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ESCOLA DE ENGENHARIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA
Porto Alegre
2010
ROBERTO JOS CABRAL
Porto Alegre
2010
ROBERTO JOS CABRAL
Orientador: ______________________________________
Prof. Dr. Alexandre Sanfelice Bazanella, UFRGS
Doutor pela Universidade Federal de Santa Catarina
Florianpolis, Brasil.
Banca Examinadora:
Albert Einstein.
DEDICATRIA
Dedico este trabalho especialmente, a toda minha famlia, pelo amor e apoio em
todos os momentos da minha vida e, Carolina por toda pacincia, dedicao e amor
incondicional.
AGRADECIMENTOS
This work presents theoretical studies and a literature review on various aspects relevant
to the quality of electric power, especially voltage sags in electric power systems.
Assessing the efficiency of a power system is quantified by several quality factors,
highlighting the continued supply of electricity to consumers. In this context, the
analysis of faults is very important and demand special attention when designing the
protection scheme and the quality indexes of the electrical system of distribution.
Therefore, this work presents a comparison between the calculation methods of
conventional short circuit: Method of Symmetrical Component and Method of Phases
Components. It also presents a new approach to obtaining the impedance matrix of each
element of the electric power system for the resolution by the Method of Symmetrical
Components in unbalanced systems.
Using a particular model of an electric distribution system computer simulations are
carried out to evaluate the performance of the algorithm. Simulations of short circuits
are performed with routines in MatLab environment and then compared with the results
of the software ATP/EMTP. The calculations of voltage sags are performed for different
types of faults: three-phase- ground (FFFT), phase-ground (FT), phase-phase (FF) and
phase-phase- ground (FFT). Although the work is centered on distribution systems, the
findings can be referred to any type of power system. The results obtained in these
simulations show that the proposed approach consists of obtaining the impedance of
symmetrical components of each element, presents a great performance.
The purpose of this comparison is to identify the method of calculating short-circuit that
provides the feasibility of simplifying the calculation procedures, but also in the
modeling of system components, electric power, continuously keeping a good accuracy
of results within the tolerance limits. With this simplification can significantly reduce
the time of simulations, the process of analysis and decision making more agile and
efficient.
LISTA DE ABREVIATURAS............................................................................................... 18
1 INTRODUO ............................................................................................................... 25
1.1 Definio de Qualidade de Energia Eltrica ............................................................ 25
1.2 Motivao do trabalho ............................................................................................... 25
1.3 Objetivos ...................................................................................................................... 27
1.4 Estrutura do trabalho................................................................................................. 27
1.5 Resumo......................................................................................................................... 28
Figura 2.1: Definies de eventos de variao de tenso (IEEE Std. 1159-1995). ........ 31
Figura 2.2: Magnitude e durao de um afundamento de tenso de 20%(IEEE P1564 e
CIGRE WG 36-07, 2001). ............................................................................. 32
Figura 2.3: Magnitude e durao de afundamento de tenso monofsico (ESKOM
NRS -048, 2009). ........................................................................................... 33
Figura 2.4: Magnitude e durao de afundamento de tenso trifsico. .......................... 33
Figura 2.5: Quatro tipos de afundamentos devido falta trifsica e monofsica
(BOLLEN; GU, 2006). .................................................................................. 35
Figura 2.6: Trs tipos de afundamentos devido falta bifsica (BOLLEN; GU, 2006). 35
Figura 2.7: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo A....................... 37
Figura 2.8: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo B. ...................... 37
Figura 2.9: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo C. ...................... 37
Figura 2.10: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo D. .................... 38
Figura 2.11: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo E. .................... 38
Figura 2.12: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo F. .................... 39
Figura 2.13: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo G. .................... 39
Figura 2.14: Afundamento de tenso provocado pela partida de motor (GMEZ, 2005).
....................................................................................................................... 42
Figura 2.15: Afundamento de tenso causado por energizao de transformador (IEEE
P1564 e CIGRE WG 36-07, 2001). ............................................................... 42
Figura 2.16: Variao da magnitude de um afundamento de tenso por ionizao de
falha (GMEZ, 2005). .................................................................................. 43
Figura 2.17: Variao da magnitude de um afundamento de tenso por desionizao de
falha (GMEZ, 2005). .................................................................................. 43
Figura 2.18: Argumento da tenso e salto de ngulo de fase (LEBORGNE, 2007). ..... 45
Figura 2.19: Afundamento de tenso causado pela partida de um motor (IEEE P1564 e
CIGRE WG 36-07, 2001). ............................................................................. 47
Figura 2.20: Afundamento de tenso RMS e Instantneo (IEEE P1564 e CIGRE WG
36-07, 2001). .................................................................................................. 47
Figura 2.21: Nveis tpicos de imunidade dos acionamentos para motores definidos, pela
IEEE Std. 1346-1998 e IEC 61000-4-11-1994. ............................................. 50
Figura 2.22: Linhas de igual magnitude de afundamentos de tenso (GMEZ, 2005). 51
Figura 2.23: Curva de tolerncia segundo a norma SEMI F47-0200. ............................ 55
Figura 2.24: Curva SEMI F47-0706. .............................................................................. 56
Figura 2.25: Envelope de tolerncia de tenso tpico para sistema computacional
adaptado da norma IEEE Std. 446 - 1987. Curva CBEMA (POMILIO, 2007).
....................................................................................................................... 57
Figura 2.26: Envelope de tolerncia de tenso tpico para sistema computacional
adaptado da norma IEEE Std. 446 - 1987. Curva ITIC (POMILIO, 2007). .. 57
Figura 2.27: Comparao de curvas CBEMA, ITIC e SEMI F47 (GMEZ, 2005). ..... 58
Figura 4.1: Diagrama unifilar do sistema teste de 13 barras do IEEE modificado. ..... 102
Tabela 5.1: Desempenho total do SEP monitorado na barra da Subestao. ............... 109
Tabela 5.2: Desempenho total do SEP monitorado na barra do consumidor sensvel. 110
Tabela 5.3: Desempenho do SEP para Rf = 0 monitorado na barra da Subestao. . 113
Tabela 5.4: Desempenho do SEP para Rf = 25 monitorado na barra da Subestao. 114
Tabela 5.5: Desempenho do SEP para Rf = 0 monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 116
Tabela 5.6: Desempenho do SEP para Rf = 25 monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 117
Tabela 5.7: Desempenho do SEP para falta FFFT monitorado na barra da Subestao.
................................................................................................................... 118
Tabela 5.8: Desempenho do SEP para falta FFFT monitorada na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 121
Tabela 5.9: Desempenho do SEP para falta FT monitorado na barra da Subestao... 123
Tabela 5.10: Desempenho do SEP para falta FT monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 126
Tabela 5.11: Desempenho do SEP para falta FFT monitorado na barra da Subestao.
................................................................................................................... 128
Tabela 5.12: Desempenho do SEP para falta FFT monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 131
Tabela 5.13: Desempenho do SEP para falta FF monitorado na barra da Subestao. 133
Tabela 5.14: Desempenho do SEP para falta FF monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 136
LISTA DE ABREVIATURAS
A Ampre
ANAFAS Programa de Anlise de Faltas Simultneas
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica
ASD Adjustable Speed Drives - Variador de Velocidade Ajustvel
ATP Alternative Transient Program - Software Alternativo de Transitrios
CA Corrente Alternada
CBEMA Computer and Business Equipment Manufacturers Association
CC Corrente Contnua
CIGRE Conseil International des Grands Rseaux lectriques Conselho
Internacional de Grandes Sistemas Eltricos
COPEL Companhia Paranaense de Energia
DFT Discrete Fourier Transform - Transformada Discreta de Fourier
ELECTROTEK Electrotek Concepts, Inc.
EMTP Electromagnetic Transient Program - Software de Transitrios
Eletromagnticos
EPRI Electric Power Research Institute - Instituto de Pesquisa de Energia
Eltrica
ESKOM Electricity Supply Commission - Comisso de Abastecimento de
Eletricidade
EUA Estados Unidos de Norte Amrica
FEM Fora Eletromotriz
FF Falta Fase-Fase ou Bifsica
FFFT Falta Trifsica-Terra
FFT Falta Fase-Fase-Terra ou Bifsica-Terra
FT Falta Fase-Terra ou Monofsica-Terra
GMD Distncia Mdia Geomtrica
HV High Voltage - Alta Tenso
IEC International Electrotechnical Commission - Comisso Eletrotcnica
Internacional
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers - Instituto de
Engenheiros Eletricistas e Eletrnicos
ITIC Information Technology Industry Council - Informao do Conselho
da Indstria de Tecnologia
LV Low Voltage - Baixa Tenso
m metro
MatLab Matrix Laboratory - Laboratrio de Matrizes
MCF Mtodo de Componentes de Fases
MCS Mtodo de Componentes Simtricas
NRS National Rationalized Specification - Especificao Nacional
Racionalizado
ONS Operador Nacional do Sistema Eltrico
PAC Ponto do Acoplamento Comum
PC Computador Pessoal
PLC Controlador Lgico Programvel
PRODIST Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema Eltrico
Nacional
PSCAD Power System CAD - Desenho Assistido por Computador de Sistemas
de Potncia
pu Por Unidade
QEE Qualidade da Energia Eltrica
RMS Root Mean Square - Raiz Mdia Quadrtica (valor eficaz)
RMSE Root Mean Square Error - Erro Mdio Quadrtico
s segundo
SBQEE Seminrio Brasileiro de Qualidade da Energia Eltrica
SDEE Sistema(s) de Distribuio de Energia Eltrica
SEMI Semiconductor Equipment and Material International - Equipamentos
e Material Semicondutor Internacional
SEP Sistema(s) Eltrico(s) de Potncia
SIN Sistema Interligado Nacional
SPICE Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis - Programa de
Simulao com nfases em Circuitos Integrados
UNIPEDE Union of International Producers and Distributors of Electricity
Energy - Unio Internacional dos Produtores e Distribuidores de
Energia Eltrica
UPS Uninterrupted Power System - Sistemas de Potncia Sem Interrupo
V Volt
VA Volt Ampre
VTCD Variao de Tenso de Curta Durao
W Watt
LISTA DE SIMBOLOS
1 INTRODUO
mais componentes eletrnicos, dessa forma o conceito de QEE adquiriu uma maior
importncia.
Os problemas vm-se agravando por diversas razes; as mais importantes so:
- Maior quantidade de cargas no-lineares, devido ao crescente interesse pela
racionalizao e conservao da energia eltrica tem aumentado o uso de
equipamentos que acrescentam os nveis de distores harmnicas e podem
levar o sistema a condies de ressonncia.
- Maior sensibilidade dos equipamentos aos efeitos dos distrbios de QEE.
1.3 Objetivos
Os estudos que envolvem afundamentos de tenso so analisados a partir da
monitorao das tenses do sistema eltrico ou atravs da utilizao de metodologias de
predio. Neste ltimo caso utilizam-se programas computacionais para calcular os
valores de afundamentos de tenso, estimar a durao dos afundamentos de tenso e a
escolha de dados estatsticos de faltas para determinar o nmero de ocorrncia destes
distrbios em linhas de distribuio e transmisso.
A eficincia dos programas computacionais junto com a disponibilidade de
softwares no mercado e a possibilidade de utilizar mtodos de simulao, se pode
representar o sistema eltrico com todos seus componentes dando aos setores de
engenharia solues aos problemas.
Neste contexto, esta dissertao tem como objetivo realizar uma anlise comparativa
de resultados de simulaes de afundamentos de tenso utilizando trs metodologias por
meio de programas de clculo de curto circuito. Sendo o primeiro um programa de
clculo de curto circuito pelo Mtodo de Componentes Simtricas (MCS), o segundo
programa pelo Mtodo de Componentes de Fases (MCF) e o terceiro programa de
transitrios eletromagnticos, os quais utilizam mtodos de clculo e de representao
dos componentes da rede eltrica distintos.
Nos primeiro e segundo programas so utilizadas rotinas de clculo de curto circuito
no ambiente MatLab (MATHWORKS, 2001; CHAPMAN, 2003) e so baseados na
resoluo no regime permanente. Por outra parte no terceiro programa utilizado o
software ATP/EMTP (BONNEVILLE, 2010), o qual sua resoluo para o clculo de
curto circuito no domnio do tempo.
