Desarrollo Electrnico
Campos Electromagnticos
Ingenieros Digitales
Artculo cedido por Cemdal
Introduccin
www.cemdal.com Muchos jvenes ingenieros son
especialistas en el diseo de sistemas
Autor: Francesc Dau- digitales y no han tenido oportu-
ra Luna, Ingeniero nidades de experimentar con sis-
Industrial, experto en temas analgicos o de potencia o
compatibilidad electro- construirlos. Vamos a llamarles, por
magntica. Director de simplificar, ingenieros digitales. Du-
CEMDAL rante la fase de puesta en marcha
de nuevos equipos, estos ingenieros
tienen frecuentemente dificultades
con problemas de compatibilidad
electromagntica (CEM) o algunos
aspecos constructivos en el mbito
del oficio. La causa subyacente de
muchas de las dificultades con la
CEM es debida a que los ingenieros
digitales descuidan la CEM en el
inicio de sus diseos, arrastrando
errores de concepto. Esta situacin
ha sido provocada por una confluen-
cia de varias circunstancias. Para el
nuevo joven ingeniero digital la CEM
es como magia. Si en la escuela de
ingenieros no ha elegido los crditos
optativos relacionados con ense-
anza de la CEM, le cuesta pensar
en la CEM.
Miremos un esquema digital.
Consideremos las redes lgicas que
llevan seales digitales de puerta a
puerta. Todos sabemos que estas
seales se propagan en forma de
corrientes y que siempre circulan
en bucles de corriente para cerrar
sus circuitos. Sin embargo, en el
esquema, no se muestran las rutas
de retorno de las corrientes de las
seales. Tampoco queda clara la
arquitectura de las conexiones de las
masas. Bastantes ingenieros digitales
piensan que los caminos de retorno
de las seales son irrelevantes. Des-
pus de todo, razonan, si los contro-
ladores lgicos actan como fuentes
de tensin y las entradas actan
como receptores de tensin, por
qu preocuparse por las corrientes?
En las especificaciones tpicas de
un producto digital, la sensibilidad
de la tensin de entrada se mide en
voltios absolutos. No se indica clara-
mente que la puerta slo responde
a la diferencia de potencial entre
74
la patilla de entrada y la patilla de
referencia (masa). Tampoco queda
claro cul es la patilla de referencia
designado ms cercana. Esta ambi-
gedad lleva a muchos ingenieros a
pensar que una puerta puede sen-
tir cero voltios absolutos, como
si tuviera un hilo mgico que sale
del chip hacia el centro de la Tierra,
donde se podra recoger un ver-
dadero potencial de referencia de
tierra. Como consecuencia de ello,
no ven claramente las dificultades
que se presentan cuando las tensio-
nes en dos puntos de masa en un
sistema no son iguales, crendose
una diferencia de potencial entre
ellos que genera emisiones radiadas
indeseadas.
No se informa claramente que los
circuitos son susceptibles a los cam-
bios de tensin en la masa (ground
bouncing). Este ruido de masa
es algo serio a tener en cuenta.
Normalmente, durante la fase del
diseo digital, debera pensar en
los caminos de retorno de seal y
en los mecanismos que generan la
diferencia de potencial entre puntos
de masa en los circuitos impresos.
Ingeniero digital/exper-
to en compatibilidad
electromagntica
Tradicionalmente la educacin
tcnica ha dado un mayor enfoque
a los efectos del campo elctrico
Tabla 1: comparacin ingenieros electrnico y experto en compatibilidad electromagntica
para
(tensiones), que a los del campo
magntico (corrientes). Los ampli-
ficadores operacionales y de instru-
mentacin, los transistores IGBT, FET
y MOSFET son componentes con alta
impedancia de entrada (ms de 100
k1), mucho mayor que la impedan-
cia del espacio libre (377 1). Por lo
tanto, la mayor parte de la energa
de campo cercano que rodea a es-
tos circuitos es de campo elctrico
y los problemas de acoplamiento
parsito implican efectos de campo
elctrico (capacitivos). En cambio,
los sistemas digitales de alta veloci-
dad actuales tienen circuitos de baja
impedancia, cerca de los 50 1, muy
inferiores a la impedancia de 377 1
del espacio libre. Por ello la mayor
parte de la energa de campo cerca-
no que rodea a un circuito digital es
en forma de campo magntico. Por
lo tanto, la mayora de los proble-
mas de diafona, rebotes de tierra
(ground bounce) y los problemas
de interferencias electromagnticas
(EMI) en los sistemas digitales de
alta velocidad incluyen excesiva rea
en los bucles de corriente, campos
magnticos e inductancias.
