CAPITULO Analise do TBJ para Pequenos Sinais 8.1 INTRODUCAO (Os modelos para o transistor introduzidos no Cap. 7 agora sero usados para realizarem uma andlise ac para pequenos sinais de um grande niimero de configuragdes padrées de circuitos com transistor, Os circuitos analisados representam a maioria dos que aparecem na pratica cotidiana. Modificagdes nas configurades- padrio serio relativamente faceis de examinar, uma vez revisto ce entendido o contetido deste capitulo. ‘Como 0 modelo r, sensivel a0 ponto real de operagio, este seré usado como nosso modelo principal para a andlise a ser re- alizada, Para cada configuragio, entretanto, a impedincia de sa- fda € examinada, o que corresponde, no modelo hfbrido equiva- lente, & anslise do pardmetro h,.Para demonstrar as semelh: gas que existem na analise entre os modelos, uma seqdo é dedi- cada & andlise para pequenos sinais de circuitos TBJ, usando apenas 0 modelo hfbrido equivalente. Este capitulo nfo inclui uma resisténcia de carga R, ou uma resistencia de fonte R,, O efeito dde ambos os parimetros é reservado para a abordagem de siste- ‘mas no Capitulo 10. ‘A segiio de analise por computador inclui uma breve descri- {¢20 do modelo do transistor empregado no pacote de programas PSpice. Serdo demonstradas a aplicagao e a abrangéncia dos sis- temas de andlise por computador disponiveis nos dias de hoje, € ‘como € relativamente fécil introduzir um circuito complexo para anilise ¢ imprimir os resultados desejados. Um programa em “BASIC” é incluido para permitir a comparacio entre um paco- te de programas e uma linguagem de programagio. 8.2 CONFIGURACAO EMISSOR-COMUM COM. POLARIZACAO FIXA ‘A primeira configuragao a ser analisada em detalhes € 0 cireuito emissor-comum com polarizacdo fixa da Fig. 8.1. Note que 0 sinal de entrada V, € aplicado na base do transmissor, enquanto a safda V, estd disponivel no coletor. Além disso, observe que a corrente de entrada /, nfo € a corrente de base, mas a corrente da fonte, enquanto a corrente de safda I, ¢ a corrente de coletor. A andlise ac para pequenos sinais inicia pela remogdo dos efeitos ™ , —1 de Vc substituindo os eapacitores de acoplamento C, e C;€ por ‘curtos-circuitos equivalentes, resultando no circuito da Fig. 8.2. Note na Fig. 8.2 que o terra comum da fonte de ¢ do terminal temissor do transistor permite 0 posicionamento de R, e R, em paralelo com as segdes de entrada e saida do transistor, respecti- ‘amente. Além disso, observe o posicionamento dos parlimetros importantes do circuito Z, Z,, 1 € 1, no circuito redesenhado. ‘Substituindo o modelo r, para a configuracio emissor-comum da Fig. 82, resultard no circuito da Fig. 8.3. ‘O proximo passo é achar B, r.€ A amplitude de B é normal- mente obtida da folha de especificagdes ou por medida direta, usan~ ‘do um tragador de curvas ou instrumento de teste para transistor. 0 valor de r, deve ser determinado através de uma andlise de do sis- Fig. 82 Circuito da Fig. 8.1 aps a remogio dos efeitos de Vin. C,€ CsFig. 8.3 Substtuindo © modelos, no ciruito da Fig. 82. tema e r, é geralmente obtido das folhas de especificagies ou de ‘curvas caracteristicas. Admitindo-se que B, , r, foram determi- nados, obtém-se os seguintes pardmetros do sistema, Z; A Fig. 8.3 revela claramente que ‘ohms @L Para a maioria das situagbes R, 6 maior que Br. por um fator ‘maior que 10 (lembre da andlise de elementos paralelos, em que a resisténcia total de dois resistores em paralelo é sempre menor ‘que o menor deles, e muito proxima do menor, se um é bem maior que o outro), permitindo a seguinte aproximago: Z,= Bre ohms 82) Ry=l08, Z,: Lembre que a impedincia de safda de qualquer circuito é definida como a imped&ncia Z, determinada quando V, = 0. Pela Fig. 8.3, quando V, = 0, 1, = /, = 0, resultando em um circuito aberto equivalente para a fonte de corrente, O resultado é Z, = Ralr. | ohms Ser, = 10R,, a aproximagio R,|r,= R_ é aplicada freqiientemente € (33) (84) A: 0s resistores re R_estio em paralelo, * Vy = ~Blo(Rellro) mas tal que Ve, (85) Fig. 84 Determinapo de, par ocit- cuit da Fig. 83, Andlise do TB) para Pequenos Sinais 237 Ser, = 10R, (86) Note a auséncia explicita de B nas Eqs. (8.5 8.6), embora deva- mos reconhecer que B deve ser uilizado para determina r. ‘Az O ganho de corrente € determinado da seguinte maneira: ‘Aplicando a regra do divisor de tensZo para os circuitos de entrada e safda, (roN(Bly) r+ Re com, = RM °° Ra + Bre © resultado é age Ry + Br 7) ‘que representa, certamente, uma expresso complexa e de dificil rmanipulagio. ‘No entanto, ser, = 10 Re R, = L0Br., 0 que éfreqilente, Jo BRoto_ 1 (ralRs) (88) ° ln A complexidade da Eq, (8.7) nos incentiva a utilizar a Bq. (7.10), ‘que emprega A, eZ, Ou seja, (89) Relagiio de fase: O sinal negativo na equagdo resultante para ‘A, revela que um deslocamento de fase de 180° ocorre entre os sinais de entrada e sa(da, conforme mostrado na Fig. 85. Yee Fig. 8. Determinaso de deslocamento de fase de 180° entre a8 formas de conta de entrada e saida.238 Dispositives EletrOnicos e Teoria de Circuitos EXEMPLO 8.1 Para o circuito da Fig. 8.6: (@) Determine r, (b) Ache Z; (com r, = 0), (©) Caleule Z, (com r, = =). (@) Determine A, (com r, = 0). (e) Ache A, (com r, = 20), (H)_ Repita as letras (c) até (e) incluindo r, = 50K em todos os clculos e compare 0s resultados. 470Ka. ved our % Fg. R6Exemplo 8 Solugao (a) Anélise de Veo Var _ 12V : 4 Rp 47K NO BA Je = (B+ Vly = (0124.04 wA) = 2.428 mA 26mV __26mV (ee Prete oma MACE (b) Br. = (100)10,71 %) = 1,071 kO ‘llr. = 470 kO||1,071 KO = 1,069 KO (©) Z,= Re=3kO Ro 3kO A= fee - - © A = Tong ~~ 80 (©) Uma ver, que Ry = 10Br-(470 KO > 10,71 kO) A\= B= 100 (1) 2, Fle = 50 KOS KO = 2,83 KO vs. 3KO- rele _ 2.83 kQ 4 A nm Oa gy 7 264M vs. ~280.11 BRero (r+ RORa* Br) ae (100)(470 k)(50 kQ) 30 kK. +3 kM)(470 kM + 1,071 kQ) 94,13 vs. 100 Como verincagso, 2 _ =(-264.28)1,069 10) Re 3k que apresenta uma diferenga pequena, devida somente & preci so considerada nos célculs. = 94,16 8.3 POLARIZACAO POR DIVISOR DE TENSAO A proxima configuragZo a ser analisada é o circuito com polari- zagao por divisor de tensdo da Fig. 8.7. Lembre que o nome da configuracao é conseqléncia da polarizagdo por divisor de ten- sto no lado da entrada para fixar o nivel de de V,, ‘A substituigao do circuito r, equivalente resultard no circuito da Fig. 8.8, Note a auséncia de R, devido ao efeito de curto-cir- cuito provocado pela baixa impediincia do capacitor de desvio, C,, Isto €,na freqiiéncia (ou freqiiéncias) de operacao, areatncia do capacitor € muito pequena, comparada com R,, € € tratada como um curto-circuito nos terminais de R,- Quando V.