A comparao destes dois programas de clculo de curto circuito (MCF e MCS)
com o programa ATP/EMTP pretende avaliar as diferenas destes mtodos, e visando
se a modelagem simplificada do Mtodo de Componentes Simtricas para sistemas
desequilibrados d sua preciso nos resultados dentro dos limites apropriados.
Para satisfazer o objetivo geral deste trabalho se teve que cumprir uma srie de
itens:
- Compilao temtica e bibliogrfica para conhecer o estado da arte ao incio do
trabalho.
- Pesquisa de cada uma das possibilidades mais habituais de clculo e
representao da matriz impedncia encontradas na literatura.
- Desenvolvimento de uma metodologia capaz de ser aplicada de forma geral a
simulao de SEP em computadores pessoais a partir de dados.
- Comprovao e verificao dos modelos matemticos existentes. Proposta e
desenvolvimento de uma nova forma de clculo da matriz impedncia dos
parmetros eltricos envolvidos no SEP.
1.5 Resumo
Neste primeiro captulo uma introduo geral ao contexto dentro do qual se
desenvolve o trabalho, atravs de uma apresentao resumida dos conceitos de
qualidade de energia eltrica e dos mtodos de clculo de curto circuito vinculados ao
estudo de sistemas eltricos de potncia e as tcnicas de simulao por computador.
Tambm se detalha a justificao da importncia do trabalho desenvolvido em captulos
posteriores.
Alm disso, inclui os objetivos a seguir durante a evoluo do trabalho, tanto gerais
como os particulares, detalhando-se a estrutura geral da dissertao.
29
2 AFUNDAMENTOS DE TENSO
2.1 Introduo
Neste captulo so abordadas as definies e os conceitos bsicos para o
entendimento deste importante distrbio da qualidade da energia eltrica.
Sero apresentadas as definies do afundamento de tenso e suas principais causas.
Estas so: faltas, descargas atmosfricas, energizao e partidas de cargas, conexo do
sistema logo aps uma interrupo, causas diversas. Tambm ser apresentada uma
caracterizao dos afundamentos de tenso e um resumo das principais normas e
recomendaes nacionais e internacionais que abordam os afundamentos de tenso.
Denomina-se:
- Afundamento Momentneo de Tenso o evento em que o valor eficaz da
tenso superior ou igual a 0,1 e inferior a 0,9 pu da tenso nominal,
durante um intervalo de tempo com durao superior ou igual a um ciclo
(16,67 ms ou 0,01667segundos) e inferior ou igual a 3 segundos.
2.3.11 Magnitu
ude
Figgura 2.2: Ma
agnitude e durao
d de um
u afundam
mento de ten
nso de 20%
%(IEEE P15664 e
C
CIGRE WG 36-07, 2001).
2.3.22 Duraoo
C
Considera-se e que se inniciou um afundamento
a o de tensoo quando o valor de teenso
eficaaz torna-se menor
m do qque o valor limite
l estabbelecido pella norma dee 90 % da teenso
de reeferncia (teenso de conntrato, Nom
minal, Operaativa ou Pr Falta).
O fim do affundamento de tenso definido no n momentto que a ten nso superior a
90 % da tenso de refernccia (BOLLE EN, 2000; DUGAN;
D McGRANAG GHAM; BEA ATY,
20044; GMEZ 2005).
A durao dos
d afundam mentos de tennso indicaa a possvel causa do mesmo:
m
- Menor do que 6 ciclos paraa faltas geradas no nveel de Transm
misso;
- De 150 a 300 milissegundo
m os faltas noss Sistemas de
d Distribuio;
- De 2 a 20 segunndos Arranqque de Motoor.
O itens antees indicados so vlidoos tanto parra eventos monofsicos
Os m s como trifsicos
(ESK
KOM-NRS--048, 1996; UNIPEDE,, 2000; ESK KOM-NRS--048, 2009).
O conceito de magnittude e durrao do afundamento o de tensoo monofsico
mosttrado na Figgura 2.3.
33
U
Uma falta no sistema de
d potncia pode afetarr uma, duass ou as trs fases. Podeem-se
diferrenciar a maagnitude e a durao do
d afundameento de tensso resultannte em cadaa fase.
Tambbm se dev ve definir coomo caracteerizar os affundamentos de tenso para os evventos
trifssicos, sendoo que para estes devee-se seguir a IEEE P11564 e CIG GRE WG 336-07,
20011. Os conceeitos de maagnitude e durao doo afundameento de tensso trifsicoo so
mosttrados na Figura 2.4. Tanto
T para o clculo dosd indicaddores de desempenho como
para avaliao do impaacto de feenmenos sobre equuipamentos utilizaddo o
proceedimento chhamado de agregao de fases, coonsistindo em e atribuir um conjunnto de
parm metros niccos (magnituude, durao, etc.) a umm afundameento que se registre em
m mais
de um ma fase (LEEBORGNE,, 2003).
2.3.33 Frequn
ncia de ocorrrncia
O mtodo consiste
c naa teoria dass componenntes simtrricas e connsidera as faltas:
f
trifssicas, bifsiicas e monoofsicas; as diferentes conexes utilizadas
u noos equipammentos
eltriicos estrela e delta (Y e ); e dos diferentes tipos
t de con
nexes dos transformad
t dores.
Para o caso das componenntes simtriccas considerra-se que ass impednccias de sequuncia
posittiva, negativa e zero da fonte so s todas igguais, esta simplificao feita para
faciliitar o deseenvolvimennto analtico, o que resulta em m sete tipo os principaiis de
afunddamentos de d tenso triffsicos deseequilibradoss mostradoss na Figura 2.5 e Figura 2.6.
Se aas impednccias de seqquncia possitiva e zerro so diferrentes, tamb bm existe uma
mudaana nas teenses das fasesf no faltosas.
fa Se o sistema aterrado solidamente
s e esta
diferrena no significativva. Se o sisttema aterrrado atravs de resistncias ou attravs
de alltas impednncias, a sobre tenso naas fases noo faltosas poode ser de mais
m de 70% %.
O afundam
Os mentos de ttipo A so
o devido s faltas trifsicas (simtricas) e deemais
por ffaltas assim
mtricas senndo que os afundamenntos de tippo B so devido s faltas
monoofsicas, oss de tipo C e D podeem ser deviido faltas bifsicas. O tipo C pode
ser causado por uma falta monofsica
m e a medioo realizadaa aps um transformad
t dor -
Y.
36
- Afundamento Tipo A
Va (V ) j (0)
1 1
Vb ( V ) j ( 3V ) (2.1)
2 2
1 1
Vc ( V ) j ( 3V )
2 2
37
Figura
a 2.8: Diagraama fasoriall e formas de onda - Afu
undamento Tipo B.
- Afuundamento Tipo
T C
Va (1)) j (0)
1 1
Vb ( ) j ( 3V ) (2.3)
2 2
1 1
Vc ( ) j ( 3V )
2 2
- Afuundamento Tipo
T D
V (V ) j (0)
Va (
1 1
V ( V ) j ( 3V )
Vb (2.4)
2 2
1 1
V ( V ) j ( 3V )
Vc
2 2
- Afuundamento Tipo
T E
Va (1) j (0)
1 1
Vb ( V ) j ( 3V ) (2.5)
2 2
1 1
Vc ( V ) j ( 3V )
2 2
- Afuundamento Tipo
T F
Va (V ) j (00)
1 1 1
Vb ( V ) j ( 3 3V ) (2.6)
2 3 6
1 1 1
Vc ( V ) j ( 3 3V )
2 3 6
39
- Afuundamento Tipo
T G
2 1
Va ( V ) j (0)
3 3
1 1 1
Vb ( V ) j ( 3V ) (2.7)
3 6 2
1 1 1
Vc ( V ) j ( 3V )
3 6 2
Tabela 2.3: Relao entre tipo de falta, tipo de afundamento e conexo da carga.
Tipo de Conexo da carga
falta
Estrela Y Delta
FFFT A A
FFT E F
FF C D
FT B C
A Tabela 2.4, construda a partir das expresses da Tabela 2.2, apresenta a relao
existente entre os afundamentos de tenso dependendo do tipo de conexo da carga
(BRITO; LEAO, 2006).
Tabela 2.4: Relao entre afundamentos de tenso em cargas com conexo estrela e delta.
Conexo da
Tipo de afundamento no primrio
carga
Estrela A B C D E F G
Triangulo A C D C F G F
Figu
ura 2.16: Variao da magnitude
m dee um afundaamento de teenso por ioonizao de falha
(GMEZ Z, 2005).
A partida ou u arranque de
d motores leva a uma queda de tenso sbita simultneea nas
trs fases seguiidas por um ma lenta reecuperao. Como um m motor de induo leeva a
mesmma correntee nas trs faases, a quedda de tensoo a mesm
ma nas trs fases.
f Em outras
o
palavvras, a partida do motor resulta em
m um afundaamento equilibrado.
E sistemass de baixa tenso,
Em t granndes cargass monofsiccas podem levar a reduues
de cuurta duraoo de tensoo durante a partida ou at mesmo durante a operao
o noormal
(BOL LEN, 2006)).
t argV t 0 t ((2.10)
V t
t arg j 2f 0t
((2.11)
V 0
A expressoo seguinte (derivada das expresses anteriores) pode ser usada para
garanntir que o n
ngulo resulttante no inteervalo -180 e 180.
V t
t arrg ((2.12)
V 0 expp j 2f 0 t
O
Onde:
1159.3, 2003). Este ngulo no est definido para afundamentos devido a partidas de
motores e energizao de transformadores (IEEE P1564 e CIGRE WG 36-07, 2001).
Alguns tipos de equipamentos, sobre tudo os rels eletromecnicos e contatores,
demonstraram ser afetados pelo ponto da onda de tenso do terminal no instante que
comea o afundamento de tenso (DJOKIC, MILANOVIC, KIRSCHEN, 2004).
2.4.1 Faltas
Figu
ura 2.20: Affundamento de tenso RMS
R e Instaantneo (IEE
EE P1564 e CIGRE
C WG
G 36-
07, 2001).
48
Existem diversos fatores que contribuem para ocorrncia de curtos circuitos como as
queimadas acidentais ou intencionais debaixo de linhas de transmisso, sub-transmisso
e distribuio, contatos acidentais nas redes de distribuio, vendavais, vandalismo,
acidentes rodovirios, ramos de rvores, contatos de aves e animais, etc. (SANKARAN,
2002; LEBORGNE, 2003).
Outras causas so a poluio ambiental e a maresia. No caso da fuligem ambiental
gerada pelas indstrias, automotores, etc., esta depositada sobre os isoladores e
equipamentos, e em contato com a umidade provoca a ocorrncia de faltas a terra
(correntes de contorno) devido s sobre tenses tanto de manobra ou de origem
atmosfrica (LEBORGNE, 2003).
Tabela 2.6: Nveis de imunidade definidos pela IEEE Std. 1346 - 1998.
Imunidade Mnima Mdia Mxima
Equipamento % ms % ms % ms
PLC 75 15 62 270 48 620
Porto (Card) de entrada PLC 82 20 55 40 32 40
ASD 82 15 77 50 60 85
Rel AC 77 10 68 15 60 35
Arrancador 60 15 50 50 40 85
PC 80 35 60 50 50 65
N
Neste docummento so definidas
d ass Variaes de Tenso de Curta Durao
D (VT
TCD),
sendoo os afunddamentos ded tenso classificado
c s como affundamento momentnneo e
tempporrio denntro do tippo de VTC CD. Esto descritas asa bases conceituais
c e os
52
2.7.4 IEEE Std. 1250-1995 IEEE Guide for Service to Equipment Sensitive to
Momentary Voltage Disturbances
2.7.5 IEEE Std. 446-1995 IEEE Recommended Practice For Emergency and
Standby Power Systems for Industrial and Commercial Applications
(Orange Book)
2.7.6 IEEE Std. 493-2007 IEEE Recommended Practice for the Design of
Reliable Industrial and Commercial Power Systems (Gold Book)
2.7.7 IEEE Std. 1100-1999 IEEE Recommended Practice For Powering and
Grounding Electronic Equipment (Emerald Book)
A norma IEC 61000-4-30 (2003) define Variaes de Tenso de Curta Durao como:
2.7.13 IEC 61000-2-1 (1990-05) clause 8 Voltage Dips and Short Supply
Interruption
Pontos Vermelh
P hos - Puntos de prueba requerida.
