalizada[dB]
amplif. s/Predist.
Sx de salida del
amplif. c/Predist.
Sx de entrada al amplif.
-20
-40
-60
0.94 0.95 0.96 0.97 0.98
Frecuencia [GHz]
Figura 2.21 Señal multitono a la entrada del amplificador (rojo) y señal multitono a la salida: sin
2.7 Conclusiones
Teniendo en cuenta los resultados obtenidos a lo largo del capítulo (que se apoyaron en el
trabajo realizado por [110] ), así como los que muestran en [106] para el diseño de un clase
J a 770 MHz, [98] para un clase E a 795 MHz, [105] para un clase F-1 entre 760 y 830
63
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
MHz, [107] para un amplificador pulsado en banda S (2.9 GHz), se puede concluir que las
Tabla 2.2 Estado del arte del diseño de amplificadores de potencia de alta eficiencia.
Frecuencia
Año/Ref. Clase Pout [dBm] Eficiencia [%] PAE [%]
[GHz]
2005 [116] E 1.945 22.8 - 82.1
2006 [117] E 5.700 20.3 65.0 51.8
2007 [118] E 0.155 39.0 74.0 -
2009 [119] E 0.800 46.9 87.8 80.6
2010 [98] E 0.795 44.8 85.5 81.4
2010 [105] F-1 0.795 47.68 71 64.63
2010 [106] J 0.770 44.5 86.02 83.61
2011
(Esta E 0.96 45.1 84.27 81.56
memoria)
decir entonces que con las consideraciones de diseño propuestas, es posible implementar
También se podría destacar que el uso de este tipo de implementación no sólo constituye un
aporte desde el punto de vista investigativo, también representa un aporte didáctico, puesto
64
Capítulo 2
Consideraciones para el diseño de base empírica de amplificadores de potencia de RF
65
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
EFICIENCIA
3.1. Introducción
transmisor polar clase E3 para la banda de UHF, que combina un amplificador conmutado
66
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
prometedoras desde este punto de vista. Otras soluciones de esta naturaleza han sido
propuestas por [119] para conseguir elevar la densidad de manejo de potencia (W/cm2) así
como anchos de banda de control superiores a los permitidos por otras topologías. Sobre la
base de estos trabajos, en la figura 3.1 se presenta un esquema simplificado del convertidor
transmisor polar.
El convertidor combina una etapa inversora o amplificadora en clase E con una etapa
67
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
En la figura 3.2 se presenta un esquema circuital, válido no sólo para las dos etapas que
integran el convertidor DC/DC clase E2, sino también para el amplificador de RF en el que
Figura 3.2 Esquema circuital equivalente válido para cada una de las etapas clase E del transmisor.
los circuitos resonante serie permite asegurar cortos al tercer y segundo armónico en los
puntos en los que se colocan, de modo a que los valores de impedancia que se sinteticen
con los elementos a su izquierda en esas frecuencias no se vean luego afectados por los
Siguiendo estas topologías, en la figura 3.3 se muestran detalles de la primera versión del
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
divisor de potencia y una línea extensora como desfasador, en la figura 3.4 se presentan los
aproximadamente a ηconv≈ηinv·ηrect.
En la figura 3.4 b, es posible apreciar que, aunque la eficiencia pico alcanza un valor de
72%, no competitivo con la de los convertidores conmutados de tipo pasobajo (con valores
de eficiencia superiores al 90%), dicha magnitud se mantiene alta sobre un ancho de banda
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Figura 3.4 Resultados de caracterización del convertidor DC/DC a) frente a la tensión de alimentación del
Figura 3.5 Resultados de caracterización del convertidor DC/DC, con filtro reconstructor a su salida frente al
ciclo útil de los pulsos (500 kHz) usados para modular la excitación de RF (f0=770 MHz y VDD=28 V).
La tensión a la salida, tal y como era de esperar, sigue más o menos linealmente al ciclo útil
70
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
anteriormente.
usada para modular en doble banda lateral la frecuencia de portadora, de cara a excitar los
polar, las etapas de amplificación de RF son excitadas por una señal de RF de envolvente
La utilización de look up tables (LUT) en banda base permitiría corregir las no idealidades
71
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
en el Capítulo 2.
Figura 3.7 Detalles de implementación e integración de las etapas de potencia del transmisor (convertidor,
pulso para excitar las dos etapas del convertidor. Debido a las limitaciones en ancho de
banda (40 MHz) y en especial de frecuencia de muestreo (100 Ms/seg) que presentan los
generadores arbitrarios, se decidió utilizar una señal tipo EDGE para la caracterización de
la plataforma. Siendo su ancho de banda de unos 200 kHz, se puede acomodar una
frecuencia de conmutación para la PWM de 2 MHz, muy por debajo del límite en la
frecuencia de muestro. De este modo, la señal PWM a la salida del generador que excitará
Una vez medidas en modo dinámico las características AM-AM y AM-PM de las etapas de
potencia del transmisor, comparando las componentes de amplitud y fase a su salida con
una señal triangular usada como moduladora, gracias al uso de la herramienta Distortion
72
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
predistorsión digital (DPD) sin memoria en forma de LUTs, que ofrecieron muy buenas
prestaciones.
salida del transmisor polar, para una frecuencia de 770 MHz y tensión de drenador del
valores de 46.33% y 43.61% respectivamente, los valores para el ACPR superior e inferior
se encuentran por debajo de -60 dBc y la magnitud del vector error promedio es 1.39%.
Figura 3.8 Espectro de la señal EDGE original (con predistorsión) y la recuperada a la salida del transmisor
polar.
El valor de eficiencia promedio una vez que se predistorsiona la señal, se mantiene en torno
al 45%. Aunque podría ser un valor aceptable, en el proceso de ajuste se detectó el papel
sobre el que será necesario trabajar en un futuro. Para poder evaluar la verdadera capacidad
73
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
una etapa de modulación PWM de alta velocidad u otro tipo de modulación (p. e.
modulación en frecuencia).