-é fixa- doem zero, aterra um terminal de R, ¢ R, conforme mostra a Fig. 8.8. Além disso, note que R, e Ry permanecem no circuito de Fig. 87 Configurasto com poarizago por divisor de tensBo. Fig. 88 Substituindoocireuito,equivalente no creo ac equi valene da Fig. 8.7.re entrada, enquanto R, é parte do circuito de saida. A combinagio paralela de R, © R, 6 definida por: R= Riley = Rk (8.10) Da Fig. 8.8, (il) %= Ripr. | Z,: Da Fig. 88, com V, fixado em 0 V resultando em I, = 0 wA e fl, = OmA, (8.12) cllte Ser, = 10R, 2, = Re suite 8.13) A,: Uma vez que R-€ r, estdo em paralelo V, = ~(Bl\(Rdlto) (8.14) {que voo® deve notar, é exatamente igual & equagio obtida para a configuragao com polarizagao fixa. Para r,= 10R,, (8.15) Ag Como o circuito da Fig. 88 é muito semethante ao da Fig. 8.3,exceto pelo fato de que R’ = Ry R, = R,.equagdo para o ganho de corrente ter o mesmo formato apresentado na Eq, (8.7). Ou seja, 1, Rr, Gat REAR’ + Br) G16) BR'r, rAR’ + Bre) (neg RS) e a oR + Br} (8.17) stot. Ese R’ = 10fr,, 1a _ BR’ ATR Analise do TB] para Pequenos Sinais. 239 8.18) LE 1OR, R= 1086, ‘Como uma opgao, 8.19) Relagio de fase: O sinal negativo na Eq, (8.14) revela um deslocamento de fase de 180° entre V, € V, EXEMPLO 8.2 Para o circuito da Fig. 89, determine: @ ) Z. (©) Z,(7, = 0). s0kMe (0) Os pardmetros das letras (b) até (e) se r, = Uh, compare 0s resultados. Solugao (@) DC: Testando BR, > 10 Ry (90)(1,5 kD) > 10(8,2 KO) 135 kO > 82 KO sarisfeita Usando a abordagem aproximada R (82 k9V22.V) Va BARDEN) Lasiv Rt sok +82K0 8! Ve = Ve ~ Vor = 2,81V -0,7V =2,11V Ve _ 2LV fe Re Tug ATMA m Vv av _ 260V _ gage ie LAlmA240 Disposiivos Eletronios e Teoria de Cireuitos (b) RY = Ryl[Ry = (56 kM||(8.2 KO) = 7,15 kD Z, = R'l|Bre = 7.15 k2(90\ 18,44 2) 7.15 KMI1,66 kM. = 1,35 kD (©) Zp= Ro = 68 kD re Rei Om eee Am T= — egg ~~ 3086 (©) Acondigio R' = 10r,(7,15k2 = 10(1,66 kM) = 16,60 no € satisfeita, Portanto, = — BR (90)(7,15 kO) A= esp, TasKn+ 166K0 > (1) Z= 135k0 Z, = Rallro = 6,8 kOSO KO = 598 KO vs, 6.8 KO 598k —324,3 vs. —368,76 18.440 A condigio ry = 1ORe (50K = 10(6,8 k) = 68 kD) do 6 satisfeita. Portanto, BR'r, (ry + ROAR’ + Br.) a (90)(7.15 9) (50 KO) GORD + 6.8 KOKT,1S KO + Li = 64,3 vs. 73,04 Houve uma diferenga mensuravel nos resultados para Z,, A, € A, porque a condigao r, = 10R, ndo foi satsfeita A Kk 8.4 CIRCUITO EC COM POLARIZACAO NO EMISSOR 5 citcuitos examinados nesta segao incluem um resistor no ‘emissor que pode ou nao ser desviado no dominio ac. Conside- rremos primeiro a situacio ndo-desviado, e entao modificaremos as equagdes resultantes para a configuragao desviado. Fig, 8.10 Coatiguragio EC com polarizagto no Fig. 811 Subssiuindoo circuit r, equivalene no ctcuto a equivalente da Fg. 8.10, Nao-desviado ‘A mais importante das configuragoes ndo-desviadas aparece na Fig. 8.10. O modelo r, equivalente ¢ utilizado na Fig. 8.11, mas observe a auséncia da resistencia r,. A inclusio der, torna aané- lise muito mais complicada; e considerando 0 fato de que na maioria das situagdes seus efeitos podem ser ignorados, ele nlio serd inclufdo na anise a seguir. Posteriormente, nesta seco, este feito serd discutido, ‘Aplicando a lei das tensdes de Kirchhoff a segdo de entrada da Fig. 8.11 resulta em Vi= Bre + 1Re ou V, = 1,Bre + (B+ hRe ce aimpedancia de entrada, posicionando-se a direita de R, ¢ olhan- do para dentro do circuito, é 2 % Bre + (B+ WRe ly resultado, conforme mostra a Fig. 8.12, revela que a impe- dancia de entrada de um transistor com um resistor R,niio-des- vviado 6 determinada por 2, = Bre + (B+ DRe J que B é normalmente muito maior que 1, a equagdo aproxi- mada é a seguinte: (8.20) 2)= Bre + BRe e [2.5 Bir. + Re) 621) Como R, é geralmente muito maior que r,, Eq. (8.22) pode ser reduzida para 42™ BRe (8.22) Z; Retornando & Fig. 8.11, n6s temos { alZy 8.23) Z = Rell (8.23) = ’ Fig. 8.12 Definindo a ‘mpodincia de entrada de ‘um transistor com um {esistor no emissor no desviado,ue 7,3 Com V, fixado em zer0, I, = 0 Bl, pode ser substituido por um cizcuito aberto equivalente. O resultado & (8.24) AY e com 825) Substituindo Z, = lr, + R,), temos (826) € para a aproximagao Z, = BR. (827) Note novamente @ auséncia de na equagio de A,, ‘Az Aamplitude de R, é, muitas vezes, préxima de Z, de for- rma. permitir a aproximagio J, = 1. Aplicando a regra do divisor de corrente para o circuito de entrada, resultard em h Robi * Re + Ze e Por sua vez, 1, = Bly e tal que e (8.28) ou (8.29) Relagdo de fase: O sinal negativo da Eq. (8.25) novamente revela um deslocamento de fase de 180° entre V, ¢ V;- Efeito de r,: As equagdes mostradas abaixo revelarao cla- ramente a complexidade extra resultante da incluso de r, na ‘Analise do TBJ para Pequenos Sinais 241. andlise. Observe em cada caso, porém, que quando certas con- digées so atendidas as equagdes retornam a forma deduzida anteriormente. A dedugio de cada equagio esté além das ne- cessidades deste livro e € deixada como exercfcio para o lei- tor. Cada equacio pode ser obtida por meio de uma cuidadosa aplicagao das leis basicas de andlise do circuito, tais como a lei das tensdes de Kirchhoff, lei das correntes, converses de fonte, teorema de Thévenin etc. As equagdes foram incluidas para remover a incOmoda questio dos efeitos de r, na dedugo das expresses para os parametros das configuragdes do tran- sistor Ze (B+ 1) + Rely + (Re + Reins (8.30) Como a razio R./r, é sempre muito menor que (B + 1). (B+ DRe 2, = Bre+ TR + Rare Bre T3 Re# Rare Para r, = 10(R, + Rs Zy = Bre + (B+ Re que pode ser associada diretamente a (Eq. 8.20). Em outras palavras, se r, = 10(R, + R,), todas as equagdes cobtidas anteriormente vdo ser reproduzidas. ‘Como B + 1 = B, a equagdo seguinte é uma excelente apro- ‘ximagdo para a maioria das aplicagdes: 31) (8.32) No entanto,r, > rae 2, = Rel] 1 +—2— 4B Re ‘que pode ser escrita como 2% Relral 1+ BRE Tipicamente, 1/6 e rJR, so menores do que um, com uma soma normalmente menor do que um. O resultado é um fator ‘ultiplicativo para r, maior do que um, Para 6 = 100,r,= 10. eR, = 1k: tT, 1, 100 002 ~ °° BR: 100” 10000 e 2, = Re|Stry242 Dispositivos Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos {que certamente pode ser aproximada para Re. Portanto, ee ©, qualgver ave de (8.33) que foi obtido anteriormente (834) 635) como obtido anteriormente. Aj: A determinagio de A, seré reduzida & equagio (836) utilizando as equagBes acima, Desviado Se R, da Fig. 8.10 é desviado por um capacitor C, no emissor, 0 modelo r, equivalente completo pode ser introduzido, resultan- dono mesmo circuito equivalente da Fig. 8.3, As Eqs. (8.1.8.9) sdo, portanto, aplicaveis. EXEMPLO 8.3 Para o circuito da Fig. 8.13, sem C, (ndo desviado), determine: (a) nr. (b) Z, ©) Z, @) A, ©) A, Solugao 20V -0.7V 470 KO. + (121)0,56 KO Vee ~ Vor Rat (B+ Re = 35,89 uA Te = (B + Wp = (121)(46,5 wA) = 4,34 mA 26 mV 26 mV f eet Je ~G34ma 7 50 (@) DC: Ip = 20v Fig. 813 Exemplo 83. (b) Testando a condigio r, = 10(R, + R,), 40k = 10(2,2 kM + 0,56 kD) 40 KO = 10(2,76 KO) = 27.6 KO satisfeita Portanto, 2, = Blr, + Re) = 120(5,99. 