Transistor Bipolar

Semicondutores: Transistor BJT
12/02/2015 Por : Lus Timteo 1

A Vlvula Electrnica
Desde o incio do sculo XX, at dcada de 50s o reinado foi da vlvula de vcuo, tendo a electrnica
evoludo de modo assombroso como hoje!...
Com o fim da Segunda Guerra Mundial, a grande super potncia vencedora, os EUA, definiram que a
fora area era um ramo militar demasiado importante, e que precisava de electrnica adequada para
as misses que se adivinhavam Mas a electrnica da poca estava desenhada, para navios de
guerra, tipo forte e feio, pesada, e de muito consumo de energia, nada compatvel com o embarque
em avies!...
Assim, foram nomeados cientistas e investigadores,

afim de encontrarem um substituto para a vlvula
electrnica
http://www.stanford.edu/class/ee122/Handouts/

O Transistor de contacto
Em 1947 um grupo de cientistas, composto por William Shockley, John Bardeen e Walter
Brattain, nos laboratrios Bell. Resolveram "voltar no tempo", poca dos antigos rdios
a cristal. Ao contrrio dos equipamentos a vlvulas, os velhos rdios experimentais a
cristal eram capazes de detectar as altas frequncias, descoberta de Ferdinand Braun, que
dizia que cristais podiam transmitir electricidade num nico sentido. A, poderia estar um
substituto para as vlvulas...
O efeito transistor observado pela primeira vez por Bardeen, Shockley e Brattain nos
laboratrios da Bell Devido a um acaso! em contactos com cristais.
Transient resistor. Transistor

Crystal Triode
Plstico
Mola
Plstico
Emissor Colector
Folha de ouro
P
Germnio
N
Base Base de Metal

Crystal Triode
Ligao do Emissor
Emissor Colector
Ligao Colector
Germnio tipo -P
Germnio tipo -N Guia plstico das ligaes
Base
Germanium
Base contacto
Shockley decidiu demonstrar que era o verdadeiro crebro da operao, pelo que, ele
secretamente continuou o seu trabalho para construir um tipo diferente de transistor
baseado em junes em vez de contactos pontuais; ele esperava esse tipo de projecto
seria mais provvel que fosse comercialmente vivel. O transistor de contacto, seria frgil,
difcil de fabricar, e de fraco desempenho. Shockley tambm estava insatisfeito com
algumas partes da explicao de como o transistor de contacto trabalhou, e concebeu a
possibilidade de injeco de portadores minoritrios
O Transistor de juno
Por: William B. Shockley
Em 1948. John N. Shive, construiu um transistor de contacto, com os contactos em bronze
na parte da frente e por detrs da cunha fina de germnio, provando que os buracos
(lacunas) se podiam difundir atravs germnio grosso, e no apenas ao longo da superfcie,
como se pensava anteriormente. A inveno do Shive despoletou a inveno do transistor de
juno de Shockley .
Poucos meses depois, e depois de muito estudo, ele inventou um transistor inteiramente
novo, muito mais robusto, com uma estrutura de camadas ou "sanduche". Esta estrutura
passou a ser utilizado para a grande maioria de todos os transistores na dcada de 1960, e
evoluiu para o transistor de juno bipolar. O transistor bipolar de juno tinha sido
inventado. Emissor
Tipo-P Base
Germnio tipo-N Tipo-N
Tipo-P
Colector
Deposio de ndio Deposio (recombinao)
a 550C
BJT Transistor de Juno: Laboratrios Bell
Os Laboratrios Bell licenciaram a tecnologia do transistor de juno a vrias
companhias
O 1 transistor de juno
1948
O 1 Transistor Comercial, foi o Raytheon CK703
1953
O 1 Transistor com sucesso Comercial, foi o Raytheon

CK722

Duas junes P-N
- - - -
+
-
+
-
+
+
+
+
+
- - - - - -
+
+
-
+
- - -
+ +
-
+ +
-
+
+
+
- - - - - -
+
+
-
+
- - - - -
+
+
-
+
-
+
+
P N N + - P
Concentrao
de lacunas
O transistor exibe duas junes:

Por isso, um transistor como dois diodos - Juno emissora (entre o Emissor e a Base).
reflectidos entre si. - Juno colectora (entre o Colector e a Base).

P N N N P
Se a zona central muito ampla, o comportamento o de dois diodos em srie: o

funcionamento da primeira unio no afecta o da segunda.

Efeito Transistor
P Emissor N Base P Colector

Isso consegue-se com nveis diferentes de dopagem, sendo o Emissor mais dopado que o
Colector.
Com a diminuio da zona central, o comportamento diferente: o funcionamento do
transistor...
A difuso dos electres livres atravs da juno produz duas camadas de depleo. Para cada uma
dessas camadas de depleo, o potencial da barreira aproximadamente igual a 0,7v (Si) e 0,3v
(Ge).Pelo facto das trs regies terem diferentes nveis de dopagem, as camadas de depleo no
possuem a mesma largura.
Efeito Transistor
VBE VCB
Base
Emissor Colector
P N P
As regies n e p so diferentes tanto geometricamente quanto em termos de
concentrao de dopagem.
Por exemplo, a concentrao de dopagem no colector, base e emissor devem ser 1015, 1017
e 1019, respectivamente
O terminal central (Base) controla uma fraco da corrente que circula entre os outros
dois terminais (Emissor e Colector)
O Transistor Bipolar
Fluxos de corrente num transistor NPN operando na Zona Activa

Electres
A juno Emissor/Base directamente polarizada.
Lacunas
IE
A juno Base/Colector inversamente polarizada. IC
A espessura da regio da Base tipicamente 150 IB
- VBE + -VCB +
vezes inferior espessura do dispositivo.
A polarizao directa da juno Base/Emissor causa um fluxo de portadores maioritrios
(electres) da regio n para a regio p.
..e de portadores minoritrios, lacunas(buracos) da Base para o Emissor.
A soma destes dois fluxos conduz corrente de emissor IE. IC
VCB
IB
A maior mobilidade apresentada pelos electres, faz com
que as caractersticas do transistor NPN sejam melhores VCE
que as de um PNP de forma e tamanho equivalente. Os
NPN usam-se em maior nmero de aplicaes VBE I
E