3.2.3 Conclusiones
un transmisor polar clase E3, orientado a la manipulación con alta eficiencia de señales de
satisfaciendo los requisitos de linealidad de una señal EDGE con una eficiencia global de
un 40%.
duplex
fase, deba ser portadora (con mínima distorsión) de un formato de modulación distinto al
que pueda arribar con la interrogación, cuando el proceso a través del cual se conseguiría la
Para solventar este gran inconveniente han aparecido diversas soluciones en la literatura
[129-131], las mismas, sin embargo, no son aplicables a los sistemas modernos de alta
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
OFDM, etc.), en los que se pueden conseguir muy altas tasas de transmisión de datos
gracias al uso de una señal pasobanda con variaciones simultáneas de la amplitud y la fase.
solución heterodina propuesta por Pon [127]. De este modo, en [132] se propuso la
del ángulo de llegada, solución que ha evolucionado muy recientemente hacia un arreglo
full-duplex con control de fase [133]. Bajo otro principio, la introducción de un esquema de
modulación IQ en [134] se ha conseguido dar respuesta a una buena parte de los problemas
En estas propuestas, sin embargo, la sustitución de los mezcladores, ya sea por detectores
de fase o de potencia, más desfasadores, o por lazos de enganche de fase (PLLs) en IF,
conjugador de fase, y teniendo en cuenta que la señal a ser retransmitida debe conservar la
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Esta técnica permite superar muchos de los problemas de las agrupaciones conjugadoras de
De hecho, es la segunda técnica (la primera fue la agrupación conjugadora de fase de tipo
polar planteada por [135], [135]) que lo consigue manteniendo el principio básico
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
para acceder a la componente de fase que trae dicha señal, componente que debe ser
Como se explicó de forma exhaustiva en el epígrafe 1.4.4, a dos señales provenientes del
posteriormente son enviadas a cada uno de los amplificadores. Las no idealidades de ambas
ramas han de permitir diseñar estrategias de predistorsión (LUTs), para la envolvente que
se desea retransmitir.
77
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Las señales amplificadas provenientes de las dos ramas del LINC y que portan además la
una única red de distribución (la señales S1(Vdes) y S2(Vdes) se dividen en cuatro, para
alimentar a los cuatro conjugadores de fase). Cada conjugador presenta dos entradas, una
para la S1 y la otra para S2. La demora diferencial entre la interrogación y las componentes
recombinadas de amplitud y fase, τI-R, sería también crítica con vistas a asegurar una
Los mezcladores resistivos a FET, se han presentado como soluciones apropiadas para la
Los mezcladores resistivos se basan en el control que ejerce la tensión de drenador sobre la
entre OL e IF, niveles reducidos de conversión de ruido OL-AM y elevada linealidad [138].
dispositivos de la familia de los HEMT. Por otra parte estos mezcladores no consumen
puerta para asegurar su operación apropiada. La necesidad del suministro de esta tensión
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
negativa está dada por el hecho de que un funcionamiento óptimo en términos de eficiencia
Volterra, variables en el tiempo de este tipo de amplificadores, donde se han descuidado los
CG ≈ (3.1)
1 + Gds0 (Rd + Rs + Z RF ) ⋅ 1 + Gds0 (Rd + Rs + Z IF )
2 2
donde Rs y Rd, son dispositivos parásitos, ZRF y ZIF son las impedancias de RF e IF,
mientras que Gds1 y Gds0 son los coeficientes del fundamental y de DC de la expansión de
Fourier.
OL se hace mayor, el valor máximo crece y aparece la conversión para un rango de tensión
PHEMT. La evolución de Gds con VGS y VDS=0 V, se usó para calcular el comportamiento
dispositivo. Este punto coincide con el pico en Gmd = ∂Gds / ∂Vds , como se podría espera
de acuerdo a [139].
79
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Figura 3.10 Evolución de |Gds1| y Gmd con VGS y POL para un E-PHEMT (ATF54143 de Avago
Semiconductors) a VDS=0 V.
que incrementando el nivel de OL, se pueda obtener una figura óptima de conversión a
VGS= 0 V. Es por ello que los mezcladores resistivos pueden emplearse sin necesidad de
Sobre la base de esta caracterización, se diseñó un mezclador resistivo para utilizar como
conjugador de fase, con una señal de OL centrada en 1920 MHz. Se capturó entonces, con
Para ello se aprovecharon las capacidades de análisis vectorial del VSA 89600 de Agilent
80
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
A cada uno de los generadores de la figura 3.11 se le envía como ángulo de “outphasing”,
una señal diente de sierra (la mitad por una vía de OL y la otra mitad por la otra vía de OL),
sobre esta base se capturan los perfiles del conjugador mencionados anteriormente y se
agrupación retrodirectiva de 4x1 elementos a 960 MHz. Se seleccionó una antena parche
cuadrada acoplada por ranura, en este caso con polarización dual ortogonal. El uso de dos
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
se ha utilizado una sola polarización de la antena (la otra se encuentra conectada a una
carga de 50 Ω), esto se debe a que se aprovechan las características de estos mezcladore s de
poder compartir un mismo puerto para las señales de interrogación y respuesta. Otra
diferencia que presenta este esquema respecto al de la figura 3.9 es la sustitución del
(a) (b)
Figura 3.12 a) Detalles geométricos de la antena diseñada. b) Fotografía de la agrupación de 4x1 elementos
implementada.
las señales provenientes de los generadores de potencia, las cuales llevaban implícito el OL.
tipo puntual en campo lejano. Un diagrama de dicho sistema se presenta en la figura 3.13.
CDMA 2000. Con un ancho de banda de 1.25 MHz, los formatos CDMA 2000 reverse y
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
CDMA 2000 forward que le integran, tienen rasgos que permiten diferenciarles en la
( ( ) (
ALO ⋅ cos ω LO t − τ I _ R + PM 1 t − τ I _ R ))
RESP
V RESP( t ) ⋅ cos(ω RESP ⋅ t + φ RESP( t ))
( ( ) (
ALO ⋅ cos ω LO t − τ I _ R + PM 2 t − τ I _ R ))
Híbrido 900
Mezclador
VINT ⋅ cos(ω INT ⋅ t + φ INT( t ))
Figura 3.13 Diagrama de la plataforma de caracterización de tipo vectorial empleada para la medida de la
Se envió entonces, desde Matlab, la información de amplitud y fase de una señal de enlace
junto con la de la señal de respuesta a ser devuelta (en este caso una señal de enlace directo,
CDMA 2000 forward), así como el comportamiento de las dos ramas de OL, previamente
diferenciales entre las ramas (las dos OLs y la señal de interrogación) fueron corregidas
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Moviendo juntas en posición angular las antenas de prueba, usadas para enviar la
CDMA 2000 forward capturada de vuelta en la posición del interrogador para un valor de
elevación de -10°.
