Tema 1.

Introduccin a los materiales semiconductores

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS. GITT. ESCUELA POLITCNICA CUENCA

Csar Snchez Melndez, 2017

INTRODUCCIN A LOS MATERIALES

SEMICONDUCTORES
 ndice

ESTE TEMA CONTIENE:

La estructura interna de los materiales semiconductores.

Tema 1. Introduccin a los materiales semiconductores

Tipos de semiconductores: extrnsecos e intrnsecos.

Mecanismo de transporte de portadores en un
semiconductor.
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ESTRUCTURA
TIPOS
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ESTRUCTURA
TIPOS
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ESTRUCTURA
TIPOS
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ESTRUCTURA
TIPOS
 ESTRUCTURA TIPOS

Conductividad

Conductor
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Semiconductor

Aislante
 ESTRUCTURA TIPOS

Conductividad

Definiciones bsicas:

Atendiendo a su conductividad, podemos clasificar la materia existente en

la naturaleza en tres grupos diferenciados:
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Conductores: son aquellos materiales en los que incluso la tensin

ms pequea hace que los electrones libres fluyan de un tomo al
siguiente, dando lugar al fenmeno de la conduccin.

Aislantes: materiales que ofrecen gran resistencia al movimiento de

electrones libres.

Semiconductores: materiales slidos cuya resistividad es intermedia

entre la de un conductor (que es menor de 10-4 cm) y la de un
aislante (mayor de 1010 cm)
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ESTRUCTURA
Estructura materia
TIPOS
 ESTRUCTURA TIPOS

Estructura materia

Modelo atmico:

La descripcin ms bsica de la materia supone la existencia de cargas

positivas y negativas constituyendo el tomo.
Las cargas positivas, protones, estn ubicadas en la regin central del
tomo, adosadas al ncleo junto con los neutrones, por cuyo motivo
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es mas difcil liberarlas.

Las cargas negativas o electrones, en cambio, son ms fciles de
liberar.
Un electrn que salte entre orbitas se acompaa por una cantidad de
energa electromagntica emitida o absorbida, E = h.

rbitas

Estructura simplificada de un tomo

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ESTRUCTURA
Estructura materia
TIPOS

Modelo tomo Bohr

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ESTRUCTURA
Estructura materia
TIPOS
 ESTRUCTURA TIPOS

Estructura materia

Valencia:

La valencia es una medida del nmero de enlaces qumicos formados

por tomos de un determinado elemento. Es mas comn hablar de
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enlaces covalentes que de valencia.

Los elementos Si (14, 14 protones y 14 electrones) y Ge (32) estn
en el grupo del carbono de la tabla peridica y tienen valencia 4.

El cobre posee (29 protones y 29 electrones) posee en su ltima capa

un solo electrn que se ve atrado muy dbilmente por el ncleo.
Normalmente los conductores como el cobre tienen un solo electrn
en la capa de valencia.
 ESTRUCTURA TIPOS

Estructura materia

Estructura tetravalente:

Cuando los tomos forman un slido, suelen adoptar una distribucin

tridimensional ordenada que define una estructura cristalina. Un cristal
ideal se construye mediante una repeticin infinita regular en el espacio
de estructuras unitarias idnticas.
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La estructura bsica para muchos importantes semiconductores es la

estructura de diamante o tetravalente, la cual es caracterstica de Si y
Ge.
La estructura del diamante es una consecuencia del enlace covalente. El
silicio intenta adquirir la estructura de un gas noble (8 e- en su ltima
capa), de ah surgen los enlaces con los tomos vecinos.
 ESTRUCTURA TIPOS

Estructura materia

Enlaces:

Las interacciones que se producen entre los distintos tomos en las

estructuras cristalinas que hemos visto se denominan enlaces. Existen
tres tipos bsicos: inico, covalente y metlico.
Enlace Covalente. Este tipo de enlace se caracteriza porque los
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electrones de valencia son compartidos dos a dos por los tomos

colindantes, esto es, cada tomo aporta un electrn, y esta pareja,
formando un todo coordinado, gira alrededor de los dos tomos. Como
cada uno de los electrones compartidos est siendo atrado en
direcciones opuestas, el electrn constituye un enlace entre las partes
internas opuestas.
El Silicio y el Germanio, tienen cuatro electrones en su ltima capa, es
decir cuatro electrones de valencia. Necesitan tomar o dejar cuatro
electrones para llegar a alcanzar la estructura de gas noble. La propiedad
enunciada, del enlace covalente, de compartir electrones es la base de
toda la teora de la conduccin de los semiconductores.
 ESTRUCTURA TIPOS

Estructura materia

Electrones y huecos:

Si T baja, no hay conduccin (los e estn ligados a los enlaces).