T
Tringulos azules - Lugares reccomendados
F
Figura 2.24:: Curva SEM
MI F47-07066.
2.7.117 Curva CBEMA (Compu uter Busiiness Equ uipment Manufactu urers
Associattion) e a cu
urva ITIC (Informatioon Technology Industtry Councill)
N
Nos EUA h instituuies quee relataram m especificaes com respeitoo ao
estabbelecimentoo de nveis ded tolernciaa aos afundamentos de tenso.
A curva CB BEMA uma u das reeferncias amplamente
a e utilizada,, esta curvva foi
apressentada pelaa primeira vez em 19887, na IEEE E Std. 446.. A curva foif originalm mente
criadda pelos fabrricantes de computado ores, os quaiis especificaavam faixass de operao em
que os equipam mentos aprresentavam erros de funcioname
f ento ou dannos. Esta curva
tornoou-se parm metro compparativo dee tolernciaa de microprocessadorres. Contuddo, o
correeto seria dispor de umaa curva espeecfica para cada equipaamento a seer analisado.
A comparao feita atravs da superposio de ponto os referentees amplituude e
durao dos afuundamentoss sobre o plano p da cuurva. Na Figura 2.25 e Figura 2..26, a
regio compreeendida entree as curvass consideerada comoo regio acceitvel para um
distrbio.
N Figura 2.26, a regio acima estt sujeita a danos ao eqquipamento
Na o por elevao de
tenso e chammada regio de susceptib bilidade, coom possibiliidade de rupptura da isoolao
dos equipamento
e os (perda dee hardware)), devido ocorrncia
o d sobre tennses transittrias
de
e elevvaes de teenso. Paraa o caso de sobre
s tensees esta regio de muitto interesse.
A regio infferior est suujeita a mauu funcionammento ou deesligamento do equipam mento
por aafundamentto de tensoo. chamaada regio de d sensibilidade, com possibilidadde de
paradda de operaao dos eqquipamentos, em virtuude da ocorrrncia de afundament
a os de
tenso, juntamen nte com as interrupees momentneas. Para o caso de afundament
a tos de
tenso esta regio de muitto interesse.
57
Figura 2.25: Envvelope de tolerncia de tenso tpicco para sistema computaacional adap
ptado
da norma IEEE
I Std. 446 - 1987. Curva
C CBEM MA (POMILLIO, 2007).
Figura 2.26: Envvelope de tolerncia de tenso tpicco para sistema computaacional adap
ptado
da normaa IEEE Std.. 446 - 1987. Curva ITIC C (POMILIO, 2007).
Uma nova verso
U v destta curva foii proposta. Tem o objjetivo de trraduzir melhor a
realiddade das especifica
e es dos microprocess
m sadores. A curva ITIIC (Inform mation
Techhnology Inddustry Counncil) possui algumas modificaes
m s de faixa de
d amplitudde em
relao curva da
d CBEMA A.
P
Para o casoo da curva ITIC as regies
r de susceptibiliidade (supeerior), regio de
imunnidade (meio) e a regio de seensibilidadee (inferior) so equivvalentes a curva
CBE EMA.
58
F
Figura 2.27:: Comparao de curvaas CBEMA, ITIC e SEM
MI F47 (GMEZ, 2005)).
2.8 Resumo
N
Neste captu
ulo foram apresentadas
a s as definies bsicass sobre os afundament
a tos de
tenso e as suaas causas. AAinda, com mentou-se ass consequnncias dos afundamento
a os de
tenso nas cargaas tais como: sensibiliddade dos eqquipamentos, normas e recomendaes
nacioonais e intternacionaiss, informao fornecida pelo fabricante
f e resultadoos de
levanntamentos experimenta
e ais.
A
Apresentaram m-se, tam mbm, os conceitos bsicos sobre caraacterizao dos
afunddamentos ded tenso, tais como: magnitudee, durao, frequnciaa de ocorrncia,
diagrrama fasorial, perfil dee tenso, saalto de nguulo de fase, ponto de incio e ponnto de
fim, e os fatoress que afetam
m estes parmetros e quue permitiro compreeender os asssuntos
que ssero abordados nos caaptulos subsequentes.
59
3 MTODOS DE SIMULAO
3.1 Introduo
Sistemas eltricos de potncia esto frequentemente expostos a interrupes,
principalmente devido s faltas e/ou operao incorreta (HOROWITZ; PHADKE,
2009). Uma falta, no contexto de SEP, definida como qualquer distrbio que interfere
no fluxo de potncia normal da rede eltrica (GRAINGER; STEVENSON, 1996). As
faltas afetam a confiabilidade do SEP, a segurana e a qualidade da energia eltrica
fornecida, e podem ser consideradas como um fenmeno estocstico.
Os mtodos de anlise de faltas so uma importante ferramenta para determinar as
tenses e correntes do SEP durante a ocorrncia de distrbios. Eles fornecem
importantes informaes para o ajuste, a coordenao das protees e para a anlise da
eficincia do sistema, bem como para a especificao de equipamentos. Na atualidade,
so propostas e utilizadas trs abordagens para a anlise de faltas (HALPIN; GRIGSBY,
1994):
- Anlise clssica por meio das componentes simtricas;
- Anlise por componentes de fases;
- Anlise mediante simulaes no domnio de tempo.
Z2 Zf
VPAC (3.1)
Z1 Z 2 Z f
61
O
Onde:
VPAC Magnitude
M d afundameento de tensso no PAC
do C em pu;
Z2 imppedncia da linha entre a barra de acoplament
a to e o pontoo de falta em
m ;
Z1 imppedncia equuivalente daa fonte no ponto
p de aco
oplamento em
e ;
Zf impeedncia de falta
f em .
A distncia crtica (Lcrtica) podee ser determ minada em m funo da d tenso ccrtica
admiitida (Vcrticaa), de acordoo com a equuao seguinnte que desppreza a imppedncia dee falta
(CARRVALHO FILHO, F 20000; LEBOR RGNE, 20033):
Z1 Vcrrtica
Lcrticca (3.2)
z 1 Vcrtica
O
Onde:
Lcrtica distncia
d crrtica em km
m;
z impedncia do aalimentador por unidade de compriimento em /km.
Os dados necessrios
O n s para exeecutar uma anlise completa
c n
num sistem
ma de
distriibuio so os seguintees:
- Nmero de alimentaadores ligad
dos no PAC
C;
- Impednncia por unnidade de compriment
c to de cada um dos alimentadore
a es ou
linhas dee transmisso;
- Comprim
mento total dos
d alimenttadores ou linhas de traansmisso.
- Impednncia da fontee.
F
Figura 3.2: Diagrama
D u
unifilar, mttodo do curtto-deslizantee.
C
Cada posio de faltaa representaa faltas num
ma certa parte
p do sisstema, faltaas na
subestao e falltas entre 0 %, 25 %, 50 %, 75 % e 100 % da linha so mostraddas na
Figurra 3.3 e Tabbela 3.1.
Figura 3.3:
3 Posiess de falta.
Tab
bela 3.1: Desscrio das posies
p de falta.
f
Po
osies de faalta D
Descrio
1 Fallta no barram
mento da subbestao locaal
2 Faalta numa linhha, prxima subestao
o
3 Falta a 25% da linnha
4 Falta a 50% da linnha
5 Falta a 75% da linnha
6 Falta a 100% da liinha
7 Faltaa a 0% da lin
nha
8 Faltta no barrameento da subeestao remotta
Ou na forma matricial:
0,50 0,92 0,96 0, 77 0,57
0, 23 0,98 0, 49 0,82 0,82
Vsag 0, 66 0, 78 0,99 0,95 0, 78 (3.3)
0, 78 0,55 0,91 0,93 0, 69
Ou na forma matricial:
1 0 0 1 1
1 0 1 1 1
Vsag _ b 1 1 0 0 1 (3.4)
1 1 0 0 1
1
2
3 (3.5)
n
Assim, o vetor desempenho de cada barra #sags possui tantos elementos quantas
barras observadas, e cada elemento indica o nmero de afundamentos por ano em cada
barra, ou seja, o desempenho de cada barra (OLGUIN, 2005).
65
Figu
ura 3.4: Rep
presentao trifsica doo sistema de potncia (S
STAGG; EL
L-ABIAD, 19968).
Figu
ura 3.5: Representao trifsica
t do sistema de potncia
p com
m falta na barra p (STA
AGG;
EL-ABIAAD, 1968).
F ) E(0) Z Baarra I ( F )
E(abc abc abbc abc
(3.4)
abc
O
Onde E(0) o vetor tenso pr-falta e I (abc
F ) o vetor corre
ente de faltaa na barra p::
E1(0
abcc
)
abc
E(0) E pabcc
(00) (3.5)
E abcc
n (00)
0
I (abc
F) I pabc
(F )
(3.6)
0
A matriz imp
pedncia dee barra Z Bar
abcc
rra
( F ) E n (0) Z np I p ( F )
Enabc abc abc abc
(3.8)
Os elementos de Z Barra
abc
so matrizes de dimenso 3x3. A equao E pabc
( F ) pode ser
escrita da forma:
E1(abcF ) E1(0)abc
Z1abc abc
p I1( F )
E pabc
(F )
E abc
p (0) Z abc abc
I
pp p ( F ) (3.9)
E abc E abc Z abc I abc
n ( F ) n (0) np p(F )
(F ) Z f I p(F )
E pabc abc abc
(3.10)
Para calcular uma falta fase (a) para-a terra (g), a matriz impedncia de barra Z Barra
abc
Onde:
Zf = Rf + j 0;
Rf = resistncia de arco em .
O
Onde:
Vf = valor
v negatiivo da tenso pr-falta Vk em um n
n faltoso K (Vk = Vpr--falta =
1
1pu).
Figura 3.6:
3 Falta Faase-Terra (M
MAKRAM; BOU-RABE
EE; GIRGIIS, 1987).
Vi Z (i , K ) I f Z nova I f ((3.14)
O na form
Ou, ma matricial:
V1 Z 1,1 Z 1, K Z 1, N 0
V Z 2,1 Z 2, K Z 2, N 0
2
((3.15)
VK Z K ,1 Z K , K Z K , N I f
VN Z N ,1 Z N , K Z N , N 0
O
Onde i =1
N e K esccolhido com mo o n falttoso. Vi so a superpoosio de tennses
deviddo injeoo da correntte de falta. A soma da superposio de tenses devido a uma
falta fase-terra (a-g)
( e as tenses
t pr--falta nas barras,
b d o valor finall das tensees em
cada barra, ou seeja:
V ps faltta Vi V pr
p falta ((3.16)
F
Figura 3.7: Corrente
C de linha no aliimentador trrifsico (MA
AKRAM; BOU-RABEE
E;
GIRGIS S, 1987).
( L , L ) Z Barra
Z nova ( L , L ) Z nova B ( L,L ) Z f ( L ) ((3.18)
n ( M , M ) Z Barra ( M , M ) Z f ( M )
Z nova ( M , M ) Z nova ((3.19)
A corrente de
d falta paraa falta fase-ffase-terra dada por:
1
I fL Z (L , L ) a ( L , M ) V fLf
Z nova
I Z Z (M , M ) V fM
((3.20)
fM novva ( M , L )
O na formaa genrica:
Ou
I f Z nova 1V f ((3.21)
72
O
Onde:
VfL = -VL (Tenso pr-falta no n L);
VfM = -VM (Tensso pr-falta
a no n M).
O na form
Ou, ma genrica:
Vi Z (i , j ) I f Z nova I f ((3.23)
O
Onde:
i = 1 N , j = 1 N.
A tenso tottal de cada barra Vps-ffalta e a corrrente em cada fase do
o alimentaddor ou
linhaa Ilinha, so obtidas
o das equaes
e (3
3.16) e (3.177).