Figura 3.14 Espectro de la señal CDMA 2000 forward capturada devuelta en la posición del interrogador para
La señal CDMA 2000 forward fue perfectamente recuperada a lo largo del ancho de haz
del vector error, EVM, resultante de comparar las envolventes, fue siempre menor a 3.5%.
como varios biestáticos (las antenas se mueven separadas). Para computar el valor de los
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Tal y como es posible apreciar, el ancho de haz del diagrama monoestático es de unos 80°
(40°/-40°), con una evolución del diagrama más o menos análoga a la del elemento de
antena que se ha empleado. La asimetría observada podría estar relacionada con las
diferencias entre los conjugadores y los parches empleados en el arreglo, así como con
0 -39
-41
-10
-43
-45
-20
-47
-30 -49
-90 -45 0 45 90
Elevación [º]
Figura 3.15 Resultados medidos en campo lejano: patrones de radiación monoestático (‘-’) y biestático (para
posiciones de la fuente a ‘-□’ -20º, ‘-○’ -10º, ‘-◊’ 0º y ‘-☆’ 10º) y evolución del ACPR (‘--‘).
3.3.4 Conclusiones
través de las ramas del LINC junto al perfil de predistorsión y luego combinarlas en el
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
2000, pudiese ser recuperada con mínima distorsión de vuelta en la posición del
interrogador.
Esta técnica permite superar muchos de los problemas de las agrupaciones conjugadoras de
Como en cualquier otra solución de ingeniería que se precie, esta arquitectura presenta
ciertas limitaciones, que podrían solventarse introduciendo mejoras al sistema. Por ejemplo,
La primera incursión en este tema por parte del grupo de investigación del Dpto. de
86
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
detalles a continuación.
cuadrada acoplada por ranuras. De este modo, la señal deseada de comunicación y la señal
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Las antenas seleccionadas para realizar la combinación de potencias fueron de tipo parche
acoplado por ranura, cuyas atractivas características las convertían en el tipo de radiador
más adecuado cuando para el trabajo con dispositivos activos. Se colocaron dos puertos en
los lados perpendiculares de la antena con el objetivo de excitar los modos TM10 y TM01 a
Figura 3.17 Esquema de la antena parche, usada en los extremos transmisor y receptor, con sus dimensiones.
para imprimir el parche, que debía ser lo suficientemente ancho para ofrecer la rigidez
adecuada. Ambas capas (inferior, donde están líneas de alimentación y circuitos activos, y
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Figura 3.18 Valores medidos de adaptación y aislamiento entre las puertas de la antena.
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
de la figura 3.20. Mediante los generadores de señales se envían las componentes S1(t) y
S2(t) como excitación a los amplificadores clase E (polarizados con los valores de VDS=3 V
Figura 3.20 Esquema simplificado del sistema de caracterización en campo lejano utilizado.
Una vez amplificadas, las señales fueron enviadas con polarización ortogonal a través del
parche transmisor, y una vez recibidas, se combinaron sus potencias. La salida del híbrido
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
de la señal en los dominios frecuencial y temporal. La salida aislada se conecta a una carga
de 50 Ω.
cada uno de los amplificadores niveles similares (10.5 dBm), de modo a contrarrestar
desbalances de ganancia.
3.4.5 Resultados
Las primeras pruebas de operación de la solución propuesta se realizaron con una señal de
dos tonos separados 100 kHz, excitación clásica en los experimentos de linealidad. En las
gráficas de la figura 3.21 se presenta el espectro capturado en ambas puertas de salida del
Se observa como en una de las salidas del combinador de potencia se recupera el espectro
de la señal de dos tonos, con poca distorsión, mientras que en la otra salida se obtiene un
sistema LINC implementado. Aunque los niveles mencionados se encuentran por debajo de
digital. Los valores de potencia, relativamente bajos, que se observan en ambos gráficos
están asociados, como es lógico, al hecho de que la medición se lleva a cabo en el extremo
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Figura 3.21 Representación de los espectros de señal medidos en el extremo receptor para una excitación de
una señal WCDMA. En la figura 3.22, se presentan los espectros capturados en las salidas
Figura 3.22 Representación de los espectros de señal medidos en el extremo receptor para una excitación
Se puede verificar que los niveles de distorsión en la señal a recibir están 40 dB por debajo
del nivel del canal deseado, niveles que podrían reducirse con la aplicación de técnicas de
92
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
corrección digital.
3.4.6 Conclusiones
LINC, con capacidad para realizar la combinación de potencias en el extremo receptor del
realizadas, que en una de sus salidas se recuperaba la señal aplicada a la entrada, con poca
Como objetivos futuros, sería interesante aumentar los niveles de potencia de trabajo del
93
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
espacial de potencias
potencia se encontraba asociada a que los niveles recibidos eran muy bajos. Una solución
evidente sería la sustitución de los amplificadores empleados por otros capaces de alcanzar
combinación espacial de potencia [139], que emplea dos amplificadores clase E a 960 MHz
Otro de los factores que influye de forma decisiva en los niveles de potencia a recibir, es
como ya se mencionó la ganancia de las antenas, por ello se propone además de la del uso
ortogonal dual, en un lugar de uno solo de estos elementos, tal y cómo de muestra en la
figura 3.23.
Al implementar un transmisor LINC con una sola antena para la transmisión se consigue
selectividad en la polarización. Es decir, quién intente recibir la señal con una polarización
lineal sólo recibirá una señal modulada en fase o una combinación lineal de dos de ellas, de
modo que sería imposible recuperar el mensaje. Pero si se intentase recibir con la
bastante grande, dado que un parche tampoco es muy directivo. Dígase entonces que el
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Figura 3.23 Esquema LINC con combinación de potencias en el extremo receptor y transmisión de señales a
añadiendo elementos de desfase apropiados a cada una de sus ramas. Esta implementación
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Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Figura 3.24 Sistema de medición del transmisor LINC con combinación de potencias en el extremo receptor y
Mediante los generadores de señales se envían las componentes S1(t) y S2(t) como
excitación a los amplificadores clase E a 960 MHz, polarizados con los valores de
este caso lo ideal sería que ambos amplificadores fueran lo más similar posible en términos
la tensión de polarización de drenador, aunque esto conlleve al uso de dos fuentes (para la
puerta también se utilizan fuentes independientes aunque utilizan la misma tensión para
monitorear las variaciones de la corriente). Una vez amplificadas, las señales fueron
distribuidas a través de una red y enviadas a cada uno de los 4 elementos del arreglo para
transmitir con polarización ortogonal, y una vez recibidas, se combinaron sus potencias. La
96
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
recepción de 0-90˚.