Bastantes jvenes ingenieros digi-
tales no piensan en los efectos que
ocurren en el interior de los sistemas
digitales debidos a los campos elec-
tromagnticos. Parte de este proble-
ma es que en el simulador Spice no
se simulan fcilmente los efectos de
los campos electromagnticos ni de
REE Marzo 2014

corrientes inducidas en conductores
cercanos no incluidos en el diseo
o de acoplamientos por capacida-
des parsitas indeterminadas. Los
diseadores de circuitos digitales
se han formado en el mundo de la
simulacin basada en el software
Spice, llegando casi a creer que las
simulaciones son una manifestacin
de los circuitos reales funcionando
en condiciones reales. Pero no siem-
pre es as. Sin duda es til simular los
circuitos. Si se trabaja con modelos
realistas que tienen en cuenta los
efectos parsitos de los componen-
tes es bueno realizar simulaciones
tambin en un entorno controla-
do de la CEM. Pero en la CEM, el
problema es que rara vez sabemos
qu efecto es el que ms importa y
muchas veces una simulacin simple
no funciona. Muchas veces aparecen
problemas para los que no tenemos
suficientes datos.
Qu es, bsicamente de lo que
se ocupa un ingeniero electrnico o
digital? Es una persona que organiza
las tensiones y las corrientes, res-
tringidas y guiadas por conductores
(pistas), en tiempo lineal. Se interesa
pues sobre todo por el dominio del
tiempo. Esto se aplica igualmente a
la electrnica digital: simplemente
se cuantifica en sus aplicaciones el
dominio del tiempo (tabla 1).
Y qu es, bsicamente de lo que
se ocupa un ingeniero experto en
CEM? Es una persona que organiza
los campos electromagnticos en el
espacio. Su preocupacin principal
es la conformidad con las normas
de CEM, la prevencin de las pertur-
baciones electromagnticas adversas
(radiadas o conducidas) para que no
se produzcan y no interfieran a otros
aparatos electrnicos y la prevencin
de los campos electromagnticos
externos para que no interfieran con
el aparato en cuestin.
Se interesa sobre todo por las
longitudes de onda y el dominio
frecuencial. El tiempo es anlogo a
la frecuencia f = 1 / T . La distancia
es anloga a la longitud de onda,
En el espacio libre (vaco o aire) la
frecuencia y la longitud de onda se
relacionan con esta ecuacin:
REE Marzo 2014
El universo electro-
magntico
Principalmente nuestros sentidos
de la vista y el odo nos mantienen
informados de todo. Necesitamos
radios, TV, telfonos mviles, or-
denadores, etc. para conectar es-
tos sentidos a travs del universo
electromagntico. Tambin existe
el mundo electromagntico natural
que es independientemente de los
seres humanos. Este mundo natural
contiene fenmenos como la elec-
tricidad esttica, los estallidos de
rayos gamma, rayos, relmpagos
y las explosiones solares. Cada vez
que construimos un sistema elctrico
tambin creamos un sistema elec-
tromagntico. Debemos disear los
sistemas de tal forma que estos no
interacten dentro de ellos mismos o
entre s de una manera incontrolada.
Tambin tenemos que asegurar que
no afecten al entorno natural elec-
tromagntico. En resumen, debemos
proteger el espectro radioelctrico
para no perturbar las radiocomuni-
caciones. La Directiva 2004/108/CE
y todas las relacionadas con la CEM
como la de automocin 2004/104/
CE tienen este objetivo.
Consideremos en primer lugar el
concepto de una jaula de Faraday.
Un blindaje, apantallamiento, escu-
do o recinto de un sistema electr-
nico est basado en este concepto.
Una jaula de Faraday puede ser con-
siderada como una esfera perfecta-
mente conductora. Como tal, no
hay diferencia de potencial existente
entre dos puntos cualesquiera en el
interior, o cualesquiera dos puntos
en la parte exterior de la superficie
de esta esfera. Por lo tanto es una
superficie equipotencial. Si no hay
potencial, no puede existir ninguna
corriente. Sin tensiones fluctuantes o
corrientes circulantes ningn campo
electromagntico puede existir o
propagarse a travs de la superficie
conductora. Esto significa que el
interior de una jaula de Faraday ideal
est totalmente aislado del resto del
universo electromagntico.