A matriz Zbarra modificada como foi descrito previamente para incluir o novo n
bifsico onde acontece a falta. Os elementos de Zbarra correspondentes ao n p e q so
aumentados para incluir a resistncia de falta, visto j na equao (3.12). Assim tem-se:
( p , p ) Z Barra ( p , p ) R f / 2
Z nova ( p , p ) Z nova (3.24)
( q ,q ) Z Barra ( q ,q ) R f / 2
Z nova ( q ,q ) Z nova (3.25)
V fp Z (p , p ) ( p ,q ) I f
Z nova
V Z Z (q ,q ) I f
(3.26)
fq nova ( p ,q )
Vf
If (3.27)
Z (p , p ) 2Z nova
( p , q ) Z (q , q )
V f V fq V fp (3.28)
Ou na forma genrica:
Vi Z (i , j ) I f Z nova I f (3.30)
Onde i = 1 N , j = 1 N.
A tenso total de cada barra Vps-falta e a corrente em cada fase do alimentador Ilinha,
so obtidas das equaes (3.16) e (3.17).
74
A matriz im mpedncia dee barra ZBarrra modificcada para quue os elemeentos da diagonal
dos nns R, S e T incluam a resistncia
r de
d falta Rf como nas seguintes eqquaes:
va ( R , R ) Z Barrra ( R , R ) R fR / 2
Z noova ( R , R ) Z nov ((3.31)
va ( S , S ) Z Barrra ( S ,S ) R fS / 2
Z noova ( S , S ) Z nov ((3.32)
a (T ,T ) Z Barrra (T ,T ) R fT / 2
Z novva (T ,T ) Z nova ((3.33)
A correntes de falta em
As ( S e T) so IfR, IfS, IfT. A corrrente
e este n trifsico (R,
injetaada no resto dos ns zero. Por tanto, as correntes
c dee falta If nesstes trs ns so
obtiddas como:
1
I fR Z (R , R ) Z (R , S ) Z (R ,T ) V fR
f
I fS Z (S , R ) Z (S , S ) Z (S ,T ) V fSf ((3.34)
I fT Z (T , R ) Z (R , S ) Z (T ,T ) V fTf
O
Onde:
V fR = - tenso pr-falta
p no n R.
V fS = - tenso pr-falta
p no n S.
V fT = - tenso pr-falta
p no n T.
75
A tenses superpostas
As s s Vi em caada n so obtidas
o usaando a matrriz ZBarra oriiginal
comoo:
V1 Z (1,11) Z (1, R ) Z (1, S ) Z (1,T ) Z (1, N ) 0
VR Z ( R ,11) Z ( R,R) Z ( R,S ) Z ( R ,T ) Z( R,N ) I R
VS Z ( S ,11) Z(S ,R) Z ( S ,S ) Z ( S ,T ) Z(S ,N ) I S ((3.35)
VT Z (T ,11) Z (T , R ) Z (T , S ) Z (T ,T ) Z (T , N ) I T
V Z ( N , Z( N ,R) Z ( N ,S ) Z ( N ,T ) Z ( N , N ) 0
N 1)
3.6.11 Compon
nentes Simtricas
E mais de 70% dos cuurtos-circuittos, a falta do tipo fasse-terra, maas podem occorrer
Em
faltass bifsicas 15%, bifsiicas terra 10% ou at mesmo trrifsicas 5% % (ANDERSON,
19733). Apenas no n curto-cirrcuito trifssico, os conndutores daas trs fasess so igualm
mente
solicitados, comm as correnttes de falta de mesmo valor, mas defasados de d 120 enttre si.
Podee-se, ento, representarr apenas um m condutor de d quaisqueer das fases. Para os deemais
tiposs de faltas, originam-sse comportaamentos asssimtricos no sistemaa eltrico, sendo s
necessrios clcculos para determinar a assimetria das tensess e correntess.
A componeentes simttricas perm
As mitem que quantidades
q de correnttes e tenses de
fasess desequilib bradas posssam ser suubstitudas separadameente por trrs componnentes
equillibradas liinearmente independeentes cham madas de componeentes simtricas
(SAA ADAT, 200 02), cuja som
ma igual ao
a sistema original
o (FOORTESCUE E, 1918). Este o
teoreema de Forrtescue: podde represenntar-se qualquer sistem ma trifsico (equilibraddo ou
deseqquilibrado) como combbinao lineear deles. Para
P determiinar a respoosta de tenso ou
correente de tod do o sistem ma basta addicionar ass respostas dos vetorees de sequuncia
(FOR RTESCUE, 1918).
O fasores trrifsicos de correntes de
Os d sequnciaas so mostrrados na Figgura 3.11.
Figu
ura 3.11: Reepresentao vetorial daas Componeentes Simtrricas (FORT
TESCUE, 19918).
76
I a1 I a1 0 I a1
I b1 I a1 240 a 2 I a1 (3.36)
I c1 I a1 120 aI a1
Sabendo que:
1 a a2 0 (3.38)
Os fasores de sequncia zero, os quais esto em fase, como mostrado na Figura 3.11
(c), so dados por:
I a0 I b0 I c0 (3.40)
I a I a0 I a1 I a2
I b I b0 I b1 I a2 (3.40)
Ic I I I
0
c
1
c
2
c
I a I a0 I a1 I a2
I b I a0 a 2 I a1 aI a2 (3.41)
I c I a0 aI a1 a 2 I a2
I a 1 1 1 I a0
I 1 a 2
b a I a1 (3.42)
I c 1 a a 2 I a2
Em notao matricial:
1 1 1
A 1 a 2 a (3.44)
1 a a 2
1 1 1
1 1
1
A 1 a a 2 A * (3.46)
3 3
1 a 2 a
I a0 1 1 1 Ia
1 1
I a 3 1 a a 2 I b (3.47)
I a2 1 a 2 a I c
Va 1 1 1 Va0
V 1 a 2
b a Va1 (3.48)
Vc 1 a a 2 Va2
Va0 1 1 1 Va
1
Va 1 a
2
a Vb (3.50)
Va2 1 a a 2 Vc
S(3 ) V abcT I abc* 3(V 012 I abcT ) 3Va0 I a0* 3Va1I a1* 3Va2 I a2* (3.52)
79
D
Descrevem- se as imppedncias queq os differentes eqquipamentoss ou elem mentos
utilizzados no SEP
S apresenntam as differentes coorrentes de sequnciass. A impeddncia
ofereecida ao flu
uxo da correente de sequ
uncia posittiva conheecida comoo impednccia de
sequncia posittiva e denotada
d or Z1, a dee sequnciaa negativa por Z2, e a de
po
0
sequncia zero por
p Z.
Figura
a 3.12: Cargga equilibrada conexo estrela Y (SAADAT,, 2002).
A tenses fase-terra
As f so:
Va Z s I a Z m I b Z m I c Z n I n
Vb Z m I a Z s I b Z m I c Z n I n ((3.53)
Vc Z m I a Z m I b Z s I c Z n I n
P
Pelas leis dee Kirchhoff das correntes, tem-se:
I n I a Ib Ic ((3.54)
S
Substituindo
o (3.54) em (3.53), e reescrevendo em forma matricial,
m vem:
Va Z s Z n Zm Zn Zm Zn Ia
V Z Z Zs Zn Z m Z n I b ((3.55)
b m n
Vc Z m Z n Zm Zn Z s Z n I c
D forma co
De ompacta, esccreve-se:
V abc Z abc I aabc ((3.56)
E
Escrevendo V abc em term
mos das com
mponentes simtricas, obtem-se:
Z s 3Z n 2 Z n 0 0
Z 012 1
A Z abc
A 0 Zs Zm 0 (3.59)
0 0 Z s Z m
Z s 3Z n 0 0
Z 012
0 Zs 0 (3.60)
0 0 Z s
X 0 X 1 3X n (3.61)
D
X n 2 f 0, 2 ln n (3.62)
D
Onde:
D Distncia entre condutores de linha;
Dn Distncia entre condutores e terra;
f Frequncia da rede;
Xn Reatncia de sequncia zero em m/km.
81
Figu
ura 3.13: Flu
uxo de correente de sequ
uncia zero com
c retorno
o de terra (S
SAADAT, 20002).
Vmn a Z aa Z abb Z ac I a
V Z bc I b
mn b Z ba Z bbb ((3.63)
Vmn c Z ca Z cbb Z cc I c
E termos de
Em d componeentes simtrricas, tem-see:
Z S 0 2 Z M 0 Z S 2 Z M 2 Z S1 Z M 1
Z mn 012 A Z abc A Z S 1 Z M 1
1
Z S 0 2Z M 0 Z S 2 Z M 2 (3.65)
Z S 2 Z M 2 Z S1 Z M 1 Z S 0 2Z M 0
Onde:
ZS0 = (1/3)(Zaa+Zbb+Zcc) (3.66)
Se as impedncias prprias forem iguais entre si e mtuas das trs fases tambm
iguais entre si (linha simtrica), tem-se o seguinte caso particular:
as m
mesmas. Em um banco de d transform madores, a impedncia
i de sequnccia zero siimilar
imppedncia dee disperso ZL, portantoo temos:
Z0 = ZL ((3.76)
F
Figura 3.15: Equivalentte trifsico de
d sequnciaa zero de ban
ncos de tran
nsformadorees
(KUNDUUR, 1994).
F
Figura 3.16: Gerador triifsico equillibrado (SAA
ADAT, 20022).
1
E abc
a 2 Ea ((3.79)
a
85
Va Ea Z s I a Z n I n
Vb Eb Z s I b Z n I n (3.80)
Vc Ec Z s I c Z n I n
Va Ea Z s Z n Zn Zn Ia
V E Z Zs Zn Z n I b (3.81)
b b n
Vc Ec Z n Zn Z s Z n I c
Onde:
Z s 3Z n 0 0 Z 0 0 0
Z 012
0 Zs 0 0 Z1 0 (3.85)
0 0 Z s 0 0 Z 2
0
E 012
a Ea (3.86)
0
Finalmente substituindo:
Va0 0 Z 0 0 0 I a0
1
Va Ea 0 Z1 0 I a1 (3.87)
Va2 0 0 0 Z 2 I a2
Figura 3.17:
3 Redes de sequncias (SAADA
AT, 2002).
O mtodo das
d Componnentes Simtricas convvencional considera
c q o sistem
que ma de
alimeentao trrifsico, sim quilibrado, ou seja, a matriz imppedncia de cada
mtrico e eq
mento do sisttema estudaado: linhas,, cargas, traansformadorres, bancos de capacitoores e
elem
demaais elementtos componnentes do siistema siimtrica. Onnde, na equuao (3.888), os
elem
mentos da diaagonal da matriz
m impeddncia so chamados
c d impednccias prprias e os
de
elem
mentos fora da
d diagonal principal so chamadoos de impeddncias mtuuas. Assim,,
Z aa
a Z ab a
Z ac
Z abc
Z ba Z bb Z bc ((3.88)
b b
Z ca
c Z cb Z cc
c
mtuas) tambm so iguais entre si. Resultando, assim, uma matriz onde as impedncias
prprias so iguais ZP = Zaa = Zbb = Zcc e as impedncias mtuas tambm so iguais ZM
= Zab = Zba = Zbc = Zcb = Zca = Zac. Na equao (3.89), apresenta-se o conceito antes dito.
