Fundamentos Eletronica

Apresentao Introduo Semicondutores Diodo Bibliografia
Fundamentos de Eletrnica
Prof.: Ernano Arrais
UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMI-RIDO

Engenharia da Computao
Disciplina: Eletrnica Analgica
Pau dos Ferros, RN, Brasil
Email: ernano.arrais@ufersa.edu.br
21 Novembro 2017 | Pau dos Ferros, RN, Brasil
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Sumrio
1 Apresentao
2 Introduo
3 Semicondutores
Materiais
Juno pn
4 Diodo
5 Bibliografia
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Apresentao da Aula
Nesta aula sero apresentados conceitos gerais acerca da eletrnica
analgica.
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Objetivos
Prover o aluno com conhecimentos fundamentais (bsicos) para a com-
preenso dos circuitos eletrnicos analgicos.
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Introduo: Conhecimentos Bsicos
Eletrnica X Microeletrnica
Figura 1: Evoluo. Fonte: Vahid - Digital Design.

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Introduo
Um pouco de histria...
O transistor substituiu as vlvulas em sistemas eletrnicos;
Figura 2: Vlvula eletrnica. Fonte: Wikipedia
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Introduo
Matria-prima: Silcio (Si)
(a) (b)
Figura 3: Silcio: (a) pedra (b) bloco.
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Introduo
O transistor foi inventado em 1945 por Shockley, Brattain, e Bar-
deen (Laboratrios Bell);
Figura 4: Primeiro transistor. Fonte: Bell Telephones Laboratories
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Introduo
A inveno do transistor abriu caminho para os circuitos integra-
dos (CI).
Figura 5: Porta lgica ECL (OR/NOR de 3 entradas). Fonte: Motorola
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Introduo
A inveno do transistor abriu caminho para os CIs.
Figura 6: Lmina de Silcio (wafer).

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Introduo
Figura 7: Lmina de Silcio (wafer).

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Introduo
Figura 8: Encapsulamento do circuito projetado.
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Introduo
Lei de Moore
Figura 9: Lei de Moore. Fonte: INTEL Technology and Research.
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Analgico X Digital
Figura 10: Sistema analgico.
Figura 11: Sistema digital.

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Analgico X Digital
Figura 12: Sinal analgico com efeito do rudo.
Figura 13: Sinal digital com efeito do rudo.

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Apresentao Introduo Semicondutores Diodo Bibliografia Materiais Juno pn
Materiais Semicondutores
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Materiais Semicondutores e suas propriedades
Elementos mais frequentes na crosta terrestre:

O2 (46 %);
Si (28 %);
Al (8 %).
Semicondutores apresentam tanto caractersticas (propriedades

fsicas e/ou qumicas) de metais quanto de isolantes.
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Silcio (Si)
Intrnseco: Silcio puro;
Extrnseco: Silcio dopado.
Figura 14: (a) tomo de Silcio (b) Ligaes covalentes entre os tomos de Si
em T 0K(c) Eltron livre (e ).
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Silcio (Si)
Figura 15: Fluxo efetivo de carga eltrica no Si intrnseco: par eltron-lacuna.
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EF Nvel de Fermi;
Eg Energia de gap.
Para o Silcio: Eg = 1.12 eV, sendo 1 eV = 1, 6 1019 J.
Figura 16: Bandas de valncia e conduo em semicondutores.

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Concentrao (Densidade) de Portadores
Semicondutores Intrnsecos
Densidade de eltrons igual densidade de lacunas, ni ;
Para o Silcio (Si ):
Sendo k = 1, 38 1023 J/K a constante de Boltzmann.

Semicondutores Extrnsecos

2 n densidade de eletrons
np = ni
p densidade de lacunas
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Semicondutores Extrnsecos: Tipo N
Portadores majoritrios: eltrons
Elemento dopante (impureza): tomos pentavalente. Ex.: tomo
de fsforo (P)
Figura 17: Cristal de silcio (Si ) dopado com tomo de fsforo (P):
semicondutor tipo N.
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Semicondutores Extrnsecos: Tipo P
Portadores majoritrios: lacunas
Elemento dopante (impureza): tomos trivalentes. Ex.: tomo de
boro (B)
Figura 18: Cristal de silcio (Si ) dopado com tomo de boro (B): semicondutor
tipo P.
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Fluxo de Corrente: Mecanismos de Transporte de Portadores
Corrente de Deriva;
Corrente de Difuso.
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Corrente de Deriva
Movimento de cargas eltricas devido a um campo eltrico E;
A velocidade das partculas carregadas proporcional ao campo
eltrico: E = E.
Figura 19: Corrente de deriva em um semicondutor.