Si diseamos un sistema electr-
nico sin blindaje, estar enteramente
a merced del universo electromagn-
tico externo. Adems, en esta situa-
cin, sus posibles emisiones radiadas
podran escapar hacia el mundo
externo. Si estas emisiones estn por
Desarrollo Electrnico
encima de los lmites reglamentarios,
entonces tendremos un problema.
Si usando un blindaje introducimos
una abertura porque inevitable-
mente las tenemos que hacer para
acomodar pantallas, conectores,
controles, paneles de acceso, etc.,
entonces vamos a comprometer el
buen funcionamiento de la jaula de
Faraday. Mientras las dimensiones de
la abertura sean ms pequeas que
/10 de los armnicos significativos
ms altos en frecuencia, el blindaje
puede todava funcionar como tal.
En el caso especial en que la aper-
tura sea del mismo tamao que
/2 del campo bajo consideracin
tendremos una resonancia y la
presencia de esta apertura har que
la situacin sea mucho peor que si
no existiera. Si usamos aberturas de
un cierto tamao, entonces debe-
mos garantizar que su longitud
mxima no coincida con una fre-
cuencia significativa (por ejemplo,
un reloj, o un armnico de un reloj).
Es la dimensin mayor de una aber-
tura la que determina su frecuencia
de resonancia.
Campos electromagne-
ticos
Toda tensin o corriente alterna
es realmente energa electromag-
ntica (Vatios, Julios) propagn-
dose como una onda. Las ondas o
campos consisten tanto en campo
elctrico (E) como en campo mag-
ntico (H). Cuando un conductor se
expone a una onda electromagnti-
ca, sus electrones libres se mueven
en respuesta a la onda, generando
lo que llamamos una corriente. La
propagacin electromagntica de
la onda, y sus campos asociados,
est formada por las estructuras de
antena accidentales que consi-
deramos como envo y caminos de
retorno y los materiales dielctricos
(aislantes) que rodean a los campos.
Los electrones son naturalmente
obligados a fluir cerca de la superfi-
cie de un conductor (efecto pelicu-
lar). Las corrientes de retorno toman
automticamente la ruta (o camino)
que minimiza la cantidad global de
energa electromagntica (menor
inductancia). Todo material pre-
senta una impedancia a una onda
electromagntica. Los campos elec-
tromagnticos se producen cuando
75
Desarrollo Electrnico
las cargas elctricas se someten a
aceleracin, es decir, cuando no es-
tn ni en reposo ni en movimiento
constante. Esto puede ser a partir de
una fuente de corriente alterna, de
una seal digital, de un transitorio
o de una descarga electrosttica
(ESD), etc. En la teora de campos
electromagnticos, el campo elc-
trico E es el resultado directo de la
fluctuacin de la tensin. El campo
magntico H es el resultado directo
de la corriente circulante. En el cam-
po cercano extremo (muy cerca de
la fuente) es posible tener campo E
casi puro o campo H casi puro. E es
la intensidad de campo elctrico en
V/m y H es la intensidad de campo
magntico en A/m. Tambin se le
llama excitacin magntica. B es
la induccin magntica o densidad
de flujo, en Teslas , B = H, siendo
la permeabilidad magntica del
material (tabla 2).
Las caractersticas de un campo
estn determinadas por su gene-
rador, su frecuencia, el medio de
propagacin y por la distancia entre
el generador y el receptor. En un
punto cercano a la fuente del campo
las propiedades del mismo estn
determinadas principalmente por las
caractersticas de la fuente. Lejos de
sta las propiedades las determina
el medio de propagacin. Por ello
se divide el espacio en dos regiones
en funcin de la distancia entre la
Figura 1: forma usual fuente del campo y el punto de ob-
de representacin de servacin. Cerca de la fuente est
un campo electromag- el llamado campo cercano. A una
ntico (vector de Poyn- distancia mayor de la longitud /2
ting) en un instante de se sita el llamado campo lejano,
tiempo ondas planas o campo electromag-
76
Tabla 2: algunas deniciones y unidades
ntico. El cociente E/H determina
la impedancia de onda, que en el
campo lejano vale E/H = 3771, de-
terminado por una propiedad fsica
del universo, la impedancia de espa-
cio libre = 377 1 donde 0
es la permeabilidad del vaco y Si el generador tiene una fuerte
es la permitividad del vaco (tabla
2). La permeabilidad magntica es la
capacidad de una sustancia o medio
para atraer y hacer pasar a travs de
ella campos magnticos. La permi-
tividad (o constante dielctrica) es
una constante fsica que describe
cmo un campo elctrico afecta y
es afectado por un medio. Como
referencia, los valores de r pueden
variar entre 1 para el vaco o aire y
10.000 para el hierro y los valores
de r pueden variar entre 1 para el
vaco o aire y ms de 250.000 para
algunos compuestos orgnicos.