Fluxos de corrente num transistor npn operando na Zona Activa

N P N
Colector
Emissor
P Base
VBE VCB
O transistor construdo de tal forma que praticamente toda a corrente constituda pelo
fluxo de electres do Emissor para o Colector. A regio do Emissor muito mais fortemente
dopada do que a regio da Base e do Colector.
A regio da base muito fina comparada com a espessura das regies do emissor e do
colector. Os electres que fluem do Emissor para a Base, atravessam esta regio e so
atrados para o Colector, antes de haver tempo para a recombinao com as lacunas na
base. A corrente no Colector da mesma ordem de grandeza da corrente no Emissor.
Transistor NPN: Perfil da densidade de Portadores
Perfis das concentraes de portadores minoritrios na Base e no Emissor de um transistor
npn operando no modo activo: VBE > 0 e VCB 0.
VCB
Emissor (N+) V
Deplexo BE Base (P) Deplexo Colector (N)
JEB JBC
n(x) n p ( 0)
Concentrao de
Electres np ideal
Concentrao de Lacunas
I p(x) np com
recombinao O Campo elctrico
pn 0 W remove os electres
p n ( 0) Largura efectiva livres
da Base
ncoletor = 0 JBC directamente
polarizada
n p (0) n p 0e vBE / VT
A densidade de electres livres decresce na Base. No Colector os electres livres so removidos pelo
campo elctrico.
Como a Base tem um comprimento bastante inferior ao comprimento de difuso o decrscimo linear.
A Base (tipo-p) bastante menos dopada que o emissor (tipo-n) logo a concentrao de lacunas
bastante inferior concentrao de electres livres.
Transistor NPN: Corrente maioritria
Emissor (n) VBE VCB
Colector (n)
n p ( 0)
A tenso VBE aumenta com a
Base (p) concentrao de electres livres
p(x) no Emissor.
E
I
vBE
d n p ( x) ni2
I C I n AE q Dn n p (0) n p 0 e vT
np0
dx NA
n p (0)
AE q Dn AE q Dn ni2 vBE / vT
W IC e
NA W
O Emissor (tipo-n) muito mais dopado que a Base (tipo-p) donde resulta que a corrente
maioritariamente formada por electres livres, que se deslocam directamente do Emissor
para o Colector!

Transistor NPN: A corrente de Colector IC
Corrente de difuso de electres In :
dn p ( x) n p(0)
I n AE q Dn
dx AE q Dn
W

IS: factor de escala de corrente
A corrente de Colector IC = In
n p 0 (0) ni2
IC I S e v B E / VT
I S AE q Dn AE q Dn
W W NA
Observe que a magnitude de IC independe de vCB (contanto que seja 0).
O Transistor na zona activa comporta-se como um diodo polarizado directamente com
uma corrente de saturao dada por Is, mas em que corrente flui num terceiro terminal
denominado de Colector!

Transistor NPN: A corrente de Base IB
Tem duas componentes:
- iB1 Corrente minoritria devido s lacunas que se deslocam da Base para o Emissor.
Equao equivalente corrente de lacunas de uma juno p-n.
AE q D p ni2 vBE / VT Dp: Difusidade das lacunas no Emissor;
iB1 e Lp: Comprimento de difuso de lacunas no Emissor;
N D LP ND: Concentrao de dopantes no Emissor.
Qn tB:Tempo mdio que um electro demora at se
iB1
B
recombinar com uma lacuna.
Qn: carga do portador minoritrio (electro) na Base.
1
Qn AE q n p (0) W
2
-iB2 = Corrente de reposio dos electres que se recombinam com as lacunas ao
atravessarem a Base. Qn 1 AE q W ni2 vBE /VT
iB 2 e
b 2 bNA

Transistor NPN: A corrente de Base IB (Cont.)
I C I S vBE /VT
I B iB1 iB 2 e

: ganho de corrente com Emissor Comum (usualmente, 100 < < 200).
D p N A W 1 W 2 Constante para um transistor em

1 particular (no caso ideal).

Dn N D LP 2 Dn b
Para obter um elevado valor de (desejvel), a Base deve ser fina (W

pequeno) e levemente dopada e o Emissor fortemente dopado (NA / ND
pequeno).


Transistor NPN: Ganho de corrente do Transistor ()
Combinando as equaes anteriores: 1

Dp N A W 1 W 2

Dn N D LP 2 Dn B
Temos ainda a relao de Einstein:Dn B L2n
Deve-se notar que:
Beta () aumenta com a diminuio da largura da Base
Beta aumenta com a concentrao de impurezas no Emissor e diminui com a
concentrao de impurezas na Base.
Beta normalmente considerado aproximadamente constante para um dado

transistor apesar de variar com vrios factores

Transistor NPN: A corrente de Emissor IE
1 1
I E I C I B I C I S evBE /VT

I S vBE / VT
IC IE , , IE e
1 1
: constante para um transistor em particular (idealmente), < 1 (se, por ex., = 100
0,99).
Pequenas variaes em a correspondem a grandes variaes em .
: ganho de corrente em Base Comum.

Relaes corrente-tenso do BJT no modo Activo de operao

Transistor NPN:

IC IS e v B E / VT
1 1
IC IS vBE /VT kT
I
B

e VT Tenso trmica
q
25 mV temperatura ambiente
I S vB E / VT
IC
IE e

Para o transistor PNP, substituir VBE por VEB.
I B 1 I E
IE
IC I E
1
IC I B I E 1 I B
Fluxos de corrente num transistor PNP operando na Zona Activa

O transistor PNP opera de forma semelhante ao
Lacunas
descrito para o transistor NPN.
Electres
IE
A tenso VEB polariza directamente a juno EB. A IC
tenso VBC polariza inversamente a juno CB. IB
+ VEB - +VBC-
No transistor PNP as correntes so sobretudo devidas a correntes de lacunas ou buracos

As correntes de difuso de electres livres da Base para o Emissor so muito pequenas em
comparao com as correntes de lacunas em sentido contrrio. PNP
VCB IC
A regio do Emissor, tal como no transistor NPN, muito mais
fortemente dopada do que a regio da Base. A espessura da
Base muita pequena em comparao com as dimenses do IB VCE
dispositivo.
VBE
IE


O transistor PNP opera de forma semelhante ao
Lacunas
descrito para o transistor NPN.
Electres
IE
A tenso VEB polariza directamente a juno EB. A IC
tenso VBC polariza inversamente a juno CB. IB
+ VEB - +VBC-

As correntes de difuso de electres livres da Base para o Emissor so muito pequenas em
comparao com as correntes de lacunas em sentido contrrio. PNP
VCB IC
A regio do Emissor, tal como no transistor NPN, muito mais
fortemente dopada do que a regio da Base. A espessura da
Base muita pequena em comparao com as dimenses do IB VCE
dispositivo.
VBE
IE

P N P
Emissor Colector
Base
VBE VCB
O terminal central (Base) controla uma fraco da corrente que circula entre os outros
dois terminais (Emissor e Colector).

Alguma semelhana com as vlvulas pura coincidncia(?)!....
Emissor P N P
Colector
Base
- --
e -
- I
Emissor Colector
N P N
Base
Base pouco dopada Emissor mais dopado que o Colector.

