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Dispositivos Electrnicos
Transitor de Efecto de Campo de Unin (JFET)
Presentado Por
Tabla de contenido
Introduccin .......................................................................................................................... 4
Transitor ................................................................................................................................ 5
Funcionamiento del transistor como interruptor ......................................................... 5
Funcionamiento del transistor como amplificador ...................................................... 5
Transistor de efecto de campo (FET) ............................................................................... 6
Terminales ........................................................................................................................ 7
Caractersticas ................................................................................................................. 7
Ventajas............................................................................................................................. 7
Desventajas ...................................................................................................................... 7
Transistor de efecto de campo de unin (JFET) ............................................................ 8
Estructura fsica de los JFET ......................................................................................... 8
Fabricacin ....................................................................................................................... 9
Formas de polarizacin................................................................................................. 10
Polarizacin fija o de compuerta ............................................................................. 10
Autopolarizacin......................................................................................................... 10
Polarizacin por divisor de tensin ......................................................................... 10
Polarizacin por fuente de corriente ....................................................................... 11
Tipos ................................................................................................................................ 12
PJFET .......................................................................................................................... 12
NJFET .......................................................................................................................... 13
Principio de funcionamiento ......................................................................................... 14
Influencia de VDS ........................................................................................................ 14
Hiptesis del canal largo............................................................................................... 16
Influencia de VGS. ..................................................................................................... 18
Ecuacin de transferencia del JFET ........................................................................... 19
Transconductancia de un JFET................................................................................... 19
Curvas caractersticas................................................................................................... 20
Zonas o regiones de trabajo ........................................................................................ 21
Regin de corte o de no conduccin ...................................................................... 21
Regin hmica o de saturacin .................................................................................... 21
Regin de saturacin .................................................................................................... 22
2013-II
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Introduccin
Antes de 1947 todo equipo electrnico utilizaba
vlvulas al vaco que predominaban en la industria.
El transistor, inventado en 1947, es el componente
electrnico estrella, pues inici una autntica
revolucin en la electrnica que ha superado cualquier
previsin inicial. Con el transistor vino la
miniaturizacin de los componentes y se lleg al
descubrimiento de los circuitos integrados, en los que
se colocan, en pocos milmetros cuadrados, miles de
transistores. Estos circuitos constituyen el origen de
los microprocesadores y, por lo tanto, de los
ordenadores actuales.
Por otra parte, la sustitucin en los montajes electrnicos de las clsicas y
antiguas vlvulas de vaco por los transistores, reduce al mximo las prdidas de
calor de los equipos.
Hay dos tipos bsicos de transistor:
Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)
El transistor BJT o bipolar se denomina as porque en su funcionamiento
intervienen corrientes de huecos o de carga positiva, y de electrones o de carga
negativa. En este tipo de transistor, las uniones PN se polarizan en sentido directo
o inverso.
Transistor unipolar o de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor)
El transistor FET o unipolar as porque en su funcionamiento interviene un solo
tipo de cargas, electrones o huecos. En este tipo de transistor, las uniones PN se
polarizan siempre en inverso. El funcionamiento de estos transistores es
significativamente diferente a los BJT.
Los transistores unipolares se dividen en dos grupos, los transistores de unin de
efecto de campo, JFET o FET, que a su vez se dividen en transistores de canal N
y transistores de canal P, y los transistores metal-xido-semiconductor de efecto
de campo o MOSFET. Dentro de este grupo se distinguen dos subgrupos,
MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento, que se dividen al
igual que los FET en canal N y canal P
Transitor
Las primeras propuestas de este tipo de transistores datan de los aos 1920 (casi
20 aos antes que los transistores bipolares). Sin embargo su desarrollo no fue
posible hasta 1953 (el primer transistor unipolar fue presentado y analizado por W.
Shockley en 1952, y en 1953 Dacey y Ross construyeron el primer prototipo),
porque no se contaba ni con los materiales semiconductores ni con las tcnicas
apropiadas. Hubo que esperar al desarrollo de otros dispositivos, tales como los
transistores bipolares, para poder desarrollar los transistores unipolares.
Terminales
Fuente o surtidor (Source): Terminal por donde entran los portadores provenientes
de la fuente externa de polarizacin.