3.5.3 Resultados
epígrafe anterior, se realizó enviando una señal de dos tonos separados 100 kHz, excitación
empleando una señal real de comunicaciones, una WCDMA (5 MHz de ancho de banda)
cuya PAPR se encontraba en torno a los 5.4 dB. En la figura 3.25, se presenta el espectro
capturado en la salida del híbrido del extremo receptor para la polarización circular
apropiada. Como se observa la distorsión está dentro del rango permisible y los niveles de
potencia recibida son mucho mayores que los que se muestran en la figura 3.22.
Figura 3.25 Espectro de la señal WCDMA original y la capturada en el extremo receptor (para la señal suma).
97
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
(a) (b)
Figura 3.26 Diagramas de radiación para la polarización circular: a) señal suma y b) señal diferencia.
Es interesante destacar que ambos son directivos sin embargo para la señal diferencia o
polarización no deseada, el nivel de los lóbulos laterales es mucho mayor, ya que esta es la
Finalmente en la figura 3.27 se muestra además del diagrama de radiación, los niveles de
potencia recibidos para los canales adyacentes (a través del ACPRL y ACPRU); para el caso
Figura 3.27 Diagramas de radiación y nivel de potencia en los lóbulos laterales superior e inferior.
98
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Se puede verificar entonces la capacidad que tiene este sistema de recibir solamente en la
3.5.4 Conclusiones
seleccionada llegue más potencia para ambas polarizaciones que si se usara una sola antena.
Un arreglo lineal como el utilizado permite mejorar la ganancia sobre el uso de una antena
comunicación, incluso con la polarización circular apropiada, desde una dirección lejana a
potencia a 770 MHz [102], construidos a partir de las consideraciones de diseño de base
experimental propuestas en el Capítulo 2. Por otra parte, una de las motivaciones para
99
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
Antes de arribar a las conclusiones de este capítulo se impone comentar de forma un poco
más explícita el impacto económico y medio ambiental que tiene el desarrollo de estas
que el costo de los transistores HEMT de potencia (30 W) empleados se encuentra en torno
a 150 euros, considerando además la construcción de la base y las placas, el disipador, los
Evidentemente este costo se duplica y triplica para los casos del transmisor “outphasing”
con combinación espacial de potencias y el polar E3, respectivamente. Este sería el precio
suele ser mucho más barata que en el caso de contratar a una empresa para estas labores,
razón por la cual resulta importante señalar que este tipo de investigación se lleva a cabo a
Por otra parte y ahora en términos de energía, si el amplificador de potencia presenta una
eficiencia del 25%, esto significa que por cada 1 W de potencia de salida de RF, la potencia
incrementa la eficiencia del 25% al 40% (como en el caso del transmisor polar E3
100
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
disipada sería de 1.5 W por cada 1 W de salida de RF. Esto tiene otras ventajas añadidas
como que el tamaño del disipador pueda reducirse a la mitad o que la batería del móvil dure
1.6 veces más. Un aumento de la eficiencia como el que se acaba de mencionar permite
para cabeceras radio remotas y para la reducción del tamaño total del nodo de la estación
base [142-143].
permitiría además acercar el módulo transmisor (hasta ahora situado en casetas anexas) a la
antena, reduciendo las pérdidas debidas al cable de unión entre ambos, lo cual redunda en
debe tener en cuenta que una disminución del calor permitiría a su vez simplificar el diseño
una aplicación como la telefonía móvil, a una reducción en la energía requerida en cada
celda superior a 1.09 kW, es decir, un ahorro anual de 1500 CUC por celda. En una red
como la que existe en Cuba de 300 estaciones base aproximadamente (que para la
disminución del costo de algo más de 450000 CUC anuales. A esto se debe añadir una
101
Capítulo 3
Implementación de arquitecturas emergentes de transmisión basadas en conceptos de amplificación de alta eficiencia
año.
3.7 Conclusiones
A lo largo del presente capítulo se han presentado varias implementaciones basadas en los
considerar satisfactorios puesto que se consigue para el caso del transmisor polar E3,
niveles elevados de eficiencia (45%) cuando se trasmite una señal EDGE, cumplimiento
podría decir que resulta una de las pocas alternativas que permite superar muchos de los
que aumenta el nivel de potencia recibido y además que el sistema se hace más robusto en
términos de confidencialidad. Esta idea es realmente novedosa puesto que es la primera vez
que se propone y como se ha mencionado permite añadir una capa se seguridad extra a las
comunicaciones.
102
Conclusiones y Recomendaciones
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Conclusiones y Recomendaciones
CONCLUSIONES
los temas más críticos en los sistemas inalámbricos modernos, tanto desde el punto de vista
científico como tecnológico, que es: permitir las comunicaciones del mañana con la
“energía del presente”. A través de la memoria presentada se intentó resumir una parte
Inalámbricas”.
plantear que aunque el primero presenta una eficiencia teórica del 100%, ésta se
que se obtiene para una señal EDGE supera el 45%, cumpliendo además con los
103
Conclusiones y Recomendaciones
distorsión.
apropiados de los dispositivos activos, así como cuando existen ciertas limitaciones
predistorsionadas digitalmente.
de vista didáctico.
“outphasing”, se podría decir que resulta una de las pocas alternativas que permite
104
Conclusiones y Recomendaciones
capas extra de seguridad a las comunicaciones y por otra parte aprovechar la potencia
105
Conclusiones y Recomendaciones
RECOMENDACIONES
del convertidor.
• Reducción del tamaño y el peso de los amplificadores a partir del diseño de redes
106
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121
Siglario
SIGLARIO
AM Amplitude Modulated
AP Power Amplifier
DC Direct Current
ET Envelope Tracking
122
Siglario
IF Intermediate Frequency
IQ In phase /Quadrature
PM Phase Modulation
RF Radio Frequency
123
Anexo I
Aspectos teóricos a tener en cuenta para el diseño de amplificadores de potencia clase E
Un amplificador de potencia que trabaja con una eficiencia del 75% puede entregar tres
veces más potencia que otro que lo haga con un 50% de eficiencia utilizando el mismo
dispositivo, puesto que la potencia de salida se encuentra limitada por la disipación térmica
conmutado clase E, teniendo en cuenta los niveles de eficiencia que puede alcanzar [99].
En la figura AI.1 se muestra la topología propuesta por primera vez por Alan y Nathan
En bajas frecuencias, estos circuitos han conseguido eficiencias de hasta el 96% [104].