Funcionamento do Transistor Bipolar

Equivalente hidrulico do transistor
Colector
Base 3
1 2
1. Base
2. Emissor
3. Colector
Emissor


Equivalente hidrulico do transistor
h2 Caudal Abertura
h1 - h2
h1

http://www.learnabout-electronics.org/Downloads/Fig316dl_bjt_operation.swf
Forma real dos transistores Bipolares

Transistor PNP
N- Transistor NPN planar de difuso
dupla
B E
SiO2
E C
P+
N+ P-
P
N
B N+
C
Forma real dos transistores Bipolares TO-220

Encapsulado TO-126
TO-92 TO-18
BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
MJE13008 (NPN)
TO-3 TO-5 IRF840 (MOSFET, N)
2N3055 (NPN) BD135 (NPN) BDX53C (Darlington)
BU326 (NPN) BD136 (PNP)

Transistores
Tipo de Transistores
NPN
BIPOLARES
PNP
TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

UNIO
CANAL P (JFET-P)
EFEITO DE
CAMPO
METAL-XIDO- CANAL N (MOSFET-N)
SEMICONDUTOR
CANAL P (MOSFET-P)
* FET : Field Effect Transistor

O transistor bipolar consiste de junes pn, construdas de uma maneira especial e ligadas
em anti srie. A corrente produzida, quer por electres, quer por lacunas, e da a
designao de bipolar.
Bipolar: dois tipos de cargas, electres e lacunas

(buracos), envolvidos nos fluxos de corrente
Junes: duas junes pn. Juno Base/Emissor e

juno Base/Colector.
Tipos: NPN e PNP.
Terminais: Base, Emissor e Colector

NPN
Smbolos:Colector PNP
Emissor
Base Base
Emissor Colector
Convenes
Os sentidos de referncia adoptados para tenses e correntes aos terminais do transistor
so escolhidos de tal modo que, para o funcionamento na zona activa directa, as
correntes so positivas.
NPN PNP
IC VBC IC
V CB
IB
IB VEC
V CE
VEB
V BE I IE
E
O funcionamento dos dois tipos de transistores muito semelhante; quando sem passa de
um para outro, todos os resultados se mantm se se trocarem os sentidos das tenses e
das correntes
Modos de operao: Transistor NPN

RC
Corte RB
IC
VBE 0,7 / IB= 0 / IC= 0 VCE
IC
VCB IC 0, IE 0 e IB 0 VBB IB VBE IE VCC
IB
VCE Zona Activa

VBE 0,7 / VCE 0,3 / IC 0 / IB 0
VBE IE VCB > 0 -IC (-IE ) IC IB
Saturao
VCE 0,3 / IC= Icmx
VCB < 0 (VCE 0)
IC VCC/RC

Modos de operao: Transistor NPN

Curvas caractersticas da Montagem Emissor Comum (EC)
IB = 80 A
Regio de saturao

IC ( mA)
IB = 60 A Regio activa
IB = 40 A Regio de corte
Ruptura
IB = 20 A
RC
RB
IB = 0 A VCC
VBB VBE VCE
VCE (V)
Na Regio Activa: juno EB com polarizao directa, BC com polarizao inversa.
Aplicao: - Amplificao.
Na Regio de corte: As duas junes esto polarizadas inversamente: circuito aberto.
Na Regio de saturao: As duas junes esto polarizadas directamente: curto-circuito.
Modos de operao
Juno Juno
Modos Aplicao
EB CB
Corte Inversa Inversa Aplicaes de

comutao em
Saturao Directa Directa circuitos digitais
Activo Directa Inversa Amplificador
Inversa Degradao do
Inversa Directa
Activo desempenho

O BJT como amplificador
Caractersticas bsicas
Muito mais til do que dois dispositivos terminais (tais como diodos).
A tenso entre os dois terminais pode controlar a corrente que flui no terceiro terminal.
Pode-se dizer que a corrente do colector pode ser controlada pela tenso atravs da
juno EB.
A aplicao mais usual como amplificador.
Representao Grfica das Caractersticas do transistor

As Curvas caractersticas referem-se a uma determinada configurao.
As Curva de entrada so muito semelhantes s do diodo, apenas as curvas de sada
sero sempre mostradas aqui.
As Trs regies so mostrados nas curvas de sada.
O Efeito de Early mostrado nas curvas de sada na configurao EC.

O Transistor Bipolar NPN

O BJT como amplificador iC
Configurao de Emissor Comum (EC): Curvas caractersticas +
Zona Activa VCE
+ _
VBE _
ENTRADA Sada
iC=iB
Diodo polarizado directamente
Ib=60uA
Ib=20uA

Configurao de Emissor Comum (EC): Efeito de Early
No Modo activo de operao BJTs mostram uma certa dependncia da corrente de
Colector com a tenso de Colector.
NPN
IC
Regio Saturao
IC
+ VBE
+ VCE Regio Activa
V_
BE _ VBE
VBE
VBE
-VA VCE
As suas caractersticas IC VCE no so linhas rectas horizontais.
Quase horizontal, mas com ligeira inclinao positiva (efeito de Early).
Regio Saturao
IC VBE > 0.
Regio Activa VCE pequeno (VC < VB) JCB:
VBE polarizao directa regio de
saturao.
VBE
VCE VCB < 0 JCB: pol. inversa
VBE espessura da regio de
deplexo na JCB WEFETIVA DA BASE
IS IC : Efeito Early.
VBE
-VA VCE
Relao linear de IC com VCE : assumindo que IS permanece constante a corrente de
Colector modificada pelo termo :
VCE
IC I S e VBE / VT
1
VA
Inclinao no-nula das linhas rectas IC VCE : a impedncia de sada do Colector no
infinita.
Regio Saturao
A Inclinao no-nula das linhas rectas IC VCE que IC
a impedncia de sada do colector finita e definida Regio Activa
por: VBE
1
i VBE
ro C
vCE VBE
v BE constante

VBE
-VA VCE
Da equao anterior deduz-se que: ro VA / IC
IC : o nvel da corrente correspondendo ao valor constante de VBE prximo fronteira
da regio activa.
Esta dependncia de iC com vCE no projecto e anlise do circuito de polarizao

normalmente no considerada; no entanto, a resistncia de sada finita ro pode ter um
efeito significativo no ganho de amplificadores a transistores.
IC
IB
-VA VCE
Verde = IC Ideal .
Encarnado = IC Actual (IC).
VCE
IC = I C +1
VA
Early Effect Example
Given: The common-emitter circuit below with IB = 25A, VCC =
15V, = 100 and VA = 80.
Find: a) The ideal collector current
b) The actual collector current
Circuit Diagram
VCE
IC = 100 = IC/IB
a)
IC = 100 * IB = 100 * (25x10-6 A)
+ IC = 2.5 mA
VCC _ IB
b) IC = IC VCE + 1 = 2.5x10-3 15 + 1 = 2.96 mA

VA 80
IC = 2.96 mA
Kristin Ackerson, Virginia Tech EE

Spring 2002
Circuit Diagram
VCE
IC
+
VCC _ IB

Curvas na regio activa so mais inclinadas do que aqueles na configurao BC

Tenso de Early.
Largura efectiva da Base com modulao.
(Menor largura de Base, menor valor da tenso de Early, forte efeito de
modulao por largura de base, forte dependncia linear de iC em vCE.
Modelo de Circuito Equivalente DC C

iC (a)
Modelo de circuito equivalente do BJT npn para grandes
sinais a operar no modo activo. I S evBE /VT
iB
B
DE
vBE (ISE =IS/F)
O modelo da figura (a), representa o BJT como uma fonte de
corrente controlada por tenso, sendo vBE a tenso de iE
controlo. E