Zabc uma matriz de um elemento qualquer do SEP, ou seja:
ZP ZM ZM
Z abc
Z M ZP Z M (3.89)
Z M ZM Z P
Onde:
ZP impedncias prprias Zaa, Zbb e Zcc ,
Esta matriz tem seus elementos todos distintos entre si. Na literatura pesquisada
encontra-se uma aproximao para sistemas desequilibrados (KERSTING, 2007;
GLOVER; SARMA; OBERBYE, 2008), onde se prope modificar a matriz de
impedncia Zabc de uma linha assimtrica do sistema, idealizando como uma
impedncia de linha transposta onde suas impedncias mtuas so iguais e com
impedncias prprias iguais. Os autores propem aproximar a impedncia prpria
Z P como uma mdia entre as impedncias prprias, e uma impedncia mtua Z M como
a mdia entre as impedncias mtuas. Ditas impedncias so definidas como:
1
ZP Z aa Z bb Z cc (3.91)
3
1
ZM Z ab Z bc Z ca (3.92)
3
88
ZP ZM ZM
Z abc
ZM ZP ZM (3.93)
Z M ZM Z P
Z 00 Z P +2Z M (3.94)
Z 11 Z 22 Z P - Z M (3.95)
Z 00 0 0
Z 012
0 Z 11 0 (3.96)
0 0 Z 22
1
znn rn 0, 0953 j 0,12134 ln 7,93402 (3.100)
GMRn
89
1
zij 0, 0953 j 0,12134 ln 7,93402 (3.101)
Dij
1
zin 0, 0953 j 0,12134 ln 7,93402 (3.102)
Din
Onde:
zii impedncia prpria do condutor i, em /milha;
zij impedncia mtua entre os condutores i e j, em /milha;
znn impedncia prpria do neutro n, em /milha;
zin impedncia mtua entre o condutor i e o neutro n, em /milha;
ri resistncia do condutor i, em /milha;
rn resistncia do neutro n, em /milha;
GMRi radio mdio geomtrico do condutor i, em ps;
GMRn radio mdio geomtrico do neutro n, em ps.
Aplicando a reduo de Kron na equao (3.102) e fazendo a transformao de
impedncia de fases a impedncia de sequncias nas seguintes equaes se obtm as
impedncias de sequncias zero, positiva e negativa, em /milha.
z 2
z00 zii 2 zij 3 in (3.103)
znm
Dij
z11 z22 zii zij ri j 0,12134 ln (3.104)
GMRi
A
Assim, em geral para uma falta na barra k,
k as correentes de sequncias so as
seguiintes:
Vk (0)
I k0 I k1 I k2 (33.105)
Z Z Z kk0 3Z f
1
kk
2
kk
Figu
ura 3.19: Coonexo das redes
r de sequncia paraa uma falta fase-terra
f (S
SAADAT, 20002).
91
I ko 0 (33.107)
Vk (0)
(
I k1 I k2 (33.108)
Z Z kkk2 Z f
1
kk
I kabc
a
A I k012 (33.109)
A equao (3.105)
( reprresenta o ciircuito cujaas redes de sequncia esto
e conecctadas
comoo mostradoo na Figura 3.21.
3
Z kk2 Z f
I k0 I k1 (33.110)
Z Z 2Z f
2
kk
0
kk
Vk (0))
I k1 (33.111)
( Z kk2 Z f )( Z kk0 Z f )
Z Zf
1
kk
Z kk2 Z kk0 2 Z f )
Z kk0 Z f
I
2
k I k1 (33.112)
Z Z 2Z f
2
kk
0
kk
Onde Z1kk , Z2kk , Z0kk so os elemenntos das diaagonais das matrizes dee impednciias de
O
barraas e Vk(0) a tenso pr-falta. A coorrente de falta:
f
I k ( F ) I kb I kc (33.113)
O
Onde a correente de faltaa em coordeenadas de faase ;
V (00)
I k120 ( F ) k
(33.115)
Z Zf
120
kk
Vk (0)
I k1 (33.116)
Z kk1 Z f
Vk (0)
I k2 (33.117)
Z kk2 Z f
Vk (0)
I k3 (33.118)
Z kk3 Z f
Vi 0 ( F ) 0 Z ik0 I k0
Vi1 ( F ) Vi1 (0) Z ik1 I k1 (33.120)
Vi ( F ) 0 Z I
2 2 2
ik k
94
O
Onde Vi1(0)) = Vi (0) a tenso
o pr-falta na barra i e Z ik0 , Z iki0 e Z ik0 so as
012
d matriz Z barra
impeedncias de sequncia da da barrra em falta k.
k
A tenses de
As d barras duurante a faltaa so:
Vi abc
a
AVi 012 (33.121)
Vi 0 ( F ) V j0 ( F )
I
0
k (33.122)
zij0
Vi1 ( F ) V j1 ( F )
I k1 (33.123)
zij1
Vi 2 ( F ) V j2 ( F )
I k2 (33.124)
zij2
Onde zij0, zij1, zij2 so as impedncias das linhas de sequncia zero, posittiva e
O
negaativa, respecctivamente, que unem as
a barras i e j. As correnntes nas fasses sero:
Figura 3.2
25: Conexoo das redes de
d sequnciaa para uma Falta Trifssica-Terra
(ANDERSO ON, 1973).
Z 00 Z 01 Z 02
Z 012 A1Z abc A Z 10 Z 11 Z 12 (3.127)
Z 20 Z 21
Z 22
Z M012
100% 5% (3.129)
Z P012
Z 00 0 0 0,4060 j1,1849 0 0
(3.130)
Z 0 Z
012 11
0 0 0,1155 j0,3708 0
0 0 Z 22
0 0 0,1155 j 0,3708
1 1
ZP Zaa Zbb Zcc (0, 2153 j0,6325) (0, 2097 j 0,6511) (0, 2121 j 0,6430)
3 3
Z P 0,2124 + j 0,6422
1 1
ZM Zab Zbc Zca (0,0969 j0,3117) (0,0954 j0, 2392) (0,0982 j0, 2632)
3 3
Z M 0,0968 + j 0,2714
0,4060 + j1,1849 0 0
Z 012
0 0,1155 + j 0,3708 0
0 0 0,1155 + j 0,3708
0,4060 + j1,1849 0 0
Z 012
0 0,1155 + j0,3708 0
0 0 0,1155 + j0,3708
3.8 Resumo
Neste captulo foram apresentadas as metodologias mais utilizadas para simulao e
clculo das caractersticas dos afundamentos de tenso. O mtodo mais apropriado para
anlise em sistemas radiais o mtodo da distncia crtica. Enquanto para sistemas
malhados recomendada a utilizao do mtodo das posies de falta associado a um
programa de curto-circuito.
Em funo da aleatoriedade de ocorrncias de afundamentos de tenso, os mtodos
de simulao so apropriados para obter, estatisticamente, os parmetros destes
distrbios. As ferramentas computacionais utilizadas para determinar os parmetros dos
afundamentos de tenso so muito conhecidas e podem-se agrupar, basicamente, em
duas classes: a primeira simulao com programas de transitrios eletromagnticos no
domnio de tempo utilizado neste caso o programa ATP/EMTP, e a segunda simulao
por meio dos mtodos de faltas em regime permanente, onde existem dois mtodos de
simulao de faltas j conhecidos: o Mtodo das Componentes Simtricas e o Mtodo
das Componentes de Fases.
Os mtodos baseados em programas de clculo de faltas em regime permanente so
os mais utilizados para clculo da magnitude dos afundamentos de tenso, pois a
maioria dos afundamentos de tenso so provocados por curtos-circuitos na rede
eltrica.
A nica diferena entre os trs modelos para o estudo de caso, para a anlise de
faltas: o MCS e o MCF, o valor da tenso pr-falta em todas as barras do SEP
considerado como sendo Vpr-falta = 1pu ou tambm chamado de perfil flat. Para a
simulao no programa ATP/EMTP as tenses pr-faltas do SEP so os valores
resultantes do fluxo de potncia, ou seja, os valores reais de tenses Vpr-falta do sistema.
Tambm foi apresentada uma nova aproximao de obteno da matriz de
impedncia de sequncia de cada elemento do sistema eltrico de potncia, por meio da
resoluo do Mtodo das Componentes Simtricas para sistemas desequilibrados.
98
4.1 Introduo
Neste captulo, sero apresentados o SDEE (Sistema de Distribuio de Energia
Eltrica) e a modelagem de seus componentes. O estudo de curto-circuito abrange uma
variedade de variveis que devem ser levadas em considerao, tais como: impedncia
de falta, tenso pr-falta, alimentadores ou linhas, cargas e impedncia de curto-circuito
equivalente da rede at a subestao. descrita tambm a anlise estatstica para o tipo
de faltas.
76 V 2
Rarco eltrico (4.1)
S SC
8750 L
Rarco eltrico (4.2)
I 1,4
440 L
Rarco eltrico (4.3)
I
Sendo:
L L0 3vvento t (4.4)
Onde:
Rarco-eltrico resistncia do arco, em ;
V tenso do sistema, em kV;
L comprimento do arco eltrico, em ps;
L0 comprimento inicial do arco, correspondente ao espaamento entre os
condutores, em ps;
I valor eficaz da corrente de falta, em Ampres;
vvento velocidade do vento transversal, em milhas/hora;
t durao, em segundos.
100
simuulao no programa
p A
ATP/EMTP, as tensess de pr-falltas do SEP P so os vaalores
resulltantes do flluxo de potncia, ou sejja, os valorees reais de Vpr-falta do sistema.
s
4.4 Sistema
a eltrico estudadoo
Para este esstudo foi uttilizada um
P ma alteraoo no modello IEEE 133 bus test ffeeder
(KER RSTING, 2001), onde existem dois tipos disttintos de linnhas trifsiccas: linha area e
outraa subterrneea. O diagraama da rede de distribuio trifsicca se ilustra na Figura 4.1.
4
O sistema inerentemeente desequiilibrado devvido aos alim mentadores no transpoostos,
as coonexes e caargas monofsicas e as cargas trifsicas deseqquilibradas.
4.4.11 Alimenttadores
T
Tabela 4.5: Dados
D dos Alimentadore
A es.
N N Comprim
mento
Con
nfiguraoo
DE PARA (m))
2 11 152,44 601
2 3 152,44 601
11 10 91,44 601
1 2 609,66 601
8 7 243,88 606
2 4 609,66 601
4 8 91,44 601
4 6 304,88 601
8 9 91,44 601
4 5 152,44 606
0, 4060 j1,1849 0 0
Z 601
0 0,1155 j 0,3708 0 (4.12)
012
0 0 0,1155 j 0,3708
0,8766 j 0, 2898 0 0
Z 606
0 0,3028 j 0, 2579 0 (4.13)
012
0 0 0,3028 j 0, 2579
4.4.2 Cargas
Vk2 Pk
Rk (4.14)
Pk Qk
2 2
Vk2Qk
Xk (4.15)
Pk Qk
2 2
104
Onde:
Rk Resistncia da carga em ;
Xk Reatncia da carga em ;
Pk Potncia ativa da carga em MW;
Qk Potncia reativa da carga ou capacitiva do banco de capacitores em
MVAR;
Vk Tenso do fluxo de potncia em kV;
Zk Impedncia da carga em ;
k Barra de interesse.
V2
Vdeseq 100% (4.16)
V1
n
1
RMSE [ pu ]
n
(v
1
ATP vM ) 2 (4.22)
4.6 Resumo
Neste capitulo, foram apresentados as principais caractersticas do estudo de caso,
como sendo: a resistncia de falta, a frequncia de falta para cada valor especfico de
resistncia de falta, a tenso pr-falta, o sistema estudado (linhas, cargas, impedncia de
curto-circuito na barra da subestao, ndice de desequilbrio, etc.). Foi realizada uma
anlise estatstica e probabilstica de ocorrncia para os distintos tipos de faltas e nveis
de tenso.
A anlise comparativa dos mtodos ser atravs de frequncia de ocorrncia pela
anlise de erros de acordo com a equao de Erro Mdio Quadrtico. No captulo a
seguir sero abordados e comparados os mtodos de clculo de faltas para cada tipo de
falta e para distintas condies de desequilbrio do SEP considerando tambm a
variao da resistncia de falta.
107
5 RESULTADOS OBTIDOS
5.1 Introduo
Neste captulo sero apresentados os resultados obtidos do estudo de caso onde se
utilizaram os diversos mtodos de clculo de curto-circuito para estimao de
afundamentos de tenso, apresentados no captulo 3. As tenses durante a falta foram
calculadas pelos mtodos de Componentes Simtricas e Componentes de Fases.
Na seo 5.2 ser feita uma anlise da influncia do desequilbrio no SEP em
estudos dos afundamentos de tenso. Para avaliar o desempenho dos mtodos de clculo
de afundamentos de tenso foram consideradas duas condies de operao do sistema
com ndices de desequilbrio diferentes.