0 + 5600) = 67,920 Z, = RyllZ, = 470 kO67,92 KO = 59M KO, (©) Z=R=22k0 (@) 7, = 10R, € satisfeita, Portanto, BRe _ _ (120)(2,2k2) Z 67,92 KD e préximo a —3,93 usando a Eq. (8.27): A, 59,34 ka.) 22k ~RRe aan proximo a 104,85 usando a Eq, (8.28): A, = BR/(R, + Z,) EXEMPLO 8.4 Repita a andlise do Exemplo 8.3 com C, no lugar. Solucao (a) Anélise de 6 a mesma. r, = 5,990, (b) R, € “curto-circuitado” por C, para a andlise ac. Portanto, Z, = Rall2s = RellBre = 470 kMI12015,99 2) = 470 KAITI88 A = 717,70. 0@ Ay 367,28 (um aumento significativo) _ 120,047 KO) Ret Z 470K + 71880 = 119,82 EXEMPLO 8.5 Para o circuito da Fig. 8.14, determine (usando as aproximagoes adequadas): @ () Z, ©) Z @ 4. ©) A. Iv son vr J 7 = z 10k ; ossa. 1 Gs : i Fig. 814 Exemplo 85, Solugao (a) Testando BR, > 10R, (210)(0,68 kM) > 10(10 kM) 142.8 KO > 100 KO sarisfeita Rg, 10k. aR Veo (16 V) = 16V Ra 90K + 10K Vp ~ Vee = 16V -0.7V =09V o9Vv Ve Re 0,68k2 26mV __26mV Te 1324mA = 1,324mA, = 19,640 243 Analise do TB} para Pequenos Sinais Fig. 815 Circuito ac equivalent da Fig 8.14 (b) O cireuito ac equivalente é dado na Fig. 8.15. A configura- < resultante 6, agora, diferente da Fig. 8.11 somente pelo fato de que agora Ra = R= RillRz = 9K As condigées de teste de r, = 10(R. + Re r, = 10R,sio ambas satisfeitas, Usando as aproximagdes adequadas obtemos Zp * BRe = 142,8kO Z,= RallZ, = 9 kOI|142,8 KO = BATA (©) Z, = Re= 22D EXEMPLO 8.6 Repita o Exemplo 8.5 com C, no lugar. Solucao (a) A andlise de é a mesmae r, = 19,64 ©. (b) Z, ir. = (210)(19,64 2) = 4,12 kO Z,= RallZy = 9 KO|4,12 KO. = 2,83k2 (©) Zo Re = 22k Re _ 22k @A r.—-(19,64k0 = —112,02 (um aumento significativo) Pear ( 2,83 ko ©) Ai = “Avge = = 112,02)(: 2) = 1441 ‘Uma outra variagdo da configuragao com polarizagéo no cemissor aparece na Fig. 8.16. Para andlise de, a resisténcia do emissor € R,, + Re,, enquanto para a andlise ac o resistor Ry nas equagées acima é simplesmente 2, © Re, desviado por Ce244 Dispositivos EletrOnicos e Teoria de Cireuitos Fig. 8.16 Uma configuragio com polarizago no emissor com uma pare a re sistncia de polarzagio no emissordesviada no dominio ac 8.5 CONFIGURACAO SEGUIDOR-DE-EMISSOR ‘Quando a saida é tomada do terminal emissor do transistor, como mostrado na Fig. 8.17, 0 circuito & chamado de seguidor-de- ‘emissor. A tensio de saida é sempre levemente menor que 0 sinal de entrada, devido & queda de tensio entre base e emissor, mas em geral a aproximacdo A, = I € adequada, Diferente da tensio de coletor, a tensio de emissor estd em fase com o sinal V, Isto ambos, V, eV, atingem seus valores de pico positivo e negativo ao mesmo tempo. O fato de V, “seguir” a amplitude de V, com a ‘mesma fase contribui para a terminologia seguidor-de-emissor. ‘A configuracao seguidor-de-emissor mais comum aparece na Fig. 8.17. Na verdade, como o coletor esté aterrado para a andli- se ac, é na realidade uma configuracdo coletor-comum. Outras variagdes da Fig. 8.17 que coletam 0 sinal de saida no emissor ‘com V, = V, serdo apresentadas mais tarde nesta sega. ‘A configuraco seguidor-de-emissoré freqiientemente usada para fins de casamento de impedancias. Ela apresenta uma alta impedancia na entrada e uma baixa impediincia na safda, sendo ‘ooposto do comportamento da configuragiio com polarizagao fixa ig. 8.17 Configuracio seguidor-de-emissor, Fig. 818 Substiuindo o circuit, equivaente no circuto ae equivalent da Fig ait, padrio. O efeito resultante & quase 0 mesmo que 0 obtido com ‘um transformador, onde uma carga é casada com a impedincia da fonte para maxima transferéncia de poténcia através do siste- ma. Substituindo o cireuito r, equivalente no circuito da Fig. 8.17, resultaré o circuito da Fig. 8.18. O efeito de r, seré examinado ais tarde nesta segio. Z,: Aimpedancia de entrada € determinada da mesma manei- ra que a descrita na segdo anterior: RallZy, (8.37) com Z,= Br +(B+ DRe 8.38) ou 2, = Bir + Re) (8.39) e [Z,= Bre (8.40) Z,: A impedincia de safda é mais bem deserta,escrevendo primeiro a equagdo para a corrente J, nz © entdo multiplicando por (B + 1) para encontrar /,. Isto é, vy; 1. = B+ Dh = (B+ d) Zz ‘Substituindo por Z,, temos = — bt * Bre + (B+ DRe vs a [BrMB + 1) + Re mas (B+=B © tal que (841)Fig. 8.19 Definindo aimpedinci de saida para a configuragio seguidorde-emis- Se construirmos agora o circuit definido pela Eq. (8.34), a cconfiguragao da Fig. 8.19 seré obtida, Para determinar Z,, V,é fixado em zero € Z, = Rell (8.42) Como R, &, tipicamente, muito magio 6, via de regra, aplicada: iaior que r,, a seguinte aproxi- (8.43) ‘Ag A Fig. 8.19 pode ser utilizada para determinar 0 ganho de tensiio pela aplicagao da regra do divisor de tensfo: (8.44) (8.45) Roly e (B+ ily ou (B+ 1) Ro 6 UR +Z, emer ee cia (8.46) ou (8.47) Analise do TBJ para Pequenos Sinais, 245, Relagio de fase: Como mostrado pela Eq. (8.44) ¢ por dis- ccussoes anteriores desta Segio, V,e V, estilo em fase para a con- figuracao seguidor-de-emissor. Efeito der: Ze Zaps + G2 UR | pede | (8.48) Se a condigfo r, = 10R, for satisfeita, 2, = Bre + (B+ DRE {que estd de acordo com os resultados anteriores com Zy> Bre + Re) | 8.49) eee ES, avon, Ly Br Z,= rllRel| Gs as | (8.50) Usando B + 1 = B, uma vez que r, > Fo 51) Ag A (8.52) Se a condigio r, = 10R, for satisfeita e usarmos a aproximagio B+i=B (8.3) EXEMPLO 8.7 Para o circuito seguidor de emissor da Fig. 8.20, determine: (a) re &) Z © Z @ A. ©) A.246 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos 20K. Fig. 820 Exemplo 87, (£) Repitaas letras (b)até(e) com r, = 25k Qe compare os resultados, Solucao Veo ~ Ve Ret (B+ Re ___2v-07V © 220 kN + (101)3,3 KD B+ Dp 101)(20,42 A 26mV __26mV Te 2,062 mA re + (B+ DRE 100)(12,61 ) + (1013.3 kA) 261k + 333.3 KO (@) Ip = 20,42 MA Ie 2,062 mA = 12,612 34,56 KO = Re Z, = RaliZy = 220 0334.56 kA 32.72 KO. (c) Z, = Rellre = 3,3 kMY|12,61 0 = 12,560 Mee Re 33k OAV Retr FARR + 2610 = 0.996 = 1 BR (1001220 KO) Ae = 100,220) OAS ~Fe+7Z,~ 20K0 + 33456K0 967 versus Zz 132,720) _ AaB 0996) ( 272K) «006 (0) Verificando a condigao r, = 10R,, n6s temos 25k = 103,3 kO) = 33k que ndo 6 satisfeita, Portanto, (B+ Re Re 2, = Bre + 1+ a (100 + 133k 14 33K 25k, = (100)(12,61 %) + 261 KO + 294,43 kA 195.7 com Z; = RellZ, = 220 k)295,7 kD 26,15 KO vs. 132,72 kM obtido anteriormente ‘dlr. = 12,56. como obtido anteriormente (B+ WRe/Z, _ (100+ 1 [r+ 42] [1+ 2382] % 25kO = 0,996 = 1 de acordo com 0 sultado anterior. Em geral, portanto, mesmo quando a condigdo r, = 10R. nao for satisfeita, os resultados obtidos para Z, e A, so os mesmos, sendo Z, ligeiramente menor. Os resultados sugerem que para grande parte das aplicagbes os resultados reais podem ser bem aproximados ignorando-se os efeitos de r, para esta configuragio. O circuito da Fig. 8.21 & uma variagao do circuito da Fig. 8.17, ‘© qual emprega uma seco de entrada com divisor de tensio para estabelecer as condigées de polarizacio. As equagdes (8.37) até (8.47) sio diferentes apenas pela substituigao de R, por R’ = R,|R;, Ocircuito da Fig, 8.22 também terd as caractersticas de entrada € saida de um seguidor-de-emissor, porém inclui um resistor no coletor R. Neste caso, R,é novamente substituido pela combinago em paralelo de R, € R;. A impedancia de entrada Z, ¢ a impedancia de saida Z, ndo sao afetadas por R, pois ele nao é refletido para os circuitos equivalentes da base ou emissor. Na verdade, 0 inicoefeito de R. sera na determinagiio do ponto 0 de operagio. 