Configurao de Emissor Comum (EC): Modelo de Circuito Equivalente DC
C
iC (b)
Em b) o BJT representado por uma fonte de corrente
controlada por corrente (amplificador de corrente).
F iE
Anlise DC iB
B
Usando o modelo simples de queda de tenso constante, DE
assume-se que vBE0,7V , independentemente do valor vBE iE (ISE =IS/F)
exacto das correntes.
Supondo que o dispositivo opera na regio activa, pode-se aplicar a
relao entre IB, IC, IE, para determinar a tenso VCE ou VCB. E
Verificar o valor de VCE ou VCB, se:
i. VC>VB (ou VCE>0.2V), a suposio est correcta.
ii. VC<VB (ou VCE<0.2V), a suposio est incorrecta. Significa que o BJT est
operando na regio da saturao. Assim, vamos supor que VCE=VCE(sat) para obter
IC. Aqui, o ganho de corrente de emissor comum, definido como forado=IC/IB,
vamos encontrar forado< .
Configurao de Emissor Comum (EC): Anlise DC
Circuito Conceptual
(a) circuito conceptual para ilustrar o funcionamento do

transistor como um amplificador.
(b) O circuito de (a) com o vbe, fonte de sinal, eliminado para

anlise DC (polarizao).
Com as fontes de corrente contnua
(VBE e VCC) eliminados (curto-
circuito), portanto, apenas os
componentes de sinal esto
presentes.
Note-se que esta uma representao do
funcionamento do BJT com sinais, e no
um circuito amplificador real.

Configurao de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais
Transcondutncia iC
Resistncia de Entrada na Base
Declive =gm iC
Resistncia de Entrada no Emissor
Modelos - Hbrido e Modelo T I Q
t
C
Transcondutncia
VBE
I CQ
Expresso: g m VT
vbe vBE
Significado fsico:
gm a inclinao da curva iC-vBE para a polarizao
no ponto Q .
temperatura ambiente, g m 40ms t

Configurao de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais Modelo -Hbrido
(a)
i i
b c
B C O circuito equivalente em (a) representa o BJT como
+ uma fonte de corrente controlada por tenso (um
v r amplificador de transcondutncia).
be
_ gm.vbe gm= IC/VT
r= / gm
i (b)
e
i i
b c
E B C
+
v r .ib
O circuito equivalente em (b) representa o BJT como uma be
fonte de corrente controlada por corrente (um amplificador _
de corrente).
i
e
E
Configurao de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais Modelo T
C C
(a) ic (b) ic
gm.vbe gm= IC/VT .ie

ib re= VT/IE= /gm ib
B B
vbe vbe
ie re
re
ie
E E
Estes modelos apresentam explicitamente a resistncia Emissor re ao invs do r

resistncia de Base, em destaque no modelo -hbrido.

Configurao de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais
(a) Resistncia de entrada pela Base:
i i
c
B
b
C vbe V
r T
+ ib I BQ gm
v r
be
_ gm.vbe
C
(b) ic
i
e gm.vbe
E Resistncia do Emissor: ib
B
vbe V
re T vbe
ie I EQ gm re
Relao entre as duas resistncias:
ie
r (1 )re E
Configurao de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais- Ainda o Modelo - Hbrido
(a) (b)
i
B C b
B C
+
v r gm.v ro r .ib ro

_
E E
Expresso para a resistncia de sada.
1
i VA
ro C
v v B E const.
IC
'
CE
Resistncia de sada representa o efeito de Early (ou modulao de largura da Base).

Configurao de Emissor Comum (EC): Modelos de pequenos sinais- Modelo para PNPs
Os Modelos derivados do transistor tipo npn, aplicam-se igualmente aos

transistores pnp sem alteraes de polaridades. Como o sinal pequeno no
pode alterar as condies de polarizao, os modelos de pequenos sinais so
independentes das polaridades.
No importa qual a configurao, o modelo nico. Qual a ser seleccionado,

determinado apenas pela anlise mais simples.

Configurao de Emissor Comum (EC): Anlise grfica
Corrente de Base: IB Declive =
1
iB RB
Q
IB
VBE VBB vBE
Construo grfica para a determinao da corrente DC da Base no circuito.
Recta de carga cruza-se com a curva caracterstica de entrada no ponto Q.

Corrente de Base: IB
RC
RB
IC
IC
VBB IB VCE
VCC VBE VCC
IB4
RC
IB3
IB2
IB1
VCC VCE

Corrente de Base IB iC
Apesar de ser pouco prtico para a anlise e projecto de circuitos com
transistores, a anlise grfica , no entanto, til para compreender o
funcionamento de um circuito amplificador. Faamos por isso a anlise
grfica do funcionamento do circuito da figura seguinte. iB vCE
O circuito da base impe que: vBE
ou seja:
O que representa, para um dado valor de vi , uma relao linear entre vBE e iB.
iB - 1/RB
Esta relao pode ser representada por uma recta de
inclinao - 1/RB, como mostra a figura seguinte, para vi=0.
A corrente de polarizao da Base, IB e a tenso de IB
polarizao, VBE, correspondentes a vi=0, so dadas pelas
coordenadas do ponto de interseco dessa recta com a
curva caracterstica iB - vBE como mostra a figura. VBE VBB vBE
Ponto de funcionamento: RC RC
RB
IC
VBB IB VCE
VBE VCC
IC
VCC IB4
RC1
IB3
VCC
RC 2
VCC
IB2
RC 3
IB1
VCC VCE

Ponto de funcionamento: VCC
RC
RB
IC
IC VBB IB VCE VCC
VCC 3 VBE
RC IB4
VCC 2 IB3
RC
VCC 1
RC
IB2
IB1
VCC1 VCC2 VCC3 VCE

Recta de Carga e ponto de funcionamento
RC
IC
RB
IC
VCC VBB IB
VBE VCE
RC IB4 VCC
IB3
Q
VCE = -IC RC+ VCC
IB2
VCC VCE
IB1 IC
RC
O VCC VCE
VCE IC RC
Recta de Carga
IC
VCC Q RC =1 kW
RC
IB4 RB=16 kW
IC
IB3 VBB = 2 V
Q IB VCE
VBE VCC=10 V
= 100
IB2
V BB (V) V CE (V) I c (mA) I B ( A)

0,7 10 0 0 Corte
IB1 0,8 9,375 0,625 6,25
Q 0,9 8,75 1,25 12,5
Regio Activa
1 8,125 1,875 18,75
VCC = 10 V VCE 1,2
1,4
6,875
5,625
3,125
4,375
31,25
43,75
VBE 0,7 V VBE = -IB RB+ VBB 1,6

1,8
4,375
3,125
5,625
6,875
56,25
68,75
I B VBB VBE 2 0,7 81,25 A

2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
RB 16000 2,3 0 10 100 Saturao
Ic = bIB = 8,125 mA
VCE = VCC - IC RC = 10 - 8,125 = 1,875 V
Recta de Carga
V BE 0,7 V VCE (V) Ic (mA)

8,33 V 18
RC 0 16,33 8,333 7,824
Ic (mA)
980W 16 0,00
RB C 16
170kW
14
100 VCC
B 12
VBB
E
16 V 10
7,90 mA
14 V 78,24 A 7,82 mA 8
78,235 IB 78,24 A 54,7647 PEB 54,76 W 2

7,824 Ic 7,82 mA 65,193 PCE 65,19 mW
7,902 IE 7,90 mA PT 65,25 mW 0
8,333 VCE 8,33 V 0 5 10 15 20
7,633 VCB 7,63 V Vcc (V)

Corrente de Colector
1
iC Declive =
RC
iB = .
iB =iB2
IC Q IB
iB =iB1 .
iB = .
iB = .
VCE vCE
Construo grfica para determinar a corrente de Colector de IC e a tenso Colector-

Emissor VCE, do circuito.