Avalia-se, na seo 5.3, a influncia do valor da impedncia de falta no desempenho
dos mtodos de clculo para os estudos dos afundamentos de tenso.
Apresenta-se na seo 5.4 uma anlise do desempenho dos mtodos de clculo de
afundamentos de tenso perante os diferentes tipos de faltas.
Em cada seo comparam-se os mtodos por meio dos grficos de frequncia
relativa de ocorrncia de afundamentos de tenso. Na seo 5.2 e 5.4 tambm se
apresenta uma anlise de erros dos mtodos de Componentes de Fases e de
Componentes Simtricas no clculo de afundamentos de tenso, utilizando-se como
referncia os resultados do programa ATP/EMTP.
relevante observar que so simuladas faltas em todas as barras do SEP e
monitorados os afundamentos de tenso no barramento da subestao chamado de
Ponto de Acoplamento Comum (PAC). O segundo conjunto de simulaes inclui,
tambm, faltas em todas as barras e neste caso monitorada a barra nove (9) onde se
tem consumidores sensveis a afundamento de tenso.
A
Ambas as figuras moostram afun ndamentos de tenso monitoraddos na barrra da
subestao quanndo so sim mulados toddos os tipos de faltas (F FFFT, FT, FFT, FF) e com
todoss os valoress de resistncias de faaltas (0, 1, 5, 15 e 25 ). Observ va-se que ppara o
prim
meiro caso com deseqquilbrio nuulo (Figuraa 5.1), os mtodos de d Componnentes
Simtricas e de fases tm umu comporrtamento sem melhante aoo programa ATP/EMT TP em
toda a faixa de valores de afundamen ntos de tensso. O messmo no ocorre para o caso
ondee o desequilbrio do sisttema de 3,65%
3 (Figuura 5.2), ondde as curvass dos mtoddos se
diferrenciam siggnificativam
mente da reeferncia. No N caso do o Mtodo de d Componnentes
Simtricas maais marcadaa a irregularridade na faaixa entre Vsags = 0,4 puu e Vsag = 0,,9 pu,
afasttando-se doss valores dee referncia..
Tabela 5.1:
5 Desempenho total do
d SEP monitorado na barra
b da Subestao.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 3,839 3,6366
MCS 3,839 3,0344
MCF 3,599 3,3599
Figura 5.3:
5 Erro Qu
uadrtico Mdio
M SEP eq
quilibrado barra
b da sub
bestao.
O
Observa-se na
n Figura 5.4
5 que o errro das tensses calculaado pelo mtodo MCS S com
SEP desequilibrrado na conndio de curto-circuit
c to slido de 0,016 ppu, sendo menor
m
valorr que o MCF
F que para esta
e condio de 0,0441 pu.
P
Pode-se percceber na Fiigura 5.5 e na Figura 5.6
5 as curvaas de frequncia relativva de
ocorrrncia de afundamento
a os de tenso simuladoos utilizanddo MCF, MCS
M e proggrama
ATP/EMTP, coorrespondennte a monnitorao da d barra 9 para SEP P equilibraado e
deseqquilibrado respectivam mente. Os resultados
r d mtodo
dos os tm um comportam mento
semeelhante baarra da subeestao quaando o SEP P equilibraado (Figuraa 5.5). O mesmo
m
no ocorre
o quanndo o sistemma deseq quilibrado, como
c se poode observaar na Figuraa 5.6,
ondee as curvas do MCS e do MCF se afastam m dos valores da curvva de referrncia
(valoores obtidoss com o programa ATP P/EMTP). O MCS apreesenta maior erro afastaando-
se accima da currva do proggrama ATP//EMTP na faixa f entre Vsag = 0,1 pu
p at Vsag = 0,8
pu. O MCF ap presenta meenores diveergncias coom respeitoo aos valorres da curvva do
progrrama ATP/E EMTP.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.2.
T
Tabela 5.2: Desempenho
D o total do SE
EP monitoraado na barraa do consum
midor sensveel.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 3,959 5,0155
MCS 3,839 3,2744
MCF 3,599 3,3599
111
F
Figura 5.7: Erro
E Quadrtico Mdio SEP equilib
brado barraa do consum
midor sensveel.
N Figura 5.8
Na 5 se obserrva que os erros das ttenses calcculadas peloos mtodoss para
SEP desequilibrrado na conddio de cu
urto-circuitoo slido so praticamennte iguais, onde o
erro pelo MCF de 0,046 pu e o errro pelo MCS de 0,0447 pu. O mximo m erroo de
0,0899 pu para o MCF e para o MCS de 0,102 pu, p que log go diminuem m para se manter
m
no vvalor de 0,0067 pu e 0,0085 pu, resspectivamennte. possvel observvar em ambos os
mtoodos que co om o aumennto da resistncia de falta Rf oss erros tend dem a se manter
m
consttantes.
112
N
Nesta seoo se observou que as curvas de distribuio o de frequncia relativva de
ocorrrncia acum mulada de afundamenntos de tensso na conndio de SEP S equilibbrado,
moniitoradas naa barra da subestao e na barrra do consuumidor sennsvel so muito m
semeelhantes. Quuando o sistema deseequilibrado os mtodoos apresentaam erros maaiores
com relao cu urva de refeerncia.
A curvas doos erros nass tenses dee fase para a barra da subestao
As s e para a barrra do
consuumidor sen nsvel so prraticamentee de igual comportame
c ento. Nota-sse que o grau de
deseqquilbrio infflui no com
mportamentoo das curvass para as duaas barras mo
onitoradas.
5.3 Influn
ncia do vaalor da im
mpednciaa de falta
N
Nesta seoo avaliar-se-- a influnncia da resiistncia de falta Rf. Para tanto, foram
f
2 ) e forram monitorados
simuulados valorres extremoos de resistncias de faalta (0 e 25
os affundamentos de tenso na barra daa subestaoo.
P
Pode-se observar na Figura 5.9 e na n Figura 55.10 que a curva
c de freequncia relativa
de ocorrncia acumulada
a de afundammentos paraa curtos-circcuitos sliddos (Rf = 0 ),
tantoo em SEP equilibrado comoc deseqquilibrado, apresentam
a iguais com
mportamentoos e a
curvaa do MCF mostra
m frequuncias mennores.
O MCF apreesenta maioores desvioss de frequnncia de ocorrrncia de afundament
a tos de
tenso para valo
ores compreeendidos na faixa de Vsag = 0,1 pu at Vsag = 0,35
0 pu e na faixa
de Vssag = 0,47 puu at Vsag = 0,65 pu.
P tanto, para
Por p Rf = 0 , o desempenho do d MCS superior ao o MCF, ou seja,
segunndo os reesultados mostrados
m na
n Figura 5.9 e na Figura 5.10, quanddo os
afunddamentos ded tenso soo simuladoss a partir dee faltas com impednciaas de falta nula
n
convveniente utillizar o MCS S, inclusive quando o siistema dessequilibradoo.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.3.
113
T
Tabela 5.3: Desempenho
D o do SEP parra Rf = 0 monitoradoo na barra da
d Subestao.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 1,200 1,2000
MCS 1,200 1,2000
MCF 1,200 1,2000
Figura 5.9:
5 Influnccia da resistncia de faltta SEP equillibrado com
m Rf = 0 .
Para o caso
P o extremo quando
q a reesistncia de
d falta elevada
e (Rf mx. = 25 ) se
obserrva, na Figura 5.11 e na Figu ura 5.12, que
q o comp portamento das curvaas de
frequuncia relatiiva de ocorrrncia do Mtodo
M das Componenntes Simtriccas e do Mtodo
das C
Componentees de Fases so semelhhantes porquue, no sistem ma estudaddo, os valorees das
impeedncias daas cargas so semelhaantes ao vaalor da imp mpedncia de d falta (sisstema
sobreecarregado)), e praticam mente no se registraam afundam mentos de tenso
t quanndo a
impeedncia de falta
f de eleevado valorr.
N caso do SEP equiliibrado (Figuura 5.11), os
No o resultadoos do prograama ATP/E EMTP
apressentam afunndamentos de tenso a partir do valor Vsag = 0,82 pu, enquanto para p o
MCS S a partir doo Vsag = 0,88 pu e o MCF no aprresenta afun ndamento dee tenso emm toda
a faixxa de valorees de Vsag.
114
Figura 5.12
2: Influnciaa da resistn
ncia de falta SEP desequ
uilibrado com
m Rf = 25 .
Entretanto, no
E n caso do SEP deseqquilibrado mostrado
m naa Figura 5.12, nem o MCS
nem o MCF moostraram afuundamentos de tenso eem toda a faixa
fa de valoores de Vsagg. J o
progrrama ATP/EEMTP repeetiu os mesm
mos resultaddos obtidos no caso equuilibrado.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.4.
C
Como no ttulo anterioor, avaliar-sse- a influuncia da resistncia
r d falta Rf. Para
de
tantoo, foram sim
mulados valoores extrem mos das resistncias de faltas: 0 e 25 , onnde se
moniitorou os afufundamentoss de tenso na barra doo consumido or sensvel.
O
Observa-se na Figura 5.13
5 e na Figura
F 5.14 que a curvva de frequncia relativva de
ocorrrncia para o caso de curtos-circu
c uitos slidoss (Rf = 0 )), tanto em SEP equilibbrado
comoo desequilibbrado. A cuurva do MCF possui iggual comporrtamento em m toda a faixa de
valorres de tenso, independdente do nvel de deseequilbrio do
d SEP. Na faixa de vaalores
entree Vsag = 0,1 pu e Vsag = 0,55 pu apresenta
a diiscrepncia com respeiito ao MCS S e ao
progrrama ATP/E EMTP. Porrtanto, nestee caso, o dessempenho dod MCS su uperior ao MCF.
M
Ou seja,
s segunddo estes resuultados, quando os afuundamentoss de tenso so simulaados a
partirr de faltas com impedncias de falta nula (condio de curto-ciircuito sliddo)
convveniente utillizar o MCSS, inclusive quando o siistema dessequilibradoo.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.5.
116
T
Tabela 5.5: Desempenho
D o do SEP parra Rf = 0 monitoradoo na barra do consumidor
sensvel.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 1,20 1,20
0
MCS 1,20 1,20
0
MCF 1,20 1,20
0
Figura 5.16
6: Influnciaa da resistn
ncia de falta SEP desequ
uilibrado com
m Rf = 25 .
117
N
Neste caso particular
p d falta trifsica abc-g monitoradaa na barra da
de d subestao, se
podee ver que paara SEP dessequilibradoo a curva dee frequnciaa relativa dee ocorrnciaa pelo
MCF F se mantem m quase iguual e sem variao alguuma com reespeito ao SEP S equilibbrado.
Concclui-se ento, que paraa faltas triffsicas o MCF
M no susceptvell a variaes de
deseqquilbrio doo SEP. Porm para estee tipo de fallta, monitorrado na barrra da subesttao,
o MCCS apresentta sensibiliddade com reespeito varriao do deesequilbrio
o do SEP.
O nmero totalt de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.7.
U
Uma anlisee de erros nas
n tenses estimadas obtida dee acordo coom a equao de
Erro Mdio Quuadrtico. So descritoss na Figuraa 5.19 e na Figura 5.20, para os casos
com sistema equ uilibrado e desequilibra
d ado.
119
Fig
gura 5.19: Falta
F FFFT barra
b da sub
bestao SE
EP equilibraado.
Observa-se na
O n Figura 5.20 que o erro
e mximoo das tensees calculado o pelo MCF F para
falta trifsica-teerra com SEEP desequillibrado foi de 0,087 pu, p para conndio de curto-
c
circuuito slido, diminuindoo at um vallor de erro mnimo de 0,043 pu e estabilizanndo-se
no vaalor de 0,0557 pu. Enquuanto o erroo pelo MCS S zero paraa curto-circcuito slido,, logo
se incrementa att chegar a um valor mximo
m da ordem
o de 0,103 pu e vaai diminuinddo at
ficar num valorr estvel de d 0,075 puu. Observa--se, em am mbos os mtodos, que com
elevaados valores de resistncia de faltta Rf , os errros tendemm a manter--se constanttes na
vizinnhana de 0,,058 pu para MCF e dee 0,075 pu ppara o MCS.