Drenador (Drain): Terminal por donde salen los portadores procedentes de la
fuente y que atraviesan el canal.
Puerta (Gate): Terminal constituido por regiones altamente impurificadas (zona de
dopado) a ambos lados del canal y que controla la cantidad de portadores que
atraviesan dicho canal.
Caractersticas
- Dispositivo unipolar: un nico tipo de portadores de carga
- Ocupa menos espacio en un circuito integrado, lo que supone una gran
ventaja para aplicaciones de microelectrnica
- Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de M)
- Hasta cierto punto son inmunes a la radiacin.
- Es menos ruidoso.
- Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.
Ventajas
- Son dispositivos sensibles a la tensin con alta independencia.
- Los FET generan un nivel de ruido menor.
- Los FET son ms estables con la temperatura.
- Los FET son ms fciles de fabricar.
- Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin
para valores pequeos de tensin drenaje a fuente.
- La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el
tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de
almacenamiento.
- Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
Desventajas
- Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacitancia de entrada.
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Fabricacin
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Formas de polarizacin
Pasos:
El divisor de tensin se sustituye por la tensin Thevenin y en serie su
resistencia Rth.
As:
Vs = Id Rs = Vth Vgs
Id = (Vth Vgs) / Rs
Si Vgs se pudiera despreciar frente a Vth, la Id tomara un valor constante
(Id=Vth / Rs), aunque se modifique la caracterstica de transferencia del
JFET. Sin embargo, tiene un problema de diseo, y es que para una misma
Id, dos transistores pueden tener diferente Vgs.
Este circuito es ms estable que el de autopolarizacin, pero no llega a ser
tan estable como en los BJT.
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Tipos
PJFET
Funcionamiento
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal p se
polarizan aplicando una tensin negativa entre drenador y fuente
(VDS) y una tensin positiva entre puerta y fuente (VGS). De esta
forma, la corriente circular en el sentido de la fuente hacia el
drenador.
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NJFET
Funcionamiento
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se
polarizan aplicando una tensin positiva entre drenador y fuente
(VDS) y una tensin negativa entre puerta y fuente (VGS). De esta
forma, la corriente circular en el sentido de drenador a fuente.
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Principio de funcionamiento
Influencia de VDS
Para estudiar la influencia VDS aplicada entre los extremos del canal se va
a considerar que inicialmente la tensin VGS = 0 y posteriormente
aumentando el valor de VDS.
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Influencia de VGS.
Una vez establecida la variacin de la corriente ID por el dispositivo en funcin de
la tensin VDS cuando VGS = 0, para completar el anlisis, se tiene que estudiar
el comportamiento del JFET para tensiones VGS aplicadas menores que cero (por
ser JFET de canal n). El funcionamiento del JFET para valores de VGS < 0 es muy
similar al que tiene con VGS = 0, con alguna pequea modificacin.
Si se supone, en primer lugar VDS = 0, para valores de VGS < 0, las uniones p-n
estn polarizadas inversamente. Una polarizacin inversa de dichas uniones
incrementa el ancho de la zona de deplexin disminuyendo la anchura efectiva del
canal n. Por tanto la resistencia del canal aumenta, de manera que en la zona de
comportamiento hmico, es decir, para valores pequeos de la tensin VDS
aplicada donde la relacin ID - VDS es lineal, la pendiente ser tanto menor
cuanto ms negativa sea VGS.
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Por ltimo, para tensiones VGS suficientemente negativas, podra llegar a cerrarse
por completo el canal, aun cuando VDS = 0. Esto sucede cuando la tensin VGS
alcanza o disminuye por debajo del valor VGSoff. Hecho este por el cual el
fabricante suele denotar este parmetro como VGSoff, (este es un valor de tensin
caracterstico de cada JFET) ya que indica el valor de tensin por debajo del cual
(recordar que estamos hablando de valores negativos de tensin) el canal est
completamente vaciado no habiendo posibilidad de circulacin de corriente por
mucho que se aumente la corriente VDS (Salvo que dicha tensin sea lo
suficientemente elevada para perforar las uniones p-n polarizadas en inversa.