O Transistor Bipolar iC
Corrente de Colector IC
O circuito de Colector impe que: vCE=VCC - iC.RC iB vCE
V v
ou seja: iC CC CE vBE
O que representa, uma relao linear entre vCE e iC. RC RC
Esta relao pode ser representada por uma recta, como se mostra na figura. Como RC pode ser
considerada a carga do amplificador, a recta de inclinao -1/RC chama-se de recta de carga.
iC
- 1/RC iB = .
O ponto de polarizao DC, ponto quiescente Q, o
ponto de interseco da recta de carga com a curva iC iB = .
vCE, que correspondente corrente de Base IB. As
Q i B = IB
coordenadas do ponto Q, so as componentes IC
contnuas da corrente de Colector IC e da tenso iB = .
Colector-Emissor VCE. iB = .
0 VCE VCC vCE
Note-se que, para que o transistor funcione como amplificador, o ponto Q deve estar na regio activa
e, alm disso, deve estar localizado de modo a permitir uma excurso razovel do sinal de sada,
quando se aplica um sinal de entrada vi.
O Transistor Bipolar iB
Linhas instantneas de Carga
O BJT como amplificador - 1/RB
Pequenos sinais
Segmento quase linear
Como exemplo, a figura seguinte mostra a situao
i
quando se aplica um sinal vi entrada com uma B1
I Q t
forma de onda triangular, sobreposto a uma tenso B
iB2
contnua VBB.
iB
Para cada valor instantneo de VBB + vi(t), pode
desenhar-se uma recta de inclinao -1/RB. Esta recta 0 vBE
de carga instantnea intersecta a curva iB - vBE num VBE
VBB
ponto cujas coordenadas nos do os valores
vbe vi
instantneos de iB e de vBE correspondentes ao valor t t
particular de VBB + vi(t).
A figura mostra as rectas correspondentes a vi=0 e vi nos seus valores de pico positivo e
negativo.
Se a amplitude de vi, for suficientemente pequena para que o ponto de funcionamento instantneo
esteja limitado a um segmento quase linear da curva iB-vBE, ento os sinais resultantes ib e vbe sero
triangulares, como mostra a figura. Assim, a construo grfica da figura pode ser usada para
determinar o valor instantneo de iB correspondente a cada valor de vi.
iC
Pequenos sinais - 1/RC iB = .
ic
A figura mostra que o ponto de i iB =iB2
C2
funcionamento se deslocar ao longo da Q IB t
recta de carga de inclinao -1/RC medida IC
que iB for assumindo os valores instantneos iC1 iB =iB1 .
determinados pela figura da pgina anterior. iB = .
0 VCE VCC vCE
vce
t
Por exemplo, quando vi est no seu pico positivo, IB = iB2, o ponto de operao instantneo
no plano iC-vCE estar na interseco da recta de carga com a curva correspondente a iB =
iB2.
Deste modo, podemos determinar as formas de onda de iC e de vCE e, portanto, das

componentes do sinal ic e vce, conforme mostrado na figura.

Ponto de funcionamento e excurso do sinal
A recta de carga em QA com um VCE

correspondente, que est muito perto do
iC VCC e, portanto, limita o balano positivo
Recta de Carga
iB = . da vCE.
iB =iB2
QB QA IB
No outro extremo, a recta de carga em
iB =iB1 . QB, resulta num ponto de operao
iB = . muito perto da regio de saturao,
0 VCE VCC vCE
VCE limitando assim o balano negativo da
QB QA
vCE.

Configurao de Emissor Comum (EC): Polarizao
Polarizao com Voltagem

Polarizao Clssica com elementos discretos
Fonte de alimentao nica
Duas fontes de alimentao
Com resistncia de feedback
Polarizao com fonte de corrente

Configurao de Emissor Comum (EC): Polarizao com elementos discretos e fonte nica
Fixando VBE Fixando IB

Ambos resultam em grandes variaes em IC e, portanto, em VCE e, portanto, so
considerados como maus, logo no so recomendados.

Circuito com o divisor de tenso alimentando a Base, substitudo com o seu equivalente
Thevenin.
A estabilidade da corrente DC do Emissor obtida considerando a aco de feedback
negativo fornecido pela RE.

Duas restries:
VBB VBE
RB
RE
1
Regras de ouro:
VBB 13 VCC
I C RC 13 VCC
VCB 31 VCC
I R1 I RB2 (0.1IE , I E )
Configurao de Emissor Comum (EC): Polarizao com duas fontes de alimentao
Resistncia RB pode ser eliminada na configurao Base

Comum.
A resistncia RB apenas necessria se o sinal para ser

acoplado capacitivamente Base.
As duas restries devem aplicar-se.

Configurao de Emissor Comum (EC): Polarizao com resistncia de feedback
Resistncia RB fornece feedback negativo.

IE independente de e fornecida por:RC RB (1
O valor de RB determina a excurso do sinal permitida no Colector.

Configurao de Emissor Comum (EC): Polarizao com fonte de Corrente
Q1 e Q2 devem de ser muito idnticos e terem elevado.

Curto entre os terminais de Colector e Base de Q1.
A Fonte de corrente no ideal, devido resistncia de sada finita de Q2.

Aplicao do Modelo e pequenos sinais
a. Determinar o ponto de funcionamento DC (Q) do BJT e, em particular, a

corrente de Colector DC - IC (ICQ).
b. Calcular os valores dos parmetros do modelo de pequeno sinal, tal como
gm=IC/VT, r=/gm=VT/IB, re=/gm=VT/IE.
c. Desenhe percurso do circuito AC.
d. Substitua o BJT com um de seus modelos de pequeno sinal. O modelo
seleccionado deve ser o mais conveniente do que os outros, na anlise do
circuito.
e. Determinar os valores necessrios.

O BJT como amplificador NPN
Condies DC
IC
Rc
As condies de polarizao DC obtm-se considerando vbe=0 VCC
IC=IS exp(vBE/VT) VCE

IB
IB=IC /
VBE
IE=IC / IE
VCE= VCC - RCIC

Condies DC; vbe=0
Sobreposio de um sinal AC tenso DC.
Se for aplicada uma tenso AC de valor vbe, a tenso vBE, valor total
instantneo, :
vBE=VBE+vbe Rc IC
VCC
VCE
vbe IB
Da mesma forma tem- se para a corrente iC: VBE IE
iC=IS exp(vBE/VT)=IS exp[ (VBE+vbe)/VT ] Condies AC; vbe0

Amplificadores Bsicos de um nico andar
Caractersticas dos parmetros

Estrutura bsica
Configurao
Amplificador configurao Emissor comum (EC).
Emissor directamente ligado massa.
Emissor liga massa atravs da resistncia Re.
Amplificador configurao Base Comum (BC).
Amplificador configurao Colector Comum (CC) ou Seguidor
de Emissor (SE).