~h vetor velocidade das lacunas [cm/s]
~e vetor velocidade dos eletrons [cm/s]

p mobilidade das lacunas [cm2 /(V s)]

e mobilidade dos eletrons [cm2 /(V s)]
~E campo eletrico [V/cm]

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Corrente de Deriva
A corrente I igual carga eltrica q contida em v metros do
comprimento L da barra (bloco), sendo v W h o volume do
slido e n q a densidade de carga eltrica (em coulombs):
v
metros
Figura 20: Fluxo de corrente em termos de densidade de carga.
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Corrente de Deriva
O fluxo de carga geralmente expresso em funo da seo reta
da rea da barra, resultando em uma densidade de corrente Jn
dada em A/cm2 .
A densidade de corrente tambm pode ser expressa em funo de
eltrons e lacunas.
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Corrente de Deriva
Saturao da velocidade v:
vetor mobilidade efetiva [cm2 /(V s)]

0 vetor mobilidade baixa intensidade de campo [cm2 /(V s)]

b constante de proporcionalidade
sat velocidade de saturacao [cm/s]

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Corrente de Difuso
Movimento de cargas devido a diferena de concentrao de por-
tadores: de uma regio de maior concentrao para uma regio
de menor concentrao.
Figura 21: Corrente de difuso em um semicondutor.

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Corrente de Difuso
A corrente proporcional ao gradiente de concentrao de porta-
dores ao longo do bloco de silcio:
dn
I
dx
dn
I AqDn
dx
Sendo A a rea da seo reta (em cm2 ), q a carga eltrica (em C) do
portador e Dn a constante de difuso (em cm2 /s).
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Relao de Einstein
Corrente de Deriva Corrente de Difuso
kT
26 mV (T = 300 K)
q
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Juno pn
Formada pelo contato entre as superfcies de um semicondutor

do tipo n com um do tipo p:
Catodo Anodo
Figura 22: Juno pn.

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Juno pn
Fluxo de Corrente
Difuso
Figura 23: Mecanismo de difuso na juno pn.
Sendo:
nn concentrao de eltrons no material tipo n
np concentrao de eltrons no material tipo p
pn concentrao de lacunas no material tipo n
pp concentrao de lacunas no material tipo p
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Juno pn
Fluxo de Corrente
Difuso
Regio de depleo:
Figura 24: Formao da regio de depleo.
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Juno pn
Fluxo de Corrente
Deriva
Figura 25: Mecanismo de deriva na juno pn.
35 / 48
Juno pn
Fluxo de Corrente
Estado de Equilbrio
Correntes de difuso = Correntes de deriva
Figura 26: Estado de equilbrio na juno pn.
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Diodo: Juno pn
Dispositivo Semicondutor: Diodo (Juno pn)
Catodo Anodo
Catodo Anodo
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Diodo: Juno pn
Potencial na Juno
O campo eltrico E gerado na juno pn implica em um potencial
eltrico V0 existente na juno:
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Diodo: Juno pn
Polarizao Reversa
Potencial no catodo (lado N) > potencial no anodo (lado P);
Ampliao na regio de depleo;
Aumento do campo eltrico E.
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Diodo: Juno pn
Polarizao Reversa
Capacitor controlado por tenso:
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Diodo: Juno pn
Polarizao Reversa
Relao Tenso X Capacitncia
Sendo:
Cj Capacitncia de juno;
Cj Capacitncia em VR = 0;
V0 Tenso na juno;
VR Tenso de polarizao.
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Diodo: Juno pn
Polarizao Direta
Potencial no catodo (lado N) < potencial no anodo (lado P);
Reduo na regio de depleo reduo do potencial de juno.
42 / 48
Diodo: Juno pn
Polarizao Direta
Aumento dos portadores ninoritrios em cada regio;
Aumento da corrente de difuso.
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Diodo: Juno pn
Polarizao Direta
Corrente de difuso na juno:
44 / 48
Diodo: Juno pn
Polarizao Direta
Corrente de difuso na juno:
Gradiente de portadores:
Figura 27: (a) Constante (b) Variao dos portadores.
45 / 48
Diodo: Juno pn
Polarizao Direta
Fluxo corrente resultante constante!!!
46 / 48
Diodo: Juno pn
Polarizao Reversa
Relao Corrente X Tenso
Sendo:
ID Corrente no diodo;
VD Tenso no diodo;
VT Tenso trmica;
IS Corrente de saturao reversa.
47 / 48
Bibliografia
1. SEDRA, Adel S; SMITH, Kenneth Carless. Microeletrnica. 5. ed. So