Este hecho se analizar ms adelante al analizar la zona de ruptura de la curva
caracterstica del JFET).
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V
ID IDSS 1 GS
VP
Donde:
ID = Corriente de Drenaje
VP = Voltaje de ruptura
Transconductancia de un JFET
Un parmetro tambin importante del JFET es la llamada transconductancia o
conductancia mutua (gm), que nos muestra una medida de la amplificacin posible
del JFET.
Este parmetro es similar a la ganancia de corriente (hfe) para un BJT; el valor de
gm, es una medida del cambio en la corriente de drenaje para un cambio en la
tensin compuerta-fuente.
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Curvas caractersticas
Si juntamos ahora en una misma grfica el efecto que sobre el funcionamiento del
dispositivo tienen ambas tensiones (VDS y VGS). Al representar la corriente de
drenador en funcin de ambas tensiones, aparecen las denominadas curvas
caractersticas del transistor JFET.
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los
transistores JFET.
En primer lugar, en la representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se
aprecia claramente el paso de la regin de corte a la de saturacin.
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Regin de saturacin
Esta zona se da para valores VDS > VDSsat. Ahora la corriente ID
permanece invariante frente a los cambios de VDS (suponiendo la hiptesis
de canal largo) y slo depende de la tensin VGS aplicada. En esta zona el
transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensin de puerta VGS.
La relacin entre la tensin VGS aplicada y la corriente ID que circula por el
canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:
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Voltaje de estrangulamiento, Vp
Regin de ruptura
En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en inversa,
tanto ms cuanto menor sea el valor de VGS. Tal y como vimos al abordar
el estudio de la unin p-n en el tema 2 cuando una unin p-n la polarizamos
en inversa, la zona de carga de espacio aumenta. Sin embargo, esta
tensin inversa no se puede aumentar indefinidamente, ya que si se supera
un determinado valor (tensin de ruptura, caracterstico de cada unin y que
suele ser proporcionado por el fabricante en sus hojas de caractersticas) la
unin se perfora, producindose la ruptura del dispositivo.
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En nuestro caso las uniones p-n estn sometidas a una mayor polarizacin inversa
del lado del drenador. Por tanto, el JFET entrar en ruptura cuando en la zona del
drenador se supere la tensin de ruptura de la unin, es decir, cuando VDG =>Vr.
Teniendo en cuenta que VDS = VGS + VDG la ruptura se dar para:
Por ello a medida que VGS se hace ms negativo, la tensin VDS para la que se
produce la ruptura ser menor, lo que origina que en la zona de ruptura se crucen
las lneas.
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REGIONES DE AGOTAMIENTO
La polarizacin inversa de las uniones compuerta-canal produce regiones de
agotamiento o rarefaccin (capas de transicin) en las uniones. Esta son reas en
las que casi no hay portadores de carga.
Vqs=O
DISRUPCIN
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Aplicaciones
En el caso del JFET, la tensin Vgs se restringe a dos valores: 0 v o una tensin
negativa mayor o igual a Vgs (off), sin exceder la tensin de ruptura.
En un circuito en paralelo
En el caso de trabajar como interruptor paralelo, el JFET precisa una Ven
menor de 100 mV. Adems, Rd debe ser mucho mayor que Rds.
Cuando Vgs es cero, acta en la zona hmica como interruptor cerrado. En
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este caso, Vsal es mucho menor que Ven debido al divisor de tensin.
Cuando es ms negativa que Vgs (off), el JFET est en corte, por lo que
Vsal es igual a Ven.
En un circuito en serie
En el caso de trabajar como interruptor serie, si la Vgs es cero, el interruptor
estar cerrado y el JFET equivale a una resistencia de valor Rds. En este
caso la salida es prcticamente igual a la entrada.
Si la Vgs es igual o ms negativa que Vgs (off), el JFET est abierto y Vsal
es 0V.
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Sus caractersticas son similares, teniendo en cuenta las peculiaridades que los
hacen distintos a las ofrecidas en disposiciones anlogas por los transistores
bipolares. Se puede relacionar de la siguiente forma:
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La grafica anterior muestra en lnea continua las curvas del drenador a 25C y en
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Capacidades parasitas
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Bibliografa
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