Figu
ura 5.20: Falta FFFT ba
arra da subeestao SEP
P desequilibrrado.
F
Figura 5.21: # Sag Totaal FFFT % barra
b do con
nsumidor seensvel SEP equilibradoo.
O
Observa-se na Figura 5.23
5 que oss erros das tenses callculadas peelo mtodo MCF
para falta trifssica terra com
c SEP equilibrado
e monitoradoo na barra do consum midor
sensvel tem um m comportamento sem melhante monitorao da barra da subesstao
(Figuura 5.19). O erro mxiimo para o MCF foi de d 0,133 puu para a conndio de curto-
c
circuuito slido, logo diminuui com o auumento da Rf at o vallor mnimo de 0,022 puu que
se esstabiliza no valor de 0,0065 pu paraa elevados valores
v de resistncia de
d falta. J o erro
pelo MCS para curto-circuiito slido praticamennte zero e see incrementaa at chegarr num
valorr estvel de 0,08 pu. possveel observar,, em amboos os mtod dos, que coom o
aumeento da resistncia de falta
f os erros tendem a manter-se assintoticam
a mente constaante.
C
Conclui-se que
q os erros obtidos na barra do consumidorr sensvel ses comportaam de
iguall maneira que
q os erross monitoraddos na barraa da subesttao. Na condio
c dee falta
trifssica o MCSS mais susceptvel aoo desequilbbrio do SEP
P e apresennta maiores erros
que o MCF, para p afundaamentos obbservados monitoradas
m s na barra do consum midor
susceeptvel a afuundamentoss de tenso.
O
Observa-se nas curvass da Figurra 5.25 quee para falttas monofsicas com SEP
equillibrado monnitorada naa barra da subestao,, o MCS e o MCF see comportaam de
maneeira similar ao program
ma ATP/EM MTP. Para vaalores maioores a Vsag = 0,8 pu o MCF
M e
o MC CS apresenntam valorees de frequncia relativva de ocorrrncia de afundamento
a os de
tenso menores que curvaa de refernncia.
P
Para a Figurra 5.26 na mesma
m conddio de fallta que no caso
c anterior, monitoraada na
barraa da subestaao e com SEP deseqquilibrado se observa que
q o MCF quase no varia
respeeito do casoo equilibradoo.
No entanto, para o MC
N CS nota-se queq se afastta da curva de refernccia apresenttando
maioor frequnciia relativa de
d afundameentos de tennso a partirr de Vsag = 0,4 pu at Vsag =
0,8 ppu. Acima deste
d limiarr, as curvas do MCS e do MCF apresentam
a valores meenores
ao vaalor de referrncia.
N caso paarticular de falta mono
No ofsica a-gg monitoradda na barraa da subesttao,
obserrva-se que para SEP desequilibra
d ado a curvaa de frequncia relativva de ocorrrncia
pelo MCF manttm seu com mportamentoo quase iguual e sem vaariao algu uma com resspeito
currva do SEP equilibradoo. Conclui-sse ento que o MCF no suscepptvel a variaes
de ddesequilbrioo do SEP. Por outro lado,l o MC CS apresentta sensibiliddade no quue diz
respeeito variao do deseqquilbrio doo SEP.
O nmero totalt de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.9.
T
Tabela 5.9: Desempenho
D o do SEP para falta FT monitoradoo na barra da Subestao.
Mtodos
M Equilibraddo (afundam
mentos/ano)) Desequillibrado (afu
undamentos//ano)
ATP 1,799 1,8366
MCS 1,799 1,5433
MCF 1,799 1,7999
Figura
F 5.27: Falta FT ba
arra da subeestao SEP
P equilibrado.
Fig
gura 5.28: Falta
F FT barrra da subesstao SEP desequilibra
d ado.
N inicio os
No o erros peelos mtod dos de com mponentes simtricas e de fasess so
praticcamente nuulos para a condio
c dee curto-circuuito slido (Rf = 0 ). Incrementaando-
se noo caso do MCS
M at um
u valor mximo
m de 0,101
0 pu para uma Rf = 5 e logo
diminnuindo at chegar a um m valor esttvel de 0,007 pu para valores
v elev
vados de Rf. No
entannto, para o MCF paraa SEP desequilibrado o comportaamento da curva do erro e
praticcamente semmelhante aoo SEP equilibrado, s que o valorr de erro mximo
m dee 0,06
pu paara o caso do
d SEP com m desequilbrrio de 3,56 %.
C
Conclui-se q segunddo as figuraas de erross (Figura 5..27 e Figurra 5.28) o MCS
que
apressenta maiorres erros e mais susceeptvel ao deesequilbrioo do SEP quue o MCF.
N Figura 5.29
Na 5 se aprresenta o comportame
c ento das cu
urvas para SEP equilibbrado
moniitorada na barra
b do coonsumidor sensvel
s a afundamento
a os de tenso. As curvas do
MCSS e do MC CF so quase coincideentes com os resultad dos da curvva da referncia.
Obseerva-se que para afunddamentos dee tenso com
mpreendidoos entre Vsagg = 0,4 pu e Vsag
= 0,775 pu os mtodos
m de componenntes simtriccas e de faases apresenntam valores de
125
F
Figura 5.30:: # Sag Totaal FT % barrra do consu
umidor sensvel SEP dessequilibradoo.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.10.
126
Na Figura 5.31
N 5 apresennta os erross das tensees para umaa falta monnofsica a-gg com
SEP equilibrado o monitoradda na barra do consumiidor sensveel a afundam mento de teenso.
Obseerva-se que o erro mxiimo nas tennses calculadas pelo mtodom MCFF foi de 0,116 pu
para a condio de curto-circuito sliddo (Rf = 0 ). O erro diiminui com o aumento da Rf
at um
u valor mnimo de 0,008 pu paraa uma Rf = 1 , logo o erro se incrementa i at o
valorr de 0,037 pu p mantenddo-se assintoticamente constante. No caso doo erro pelo MCS
para a condioo de curto-ccircuito slido praticaamente zeroo, estabilizaando-se no valor
de 0,,037 pu paraa elevados valores
v de resistncia
r d falta Rf.
de
O
Observa-se que para ambos os mtodos (MCF ( e MCS),
M com
m o aumentto da
m a manter-se constante num mesm
resisttncia de faalta Rf os errros tendem mo valor de 0,037
0
pu.
A Figura 5.332 corresponnde barra de monitorrao do con nsumidor seensvel com m SEP
deseqquilibrado e falta fasee terra a-g. Observa-see que o errro da tenso o calculadaa pelo
mtoodo MCF sempre infferior ao errro apresentaado pelo MCS.M O erroo pelo MCF F de
0,0822 pu para a condio de
d curto-circcuito slido,, logo o mn nimo valor ded erro dee 0,02
pu, e com o inccremento doo valor da Rf se estabiliza no valoor de 0,0699 pu. Enquaanto o
erro para o MCS na condio de curtoo-circuito slido iguaal ao MCF.. O erro mximo
por o MCS da d ordem dee 0,14 pu para p um vallor de resisttncia de faalta de Rf = 5
aproxximadamennte, diminuinndo com o aumento
a daa Rf at estaabilizar-se no
n valor de 0,087
0
pu, oonde se man ntm num valor estvel. Em ambbos os mto odos se obsserva que ccom o
aumeento da resistncia de falta
f Rf os erros
e tendem
m a manter-sse constantee.
127
C
Conclui-se q segunddo as figuraas de erros (Figura 5.331 e Figuraa 5.32) o MCS
que M
mais susceptveel ao desequuilbrio do SEP
S e apressenta maiorres erros quue o MCF ppara a
conddio de faalta monofsica monittorada na barra
b do coonsumidor sensvel. Como
C
esperrado o MCFF apresenta baixa sensiibilidade ao desequilbrrio do SEP.
C
Comparando o as curvass de frequncia relativva de ocorrrncia de afundamento
a os de
tenso do MCF e do MCS (Figura 5.3 33) para SEPP equilibraddo com falta bifsica a terra
moniitorada na barra
b da subbestao; o MCS se coomporta de maneira sim milar a curvva do
progrrama ATP/E EMTP na faaixa de afun ndamentos de
d tenso co ompreendiddos entre Vsaag = 0
pu e Vsag = 0,7 75 pu. Paraa afundamenntos de tennso menores Vsag = 0,5 pu o MCF
apressenta menorres valores de frequnccia relativa de ocorrnncia. Para vaalores superriores
at Vsag = 0,8 pu
u, as trs cuurvas so co
oincidentes. A partir do
d valor de Vsag = 0,8 pup at
Vsag = 0,9 pu as curvas doo MCS e do MCF aprresentam iggual comporrtamento, porm p
possuuem menores valores de d frequncia relativa dde ocorrncia que a currva de referrncia
(proggrama ATP//EMTP).
Figura 5.34:
5 # Sag Total
T FFT % barra da subestao
s S
SEP desequ
uilibrado.
C
Conclui-se ento quee segundo as figurass de frequuncias dee ocorrnciia de
afunddamentos de d tenso para falta bifsica a terra o MCF
M no susceptveel ao
deseqquilbrio doo SEP, porm o MCS apresenta sensibilidadde respeito ao desequiilbrio
no SEEP para a mesma
m conddio de faltta.
U anlisee de erros naas tenses estimadas
Uma e dee acordo coom a equao de Erro Mdio
M
Quaddrtico appresentada na n Figura 5.35 para um ma falta biffsica terra bc-g e com
m SEP
equillibrado. Observa-se o comportam
c ento da currva do erro nas tensess calculadass pelo
MCF F monitorad da na barra dad subestao para a coondio de curto-circuiito slido (R Rf = 0
) o valor mx ximo de erroo foi de 0,110 pu. Logoo o erro dim minui com o aumento da Rf
at uum valor mnimo
m de 0,055
0 pu paara uma Rf = 7 e se incremennta at se manter
m
consttante no vallor de 0,06 pup para elevvados valorres de resistncia de fallta.
P
Para o MCS S na condio de curtoo-circuito slido (Rf = 0 ) o erroo praticam mente
zero,, e se incremmenta com o aumento do valor da Rf at se aproximar no n valor dee 0,06
pu para Rf = 10 , logo se manter constante c p
para elevado
os valores ded resistnccia de
falta..
O
Observa-se p ambos os mtodos estudadoss (MCF e MCS)
para M que coom o aumennto da
resisttncia de faalta Rf os errros tendem a se manterr constante na proximiddade de 0,06 pu.
129
O
Observa-se na Figura 55.36 os erroos das tensses durantee a falta bifsica terraa bc-g
com SEP deseq quilibrado e monitoraado na barrra da subestao. O MCF e o MCS
apressentam com mportamentoos semelhaantes como acontece na n figura annterior comm SEP
equillibrado (Fig
gura 5.35). Na condio de curto--circuito slido (Rf = 0 ) o erroo pelo
MCS S praticam
mente igual ao SEP equ uilibrado loogo vai incrrementandoo-se at um valor
mxiimo de 0,1003 pu para uma
u Rf = 6 e diminuui at chegaar a um valor assinttico de
0,07 pu para vallores de Rf elevados.
e
P o MCF
Para F com SEP desequilibra
d ado o comportamento praticamennte semelhaante
SEP equilibrado o, sendo quee o erro mximo de 00,10 pu paraa condio de curto-cirrcuito
sliddo. medidda que se incrementa o valor da reesistncia dee falta Rf o erro diminuui at
5,8 %%, mantendoo-se constannte.
Na Figura 5.38
N 5 para a mesma condio de falta f que noo caso anteerior e paraa SEP
deseqquilibrado monitorada
m na barra do
d consumiddor sensvel, se observva que as curvas
c
do MMCF e do MCS apressentam com mportamentoos similares que no SEP S equilibbrado.
Ondee o MCS ap presenta maaiores valorres de frequuncia relativa de ocorrrncia num valor
mxiimo de 20 % acima do valor do AT TP/EMTP na n faixa de Vsag = 0,1 pu
p at Vsag = 0,78
pu.