Caractersticas dos parmetros do amplificador
Este o circuito de um amplificador de duas portas.

Fonte de sinal de tenso.
O sinal de sada obtido a partir da resistncia de carga RL.

Caractersticas dos parmetros do amplificador: Definies
vi
Resistncia de entrada sem carga: Ri
ii RL
vi
Resistncia de entrada: Rin
ii
vo
Ganho de tenso com circuito aberto: Avo
vi RL
Ganho de tenso:
vo
Av
vi

io
Ganho de corrente em curto-circuito: Ais
ii RL 0
io
Ganho de corrente: Ai
ii
io
Transcondutncia em curto-circuito: Gm
vi RL 0
v0
Ganho de tenso global em circuito aberto: Gvo
vsig
RL
v0
Ganho geral de tenso: Gv
vsig
Resistncia de sada prpria do amplificador: Resistncia de sada:
vx vx
Ro Rout
ix vi 0 ix v sig 0

Amplificador de tenso
Amplificador de tenso
Amplificador de Transcondutncia

Caractersticas dos parmetros do amplificador: Relaes
Coeficiente divisor de tenso
vi Rin

vsig Rin Rsig
RL Rin RL RL
Av Avo Gv Avo G G
RL Rout
v vo
RL Ro Rin Rsig RL Ro
Ri
Avo Gm Ro Gvo Avo
Ri Rsig

Configurao de Emissor Comum (EC): Estrutura Bsica
Circuito com estrutura bsica, utilizado para realizar configuraes de um andar

amplificador com BJTs, usando elementos discretos.

Configurao de Emissor Comum (EC): Amplificador
Circuito a nvel de pequenos sinais.

Configurao Emissor Comum (EC)
Circuito Equivalente Modelo -
RSig ii B C
+ io
vi +
+
vsig - - RB v r g mv r0 RC RL vo
R0ut
Rin
-
E
O sinal de sada vo dado por : vo = - (gm.v )(RC //ro //Ro )

O Ganho de tenso entre a Base e o Colector :
Combinando as duas equaes, temos que o Ganho de tenso do circuito Av, :

RSig ii B C
io
+ +
+
vsig - vi g mv r0 RC RL
-
RB v r R0ut
vo
Rin -
E
Resistncia de entrada Rin: Rin r
Resistncia de sada ROut: Rout RC
Ganho de Corrente em curto-circuito Ais: Ais


Resumo das Caractersticas
Elevado ganho em Tenso,

Amplificador inversor,
Elevado ganho de corrente.
Resistncia de entrada relativamente baixa.
Resistncia de sada relativamente alta
A resposta de frequncia bastante pobre.

Configurao de Emissor Comum (EC): Com resistncia de Emissor Re

C
io
ic +
ii
.ie RC
R0ut
RL vo
RSig B
-
+ + ie
+
vsig - vi v
RB
- - re
Rin vi
E ie=
Re+ re
Rib Re

C
io
Configurao de Emissor Comum (EC): Com resistncia de Emissor Re +
ic
ii
.ie RC
R0ut
RL vo
RSig B
Ganho de Tenso Av: -
+ + ie
RC // RL vsig +- vi v
RB
Av - - re
re Re Rin vi
E ie=
Re+ re
Ganho Total Gv:
( RC // RL ) Rib Re
Gv
Rsig (1 )( re Re )
Resistncia de entrada Rin: Rin RB //(1 )( re Re )

Resistncia de Sada ROut: Rout RC
A Resistncia de entrada Rin aumentada de um factor de (1+gmRe),
O Ganho de Tenso da Base para o Colector, reduzido de um factor de (1+gmRe),
Para a mesma distoro no linear, o sinal vi , pode ser aumentado de um factor de

(1+gmRe),
O Ganho global menos dependente de .
A reduo do Ganho, compensada pelas melhorias na performance.
Resistncia RE, introduz um feedback negativo no circuito.

A resposta a altas frequncias significativamente melhorada.

Configurao de Base Comum (BC) : Curvas de sada
iC
Regio de Regio Activa
Saturao
IE1 IE=IE1 vCB iC
i C
IE2 IE=IE2
iE
iE =0
0 vCB
0.4- 0.5V
Escala expandida VCB BVCBO

Configurao de Base Comum (BC) : Curvas de sada
Regio Activa
A juno BE est polarizada directamente e a juno BC est polarizada
inversamente
Igual distncia entre curvas de sada vizinhas;
Quase horizontal, mas com ligeira inclinao positiva.
Regio de Saturao
A juno BE no est somente directamente polarizada, mas tambm ligada
ON;
A Corrente de Colector corrente de difuso no de deriva.
A voltagem de ligao da juno BCT, menor do que a da juno BE.
Regio de Rotura
A juno BE est polarizada directamente e a juno BC est polarizada
inversamente.
Grande valor de tenso d origem ruptura da juno BC;
Corrente de Colector aumenta dramaticamente.
Configurao de Base Comum (BC):

Circuito Equivalente Modelo - io
C
+
.ie RC RL vo
R0ut
B
-
ie
RSig ii E re
vsig +- +
vi
-
Rin

O Transistor Bipolar C io
O BJT como amplificador +
.ie RC RL vo
Circuito Equivalente Modelo - B
R0ut
-
ie
Resistncia de entrada Rin:
RSig ii E re
Rin re
vsig +- +
vi
-
Ganho de Tenso Av:
Av g m ( RC // RL ) Rin
( RC // RL )
Ganho Total Gv: Gv
Rsig re
Resistncia de Sada ROut: Rout RC

Configuraes de amplificadores com BJTs
Configurao Base Comum (BC)

A Resistncia de entrada Rin muito baixa.

A Resistncia de sada Rout elevada.
Ganho de Corrente em curto-circuito 1 ().
Buffer de corrente.
O Ganho de Tenso elevado.
Amplificador no inversor.
A resposta a altas frequncias excelente.

Configurao de Colector Comum (CC) ou Seguidor de Emissor (SE):
12/02/2015 Por : Lus Timteo 100

C
i =(1-)i e = ie .ie
RSig b +1 B
ro
+ ie
vsig + RB vb
- re
E
-
+
RL vo
Rin
-
R0ut
12/02/2015 Por : Lus Timteo 101
C
Resistncia de entrada Rin:
Rib (1 )( re ro // RL ) i =(1-)i e =ie .ie
RSig b +1 B
ro
Ganho de Tenso Av: + ie
(1 )( ro // RL ) vsig +- RB vb re
Av E
(1 )( re ro // RL )
- +
Rin
RB // Rib (1 )( ro // RL ) RL vo
Ganho Total Gv: Gv
RB // Rib Rsig (1 )( re ro // RL ) -
RB // Rsig R0ut
Resistncia de Sada ROut: R re
1
out
Ganho de Corrente em curto-circuito Ais: Ais (1 )

12/02/2015 Por : Lus Timteo 102
A Resistncia de entrada Rin alta.