El movimiento del frente de onda
E genera un frente de onda en mo-
vimiento H, que a su vez soporta E.
La figura 1 muestra la representa-
cin de un campo electromagntico
(vector de Pointing) en un instante
de tiempo donde los campos E y H
son ortogonales.
intensidad elctrica y baja tensin (E/
H< 3771), el campo cercano es pre-
dominantemente magntico. Con-
trariamente, si el generador tiene
una alta tensin y baja intensidad (E/
H> 377 1), el campo cercano ser
principalmente elctrico.
La figura 2 presenta el concepto
grfico de las intensidades de campo
en funcin del tipo de generador de
campo. Tambin se ve la impedancia
de onda en funcin de la distancia
entre el generador y el punto de
observacin del campo (receptor),
d normalizada a /2. El genera-
dor bsico de campo elctrico es
una antena vertical (monopolo o
dipolo), lo que corresponde a una
alta impedancia y baja corriente. La
fuente bsica de campo magntico
es un bucle de corriente, lo que co-
rresponde a una baja impedancia y
alta corriente. La transicin entre los
campos cercanos y el campo lejano
se sita en la regin de la distancia
cercana a /2. As, un campo pue-
de considerarse cercano hasta una
distancia aproximada de /6 de la
onda del generador cometiendo slo
aproximadamente un 5% de error
(6 2). A 100 kHz esto ocurre a
unos 450 metros, a 1 MHz ocurre
a unos 45 metros y a 100 MHz a
unos 45 cm. Esto significa que si un
generador de EMl est en la misma
sala que el circuito interferido, es
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Figura 2: el espacio se puede dividir en dos regiones en funcin de la distancia entre la fuente
del campo y el punto de observacin. Cerca de la fuente est el llamado campo cercano.
Generador bsico de E = monopolo o dipolo. Generador bsico de campo magntico de H
= bucle de corriente.
fcil tener un problema de campo
cercano. En el campo cercano se de-
ben considerar los campos elctrico
(capacitivo) y magntico (inductivo)
por separado. La transicin entre el
campo E y el campo H se sita en
los 377 1 (impedancia de onda en
el vaco, Zo).
En la zona de campo cercano, si
E > H, el campo elctrico se atena,
conforme nos alejamos de la fuente,
proporcionalmente a 1/ (d: dis-
tancia entre generador y receptor),
mientras que la intensidad de campo
magntico H se atena proporcio-
nalmente a 1/ . Contrariamente,
en esta misma zona, si la intensidad
H>E, el campo magntico se atena
proporcionalmente a 1/ , mientras
que la intensidad de campo elctri-
co se atena proporcionalmente a
1/ . En el campo lejano, ambas
intensidades de campo se atenan
proporcionalmente a 1/d.
Cuando se construye un sistema
electrnico no podemos evitar la
creacin de un sistema electromag-
ntico. Los cables y conductores de
los circuitos son simplemente un
marco en el que esperamos que
los campos electromagnticos que
nuestros circuitos generan preferirn
seguir, en lugar de radiarse al espa-
cio libre. Un ingeniero diseador de
antenas tiene el problema opuesto:
quiere maximizar la eficiencia de la
radiacin electromagntico de su
antena.
Si la longitud de onda de una se-
al es significativamente menor que
REE Marzo 2014
la longitud fsica del conductor, o la
seal est confinada en un par tren-
zado o un cable coaxial, entonces la
seal est confinada en el conductor.
Si no es as entonces tenemos que
utilizar otros medios para confinar la
seal, ya que el conductor se ha con-
vertido en una antena. Por ejemplo,
se pueden usar blindajes para evitar
los acoplamientos. La efectividad
de un blindaje (figura 3) contra
campos electromagnticos externos
o internos es debida a las prdidas
por absorcin ms las prdidas por
reflexin ms el factor debido a las
mltiples reflexiones internas.