124
Anexo I
Aspectos teóricos a tener en cuenta para el diseño de amplificadores de potencia clase E
del transistor, y por las propiedades de sus elementos parásitos. Las reactancias parásitas
del elemento activo están incluidas en el diseño del circuito sintonizado por lo que no
figura AI.1 puede representar la capacidad de salida intrínseca del transistor, mientras que
parte de la inductancia L estaría relacionada con el efecto del empaquetado del transistor.
suposiciones:
El ciclo útil usado en este análisis, para garantizar un funcionamiento óptimo según
resistencia parásita que ofrece cuando se encuentra en corto sea lo más pequeña
Lb se asume constante (Ids). Se aplica, por tanto, una corriente equivalente a través
125
Anexo I
Aspectos teóricos a tener en cuenta para el diseño de amplificadores de potencia clase E
La solución exacta de este circuito en el dominio del tiempo, aún asumiendo elementos
tercer orden variante en el tiempo pero, con las aproximaciones supuestas anteriormente, se
AI.2, cuando el interruptor está cerrado, no hay tensión entre sus terminales y una corriente
sinusoidal (más una componente de continua) fluye por él. En el instante en que el
figura AI.3). Este salto de intensidad causará pérdidas que se manifiestan a través de
parásita.
Figura AI.2 Circuito de clase E asumiendo corriente sinusoidal en la carga [4], [99].
126
Anexo I
Aspectos teóricos a tener en cuenta para el diseño de amplificadores de potencia clase E
Cuando el conmutador está apagado, la corriente sinusoidal continúa circulando, pero ahora
∂vs
Cs = I ds (1 − a sin(ω s + φ )) (AI.1)
∂t
Integrando:
I ds t
(AI.2)
C s ∫0
v s (t ) = dt '(1 − a sin(ω s t '+φ ))
contorno sobre vs(t), como que el condensador Cs permanezca descargado en los cambios
vs (0 ) = 0 (AI.3)
T (AI.4)
vs s = 0
2
En este caso:
∂v s Ts
=0 (AI.5)
∂t 2
I ds
v s (t ) = (ω s t + a (cos(ω s t + φ ) − cos φ )) (AI.6)
C sω s
π2
a = 1+ ≅ 1.862 (AI.7)
4
127
Anexo I
Aspectos teóricos a tener en cuenta para el diseño de amplificadores de potencia clase E
2
φ = − arctan ≅ −32.48 (AI.8)
π
Es necesario recordar que estas constantes son válidas para cualquier circuito clase E de
I ds
((ω s t ) + a (cos((ω s t ) + φ ) − cos φ )) (0 ≤ (ω s t ) ≤ π )
vs (t ) = C sω s (AI.9)
0 (π ≤ (ω s t ) ≤ 2π )
0 (0 ≤ (ω s t ) ≤ π )
is (t ) = (AI.10)
I ds (1 − a sin(ω s + φ )) (π ≤ (ω s t ) ≤ 2π )
Figura AI.3 Formas de onda teórica de tensión y corriente en conmutador clase E [4], [99].
Para estimar en nivel de corriente Ids que se genera para una tensión dada Vds, y viceversa:
Ts
1 2
1 I ds
v ds = ∫ v (t ) dt = π ω C
s
(AI.11)
Ts 0 s s
I ds = πω s C sVds (AI.12)
128
Anexo I
Aspectos teóricos a tener en cuenta para el diseño de amplificadores de potencia clase E
Si se asume que el valor mínimo de Cs, es la capacidad parásita del dispositivo, y que, a una
determinada frecuencia, un dispositivo con una capacidad Cs dada, debe operar con una
elemento activo, las expresiones anteriores tienen importantes implicaciones para circuitos
Una vez establecidas ωs, Cs y Vds, el dispositivo debe estar habilitado para manejar la
(1 + a ) I ds ≅ 2.86 I ds (AI.13)
Si el dispositivo no puede soportar esta corriente será imposible conseguir un circuito clase
I ds I 1 I max
f max = = max ≅ (AI.14)
2π C sVds C sVds 2π (1 + a ) 56.5C sVds
2 2
máxima obtenida.
Lo anterior también implica que, dadas diversas tecnologías (MESFET, HEMT, HBT) y
129
Anexo I
Aspectos teóricos a tener en cuenta para el diseño de amplificadores de potencia clase E
información acerca de las impedancias complejas en RF del circuito. Esto puede ser, por
tanto, utilizado para encontrar ecuaciones de diseño para los elementos de la red de carga.
conmutador, no serán consideradas para este análisis de primer orden. Sin embargo, se
supondrá que la red de carga tiene una impedancia casi infinita a estos armónicos
superiores y, por lo tanto, la corriente que fluye por el conmutador para los armónicos
componente fundamental de la tensión en la carga vs1 debe ser hallada mediante el uso de
Por lo tanto:
∞
v s (t ) = ∑K
n = −∞
n e jnωst (AI.15)
donde:
Ts
1 2
Kn = ∫ v (t )e
s
− jnω s t
dt (AI.16)
Ts 0
Para n=1:
Ts
I ds 2
K1 = ∫ (ω t + a (cos (ω t + φ ) − cos φ )) e
s s
− jω s t
dt (AI.17)
ω s C s Ts 0
La integral se toma sólo en la primera mitad del período, porque vs(t) es cero en la segunda
130
Anexo I
Aspectos teóricos a tener en cuenta para el diseño de amplificadores de potencia clase E
v s1 = a 0 I ds sin (ω s t + φ 0 ) (AI.18)
2 | K1 | 1 π2 4 3
a0 = = + − (AI.20)
I ds ωsCs 16 π 2
4
π π 2π
φ0 = + ∠K1 = + arctan 2
(AI.21)
2 2 8−π
El fasor impedancia de la red de carga externa puede ser ahora calculado como:
Es interesante destacar que el ángulo de la impedancia de carga requerida para operar como
Para asegurar un funcionamiento clase E, todo lo que se necesita es obtener una impedancia
armónicos superiores.
En la figura AI.4 se expone una topología específica para la red de carga externa:
Figura AI.4 Red de carga externa vista por el dispositivo conmutador a frecuencias de RF [4], [99].