8.6 CONFIGURACAO BASE-COMUM A configuragao base-comum é caracterizada por ter uma impe- dancia de entrada relativamente baixa, uma impedancia de saida Fig. 8.21 Configurasio seguidor de-emissor com um aranjo de polarizaeo por divisor de ens,Fig, 8.22 Configuragio seguidor-de-emissor com um resistor R, no coletr. alta e um ganho de corrente menor que 1. O ganho de tensio, entretanto, pode ser muito grande. A configuragao-padrao apa- rece na Fig. 8.23 com o modelo r, equivalente para base-comum substituido na Fig. 8.24. A impedincia de saida do transistor 7, no é inclufda na configuragdo base-comum porque seu valor est, tipicamente, na faixa de megaohm e pode ser ignorada quando comparada ao resistor Rem paralelo, Fig. 824 Substuindoo cco, cquvaene no circuit ac equivalent da Fg 5B Z, Z,= Rall (854) Z 2= Re | 655) Ae Vo = —loRe = ~(—T)Re = alee Analise do TBJ para Pequenos Sinais. 247 (8.56) Te com (357) Relacio de fase: O fato de A, ser um nimero postivo revela que V, ¢ V, esto em fase para a configuragao base-comum. feito de ,: Para a configuragio base-comum, r, = My ests tipicamente na faixa de megaohm e ésuficientemente maior que a resisténcia paralela R, para permitir a aproximagao r,|R. = R. EXEMPLO 8.8 Para o circuito da Fig. 8.25, determine: @) 1. ) Z © Z @ A. © A. Solugao, _ Vee— 13V (@) Ie= Tart ima 26mV _ 26mV iy Te 13mA a (b) Z) = Rellr. = 1 kAI|20.0 19,619 =r, (c) Z, = Rc = Sk Re Sk @ A= = 0 (e) A = —0,98 = ~1248 Dispositives Eletrdnicos e Teoria de Circuitos 8.7 CONFIGURACAO COM REALIMENTACAO NO COLETOR O circuito com realimentagdo no coletor da Fig. 8.26 emprega uma realimentago do coletor para a base a fim de aumentar a estabilidade do sistema conforme discutido na Segao 4.12. En- tretanto, a simples manobra de conectar um resistor da base para ocoletor, em vez de conecti-lo entre a base e a fonte de, tem um impacto significativo no nivel de dificuldade encontrada ao ana- lisar cireuito. Fig, 826 Configuragio com realimentagio no coletor. Alguns dos passos realizados abaixo sao resultado da experi- {ncia de trabalho com tais configuragdes. Nao se espera que um estudante novato no assunto possa escolher a sequiéncia de pas- sos descrita abaixo sem cometer alguns erros em um passo ou dois. Substituindo o circuito equivalente e redesenhando 0 cit- ccuito resultaré na configuragdo da Fig. 8.27. Os efeitos da resis- téncia de safda do transistor serdo discutidos mais tard. Fig. 8.27 Subsituindoocievito equivalent no circuito ac equivalent da Fig, 826, Zz, ie ‘com -1.Re e 1,= Bl, +" Como Bi, é normalmente muito maior do que /, 1, = Bly ~BIRe e ve ~BlRe ‘mas Ty O resultado é Vi = [eBr, =U, + 1) Bre = Lr. + I Br, ior. [t+ er, ou Bi El Re a Re mas R, é geralmente muito maior do que r,¢ 1+ © tal que ou (8.58) Z,: Se fixarmos V, em zero conforme requerido para definit 2.0 crcuito ers o aspecto da Fig. 8.28. O efeito de Br, €remo- vido eR, aparecerd em paralelo com Re e 2, = Rie (8.59) Ag No n6 C da Fig. 8.27: 1,= Bh +" Para valores tipicos, Bl, > I’ ¢ 1, = Bl, Fig. 828 Definindo Z, para a configuragdo com realimentagto no coletor.Substituindo J, = V/Br,, temos vi -BoER Par, fc Ve v, (8.60) ‘Ag Aplicando a lei das tensdes de Kirchhoff em tomo da malha externa do circuito, obtemos Vi+ Ve, -¥e=0 e TsBre + (ly ~ UDR + LoRe= 0 = Bl,, n6s temos Lopre + leRe ~ bRp * BloRe e IBr, + Re + BRo) = URr Substituindo J, = L/B de J, = Bl,, obtemos 1 GilBre + Ret BRe) = URE ire Re + BR) — Brel © Br. + Rp + BRe Ignorando fr, por comparacdo com R, ¢ BR., temos e Le (8.61) Para BR. > R,, (8.62) Relagiio de fase: O sinal negativo da Eq. (8.60) revela um deslocamento de fase de 180° entre V, eV. Efeito de r, Z,: Uma ant (8.63) ‘mas, tipicamente, RUR, < le Andlise do TB§ para Pequenos Sinais. 249 ou Boe (8.64) 210. como obtido anteriormente. Z,: Incluindo r, em paralelo com R, na Fig, 8.28 resulta em Z.= rll, (8.65) Para r, =10R, = RellRe re=10Re (8.66) como obtido anteriormente, Para a condigio usual R, > R., 3210Re Ry > Re (8.67) Ag “i (8.68) Como R, > ra A= Para r,2 10R,, Re 8.69) Re (8.70) como obtido anteriormente. EXEMPLO 8.9 Para o circuito da Fig. 8.29, determine: (@) re250 Dispositivas Eletronicos ¢ Teorla de Cireultos ei + = 1A OOIS = 617,70 ws. 5605.0 acima 1,64 x 10 rlRellRe = 20 kOY|2,7 KAI]180 KO = 2,38 KO vs, 2,66 kM acima 1 1 ie A Jerre Fig. 8.29 Exemplo 89. aoKN 11.210 1s 288K OZ ©% @ (©) 4, 180 kX (f), Repita as letras (b) até (e) com r, = 20 ke compare os re- - Eee a sade 71886 x 10°* = 892 x 107}0.38 T+ 0013 Solugao, = -209,56 vs. —240,86 acima 1, < ecm Vee 9v-07v ©) to "Re F BR TROKA + (2002.7 KD 1,53 wa Te = (B+ Vly = QOINUI,S3 WA) = 2,32 mA 2omV __26mV 11210 2.32ma ~ 1? 1210 H210 T . 27kQ ~ 0,005 +0015 Para a configuragao da Fig. 8.30, as Eqs. (8.71) até (8.74) > determinario as varidveis de interesse. As demonstragdes s20 ad ate Heo ety deixadas como exere‘eio no final do capitulo. 12 Ze 50(11,21 2) = 560,52 7 Gop 7 50121) (©) Z, = Rd|Re = 2,7 kO||180 KO = 2,66 kD Re _ TK 71) Te Ti2a1g ~ 74086 BR (200180 kM) ae “Re + BRe 180 KO + (200)(2,7 kK) =50 7) (8) Z: A condigao 7, = 10R, nao 6 satisfeita. Portanto, i Re Panta tv. 4 G + 1 4 27 KO20 KO yoy 180 KO c + 1 1 7 kO}20 kA a : ot TOK i OTT.” 18OKD ~ C180KMHAT21-2) Re 238k = 1+ : 180k isesomesenaee 1 JSRSssGsGsGRGRAE Fig. 8.30 Contigurago com calimentago no coetr com un revit no emis- 0,45 x 107? + 0,006 x 107 + 1,18 x 107 sor.; (8.73) Ae (8.74) 8.8 CONFIGURACAO COM REALIMENTACAO DC NO COLETOR O circuito da Fig, 8.31 tem um resistor de realimentagio de para aumentar a estabilidade. O capacitor C, desviaré parte da resis- téncia de realimentaglo para as segdes de entrada e saida do cit- cuito no dominio ac. A porgdo de R, desviada para 0 lado da ‘entrada ou safda sera determinada pelos valores de resisténcia ae de entrada e saida, Nee Fig. 8.31 Contiguragéo com raliment Na freqiiéncia ou freqléncias de operago, o capacitor seré um curto-circuito para a terra, devido a seu nivel de baixa impe- dancia comparado aos outros elementos do circuito. O circuito ‘ac equivalente para pequenos sinais terd, entdo, o aspecto da Fig, 8.32. 