Antenas accidentales
Veamos unas frmulas prcti-
cas muy simplificadas para poder
calcular los efectos de las antenas
accidentales que pueden aparecer
en nuestros equipos y as estimar los
valores de los campos y las corrientes
y tensiones en modo diferencial y en
modo comn.
Campos emitidos por corrientes en
modo diferencial (MD) o en modo
comn (MC)
Para un pequeo del bucle de
corriente (mxima dimensin (di-
metro o diagonal) << / 6 de la
frecuencia de inters ms alta) la
emisin mxima posible de campo
elctrico E (campo lejano) (maxi-
mizado mediante la variacin de la
altura de la antena sobre el plano de
masa, usando el mtodo de prueba
Desarrollo Electrnico
de emisiones de normas CISPR) viene
dada por:
(Si no hay plano de masa, las emisio-
nes E se deben dividir por 2).
Para un monopolo corto (un ca-
ble perpendicular a un gran plano de
masa, con dimensin mxima <<
/6 en la frecuencia ms alta de
inters), la emisin mxima posible
de campo elctrico E (campo lejano)
(maximizado variando la altura de
la antena sobre un plano de masa)
viene dada por:
(Si no hay plano de masa, las emisio-
nes E se deben dividir por 2). Donde:
E = campo elctrico en voltios/metro
medido a la distancia de observacin
d = la distancia de medicin desde
el bucle o el monopolo en metros
f = la frecuencia en Hz. = la
longitud de onda en metros
A = el rea de bucle en metros cua-
drados. L = la longitud del mono-
polo en metros
= La corriente de MD (circular)
en Amperios. . = La corriente
de MC (monopolo) en Amperios
Tensin de ruido en modo diferencial
(MD) captado desde campos lejanos
Para un pequeo bucle de co-
rriente (mxima dimensin (di-
metro o diagonal) < / 2 de la
frecuencia de inters ms alta) la
mxima tensin inducida posible en
MD en el bucle, debida a un campo Figura 3: efectividad de
lejano H externo (campo lejano) es un blindaje: prdidas
la siguiente: absorcin ms prdidas
reexin ms el factor
debido a las mltiples
Pero si la dimensin mxima del reexiones.
77
Desarrollo Electrnico
bucle (dimetro o diagonal) de co-
rriente en MD es mayor a / 2,
da la tensin ms alta posi-
ble para cualquier tamao de bucle.
Por lo tanto:
(sin control del rea del bucle)
Para un pequeo bucle de co-
Figura 4: Cualquier problema de CEM tiene uno o varios generadores, rriente (mxima dimensin < /2 de
uno o varios acoplamientos y uno o varios receptores de interferencias. la frecuencia de inters ms alta) la
Entre ellos pueden haber cuatro tipos de acoplamiento. mxima tensin inducida posible en
MD en el bucle, debida a un campo
E externo (campo lejano) es la misma
que la ecuacin anterior dividida por
377 1 (la impedancia de onda en el
vaco, Zo):
si la dimensin mxima de bucle
(dimetro o diagonal) de corriente
en MD es mayor a /2, da la
tensin ms alta posible para cual-
quier tamao de bucle. Por lo tanto:
Figura 5: Ejemplo de acoplamiento de campo elctrico
(sin control del rea del bucle) Dn-
de:
= la tensin DM inducida en
el bucle por el campo externo, en
voltios
H = el campo magntico externo en
A/m y E = el campo elctrico
externo en V/m
Tensin de ruido en modo comn
(MC) captado desde campos elctri-
cos externos (campo lejano)
Para un monopolo corto (per-
pendicular al plano de referencia,
Figura 6: Ejemplo de acoplamiento de campo magntico con una longitud mxima de /4)
la mxima tensin inducida posible
en MC debida a un campo elctrico
E externo (campo lejano) es:
Pero si la longitud del monopolo
> /4, L = / 4 da la tensin
ms alta posible para cualquier lon-
gitud del cable, por lo que:
(sin ningn control sobre el rea de
bucle de corriente)
Para un pequeo bucle de co-
rriente (dimensin mxima (dime-
tro o diagonal) < /4) la mxima
Figura 7: Ejemplo de acoplamiento de campo electromagntico tensin inducida posible en MC en
78
el bucle debido a un campo elctrico
E externo (campo lejano) es:
(para un bucle concreto, esto da la
misma VMC en voltios o IMD en am-
perios). Pero si la dimensin mxima
del bucle de corriente > / 4,
da la tensin ms alta
posible para cualquier tamao de
bucle, por lo tanto:
(sin ningn control sobre el rea
de bucle)
Para obtener la corriente inducida
en MC, la tensin en MC se debe
dividir por la impedancia en MC
(compleja) del circuito afectado (el
clculo vectorial encuentra el ngulo
de fase entre la corriente inducida y
la tensin inducida). Donde:
VMC = la tensin inducida por MC
en voltios
Usando convenientemente estas
frmulas podremos estimar los ni-
veles de emisin que tendremos en
nuestros equipos antes de medirlas.