A Resistncia de sada Rout baixa.
Ganho de Tenso 1 .
Ganho de Corrente elevado.
O ltimo ou andar de sada, de amplificadores em cascata.
A resposta em frequncia excelente.
12/02/2015 Por : Lus Timteo 103

Montagens Bsicas: Sinais ENTRADA SADA

COLECTOR
*
BASE
VBE VCE
EMISSOR EMISSOR
*
EMISSOR COLECTOR
VEB VCB
BASE BASE
EMISSOR
*
BASE VBC VEC
COLECTOR COLECTOR
12/02/2015 Por : Lus Timteo 104

Montagens Bsicas
Ganho de tenso elevado.

Ganho de corrente menor que 1.
Base Comum Ganho de potncia intermedirio.
Impedncia de entrada baixa.
Impedncia de sada alta.
Ganho de tenso menor que 1.
Ganho de corrente elevado.
Colector Comum Ganho de potncia intermedirio.
Impedncia de entrada alta.
Impedncia de sada baixa.
Ganho de tenso elevado.
Ganho de corrente elevado.
Emissor Comum Ganho de potncia elevado.
Impedncia de entrada baixa.
Impedncia de sada alta.
12/02/2015 Por : Lus Timteo 105

Montagens Bsicas: Sinais
Tabela de Resumo das configuraes amplificadoras

EMISSOR
EMISSOR BASE SEGUIDOR DE
COMUM COM
COMUM COMUM EMISSOR
RE
Ri RB r r RB r 1 gm Re re
RB 1 re RE ro RL
RC ro RC R R
Ro RC RC RE re S B
1
AV= Vo /Vs

RC RL ro R R
C L
R R
C L
1 RL
r RS re Re re RS 1 RL r RS

RC RL ro RC RL R RL RE RL
Ai= io / iS C
1
RL RL RL RL
12/02/2015 Por : Lus Timteo 106

Montagens Bsicas: Sinais

Tabela de Resumo das configuraes amplificadoras : Valores Tpicos
EMISSOR
EMISSOR BASE SEGUIDOR DE
COMUM COM
COMUM COMUM EMISSOR
RE=170 W
Ri (KW) 2.6 16.7 0.03 83
Ro (KW) 9.2 9.7 10 0.118
AV=Vo/Vs -36.2 -15.6 0.5 0.89
Ai=io/iS -46.7 -41.7 0.5 8.3
12/02/2015 Por : Lus Timteo 107

Resumo e Comparaes
A configurao Emissor Comum (EC) o mais adequada para a realizao do
ganho do amplificador.
Incluindo Re traz melhorias no desempenho custa de reduo de ganho.
A configurao Base Comum (BC) tem uma aplicao tpica no amplificador.

Resposta de alta frequncia muito superior.
A configurao de Seguidor de Emissor (SE) ou Colector Comum (CC) pode ser

utilizada como um Buffer de tenso no ltimo andar de amplificadores em
cascata.
12/02/2015 Por : Lus Timteo 108

Outros modelos de pequenos sinais
Modelos equivalentes Modelo Hbrido (h) Emissor Comum
Modelo equivalente da entrada/sada do transistor.
B
ib ic
C
hie
+ +
vbe hre vce + hoe vce
_ h fe ib
_ _
E E
O modelo equivalente de pequeno sinal matematicamente vlido apenas para sinais de

pequena amplitude.
1) hie: Impedncia de entrada (Vin / Iin), quando Vout = 0 (em curto).
2) hre: Relao entre a tenso de entrada e a tenso de sada (Vin / Vout), forando Iin a
zero (circuito aberto).
3) hfe: Ganho de corrente (Iout / Iin) com Vout = 0 (em curto).
4) hoe: Condutncia de sada (Iout / Vout) com Iin = 0 (circuito aberto).
Observao: correntes e tenses AC. Modelo linear variaes pequenas em torno do ponto de
operao.
Os parmetros h so fornecidos pelo fabricante do dispositivo. Estes parmetros podem mudar
substancialmente dependo do fabricante.
12/02/2015 Por : Lus Timteo 109
Modelos equivalentes Modelo Hbrido (h) Emissor Comum
B
ib ic
C
hie
+ +
vbe hre vce + hoe vce
_ h fe ib
_ _
E E
vbe
hie: Impedncia de entrada, quando Vout = 0 (em curto). hie
ib vc e 0
hre: Relao entre a tenso de entrada e a tenso de sada (Vin / Vout), vbe
hre
forando Iin a zero (circuito aberto). vce ib 0
hfe: Ganho de corrente (Iout / Iin) com Vout = 0 (em curto). h fe

ic
ib vc e 0
hoe: Condutncia de sada (Iout / Vout) com Iin = 0 (circuito aberto). ic

hoe
vce ib 0
Os parmetros h so fornecidos pelo fabricante do dispositivo. Estes parmetros podem mudar
substancialmente dependo do fabricante.
12/02/2015 Por : Lus Timteo 110
Modelos equivalentes Modelo Hbrido (h)
i Emissor Comum ic
B b
C
+
hie
+ hie=re
vbe hre.vce +
_ hfe .ib hoe vce hfe=
_ _ hoe=1/r0
E E
i Base Comum ic
E e
C
hib
+ +
vbe +
_ hfb .ib hob vcb hib =re
hfb= -
_ _
B B
12/02/2015 Por : Lus Timteo 111

Modelos equivalentes Modelo - Hbrido
O modelo de pequenos sinais -hbrido, a representao intrnseca de baixa frequncia
do BJT.
i i
B b c C
Transcondutncia:
+ +
v I
g m C ,V T KT
r gm.vbe ro v
be ce
_ _ V q
E E T
Resistncia de Sada: Ro Resistncia de entrada: Ri

VA VCE V
r o T o
ro
I I gm
C C
Onde, VA a voltagem de Early (VA=100V para npn)
Os parmetros de pequenos sinais, so controladas pelo ponto Q e so independentes da

geometria do BJT.
12/02/2015 Por : Lus Timteo 112
Trs modelos equivalentes Configurao Emissor Comum (EC)
B ib ic
C
Nomes alternativos:
hie
e ac=0=
+ +
vbe hre vce + hoe vce hf =
_ hfe ib
_ _
E E
Modelo Hbrido (h)
hie 1
re ( )
ib h fe g m 1 vbe
hie
ic
B
C o hfe ro =
hoe
(KW)
+
+ + ib
Vbe r V gmV ro Vce vc e 0
_ _
r = hie = go (KW) hre =0
_ m
vbe
hre
E
Modelo -Hbrido
E
vce i 0
b
ic

26 mV (Nota: usar valores DC de I )
B
ib ic re= IB B h fe
C
ib v 0
+
+ o = hfe ce
Vbe re .ib ro Vce
ic
_
_ o.re = hie hoe
ro = h1
E
E
Modelo re hre = 0 hoe = 0, ou use vce ib 0
oe
12/02/2015 Por : Lus Timteo 113