131
Anexo I
Aspectos teóricos a tener en cuenta para el diseño de amplificadores de potencia clase E
Esta red satisface la condición de alta impedancia a todas las frecuencias de armónicos
superiores a la fundamental, por lo que sólo importa que la impedancia de la red sea la
1
Z net1 = Z net = jω s L + +R (AI.23)
jω s C
Si se iguala esta expresión a la obtenida anteriormente para Znet1, se obtiene una ecuación
1 1
CS = ≅ (AI.25)
π 2
π 2π f s R ⋅ 5.447
2π f s R + 1
4 2
π 2 π π2 π
+ 1 −
4 2 5.447 1.153
16 4
C = Cs 1+ ≅ C s 1 + (AI.26)
Q L
QL − π 2
π Q L Q L − 1 . 153
16 − 4
ωs L
QL = (AI.27)
R
Estas ecuaciones de Cs y C son expuestas de esta forma y comparadas con las ecuaciones
5.447 1.42
C ≅ C s 1 + (AI.28)
QL QL − 2.08
132
Anexo I
Aspectos teóricos a tener en cuenta para el diseño de amplificadores de potencia clase E
Los resultados experimentales son a menudo obtenidos con un valor pequeño de QL.
utilizando las expresiones anteriores. Sin embargo, la topología en cuestión tiene una
forma independiente, se expone a continuación una nueva topología, propuesta para su uso
133
Anexo II
Circuito clase E con elementos discretos L-serie/C-paralelo
PARALELO
la figura AII.1:
Figura AII.1 Circuito clase E con elementos discretos L-serie/C-paralelo [4], [99].
Figura AII.2 Red de carga externa del circuito clase E vista a la salida del dispositivo conmutador a la
R
Z net1 = Z net = jω s L + (AII.1)
1 + jω s C R
134
Anexo II
Circuito clase E con elementos discretos L-serie/C-paralelo
K 0 jθ 0
Z net1 = e (AII.2)
ωsCs
donde:
a0
K 0 = ωsCs ≅ 0.28015 (AII.3)
a
θ 0 = φ0 − φ ≅ 49.0524º (AII.4)
Si se igualan las expresiones de Znet1 se obtiene una ecuación compleja con dos incógnitas,
K0 ωs Cs R
L= senθ 0 + cosθ 0 − 1 (AII.5)
ω s2 C s K cos θ
0 0
1 ω s C s R
C= − 1 (AII.6)
ω s R K 0 cosθ 0
Se puede afirmar según [4, 104], que para frecuencias milimétricas y de microondas, las
líneas de transmisión son preferidas a menudo frente a los elementos discretos, debido a
que estos últimos tienen mayores pérdidas y son más difíciles de fabricar. Los aspectos
teóricos del diseño del amplificador clase E con líneas de transmisión, se pueden consultar
en el Anexo III.
135
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
En [109] se propone una topología del circuito clase E con líneas de transmisión
Figura AIII.1 Circuito clase E con líneas de transmisión serie/paralelo [4], [99].
Las líneas de transmisión pueden ser microstrip, guías de onda coplanares o cualquier otro
discretos presentado en el Anexo II. Se asume que los tramos de línea tienen longitudes
comprendidas entre 0º y 90º, por lo tanto, la línea acabada en circuito abierto colocada en
Se supone que:
O lo que es lo mismo:
136
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
0.281
<R (AIII.2)
ωs Cs
Mediante un análisis de primer orden se intenta que las líneas de transmisión serie/paralelo
Sin embargo, para conseguir la máxima eficiencia, se aplicarán las condiciones del clase E
ωs Cs
Ynet1 = e − jθ 0 (AIII.3)
K0
AIII.2:
Figura AIII.2 Circuito equivalente de la red de carga para el circuito clase E con líneas de transmisión
A la frecuencia de trabajo:
G + jω s C + jY1 tan ( β1 l1 )
Ynet1 = Y1 (AIII.4)
Y1 − ω s C tan ( β1 l1 ) + jG tan ( β1 l1 )
Igualando las partes reales e imaginarias de las dos expresiones para Ynet1, se obtienen dos
137
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
Parte real:
[
ω s C s cos θ 0 (Y1 − ω s C tan ( β1 l1 ) )2 + (G tan ( β1 l1 ) )2 − ] (AIII.5)
− K 0 Y1 [G (Y1 − ω s C tan ( β1 l1 ) ) + G tan ( β1 l1 ) (ω s C − Y1 tan ( β1 l1 ) )] = 0
Parte imaginaria:
[ ]
ω s C s sin θ 0 (Y1 − ω s C tan ( β1 l1 ) )2 + (G tan ( β1 l1 ) )2 −
(AIII.6)
[
− K 0 Y1 (ω s C + Y1 tan ( β1 l1 ) ) + (Y1 − ω s C tan ( β1 l1 ) ) + G 2 tan ( β1 l1 ) = 0]
Estas dos ecuaciones deben ser resueltas numéricamente. Para realizar el cálculo se toman
Ya que C y Cs son del mismo orden de magnitud, y la línea de transmisión serie está entre
los 0º y 90º de longitud y, tomando tan (β1l1)=1, se parte de una longitud inicial de 45º.
Tras obtener C y tan (β1l1), la longitud eléctrica de las líneas de transmisión puede ser
determinada:
presentadas proporcionan una máxima eficiencia de salida con un análisis de primer orden
amplificación de microondas.
Para la mayoría de los casos prácticos, cuando l1 y l2 están razonablemente cerca de 45º, la
138
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
También es posible ajustar las impedancias características de las líneas de transmisión para
transmisión utilizando un stub simple. La red de carga de salida presenta una impedancia
la impedancia de carga, y se asume que esta será alta para dichos armónicos.
armónicos.
El método de diseño para el circuito clase E con sección simple serie/paralelo de línea de
transmisión asume que se trabajará con líneas de transmisión de una impedancia dada
(como 50 Ω).