Acoplamientos
En todo problema de CEM existe
uno o varios generadores de interfe-
rencia (EMI) y uno o varios recepto-
res de EMI (figura 4). Entre ellos pue-
de haber varios tipos acoplamientos
a la vez. Una primera clasificacin de
acoplamientos es por conduccin o
por campo. En el acoplamiento por
conduccin, las EMI se transmiten a
travs de los conductores, cables o
pistas. Hay tres tipos de acoplamien-
tos por campo:
Acoplamiento elctrico o capa-
citivo (figura 5)
Acoplamiento magntico o in-
ductivo (figura 6)
Acoplamiento electromagntico
o por radiacin (figura 7).
En el acoplamiento elctrico, las
lneas de campo E se dibujan de
manera que siempre terminan en
conductores, a 90 de sus superfi-
cies. La densidad de las lneas nos
dice qu tan fuerte es el campo E.
Podemos ver en la figura 5 que la
mayor intensidad de campo E est
exactamente entre la fuente de seal
y su retorno. Pero tambin vemos
que el campo se extiende en el es-
REE Marzo 2014

pacio alrededor de los conductores
y es cada vez ms dbil cuanto ms
lejos se propaga. Si otro conductor
est cerca, el patrn de campo local
(distribucin de lneas de campo)
quedar distorsionado debido a que
algunas de las lneas finalizarn en
estos conductores vctima. Cuando
las lneas de campo E terminan en
otros conductores, representa que
se acopla campo E (energa electro-
magntica) de la fuente a la vctima.
Otra forma de llamar al acoplamien-
to de campo E es acoplamiento ca-
pacitivo o por capacidad parsita.
En el acoplamiento magntico,
las lneas de flujo H nunca terminan
en los conductores. Aqu tambin
la densidad de las lneas nos dice la
intensidad de campo H y podemos
ver en la Figura 6 que la intensidad
de campo es mayor entre el conduc-
tor de la seal y su retorno. Tambin
las lneas de campo magntico se
extienden en el espacio alrededor de
los conductores, mostrando que los
campos H se debilitan al aumentar
la distancia. Cuando las lneas de
campo H se encuentran con un bu-
cle de corriente vctima, las lneas de
campo se distorsionan ligeramente,
y algunas lneas pasan fuera de la
zona del rea del bucle de corriente
del circuito vctima, mientras que
otras pasa a travs del bucle. Las
lneas que pasan a travs del rea
del bucle de corriente del circuito
vctima representan el acoplamiento
de campo H, que tambin puede
ser descrito como acoplamiento in-
ductivo o por inductancia mutua o
parsita. Es como un transformador
accidental entre el generador y la
vctima.
El acoplamiento electromagnti-
co es el ltimo de los acoplamien-
tos por campo y no es ms que un
acoplamiento conjunto de campo E
y de campo H. La figura 7 muestra
que en el campo lejano, los campos
E y H cercanos de la fuente se han
convertido en ondas planas y tienen
componentes de campo E y H que se
propagan al mismo tiempo. As que
cuando estas ondas planas llegan a
un circuito vctima, se acoplan con
su inductancia y su capacidad parsi-
tas al mismo tiempo. As que no im-
porta si la fuente emite un campo E
o H o los dos a la vez a una frecuen-
cia dada, si la amplitud de la onda
electromagntico de campo lejano
REE Marzo 2014
resultante es exactamente la misma,
se acoplar al circuito vctima exacta-
mente de la misma manera.