251 Analise do TB] para Pequenos Sinais Z = Ry llr, (8.75) zy (8.76) Para r,= 10R., Z, Paine 8.77) Ae ho mas n> By, e rie jIRe tal que Ag ae (8.78) Para r,= 10R., a, = ae, 879) ‘Ag Para a segio de entrada, Rei = Rr, + Bre ou para a secdo de safda, usando R” R'Blo = ow R + Re ganho de corrente Rr, + Bre ig. 8.32 Substituindo 0 circuitor,equvalente no cireuito ae equivalente da Fig, 8.3252 _Dispositives Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos, na Fr Solugao BRR (8.80) IED Voc = Vos (Re, + Bre’ + Re) De: eee ave rly bed Ry + BRe RV-o7Vv Como R,, € normalmente muito maior do que ir, Ry + Br, = Ta0KN + 68K) + 4)3KO Ry U3 _ ge ua 1, BRe(rdiRe) 608 kA 7” BaralRr, + RO (B+ Dly = (141)(18,6 nA) = 262 mA 26mV __26mV Te -262mA () Br. = (140)(9,92.9) = 1,39 KO O circuito ac equivalente aparece na Fig. 8.34 = 992.0 tal que sl) Z; = Re |lBre = 120 kQI|1,39 KO (8.82) = 137k ou Relagiio de fase: O sinal negativo na Eq. (8.78) revela clara-_ (¢) Testando a condigdo r,= 10R,, obtemos que mente um deslocamento de fase de 180° entre as tensdes de en- trada ¢ saida. 30 KD = 10(3 kA) = 300. que é satisfeita pelo sinal de igual na condigdo. Portanto, EXEMPLO 8.10 Para o circuito da Fig. 8.33, determine: Z,, = RdliRp, = 3 kA68 KO @) z ) Zz 87 kD. © Z, Saeeeeat @ A, (2) 7,= 10R,, portanto Ay ite p= —RellRe _ _ 68 KO KO ne 7 ve 9.920 = 287k 9,920 = —289,3 t= our (©) Uma vez que a condigdo Re, > Br, & satiseita, 1 % > B 140 140 ve B= 140.7, = 30k 4,=——— = ——>___-_—_ 10nF i+ Re 1+ 3k 1+0,14 - rallRe, 30 K|68 KD M0 Lang 14 Fig. 833 Exemplo 8.10 Bl, 2 Br, Meas 10 ¥ Mosia 4 Sia - | Fig. 834 Substiuindo o cit tol ‘equvalete no cieuito se eg Walene da Fig. 8.33.ie 8.9 CIRCUITO HIBRIDO EQUIVALENTE APROXIMADO ‘A anilise usando o circuito hibrido equivalente aproximado da Fig. 8.35 para a configuragao emissor-comum e da Fig. 8.36 para ‘a configuraco base-comum & muito semethante aquela ja reali- zada usando 0 modelo r.. Embora o tempo € as prioridades no permitam uma anélise detalhada de todas as configuragées dis- ccutidas até aqui, uma breve visio de algumas mais importantes seri incluida nesta se¢do para demonstrar as semelhangas na abordagem e nas equagdes resultantes. — oS Fig. 8.35 Circuito hibrido equivalente aproximado para emissor-comum, = yf tok Btw | | bo — +1» Fig. 8.6 Circuito hr equivalenteaproximado para base-comum. Como os virios parimetros do modelo hibrido sio especifi- cados pela folha de especificagdes ou andlise experimental, a andlise ac associada com 0 uso do modelo r,ndo pode ser apli- cada de imediato 20 modelo hibrido. Ou seja, quando o proble- ma é apresentado, os parmetros COMO figs figs figs © assim por diante, sio especificados. Tenha em mente, porém, que os pard- metros hibrides e os componentes do modelo 7, estio relaciona- dos pelas seguintes equagdes discutidas no Cap. 7: hi, = Bro te = Boh, = Ut ly = 4 € hg = F, (olhe 0 Apéndice A). Configuracao com Polarizacao Fixa Para a configuragiio com polarizagio fixa da Fig. 8.37, 0 circui- to ac equivalente para pequenos sinais aparece conforme a Fig. = Fig.837Configuasio ‘com polarizagio fxs, Anilise do TB] para Pequenos Sinais. 253 | fr. * I 4} mh Sr Re ae = Fig. 8.38 Substituind 0 circuit hibrido equivalene aproximado no crcuito ceuivalente da Fig. 8.37 ay 8.38, usando 0 modelo hibrido equivalente aproximado para emissor-comum. Compare as semelhancas com a Fig. 8.3 ¢ na andlise do modelo r,. A comparagio sugere que a anilise serd ‘muito similar, e 0s resultados de um podem ser relacionados di- retamente a0 outro. Zz Da Fig. 8.38, Z,= Rule (8.83) Z,: Da Fig. 8.38, 2, = Rell llge (8.84) A,: Usando R’ = Wh,.\Ro, Vy = —1R = ~IcR" ely R note e =a com hyARA he) tal que ee (8.85) ‘Ag Assumindo que R, > It, € Uh, = 10 R,,entio I, = Le L, 1. hid = high com (8.86) EXEMPLO 8.11 Para o circuito da Fig. 8.39, determine: (@) Z, (b) Z, ©) Ay @) A. Solugao (a) Z, = Rallhie = 330 KOI, 175 KD = he = LATLKO l L 20naN (b) 1 0k. Noe254 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos 120 ig. 839 Excinplo 8.1 Fle = $0 KM}2.7 KO = 2,56 KM = Re Iie ho 120)(2.7 kO|50 kO) A, LITLKO © A= ‘isor de Tensao Configuracao com Para a configuracao polarizada por divisor de tensdo da Fig. 8.40, o circuito ac equivalente para pequenos sinais resultantes teré o ‘mesmo aspecto da Fig. 8.38 com R, substituido por R’ = Ry Rs Re Ry 4 voy a = Se z ce ig, 8.40 Configuracio de polarizagSo por divisor de tensio, Zz Da Fig, 8.38 com R, Z= Rig (887) Za Da Fig, 8.38, Z, = Rc (8.88) FihRdl| ye) ie (889) (8.90) Oefeito de r, = 1h, 6 mesmo daquele encontrado para a con figuracio com polatizagao fixa. Configuracao com Polarizacao no Emissor Nao-Desviado Para a configuragio EC com polarizago no emissor ndo-desvi- ado da Fig. 8.41, 0 modelo ac para pequenos sinais ser o mes- mo da Fig. 8.11, com Br, substituido por h, ¢ Bl, por hely. A andlise se processaré exatamente do mesmo modo com Yee Fig. $41 Configuragio EC com polarzago no emisso nfo-desviado, ae (891) e (8.92) 2, = Ke (893) Ae A, = —Re © ye (894) Ag (895) ou (8.96)Configuracdo Seguidor-de-Emissor Para o seguidor-de-emissor da Fig. 8.42 0 modelo ac para peque- nos sinais parece com a Fig. 8.18 para Br, = fi, © B= hy AS equagées resultantes sero, portanto, muito semethantes ze aR 697) Z,~ RalZ, | (8.98) X ig- 842 Configurago seguidor-de-emissor. Z,: Para Z,, 0 cireuito de safda definido pelas equagdes resul- tantes aparecerd como mostrado na Fig. 8.43. Reveja o desen- volvimento das equagdes na Segio 8.5 € he 2= Rl ov desde que 1 + Ig = Ie i Z,= Rall, | (8.99) hye A,: Para 0 ganho de tensio, a regra do divisor de tensio pode ser aplicada 3 Fig. 8.43 como segue: RV) Ret hill + hg) Vo No Analise do TB] para Pequenos Sinais. 255 Fig, $43 Definindo Z, para a configure seyuidor-de-emissr, (8.101) ou 8.102) Configuracao Base-Comum A Giltima configuragdo a ser examinada com 0 circuito hibrido ‘equivalente aproximado seré o amplificador base-comum da Fij 8.44, Substituindo o modelo hibrido equivalente aproximado para igs hy Fig. 8:44 Configuragi hase-comum. base-comum, resultard no circuito da Fig. 845, a qual é muito semelhante & Fig. 8.24. Da Fig. 8.45, a (8.103) (8.104) Fig. £45 Substituindoo citcuitohbrido equivaente apro- imado no creuito ac equivalent da Fig 8.44256 Dispositivos Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos Ag tal que (8.105) Ag . (8.106) EXEMPLO 8.12 Para o circuito da Fig. 8.46, determine: (@) Z, (b) Z, © @ Solucao (a) Z,= Rellhiy = 2.2 KAI 14,3 A = 14,21 0 = hip wet \ haa” O5uAN ~?MO ye As configuragOes restantes das Segdes 8.1 até 8.8 que no foram analisadas nesta seco sio deixadas como exercicio na segio de problemas deste capitulo. Supoe-se que a anélise acima revela claramente as semelhaneas na abordagem, usando os ‘modelos r,¢ hibrido equivalente aproximado, removendo por esse ‘meio qualquer dificuldade real com a andlise dos circuitos res- tantes das segdes anteriores. 