F
Figura 5.38: # Sag Totall FFT % barrra do consu
umidor senssvel SEP deesequilibrad
do.
131
S
Segundo as figuras de frequncia relativa de ocorrncia de afundam mentos de teenso
para falta bifsiica terra see conclui quue o MCF no suscceptvel ao desequilbrrio do
SEP,, pois apreesenta idnttico compo ortamento variando
v o desequilbbrio do sistema.
Pormm o MCS apresenta
a seensibilidadee respeito variao doo desequilbbrio do SEP
P para
a conndio de faalta bifsicaa terra bc-g.
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.12.
U
Uma anlisee de erro descrita naa Figura 5.339, na conddio de SE
EP equilibraado e
moniitorada na barra do consumidorr sensvel. Observa-se que o erro e das tennses
calcuuladas pelo mtodo MC CF tem um valor de 0,015 pu paraa condio de curto-cirrcuito
sliddo e para o MCS
M tem um
u valor de 0,0003 pu para a mesma condio. Sendo que q na
mediida em que se incremeenta o valoor da Rf os erros aumeentam. dee salientar que q a
curvaa do erro peelo MCF sempre
s mennor que peloo MCS.
O
Observa-se tambm quue os erros pelos mtodos estudaddos (MCF e MCS) tem m um
compportamento semelhantee para elevaados valoress de Rf cheg gando a umm erro mxim
mo de
quasee 0,07 pu.
Figura
a 5.39: Faltaa FFT barraa do consumidor sensveel SEP equiliibrado.
P
Pode-se obsservar na Figura 5.40 que para umau falta bifsica terraa nas fases bc-g
moniitoradas na barra do consumidor
c r sensvel com
c SEP desequilibrad do, e valorres de
resisttncia de faalta Rf mennores de 2,33 o MCF F apresenta menores errros que o MCS.M
Porm m para valoores maiores de Rf os valores
v dos erros do MCS
M diminuem at 0,0558 pu.
Para condio ded curto-circcuito slido (Rf = 0 ) o erro mxiimo para o MCFM de 00,1 pu
e parra o MCS neesta mesmaa condio de 0,006puu aumentan ndo o erro att chegar a 0,108
0
pu e estabilizanddo-se no valor de 0,0888pu.
132
Figura 5.40:
5 Falta FFT
F barra do
d consumid
dor sensvel SEP desequ
uilibrado.
S
Segundo a Figura 5.399 observa-sse que as curvas doss mtodos de componnentes
simtricas e de fases apressentam iguaais comportaamentos coom a variao da resisttncia
de faalta. Na Figgura 5.40 oss mtodos apresentam
a m diferenas. Para a con ndio de curto-
c
circuuito slido o MCS appresenta um m bom dessempenho, ou seja, mnimo m erroo nos
afunddamentos de d tenso, e para faltaas de alta impednciaa apresenta erros elevvados.
Concclui-se tambbm que o MCS
M maiss susceptveel s variaes de desequilbrio doo SEP
e aprresenta maiiores erros que
q o MCF F para a conndio de falta
f bifsica terra quanndo
moniitorada na barra
b da subbestao.
O MCF, parra afundam mentos de teenso menores Vsag = 0,6 pu appresenta meenores
valorres de frequuncia de ocorrncia
o e na faixa de Vsag = 0,6 pu at Vsag = 0,9 pu o
133
O nmero total
t de afuundamentos/ano, obtido por cadaa mtodo, apresentaddo na
Tabeela 5.13.
A seguir apresentada uma anlisee de erros. NNo caso de faltas bifssicas nas fasses bc
moniitoradas na barra da suubestao taanto para o SEP equiliibrado como desequilibbrado
as cuurvas dos errros apresenntam similaares comporrtamentos inndependenttemente doo grau
de deesequilbrio
o. Os valorees mximoss e mnimoss so semelhhantes nas duas figuraas. Na
Figurra 5.43 comm SEP equillibrado o MCS
M possui menor erroo com respeito ao MCF F para
toda a faixa de valores
v de Rf . Na conddio de currto-circuito slido (Rf = 0 ) o errro do
MCF F de 0,04 43 pu e paraa o MCS de 0,014 pu p aproxim madamente. O valor dee erro
mxiimo para MCF
M chega a 0,158 pu para
p uma Rf = 5 , en nquanto paraa o MCS o valor
mxiimo de erro de 0,054 pu para eleevados valorres de Rf .
134
F
Figura 5.43: Falta FF baarra da subeestao SEP
P equilibrado.
S
Segundo a Figura
F 5.43 e a Figura 5.44 se obsserva que ass curvas doss erros dos MCS
e MC CF para o SEP equiliibrado e deesequilibraddo apresentam iguais comportam mentos
com a variao da resistncia de faltaa. Para a conndio de curto-circuit
c to slido o MCS
apressenta um bom desemppenho, ou seja, s mnim
mo erro nos afundamenntos de tensso, e
para faltas dee alta imppedncia apresenta
a e
erros elevaados. Por outro laddo, o
compportamento do MCF na condio de curto--circuito slido apresennta mnimoo erro
nos aafundamenttos de tenso, incremeentando-se para valorees mdios de d resistnccia de
falta e para faltaas de alta im
mpedncia apresenta
a naa ordem de 6,5 %. Conclui-se tam mbm
que ppara a conddio de faltta bifsica o MCS e o MCF
M no so susceptvveis as variaes
de deesequilbrioo do SEP appresentando iguais valoores de erroos quando see varia o grrau de
deseqquilbrio paara afundam mentos moniitorados na bbarra da subbestao.
135
Figura 5.4
45: # Sag Total FF % ba
arra do conssumidor sen
nsvel SEP eq
quilibrado.
F
Figura 5.46:: # Sag Totaal FF % barra do consu
umidor sensvel SEP dessequilibradoo.
136
O
Observa-se n Figura 5.47 e na Figura
nas F 5.48 o comportaamento dos erros do MCS M e
do M
MCF para SE EP equilibrrado e deseqquilibrado respectivam
r mente, para falta
f bifsicca nas
fasess bc monitoorada na baarra do connsumidor seensvel. As curvas doss erros do MCF
possuuem comp portamentos e valoress similaress tanto parra SEP eqquilibrado como
deseqquilibrado. Para a conndio de cuurto circuitto slido o erro de 0,003
0 pu, o erro
mxiimo de 0,1 162 pu paraa Rf = 5 e finalmente se estabiliiza no valorr de 0,08 puu para
elevaados impedncias de faaltas indepenndente do grau
g de deseequilbrio do
o sistema.
N caso do MCS o com
No mportamentto dos erros dependennte do grau de desequiilbrio
do sistema.
s Paara a conddio de curto
c circuiito slido com SEP equilibraddo ou
deseqquilibrado o erro de 0,021 pu. Para
P SEP eqquilibrado o erro mnim mo de 0,115 pu
pormm para SEP desequiliibrado o errro mnimo de 0,006 pu increm mentando-sse at
cheggar a 0,08 pu para SEP equiliibrado e 0,11 0 pu paara SEP desequilibra
d ado e
estabbilizando-see em 0,08 puu e em 0,10 pu respectiivamente.
C
Conclui-se que o MC CF apresen nta elevadoos valores de erros para
p valorees de
resisttncia de faalta, na proxximidade dee 5 , onde o erro mxximo. Pode--se dizer tam
mbm
que o MCF no o dependeente do deseequilbrio do
d sistema. Mas no asssim o MCS S que
apressenta menorres valores de erros paara pequenos valores dee resistnciaa de faltas e para
elevaadas resistncias os erros
e aumenntam signifficativamennte. O MCS S apresentaa alta
dependncia do grau de dessequilbrio do d sistema.
Como sabiido para toddos os casoss descritos aacerca do im
C mpacto da Rf que influuencia
em eestudos do afundamentto de tenso o que a quantidade
q de afundam
mentos de teenso
aumeenta quandoo a Rf tendee a zero, senndo que o vaalor mximo de afundaamento de teenso
aconntece com curto-circuit
c to slido. Caso
C contrrio para faltas
f de altta impednncia a
quanntidade de affundamentoos de tensoo diminui coonsideravelm mente indep
pendente doo grau
de deesequilbrioo do sistemaa.
5.5 Resumo
N
Neste captuulo foram appresentadoss os resultaddos das distintas anlises para annalisar
os mmtodos estuudados, parra o clculo o de afundaamentos dee tenso. O MCF e o MCS
foram m comparad dos com os resultados do program ma ATP/EM MTP, avaliaados nas anlises
de frrequncia relativa
r de ocorrncia e anlise de erros. Para P a anllise de erroos foi
utilizzada a equao do Erroo Mdio Quaadrtico desscrito no caaptulo 4.
N primeiroo e segundoo estudo see avaliaram
No m para cadaa mtodo esstudado (M MCF e
MCS S) a influncia do deseequilbrio do o sistema e da impedncia de faltta; simuladaas em
todass as barras do sistemaa e monito oradas na barra da subbestao e na barra de d um
consuumidor sennsvel. Os estudos
e quanntitativos reealizados na
n barra da subestaoo e na
barraa do consum midor permitiram verifficar a influuncia da reesistncia dee falta e doo grau
de deesequilbrioo do SEP naa anlise de afundamenntos de tenso. As curv vas de frequuncia
relatiiva de ocorrrncia acum mulada foramm analisadaas tambm parap os valoores extrem mos de
resisttncia de faalta (0 e 25
2 ), com o objetivo de d avaliar a influncia desta
d varivvel.
F apresenttado tambm
Foi m um terceeiro estudo para determ minar a inflluncia dos tipos
de faaltas no com
mportamentoo dos mtoddos utilizadoos (MCF e MCS). M Connsiderando o SEP
equillibrado e deesequilibraddo para os distintos tipoos de faltas: falta trifsiica-terra (abbc-g),
falta bifsica-terra (bc-g), falta bifsiica (bc) e falta
f monoffsica-terra (a-g), variiou-se
tambbm os valorres de resisttncias de faltas
f Rf entrre 0 e 25 . Determiinou-se quee cada
tipo de falta appresenta um m comportaamento parrticular, no o podendo generalizaar um
138
6 CONCLUSES
positiva, negativa e zero. A obteno dos dados dos elementos que compem o SEP em
componentes de fases dificultosa e estes dados so de uma quantidade considervel.
Porm, uma grande dificuldade no processamento e anlise dos clculos, alm disso,
so mais dados que acarretam erros. Nesse caso o mtodo mais eficiente para a
resoluo seria pelo mtodo de matrizes trifsicas, com um clculo computacional mais
elevado com respeito do clculo de equaes simples como o MCS.
Uma virtude adicional do MCF para SDEE que se pode fazer uma anlise de fluxo
de potncia trifsico ou tambm chamado de fluxo de carga trifsico, onde se obtm os
valores das tenses pr-falta nas trs fases em forma independente.
O MCS tem como vantagem com respeito ao MCF ser simples tanto nos dados
manipulados, como tambm na obteno de todos os dados do SEP, j que estes
normalmente se encontram em valores de sequncias nas bases de dados das
concessionrias. Os clculos efetuados pelo MCS so equaes simples e de baixo custo
computacional considerando o SEP equilibrado. Porm para SEP desequilibrados como
so os SDEE apresenta inconvenientes nos resultados, devido s consideraes feitas
pelo MCS que considera trs sistemas de sequncias linearmente independentes quando
na verdade eles so dependentes pelos valores mtuos (impedncias mtuas entre as
sequncias devido ao desequilbrio do SEP).
O MCS d bons resultados para SEP de Extra Alta Tenso e Alta Tenso onde o
desequilbrio usualmente desprezvel e as faltas de alta impedncia so pouco comuns.
Estes sistemas so considerados como SEP equilibrados e sua decomposio em trs
sistemas de sequncias independentes entre si fornecem resultados adequados.
Como se observou nos resultados do estudo deste trabalho, o MCS apresenta erros
considerveis nos clculos dos afundamentos de tenso medida que o SEP apresenta
elevados ndices de desequilbrios. A grande limitao a difcil obteno das tenses
pr-falta das barras do sistema desequilibrado em coordenadas de sequncias.
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