Tener en cuenta que en el circuito
vctima no hay manera de saber si
el origen de la EMI acoplada es un
campo E o un campo H. Los niveles
de campo electromagntico que se
emiten por un circuito generador
dependen de los niveles de los cam-
pos E y H que emite, por lo que las
mismas tcnicas que reducen las
emisiones de campos E y H tambin
reducirn las emisiones de los cam-
pos electromagnticos. La cantidad
de corriente y tensin de ruido cap-
tado por un circuito vctima depende
de su sensibilidad al acoplamiento
de los campos E y H, por lo que las
mismas tcnicas de diseo que redu-
cen el acoplamiento de campo E y H
tambin reducen el acoplamiento de
campo electromagntico.
Seales y armnicos
Para analizar los campos elec-
tromagnticos de un sistema de-
bemos considerar sus frecuencias
mximas y los tiempos mnimos de
conmutacin de sus seales digi-
tales. A efectos de la CEM, es ms
importante considerar los tiempos
de subida y bajada mnimos de las
seales digitales que la frecuencia
fundamental de la seal de mxima
frecuencia. Para simplificar vamos
a considerar una seal digital en
forma de onda trapezoidal simtrica
y veremos su contenido armnico y
su envolvente. La figura 8 muestra
Desarrollo Electrnico
Figura 8: Espectro de
Fourier. Envolvente de
una onda trapezoidal
de 16 MHz
su espectro de Fourier y la frmula
de clculo de sus armnicos. En el
caso usual donde el tiempo de su-
bida tr y el tiempo de bajada ts los
unificamos a un tiempo t , (tr=ts=t)
el tiempo t es mucho menor que el
periodo T de la seal. La envolvente
de los armnicos decrece con una
pendiente de -6dB/octava hasta el
punto f = 1 / tr , a partir del que
la pendiente cambia a -12dB/octava.
A partir de este punto, la energa
de los armnicos siguientes decrece
considerablemente. Esto muestra
que conforme el tiempo de subida
decrece, la energa de los armnicos
de mayor frecuencia aumenta.
Debemos tener en cuenta que la
energa de los armnicos de la seal
nunca superar esta envolvente. As
pues, esta envolvente nos ayuda a
conocer los lmites mximos posibles
de todas las frecuencias de todos los
armnicos de todas las seales circu-
lantes en nuestro sistema digital. Por
ejemplo, con un tr=2ns, el punto de
inflexin queda en :
el punto de inflexin queda en
De forma prctica, seria conve-
niente considerar como mnimo
hasta el 11 o el 13 armnico para
el anlisis de la CEM para asegurar
que tenemos en cuenta frecuencias
ms altas de las seales en nuestro
equipo. Normalmente la seal con
ms alta frecuencia coincide con el
reloj principal del sistema digital.
79
Desarrollo Electrnico
Algunas recomendacio-
nes
Desde la perspectiva de los cam-
pos electromagnticos debe quedar
claro que debemos crear una isla
separada del universo para nuestro
sistema, para detener los campos
exteriores y evitar que los interiores
se nos escapen. Para ello, se requie-
re un plan de control para decidir
cuidadosamente el tipo de blindaje,
la colocacin de los filtros, el acopla-
miento entre las pistas, el tamao
de las aberturas en los blindajes, la
asignacin funcional de capas de
los circuitos impresos, el nmero de
capas, la arquitectura de las conexio-
nes de las masas, el cableado, etc.
Con este plan preparado y todos de
acuerdo para aplicarlo, la tarea de
lograr y mantener el cumplimiento
de la CEM puede ser relativamente
ms fcil. Sin el plan, la tarea puede
ser mucho ms dificil.
Debido a los efectos de propaga-
cin de la onda, se pueden usar tres
tipos diferentes de anlisis de CEM
en los circuitos y estructuras que
van a configurar el nuevo producto
o equipo. Estos son:
a) anlisis con Elementos concen-
trados, cuando las dimensiones son
mucho menores de 2
b) anlisis de Lnea de Transmisin
cuando una dimensin es ms larga
de /2 (por ejemplo, un cable
largo y delgado).
c) anlisis Onda completa en 2 o
3 dimensiones, cuando dos o tres
dimensiones son ms largas que
/2.