8.10 MODELO HIBRIDO EQUIVALENTE COMPLETO A anilise da Segio 8.9 foi limitada ao circuito hibrido equiva- lente aproximado com alguma discussio sobre a impedancia de ‘aida, Nesta seco empregamos 0 circuito equivalente completo para mostrar o impacto de he definir em termos mais espectfi- 0s 0 impacto de h,. E importante compreender que, como o ‘modelo hibrido equivalente apresenta o mesmo aspecto para as cconfiguragdes base-comum, emissor-comum ¢ coletor-comum, as equagdes desenvolvidas nesta segdo podem ser aplicadas para 4quaisquer dessas configuragdes. Isto é, para a configuracio base- comum, hg, ly € assim por diante, so empregados, enguanto para a configuragao emissor-comum, fy, /i, € assim por diante, siio utilizados. Lemibre-se que, se sdo fornecidos os pardmetros para uma configuracio, e desejamos aplicé-los em outra, 0 Apén- dice A mostra como ¢ feita a conversao. ‘Considere a configuracao geral da Fig. 8.47 com os parime- ‘ros de especial interesse para sistemas de duas portas. O mode- Io hibrido equivalente completo é, entao, utilizado na Fig. 8.48, usando parmetros que nao especificam o tipo de configuragio. Em outras palavras, as solugdes serdo em termos de hh, f& hy, Diferente da andlise de sees anteriores deste capftulo, 0 ganho de corrente seri determinado primeiro, jé que as equagdes de- senvolvidas nesta andlise serao tteis na determinagao dos outros pardmetros. Ty - sake <_ vi hg = 43.0 % fog OSHAN Jo pareaee + 4 %, _ 7, — y Se z Fig. 847 Sistema de duas poras,‘Andlse do TR] para Pequenos Sinai 257 ig. 8.48 Substituindo ocitcuito vido equivalente completo no sistema de duas portas da Fg. 8.47, Ganho de Corrente, A, = I/I, Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff ao circuito de saida, temos Ye Whe Uy = highy + T= byl, + irl; + hoVo, Substituindo V, = —/,R,, obtemos I= byli— hgRelo Reescrevendo a equago acima, temos 1, + heRele = byl, 101+ haRa) = yh tal que (8.107) ‘Note que o ganho de corrente serd reduzido para o resultado usual de A, = hy se 0 fator h,R, for suficientemente pequeno quando comparado a 1 Ganho de Tensao, A, = V/V, Aplicando a lei das tenses de Kirchhoff ao circuito de entrada, resulta em Lh; + hVo Substituindo 1, = (1 + h,R)I/hy da Bq, (8.87) € 1, resultado acima resulta em = C1 + hoRidhi WR, VJR, do fo + Vo Resolvendo para a relagao V,/V, temos HhyRy I + Cig ~ Byh OR (8.108) Neste caso, a forma usual de A, = ~h,R,/h,retornard se o fator (hit, ~ hh )R, for suficientemente pequeno comparado a h, Impedancia de Entrada, Z, = V/I, Para o circuito de entrada, Substituindo IR, 1s temos he Uma ver que Ane La tal que a equagao acima toma-se Vi ily — be RLAL, Resolvendo para a relagio Vil, obtemos substituindo resulta (8.109) A forma usual de Z, = h, seré obtida se 0 segundo fator for sufi- cientemente menor que o primeiro. Impedancia de Saida, Z, = V/I, A impedancia de saida de um amplificador € definida pela razio da tensio de sada pela corente de saida com o snalV, fixado fm zero, Para 0 cireuito de entrada, V, = 0, =hVe R+h Substituindo esta relagio na equago seguinte obtida do circuito de safda, temos 1= byl ho ahh, = hehe ae thie hha — yh, + RO) (8.110)258 Dispositives Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos [Neste caso, a impedancia de safda € reduzida a forma usual Z, = Uh, para o transistor, quando o segundo fator no denominador for suficientemente menor que 0 primeiro, EXEMPLO 8.13 Para o circuito da Fig. 8.49, determine os seguintes parimetros, usando 0 modelo hibrido equivalente completo e compare com 60s resultados obtidos usando 0 modelo aproximado. @ ZezZ, &) A, (©) A= Thea’ (@) Zo (com Re)€ Z, (incluindo R.). Wl Solucao Agora que as equagées bésicas para cada quantidade foram de- duzidas, a ordem na qual elas sio caleuladas ¢ arbitréria, Entre tanto, a impedincia de entrada é freqilentemente uma quantida- de itil para se conhecere, portanto, serd calculada primeiro. circuito hibrido equivalente completo para emissor-comum foi ti introduzido e o circuito redesenhado, conforme mostrado na Fig. 8.50.0 circuito equivalente de Thévenin para a seqio de entrada da Fig. 8.50 resultaré na entrada equivalence da Fig. 8.51 uma vez que En, = Vs¢ Ry, = R, = 1k (R, = 470k € muito maior que Rs = TkO). Neste exemplo, R, = Re /, € definido como a corrente através de R,, como nos exemplos anteriores deste ca- pitulo. A impedancia de safda Z, conforme definida pela Eq. (8.110) € apenas para os terminais de safda do transistor. Ela nao inclui os efeitos de R,. 2’, ¢ simplesmente a combinagio em pa~ ralelo de Z, ¢ R,. A configuracao resultante da Fig. 8.51 é,entdo, uma c6pia exata do circuito da Fig. 8.48 e as equagdes dedu das acima podem ser aplicadas, A Ayjehtyp Ri oe — en (a) Eq. (8.109): 1 Nie T+ hoeR i _ G10)2 x 1074.7 k = BEKO TT 0 wSVET KD, 1,6kO — 94,520 =1351k0 versus 1,6k 0 usando apenas ht, Zi = 410 kz, = Z, S10 0: g= 10, hy= 16 KOs = 2% 104 y= 2088 Fig. 849 Excmplo 8.13. ‘Trévenie Fig. 850 Substiuindoo citcutohibrido equivaente completo no crcuito ac equivalent da Fig. 849,(b) Eq. (8.108): beter nae e VE hie + Oichae = hyltrR. 110)(4,7 kQ) 1,6 KO + [0,6 k)(20 HS) ~(110)(2 x10 )}4,7 KO 17 x 10° 1,6kO + (0. ),022)4,7 kO- 17 x 10° 2 6k + 470 3139 versus —323,125 usando A, = —h,Ri/h. a (c) Eq. (8.107): Ay 1 ree ThooR = 110 TF G0 usNaTED 110 = Te o08 10085 versus 110 usando apenas hy, Jd que 470K > ZI, 100,55 da mesma forma, (@) Eg, 8.110): ave i 201 Tee= Uilthc * RO] 1 Lea= 30 pS [C1102 X10, KO. + TKO) L 20 uS = 8.46 uS Analise do TB] para Pequenos Sinais 259 = Fig, 851 Reestruturan- © doa sepio de entrada da Fig. 8:50 com ciecuito ‘uivalente de Mévenn, © T134uS 86,66 2 ‘o qual € maior que o valor determinado de 1/h,, = 50k. Zi, = Rd |Z, = 4,7 kA/86,66 KO = 4,46 KO versus 4,7 kO usando somente R. Note, dos resultados acima, que as solugdes aproximadas para A, Z, foram muito proximas aquelas calculadas com o modelo ‘equivalente completo. De fato, até A, teve uma diferenga de me~ nos de 10%. O valor maior de Z, somente contribui para a nossa conclusio anterior de que Zo é normalmente to alto que pode ser ignorado quando comparado com a carga aplicada. Entretan- {o, saiba que, quando hi a necessidade de se determinar os efei- (05 de h, hi. © modelo hibrido equivalente completo deve ser usado como descrito acima. ‘A folha de especificagdes para um transistor particular fomne- ce, tipicamente, os parimetros para a configuragdo emissor-co- mum como pode ser visto na Fig. 7.28. O préximo exemplo empregaré os mesmos parimetros do transistor que aparecem na Fig. 8.49, em uma configuragio pnp base-comum com 0 intuito de introduzir os procedimentos de conversio de parimetros e enfatizar 0 fato de que o modelo hibrido equivalente mantém a ‘mesma forma geral. EXEMPLO 8.14 Para 0 amplificador base-comum da Fig. 8.52, determine os se~ guintes pardmetros usando o modelo hibrido equivalente com- pleto e compare com os resultados obtidos usando © modelo aproximado. (@ Zez’, Fig. 8.52 Exemplo 8.14260 _Dispositivos Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos (b) Ave’, ©) Ap d) Z,e2' Solugdo (0s parmetros hibridos para base-comum sio deduzidos dos pparmetros para emissor-comum usando as equages