Transistor como comutador
C
Se VBB , IB = , IE IC = VCC/RC B
zona de saturao
curto-circuito CE VCE = 0
IC E
Se VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0,

IE IC 0, VCE = VCC
Zona de corte
circuito aberto VCE = VCC
VCC VCE
12/02/2015 Por : Lus Timteo 114
Transistor como comutador: Inversor simples
+VCC VBB (V) VCE (V) I c (mA) I B (A)

0,7 10 0 0
0,8 9,375 0,625 6,25
RC 0,9 8,75 1,25 12,5
1 8,125 1,875 18,75
1,2 6,875 3,125 31,25
RB 1,4
1,6
5,625
4,375
4,375
5,625
43,75
56,25
Vsada 1,8 3,125 6,875 68,75
2 1,875 8,125 81,25
2,2 0,625 9,375 93,75
Ventrada 2,3 0 10 100
INVERSOR
Y = not A
A Y A
Ventrada Vsada
12/02/2015 Por : Lus Timteo 115


12 V
12 V 36 W
3A
36 W I
3A 12 V
12 V
= 100
I
40 mA
Substitumos o interruptor principal por um IC

transistor.
A corrente de base deve ser suficiente para 4A IB = 40 mA
assegurar a zona de saturao. PF (ON) 3 A ON
Vantagens: OFF
Sem desgaste, sem chispas, - rapidez,
permite controlo atravs de sistema lgico. VCE
12 V
Aplicaes: Electrnica de Potncia e Electrnica digital PF (OFF)
12/02/2015 Por : Lus Timteo 116

12 V 40 mA = 100
36 W I 3A
3A 12 V
12 V
12 V
I
36 W
IC
Igual que antes, substitumos o interruptor IB = 40 mA

4A
principal por um transistor.
PF (ON) 3 A ON
OFF
A corrente de base (agora circula em sentido
12 V VCE
contrrio) deve ser suficiente para assegurar a zona
de saturao. PF (OFF)
12/02/2015 Por : Lus Timteo 117

Fototransistores e fotoacopladores
Um fototransistor um transistor em que a incidncia de luz sobre a zona

da Base, influencia em muito a corrente de Colector. A luz joga um papel
semelhante ao da corrente de Base.
IC
Smbolo R2
R2 IC
Optoacoplador
+ ILED F.T.
N V2
V2
P
N LED
IC/ILED 1-0,2
Fotodetector
12/02/2015 Por : Lus Timteo 118
Amplificador Diferencial: Entrada modo diferencial
12/02/2015 Por : Lus Timteo 119

Amplificador Diferencial: Entrada modo Comum
http://www.williamson-labs.com/480_xtor.htm#animations
12/02/2015 Por : Lus Timteo 120

Transistores
Histria Picturial do Transistor
http://www.bellsystemmemorial.com/belllabs_transistor.html
12/02/2015 Por : Lus Timteo 121
Dvidas?
12/02/2015 Por : Lus Timteo 122

12/02/2015 Por : Lus Timteo 123

12/02/2015 Por : Lus Timteo 124

Bibliografias
Transistor de Juno Bipolar, Paulo Lopes, ISCTE 2003

http://www.williamson-labs.com/480_xtor.htm
http://www.learnabout-electronics.org/Downloads/Fig316dl_bjt_operation.swf
http://docentes.fam.ulusiada.pt/~d1095/Cap3_Elec_0607.pdf
http://eelab.sjtu.edu.cn/analog/%E5%91%A8%E8%80%81%E5%B8%88%E8%AF%BE%E4%BB%B6/chapter3_BJT(for IT class).ppt.
12/02/2015 Por : Lus Timteo 125

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Semicondutores: Transistor BJT

12/02/2015 Por : Lus Timteo 1

Assim, foram nomeados cientistas e investigadores,

12/02/2015 Por : Lus Timteo 2

Transient resistor. Transistor

Base Base de Metal

12/02/2015 Por : Lus Timteo 4

O 1 Transistor Comercial, foi o Raytheon CK703

O 1 Transistor com sucesso Comercial, foi o Raytheon

12/02/2015 Por : Lus Timteo 7

Duas junes P-N

O transistor exibe duas junes:

12/02/2015 Por : Lus Timteo 8

Se a zona central muito ampla, o comportamento o de dois diodos em srie: o

12/02/2015 Por : Lus Timteo 9

P Emissor N Base P Colector

Fluxos de corrente num transistor NPN operando na Zona Activa

12/02/2015 Por : Lus Timteo 12

Fluxos de corrente num transistor npn operando na Zona Activa

Fluxos de corrente num transistor NPN operando na Zona Activa

Corrente de difuso de electres In :

Fluxos de corrente num transistor NPN operando na Zona Activa

Fluxos de corrente num transistor NPN operando na Zona Activa

D p N A W 1 W 2 Constante para um transistor em

Para obter um elevado valor de (desejvel), a Base deve ser fina (W

12/02/2015 Por : Lus Timteo 18

Fluxos de corrente num transistor NPN operando na Zona Activa

Beta normalmente considerado aproximadamente constante para um dado

Fluxos de corrente num transistor NPN operando na Zona Activa

Pequenas variaes em a correspondem a grandes variaes em .

: ganho de corrente em Base Comum.

12/02/2015 Por : Lus Timteo 20

Relaes corrente-tenso do BJT no modo Activo de operao

Fluxos de corrente num transistor PNP operando na Zona Activa

No transistor PNP as correntes so sobretudo devidas a correntes de lacunas ou buracos

12/02/2015 Por : Lus Timteo 22

Fluxos de corrente num transistor PNP operando na Zona Activa

No transistor PNP as correntes so sobretudo devidas a correntes de lacunas ou buracos

12/02/2015 Por : Lus Timteo 23

Fluxos de corrente num transistor PNP operando na Zona Activa

12/02/2015 Por : Lus Timteo 24

Alguma semelhana com as vlvulas pura coincidncia(?)!....

Base pouco dopada Emissor mais dopado que o Colector.

Funcionamento do Transistor Bipolar

12/02/2015 Por : Lus Timteo 26

Funcionamento do Transistor Bipolar

12/02/2015 Por : Lus Timteo 27

Funcionamento do Transistor Bipolar

Forma real dos transistores Bipolares

Forma real dos transistores Bipolares TO-220

12/02/2015 Por : Lus Timteo 30

TRANSISTORES CANAL N (JFET-N)

* FET : Field Effect Transistor

12/02/2015 Por : Lus Timteo 31

Bipolar: dois tipos de cargas, electres e lacunas

Junes: duas junes pn. Juno Base/Emissor e

Terminais: Base, Emissor e Colector

Modos de operao: Transistor NPN

VCE Zona Activa

12/02/2015 Por : Lus Timteo 34

Modos de operao: Transistor NPN

Corte Inversa Inversa Aplicaes de

Activo Directa Inversa Amplificador

12/02/2015 Por : Lus Timteo 36