En los tres casos es para las fre-
cuencias ms altas del equipo. Todos
los circuitos tienen modos resonan-
tes, donde sus corrientes o tensiones
experimentan una ganancia de reso-
nancia, llamado factor Q. Valores
de Q de 10 o ms son comunes (es
decir, ganancias de +20 dB o ms)
en circuitos electrnicos habituales,
REFERENCIAS
J.Balcells / F.Daura / R.Palls / R.Esparza, Interferencias Electromagnticas En Sistemas Electr
nicos, 1992, Boixareu Editores
Dr. Howard Johnson. Why Digital Engineers Dont Believe in EMC, IEEE EMC Society News-
letter, Spring 1998
Keith Armstrong, The Physical Basis of EMC Parts 1 and 2, The EMC Journal, January 2010
John Haughton, Electromagnetics for Electronic Engineers, The EMC Journal , January 2006
80
ganancias de 100 (+40 dB) no son
usuales y se puede llegar a valores
de hasta 1000 (+60 dB) en algu-
na ocasin. Valores superiors de Q
estn asociados con los circuitos
que tienen baja resistencia. Las es-
tructuras de antena accidentales (es
decir: todos los conductores) son
ms eficientes en sus frecuencias de
resonancia, causando altos niveles
de emisiones y baja inmunidad. As
que es muy importante controlar las
resonancias en el diseo para evitar
problemas de CEM.
Para campos elctricos, mientras
los tamaos fsicos de los conducto-
res son significativamente menores
a la longitud de onda ms corta de
la seal entonces la energa se man-
tiene contenida entorno a ese con-
ductor. En la prctica la longitud del
conductor debe ser menor de un
/10, ya que por debajo de esta longi-
tud, la eficiencia de radiacin como
antena es muy pobre. Las descargas
electrostticas (ESD) y los rayos y re-
lmpagos han existido desde mucho
antes de las primeras transmisiones
de Marconi usando chispas, tienen
un amplio contenido de frecuencias
que se extienden mucho ms all de
1 GHz. Esta es la razn por la que las
pruebas de ESD pueden aportar una
forma barata de realizar pruebas de
inmunidad. Un impulso ESD aplica-
do de forma instantnea somete la
unidad bajo prueba a gran parte del
espectro de frecuencias.
En fuentes de alimentacin y en
los cables de alimentacin la corrien-
te es mucho mayor y el campo H es
ms importante. Con esto tenemos
que tener especial cuidado en las zo-
nas de bucles y controlar cuidadosa-
mente el flujo de corriente. Algunos
principios bsicos a tener en cuenta
son los siguientes:
1. La tensin en un cable con lon-
gitud mayor de /4 (en la prctica
/10) hace que el campo cercano
E radie.
2. Poner atencin a la longitud de
los cables su forma constructiva.
Ver todos los cables como antenas
potenciales.
3. La corriente provoca que surja una
componente de campo H cercano.
Es el rea del bucle atravesada por
esta corriente la que determina su
eficacia como un transmisor.
Otro punto a recordar es que las
EMI fcilmente pueden salir por un
cable de entrada o entrar por un
cable de salida. Un cable en forma
de par trenzado funciona porque re-
duce al mnimo el rea de los bucles
de corriente. Cada giro se invierte
efectivamente el flujo de corriente
y la cancelacin con el campo H del
ciclo anterior.
Los planos de masa en una placa
de circuito impreso funcionan bien
al permitir que cada pista tenga un
camino de retorno ideal adyacente a
ella, es decir, el rea de bucle seal-
retorno se reduce al mnimo. Debe-
mos reducir al mnimo el rea de los
bucles de corriente de los circuitos.
De esta manera se reduce la induc-
tancia al valor ms bajo posible,
reduciendo con ello las emisiones.
Los campos electromagnticos
tienen dos formas de analizarlos. En
los productos digitales, si se tienen
altas emisiones, entonces es muy
probable tener escasa inmunidad
y viceversa. En la mayora de los
productos analgicos esto no es
necesariamente as, ya que muchos
circuitos analgicos, por su pro-
pia naturaleza, no emiten campos.
Pueden, por supuesto, sufrir proble-
mas de inmunidad. En este sentido,
puede ser ms fcil de arreglar los
problemas de inmunidad en cir-
cuitos digitales que en los circuitos
analgicos.
Conclusiones
En todo diseo electrnico, in-
cluido los circuitos digitales, es im-
portante tener en cuenta los campos
electromagnticos para evitar exce-
sivas emisiones que puedan superar
los limites de las normas de CEM,
tanto de emisiones como de inmu-
nidad.
El anlisis de los campos debe
efectuarse al iniciar el diseo del
nuevo producto para evitar proble-
mas de al realizar las pruebas de
CEM.
REE Marzo 2014