aproxima das do Apéndice A: he 16K T+h, 1+ 110 14,410 Observe como este valor estd proximo ao valor determinado por hue _ 16K hy = r= = B lice meen, i roe 20 us 1+ 110 hae Th O18 HS Substituindo o circuitohibrido equivalente para base-comum no cicuito da Fig. 8.52 resultaré, entio, no cicuito equivalente para pequenos sinais da Fig. 8.53, O cieuito de Thévenin para o circuito de entrada resultard em Ry, = 3 kM | 1 kM = 0,75 kA para R, na equagio de Z,. (a) Bq, (8.109): _ hahieRe T+ hp Re 0,991)(0,883 x 10™4)(2,2 k®) = HALO — "TT 0.18 wSV22 KD) = 14410 + 0,190 14,60. versus 14.41 KA, usando Z, = hi. Zi= 3kM|Z, = Z; = 14,600 = -0,991 = hy Como 3k > Z,1',= I, A", = 1), = —1 também. HVE hip (©) Ba (8108). A= y= FSG hcy = pho, os =(-0,991)2.2 kM) 14410-40441 9018 4S)-~ 0,991(0883 x10-)]22K0, = 149,25 versus 151,3 usando A, = hgR/hy, (@) Eq, 8.110): z<——_1__ hash ig + RO) 1 © 0,18 wS — [0,991,883 x 10-Y/(14,41 + 0,75 kQ)] 1 © 0295 uS = 339M, versus 5,56MQ usando Z, * Why. Para Z’,, conforme definido pela Fig. 8.53: Zi = Rl = 2.2 K0]3,39 MO = 2,199 kO versus 2,2 kO usando 2", & Re. 8.11 QUADRO RESUMO ‘Agora que as configuragdes mais comumente utilizadas dos amplificadores a transistor para pequenos sinais foram introdu- Zidas, 0 Quadro 8.1 € apresentado resumindo as caracteristicas zgerais de cada um. Deve ficar absolutamente claro que os valo- res listados so valores tipicos, e estabelecem apenas uma base para comparacdo. Os niveis obtidos numa anélise real serdo muito provavelmente diferentes, ¢ na certa o sero de uma configura- ‘sdo para outra. Ser capaz de recordar as varias informagoes dos ‘quadros € um passo inicial importante para 0 desenvolvimento Fig. 8.53 Equivalemte para pequenos sinas do crcuito da Fig, 8.52Aalise do TB para Pequenos Sais 261 (QUADRO 8.1 Valores Relativos para os Parametros Importantes dos Amplificadores EC, BC ¢ CC Transistor Configurago z Zz 4 A Poarizagtofxa : Medan | Média KO) ‘ta (200) ee cae Re mab] -[e “Be =[m (a= 108%) (= 10 [8 te = 10Re, Re = 106r,) Polarizagto por Média (kD) Ate (50) visor de en = [RRSP Zl Li PAR IRGI. [ioe RoxRI + Be) ( =[k Be (7, = WOR) RS Ge Polarizagdo com Veo Alta (100k) “Média (2 k£2) desviado Res = [Rez =([Re 2 Bre+ Re) | Quaiqer valor ‘er aloe Be Re>n) teate >) Segudorde- ‘nvaciooKa) | Baixa 2040) Baixa(= 1) At (~50) -(—e - [i] = Bee + Rd Reve = [Be] ia] &>n) Base comum Bana aim | Mésia2%m ‘Aka 200) Baixa—) Rae [ee] “5 [=H] >) Realimemagéonocoletr yn. Média (140) Média 24) ‘Ata (—200) Atta (50) ke ge Z Rake T,%| | Gime oe) (7,2 10Re) (r5 10Re Re Ro262 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos de uma familiarizago geral com o problema em questio. Por ‘exemplo, alguém seria capaz, agora, de afirmar com certa segu- ranga que a configuraco seguidor-de-cmissor tem, tipicamente, uma alta impedancia de entrada, baixa impediincia de safda e um ganho de tensfo pouco menor que 1. Nao haveria necessidade de realizar uma série de cdlculos para recordar estas caractersti- cas relevantes. No futuro, isto permitird o estudo de um circuito ou sistema sem envolvimento matemiético. A fungdo de cada componente do projeto se tornard cada vez mais familiar quan- do estas propriedades acima descritas se tornarem parte de sua formagao. ‘Uma vantagem Sbvia de ser capaz de lembrar de tais propri- edades ¢ a possibilidade de conferir os resultados de uma andlise matemiética, Se aimpedincia de entrada de uma configuragaoem base-comum esta na faixa de kiloohm, hé um bom motivo para cconferir a andlise. Por outro lado, um resultado de 220 sugere que a anélise pode estar correta 8.12 VERIFICACAO DE DEFEITOS Embora.a terminologia verficagdo de defeitos sugira que 0s pro- cedimentos a serem descritos sao titeis simplesmente para isolar ‘um mau funcionamento, é importante compreender que as mes- ‘mas téenicas podem ser aplicadas para assegurar que um siste- ‘ma esté funcionando apropriadamente. Em qualquer caso, 0 tes~ te, conferéncia ou procedimento de isolar defeitos requerem um entendimento do que se espera encontrar em vérios pontos do Circuito em ambos os dominios de e ac. Em muitos casos, um circuito operando corretamente no modo de também funcionaré apropriadamente no dominio ac. Por sua vez, um circuito forne- ‘cendo uma resposta ac esperada est4, muito provavelmente, po~ larizado como planejado. Num ambiente tipico de laboratério, ambas as fontes de e ac sio aplicadas, e a resposta ac em varios Pontos no circuito € conferida com um osciloscdpio como mos- Vee ha de terra * i trado na Fig. 8.54. Note que a ponta preta (terra) do osciloscépio estd conectada diretamente & terra, € a ponta vermelha é movida de ponto em ponto no circuito, fornecendo os diagramas que aparecem na Fig. 8.54. Os canais verticais sao fixados no modo ac para removerem qualquer componente de associado com a tenso em um ponto particular. O pequeno sinal ac aplicado na ‘base € amplificado para o nivel que aparece do coletor para a terra. Note a diferenga nas escalas verticais para as duas tenses. Nlo |hé resposta ac no terminal emissor devido ao curto-circuito pro- vocado pelo capacitor na frequéncia aplicada. O fato de v, ser medido em volts v, em milivolts sugere um ganho considersvel para o amplificador. Em principio, o circuito parece estar ope- rando corretamente. Se desejado, 0 modo de do multimetro po- deria ser usado para conferir V,,€ 0s niveis de Vy. Vay € V, para rever se eles residem na feixa esperada. Certamente, 0 oscilos- cépio também pode ser usado para comparar niveis. IE desnecesséirio dizer que uma resposta ac incorreta pode ser 0M THEN PRINT "but maximum undistorted output 46" 7UM: ex. 13200 Rey Module to perform BIT ac analysis using re model 1i2io ROSRI= (Ray (Rist) 41220 RP=RC* (RL (RCHRL) ) 11230 BbeR2*ec/(RI+R2) 11340 B= (abe. 4) (BETAS) / (RB¢BETAS(E1+E2)) 41350 RE=.026/ TE 31360 ROSBETAS (REVEL) 11390 REZRBE(RS/ (RBER3)) 11380 Ro=Re 11250 Ar=(RC/ (RC+RL) ) *BETAM (RB/ (RBFR3)) Meo AvesRe/ {B1+RE) 11310 Grave (RI/ (REFRS) ) 1320 vooavevr 11330 Vuewos (Rt (ROFL) ) 11340 RETURN ti forms the ac calculations Tor abit voltagendivider Geing the re and beta pareneters. Enter the following circuit data: Roe? 56E) REQ? 8.263 Re=? 6.883 Unbypassed emitter recistance, REI=? 0 Dyptssed enitter resistance, RE2=? 1.569 Beta=? 