Por lo tanto los únicos parámetros de diseño son las longitudes de las líneas, y se espera que
Sin embargo, existen dos grados más de libertad si se convierten las impedancias
características de las líneas en variables. Por ejemplo, si la longitud de las dos líneas se fija
139
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
a 45º, entonces se puede utilizar las ecuaciones presentadas en el apartado anterior para
Si esto sucede, ambas líneas de transmisión son de longitud λ/4 (90º) a la frecuencia del
segundo armónico, lo que significa que a esta frecuencia el transistor verá un circuito
Este método es muy útil en muchos casos prácticos, aunque existen otras situaciones en las
Figura AIII.3 Circuito clase E con líneas de transmisión, presentando una impedancia de circuito abierto al
frecuencia del segundo armónico y, dado que parte de un circuito abierto en su terminación,
140
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
K 0 jθ 0
Z net 1 = e (AIII.9)
ωs Cs
El concepto de condición de circuito abierto puede ser extendido para el tercer armónico
Figura AIII.4 Circuito clase E con líneas de transmisión, presentando una impedancia de circuito abierto al
141
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
En este circuito modificado, las líneas l1 y l2 son ambas de 30º de longitud a la frecuencia
Nuevamente l2 crea un cortocircuito en el punto en que se une con l1, y esta transforma el
La línea l3 es, sin embargo, más corta de 45º a la frecuencia de trabajo, dado que debe
Finalmente, las líneas l5 y l6 se ajustan para conseguir la impedancia deseada a la salida del
No es obvio que la longitud de l3 debe ser simplemente menor que 45º para compensar los
ser encontrada. Por ejemplo, para el caso en que todas la impedancias de las líneas son de
de 45º).
El análisis simplificado del circuito clase E efectuado anteriormente asume una señal de
residuos de armónicos superiores que están presentes a la salida del circuito, que depende
utilizados en el diseño.
142
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
Estos resultados generales podrán ser aplicados posteriormente a una topología de red de
salida concreta para obtener expresiones explícitas sobre el contenido armónico a la salida
del amplificador clase E. Además, se verá como se puede conseguir una buena
anteriormente:
I ds
(ω s t + a (cos (ω s t + ϕ ) − cos (ϕ ))) 0 ≤ ωs t ≤ π
vs (t ) = ωs Cs (AIII.10)
0 π ≤ ωs t ≤ 2π
∞
vs (t ) = ∑K
n = −∞
n e jnωs t (AIII.11)
Donde:
Ts 2
1
∫ v (t ) e
− jnωs t
Kn = s dt (AIII.12)
Ts 0
Sustituyendo:
π
I ds
Kn = ∫ (ω s t + a (cos (ω s t + ϕ ) − cos (ϕ )))e − jnωs t d (ω s t ) (AIII.13)
2π ω s C s 0
Nuevamente, la integral se realiza sólo en la primera mitad del periodo, cuando vs(t) es
distinto de cero, y (ωs t) es utilizado como variable de integración. Los resultados son:
143
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
Donde:
2 Kn
an = (AIII.15)
I ds
π
ϕn = + ∠ Kn (AIII.16)
2
Quedando:
I ds 1
π ω C − 2 n ≠1 (si n impar )
s s n
Kn = (AIII.17)
I ds 2 n + jπ
π ωs Cs
2
n≠0 (si n par )
2n (1 − n )
Los casos especiales (n=1) y (n=0) son tratados por separado como anteriormente. Los
resultados son:
I ds π jπ
K1 = −1− (AIII.18)
π ωs Cs 8 4
I ds
K 0 = Vds = (AIII.19)
π ωs Cs
Estas expresiones pueden ser utilizadas para determinar la magnitud y la fase de cualquier
En la figura AIII.5 se muestran los dos primeros armónicos de la señal de tensión del
Puede verse que, tomando sólo dos armónicos de la señal, se consigue una aproximación
144
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
Figura AIII.5 Dos armónicos de la tensión ideal en el conmutador, representados frente a la forma de onda
Por lo tanto se puede concluir que las topologías clase E con líneas de transmisión
presentadas anteriormente son válidas, dado que satisfacen las condiciones de operación
A pesar de que el amplificador clase E tiene una eficiencia máxima teórica del 100%, en la
práctica los amplificadores de microondas suelen estar lejos de este caso ideal. Para
como una capacidad al observarlo desde su puerta de salida, como se muestra en la figura
AIII.6:
145
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
Figura AIII.6 Puerta de salida del transistor durante el estado “off” [4], [99].
generalmente del orden de unos pocos ohms, tal y como se muestra en la figura AIII.7:
Figura AIII.7 Puerta de salida del transistor durante el estado “on” [4], [99].
Se asume que la resistencia de estado “on” (Ron) domina sobre la capacidad de salida del
transistor Cs durante esta mitad del periodo de conmutación. Esta resistencia en estado
“on”, puede ser estimada a partir de las curvas I-V del transistor, y será la principal
En esta sección se analizarán los efectos de esta resistencia de estado “on” (Rs). El modelo
de puerta de salida del transistor aquí utilizado es una modificación del propuesto por Sokal
y Redl en [146].
Durante el estado on del interruptor, la ley de Ohm determina la tensión del mismo:
Ts
vs (t ) = Rs I ds [ 1 − ar sin (ω s t + ϕ r )] ≤ t ≤ Ts (AIII.20)
2
146
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
T
vs s = Rs I ds [1 + ar sin (ϕ r )] (AIII.22)
2
T
d vs s
2 =0 (AIII.23)
dt
d vs I ds
= [1 − ar sin (ωst + ϕ r )] (AIII.24)
dt Cs
Integrando:
t
I ds
vs (t ) =
Cs ∫ [1 − a
0
r sin (ω s t´+ϕ r )] dt´+ Rs I ds [ 1 − ar sin (ϕ r )] (AIII.25)
I ds
vs (t ) = (ω t + ar [cos (ωst + ϕ r ) + cos (ϕ r )]) + Rs I ds [1 − ar sin (ϕ r )] (AIII.26)
ωs Cs s
ar sin (ϕ r ) = −1 (AIII.27)
π
ar cos (ϕ r ) = + ωs Cs Rs (AIII.28)
2
2
π
ar = 1 + + ω s Cs Rs (AIII.29)
2
147
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
1
ϕ r = tan −1 (AIII.30)
π +ω C R
s s s
2
Cuando:
π
ω s C s R s << (AIII.31)
2
vs (0) = 2 Rs I ds (AIII.32)
T
vs s = 0 (AIII.33)
2
I ds Ts
ω C (ωs t + ar [cos (ωs t + ϕ r ) + cos (ϕ r )]) + 2 Rs I ds 0≤t ≤
2
vs (t ) = s s (AIII.34)
R I [1 − a sin (ω t + ϕ )] Ts
s ds r s r ≤ t ≤ Ts
2
T
1 s
Ts ∫0
Vds = vs (t ) dt (AIII.35)
Vds 1 2
= + 2 Rs + π ω s Cs Rs (AIII.36)
I ds π ω s Cs
148
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
Donde Pin0 y Pout0 son las potencias de entrada y salida para el circuito clase E ideal
(Pin0=Pout0), y Pinr y Poutr son las potencias de entrada y salida para el circuito clase E
La potencia de entrada (DC) viene determinada por Vds· Ids y la potencia de salida (RF) es
proporcional a ar2, el cuadrado del módulo de la corriente que circula a través de la red de
2
Poutr ar
= (AIII.38)
Pout 0 a0 2
Pin 0 Vg 0 I g 0
= (AIII.39)
Pinr Vg1 I g1
Asumiendo, además, que la corriente aplicada es tal que Ig0=Ig1, se puede encontrar la
2
π
1 + + ωs Cs Rs
ηd = 2 (AIII.40)
π 2
1 + (1 + π ωs Cs Rs )2
4
en función de ωs Cs Rs.