Paulo: Makron Books, 2007. 848 p.
2. BOYLESTAD, Robert L; NASHELSKY, Louis. Dispositivos

eletrnicos e teoria de circuitos. 11. ed. So Paulo: Pearson, 2013. xii,
766 p.
3. RAZAVI, Behzad. Fundamentals of microelectronics. New Jersey:

John Wiley & Sons, 2008. 936 p.
4. REZENDE, Sergio Machado. Materiais e dispositivos eletrnicos. 2.

ed. So Paulo: Livraria da Fsica, 2004. 547 p.
5. CATHEY, Jimmie J. Electronic Devices and Circuits. Schaum s

Outline Series. McGrawHill; 2 edition, 2002. 304 p.
48 / 48

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Apresentao Introduo Semicondutores Diodo Bibliografia

Prof.: Ernano Arrais

UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMI-RIDO

21 Novembro 2017 | Pau dos Ferros, RN, Brasil

Introduo: Conhecimentos Bsicos

Figura 1: Evoluo. Fonte: Vahid - Digital Design.

Figura 2: Vlvula eletrnica. Fonte: Wikipedia

Figura 4: Primeiro transistor. Fonte: Bell Telephones Laboratories

Figura 5: Porta lgica ECL (OR/NOR de 3 entradas). Fonte: Motorola

Figura 6: Lmina de Silcio (wafer).

Figura 7: Lmina de Silcio (wafer).

Figura 8: Encapsulamento do circuito projetado.

Figura 9: Lei de Moore. Fonte: INTEL Technology and Research.

Introduo: Conhecimentos Bsicos

Figura 10: Sistema analgico.

Figura 11: Sistema digital.

Introduo: Conhecimentos Bsicos

Figura 12: Sinal analgico com efeito do rudo.

Figura 13: Sinal digital com efeito do rudo.

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Elementos mais frequentes na crosta terrestre:

Semicondutores apresentam tanto caractersticas (propriedades

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Figura 15: Fluxo efetivo de carga eltrica no Si intrnseco: par eltron-lacuna.

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Figura 16: Bandas de valncia e conduo em semicondutores.

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Sendo k = 1, 38 1023 J/K a constante de Boltzmann.

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Figura 19: Corrente de deriva em um semicondutor.

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Figura 20: Fluxo de corrente em termos de densidade de carga.

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Materiais Semicondutores e suas propriedades

vetor mobilidade efetiva [cm2 /(V s)]

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Figura 21: Corrente de difuso em um semicondutor.

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Materiais Semicondutores e suas propriedades

Corrente de Deriva Corrente de Difuso

Formada pelo contato entre as superfcies de um semicondutor

Figura 22: Juno pn.

Figura 23: Mecanismo de difuso na juno pn.

Figura 24: Formao da regio de depleo.

Figura 25: Mecanismo de deriva na juno pn.

Figura 26: Estado de equilbrio na juno pn.

Figura 27: (a) Constante (b) Variao dos portadores.

1. SEDRA, Adel S; SMITH, Kenneth Carless. Microeletrnica. 5. ed. So

2. BOYLESTAD, Robert L; NASHELSKY, Louis. Dispositivos

3. RAZAVI, Behzad. Fundamentals of microelectronics. New Jersey:

4. REZENDE, Sergio Machado. Materiais e dispositivos eletrnicos. 2.

5. CATHEY, Jimmie J. Electronic Devices and Circuits. Schaum s

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