90 voltage, voc? 22 Rin? 1083 Source Woe, RSA? 600 source Vie? 1E-3 me results of the ac anslysis ai ‘oer gta "ta 2ta"ahe -1470291 volts output voltage(under load), Vi Fig, 865 Continuagio + Oa, y = +t Fig, .66 Circuito analisuo polo médulo que se estende ds linhas 11210 até 11260 do programa em BASIC da Fig, 8.5.274 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos particular, note como o programa em BASIC pode ser escrito para fornecer informagGes sobre o sistema de uma forma cla- ra, concisa e tabulada. O nivel de R, = R’ | Br, = 1.349,63.0 que € diferente do RI, no PSpice, seré obtido jé que RI incl somente a impedancia de entrada da configuragao do transis- tor (Br,). O ganho sem carga é 353, 26 0 qual esté razoavel- ‘mente de acordo com 368,76 obtido usando PSpice. O ganho de corrente de 4.9 X 10° A = 0 A é devido & auséncia de ‘uma carga para definir a corrente de safda. A auséncia de uma carga também provoca A, = A,,. PROBLEMAS § 8.2 Configuragao Emissor-Comum com Polarizacdo Fixa 1. Para o circuito da Fig. 8.67: (a) Determine Z, eZ, (b) Ache 4, e 4, (©) Repitaa letra (a) com r, (@)_Repitaa letra (b) com r, nv moa >| 2h p00 | 1 =a ko Fig. 8.67 Problemss I 2. Para circuito da Fig. 8.68, determine V,.para um ganho de ten- slo A, = =200, 47ka Mo 3 ig. 868 Problema 2. *3, Para o circuto da Fig. 8.69 (a) Caleule fy er (b) Determine Ze Z, (6) Caleule A, eA, (@) Determine o efeito de r, = 30k0 sobre A, € 4, pi lov axa f: er . 2 a a Be100 sok | paenka 410V Fig. £69 Problema 3 § 8.3 Polarizacao por Divisor de Tensio |. Para o circuito da Fig. 8.70: (a) Determine r,. (b) Caleule Z, eZ, (©) Ache A,e A, (@)_Repita as letras (b) €(c) com r, = 25 KO. Determine V.. para 0 citcuito da Fig, 8.71 se A, 1000. 160 er, = B= 100 ron SOKO 12k i Fig. 8:70 Problema 4 Fig. 871 Problema.ara ocircuito da Fig. 8.72; (a) Determine r.. () Caleule ¥, eV. (©) Determine Z,e.A, = VV, Fig. 872 Problema 6. §.8.4 Circuito EC com Polarizagao no Emissor Para ocircuito da Fig. 8.73 (a) Determine r. (b) Ache Ze Ze (©) Caleule A, eA, (@)_ Repitaas letras (b) ¢(¢) com r, = 20 KO. aaa sma 9 |! — _f B-10 Yet erika 4 ~ 1.22 “7, Fig. 873 Problemas 7,9. ara circuit da Fig, 8.74, determine Re R,seA, = ~10e7, = 3,8 Q. Assuma que Z, = BR. Repita 0 Problema 7 com R, desviado. Compare os resultados. Para o citcuito da Fig. 8.75 (a) Determine r, (b) Ache Z,e 2, (©) Caleule 4, e4, Analise do TB) para Pequenos Sinais 275 ov = ig, 8:74 Problema vy Beso & r= 40K % 12k oarka Ce 1 Fig, 8: Problema 10. § 8.5 Configuragio Seguidor-de-Emissor 11, Para circuito da Fig 8.76: (a). Determine 1. Br. (b) Ache Ze, (©) Caleule A, € A, Para ocicuito a Fig. 8.71: (a), Determine ZZ, (b) Ache A. (©) Caloule V, se ¥;= I mv. "12 ov mos ve h 7, Fig. 8.76 Problema 11276 —_Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos nv Fig. 8.77 Problema 12 13, Para o eireuito da Fig. 8.78: (a) Caleule J, € Otome (c) Determine Z,¢ Z,, @ mes 2 ved ove A 7 wo OT Fig, 8:78 Problema 13. § 8.6 Configuracio Base-Comum 14, Para a configurasdo base-comum da Fig. 8.78: (a) Determine r.. (b) Ache Z,e Z, (©) Caleule A, 6A, -10v a= 0.99% n= IMO i nn Sara “ it Fig. 8:79 Problema 14 15. Para ocircuito da Fig. 8.80, determine 4, € A. Fig. 880 Problema 15, § 8.7 Configuracio com Realimentagao no Coletor 16, Para.a configuragao com realimentagio no coletor da Fig. 8.81 (@) Determiner (b) Ache Z,e 2, (©) Caleule A, 4, nv 39KQ 20K an Fig. 881 Problema 16 #17. Dados r, = 10.0, 8 = 200, 4, = —160¢ A, = 19 para ocircuito dda Fig. 8.82, determine Re Ry € Vie. wa 200 }* soKa Fig, £82 Problema 171s. 19. 21 aca o circuito da Fig. 8.30: (a) Deduza a equagio aproximada para A, (b) Deduza a equagio aproximada para 4, (@) Deduza as equagdes aproximadas para Z, €Z, (@) Dados R= 2,20, R, = 120kN, R, = 1.2 kM, B = He Vac = 10 V, caleule'& amplitude de A,, A, Z;e Z, usando as cequagses das letras (a) até (c). § 8.8 Configuragio com Realimentagao DC no Coletor Para o circuito da Fig. 883, (a) Determine Z,¢ Z,. (b) Ache A, e A, Fig. 8.83 Problema 19. § 8.9 Circuito Hibrido Equivalente Aproximado (@) Dados B = 120,r, = 4,5 Der, = 40 KO, esboce o ircuito hibrido equivalente aproximado. () Dados h,, = 1KO, hy = 2% 10", iy = We hy cesquematize 0 modelo r, Para o circuito do Problema (a) Determine r,. (b) Ache lig © hy (©) Ache Z.e Z., usando os parimetros hibridos. (@) Calcule A, € 4, usando os pardmetros hibridos (©) Determine Z,€ Z,, 8 hy = 50 HS. (Determine A, € 4, seh = 50 pS. 20 4S, 10 HE z ‘Analise do TB) para Pequenos Sinais 277 (2) Compare as solugdes acima com as do Problema I. (Nota: AAs solugbes estd0 dispontveis no Apéndice E, se o Proble- rma I nfo foi realizado.) 22, Para ocireuito da Fig. 8.84: (a) Determine Z,e Z,. (b) Caleule A,e 4, (©) Determine r, compare Br, com h,, Inv + ig. 8.84 Problemas 22,24 23, Para o circuito base-comum da Fig. 8.85: (a) Determine Z,e Z, (b) Calcule 4,e A, (©) Determine a, B, r.€ re § 8.10 Modelo Hibrido Equivalente Completo *24, Repita as letras (a) e (b) do Problema 22 com h, = 2X 10~e ‘compare os resultados. Para o cireuito da Fig. 8.86, determine: (@ Z, @) AL © A @ Z *25. Fig, 885 Problema 23,278 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos nv Vv Fig 886 Problema 2s. "26. Para o amplificador base-comum da Fig. 8.87, determine: 29, (a) Escrevaco arquivo de entrada PSpice para o circuito da Fig. (a) Z 8.13 (Exemplo 8.3) e obtenha onivel de V, para V, = 1 mV. () A. (b). Realize a anélise PSpice e compare o resultado para V, com ©) Ay (5 resultados do Exemplo 8.3. @ Z 30. (a) Escrevao arquivo de entrada PSpice para. circuito da Fig. 8.25 (Exemplo 8.8) e obtenha o nivel de V, para V, = 1 § 8.12 Verificacao de Defeitos mV. (b) Realize a andlise PSpice e compare o resultado para V, com "27. Dado o circuito da Fig. 8.88 (0s resultados do Exemplo 8.8. (@) Determine se o sistema esté operando apropriadamente, 31. (a) Escreva um programa em BASIC para determinar Z, Z,,A, bbaseado nos niveis de polarizagao por divisor de tensio © para o circuito da Fig, 8.9 (Exemplo 8.2). nas formas de onda para v, €¥.- (b) Realize a andlise da parte (a) e compare os resultados do (b)_ Determine arazBo para os niveis de obtidos e por que a for Exemplo 8.2. ‘ma de onda para v, foi obtida, 32. (@) Escreva um programa em BASIC para determina Z, Z,,A, eA, para o citcuito da Fig. 8.13 (Exemplo 8.3). § 8.13 Analise por Computador (b) Realize a andlise da parte (a) e compare os resultados do Exemplo 83, 28. (a) Escrevao arquivo de entrada PSpice para o citcuito da Fig. 33. (a) Bscreva um programa em BASIC para determinarZ, Z,.4, 8.6 (Exemplo 8.1) oblenha o nivel de V, para V, = 1 mV. A, para ocircuito da Fig, 8.25 (Exemplo 8.8). (b)_ Realize a anslise PSpice ¢ compare o resultado para V, com () Realize a andlise da parte (a) e compare os resultados do (9s resultados do Exemplo 8.1 Exemplo 88, Fig. 887 Problema 2.34 35, “Analise do TB pata Pequencs Sinais 279 ve(V) Fig, 888 Problema 27 ULtizando o programa PSpice versio Windows, determine o ga- 36. Utilizando o programa PSpice versio Windows, determine 0 rho para ocircuito da Fig. 8.6. Utilize o recurso Probe para mos- ‘ganho para o circuito da Fig. 8.25. Utilize o recurso Probe para tar as formas de onda de entrada e saida, ‘mostrar as formas de onda de entrada esafda. Urtilizando o programa PSpice versio Windows, determine o ga- iho para o cicuito da Fig. 8,13. Utilize orecurso Probe para mos- | —_____—— trar as formas de onda de entrada e safda. Obervgio: Os asteiscsinicam problemas mas dis