149
Anexo III
Circuito clase E con líneas de transmisión
Figura AIII.8 Eficiencia de drenador en función del producto ωs Cs Rs para el circuito clase E [4], [99].
que 1 para un circuito real clase E de alta eficiencia, validando la aproximación tomada
anteriormente.
El análisis de eficiencia aquí presentado está pensado para ser utilizado en circuitos clase E
150
Anexo IV
Útiles y bancos de medidas para la caracterización de transistores
DE TRANSISTORES
trabajo muy específicas, o relacionados con la ausencia de los mismos, hacen que muchas
dispositivo por parte del diseñador, así como la implementación de modelos no lineales
donde se han implementado dos tipos de bases: una para las medidas de los transistores
La elevada potencia a la que operan estos dispositivos hace que sean necesarias sondas
GSG especiales para las medidas en estaciones de puntas. Estas sondas tendrían que
manejar elevados niveles de corriente y resultan muy costosas en el mercado. Por lo tanto,
substrato Arlon 25N (εr = 3.38) y terminadas en conectores SMA de 3.5 mm. Mediante el
es posible establecer los planos de referencia P1 y P2, que se muestran en la Figura AIV.1.
151
Anexo IV
Útiles y bancos de medidas para la caracterización de transistores
Figura AIV.1 Esquema del sistema propuesto para la caracterización de transistores [107].
Para la polarización se utilizan polarizadores externos, que dependerán del tipo de medida,
Figura AIV.2 Esquema del sistema propuesto para la caracterización de transistores [97], [107].
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Anexo IV
Útiles y bancos de medidas para la caracterización de transistores
Figura AIV.3 Dibujo y fotografía del diseño de la base para medidas en die [107].
En este caso el chip es soldado a una pieza de latón (a la derecha de la figura AIV.3) y la
cual se fija con tornillos a la base. La conexión a las líneas se hace mediante hilos de
bondings. De esta manera, el mismo transistor caracterizado podría ser extraído de la base
En las figuras AIV.4 y AIV.5 se pueden observar ejemplos del sistema propuesto para la
153
Anexo IV
Útiles y bancos de medidas para la caracterización de transistores
Figura AIV.5 Sistema para la caracterización de un dispositivo que alcanza los 12 W [107].
HEMT de potencia como los mencionados en el Capítulo 2), se ha diseñado y fabricado una
base compatible con el TRL, el cual será descrito más adelante. De este modo, los planos
de referencia se pueden ubicar en los pads del dispositivo lo que permite el estudio y
extracción de los elementos parásitos en los transistores comerciales. Este sistema es útil
tanto para medidas de parámetros S como para cualquier tipo de medida o caracterización,
154
Anexo IV
Útiles y bancos de medidas para la caracterización de transistores
AIV.1. El rango de trabajo escogido varía entre los 100 MHz y los 18 GHz. Para garantizar
este rango se han diseñado diferentes líneas de retardo (line), asegurando que la longitud
O lo que es lo mismo:
Donde β es la constante de fase y ΔL la longitud del tramo de línea que se introduce y que
genera el retardo deseado. Así, los límites del rango de frecuencias del line se calculan a
través de:
0.3491 c
f1 ≥ (AIV.3)
2 π ∆L ε eff
2.7925 c
f2 ≥ (AIV.4)
2 π ∆L ε eff
155
Anexo IV
Útiles y bancos de medidas para la caracterización de transistores
∆L ε eff
τ= (AIV.5)
c
En la figura AIV.7 se muestran los esquemas de los diferentes elementos que componen el
Line 1
Rango: 2.25 - 18 GHz
ΔL= 4.1 mm
τ = 22.3 ps
Line 2
Rango: 437.6 – 3500 MHz
ΔL = 23.4 mm
τ = 127.2 ps
Line 3
∆l = 94 mm
τ = 511 ps
Reflect
Thru
Figura AIV.7 Esquemas de los diferentes elementos que integran el estándar de calibración TRL [107].
156
Anexo IV
Útiles y bancos de medidas para la caracterización de transistores
Las placas van fijadas sobre bases de aluminio mediante tornillos. Las dimensiones de las
A partir del modelo Statz-Fager [94-95], utilizado por Cabral [96] para predecir el
presenta en la figura AIV.8, circuito en que la principal no linealidad está dada por la fuente
de corriente Ids.
Al proponer un modelo no lineal, el objetivo principal es formular una ecuación que pueda
predecir su evolución con respecto a sus tensiones de control, así como sus derivadas hasta
157
Anexo IV
Útiles y bancos de medidas para la caracterización de transistores
hiperbólica [147-151], para describir la dependencia de la Ids con la Vds, sin embargo esta
Cantabria ha venido investigando durante los últimos años sobre una nueva ecuación que
elimine el uso de la tangente hiperbólica utilizando como tensiones de control Vgs y Vgd
[97].
Para la conversión de Vgs a Vgseff se han utilizado las mismas ecuaciones del modelo Statz-
Vt = Vt 1 + γ Vds (AIV.6)
1
Vgx 2 = Vgx1 − Vgx1 + (V gx1 − VK ) + ∆2 − VK + ∆2
2 2
(AIV.8)
2
Vgx 2
Vgx 3 = VST log 1 + exp (AIV.9)
V
ST
con Vds, mientras que x representa g o s según la tensión que se esté utilizando.
V gs 3 (1 + λV gd 3 ) V gd 3 (1 + λV gs 3 )
2 2
I ds (V gs ,V gd ) = β plin psat − plin psat (AIV.10)
1 V gs 3 V gs 3 1 + V gd 3 + Vgd 3
+ V +
VS VL VS
L
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Anexo IV
Útiles y bancos de medidas para la caracterización de transistores
Figura AIV.9 Características I/V de un HEMT de potencia de 15 W para una tensión de reposo de VGS = -
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