Si T aumenta, la agitacin trmica hace que algunos electrones se
escapen de los enlaces covalentes y se conviertan en portadores.
El hueco se comportar como una carga positiva en el sentido de que
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atraer cualquier electrn prximo, por tanto puede servir como

portador de electricidad comparable en su efectividad con el electrn
libre.

Aumento
Aislante Temperatura

Temperaturas Bajas
Estructura Inestable

+Aumento
Electrn Temperatura

Ruptura Enlaces

Hueco
 ESTRUCTURA TIPOS

Tipos semiconductores

Tipos y dopajes
A un semiconductor puro se le llama semiconductor intrnseco.
En un semiconductor intrnseco el nmero de electrones es igual al
nmero de huecos. Un semiconductor extrnseco es aquel al que se han
aadido sustancias dopantes de forma que tienen un carcter P o N
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tanto mayor cuanto mayor sea la concentracin de impurezas aadidas.

Este proceso de dopado (o dopaje) ser la base para la construccin de
los diodos de unin y los transistores.
Proceso de dopado:
Tipo N: aadimos sustancia dopante con ms e libres.
Tipo P: aadimos sustancia dopante con ms h+ libres.
Silicio:Cristal Puro
Ruptura Enlaces
Aumento Temperatura
Silicio:estado liquido
Dopado con impurezas

3 o 5 electrones en ltima capa Semiconductor extrnseco

 ESTRUCTURA TIPOS

Tipos semiconductores

Semiconductor extrnseco Tipo N

Lo semiconductores tipo N son semiconductores intrnsecos a los que se

les ha aadido una pequea cantidad de sustancia pentavalente (cinco
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electrones en la capa de valencia), llamada impureza.

En un semiconductor de tipo N el nmero de electrones es mayor que el

de huecos y, por tanto, en los enlaces donde haya un tomo de impureza
sobra un electrn. As, a temperatura ambiente hay ms electrones que
huecos y la conduccin se produce principalmente por medio de
electrones.
 ESTRUCTURA TIPOS

Tipos semiconductores

Semiconductor extrnseco Tipo P

Los semiconductores tipo P son semiconductores intrnsecos a los que se

les ha aadido una pequea cantidad de sustancia trivalente (tres
electrones en la capa de valencia).
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Ahora aparecern tomos de tipo trivalente (impureza de tipo P) y, por

tanto, en los enlaces donde haya un tomo de impureza faltar un
electrn, es decir, habra un hueco.

As, a temperatura ambiente, hay ms huecos que electrones y la

conduccin se produce principalmente por medio de huecos.
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ESTRUCTURA
Tipos de dopaje
TIPOS
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ESTRUCTURA
Construccin
TIPOS
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ESTRUCTURA
Construccin
TIPOS
 ESTRUCTURA TIPOS

Construccin
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http://youtu.be/d9SWNLZvA8g
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ESTRUCTURA
Tipos semiconductores
TIPOS
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ESTRUCTURA
Tipos semiconductores
TIPOS
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ESTRUCTURA
Tipos semiconductores
TIPOS
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ESTRUCTURA
Tipos semiconductores
TIPOS
 ESTRUCTURA TIPOS Producen
Tipos semiconductores grafeno en
masa con un
mtodo
simple: una
buja de coche
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MADRID, 27 Ene. (EUROPA PRESS) - Un equipo de fsicos de la Universidad Estatal

de Kansas ha descubierto una manera de producir en masa el grafeno con tres
ingredientes: gas de hidrocarburo, oxgeno y una buja de encendido. Su mtodo
es simple: se llena una cmara con acetileno o gas etileno y oxgeno. Se usa una
buja de coche para crear una detonacin contenida y, como resultado, se recoge el
grafeno que se forma. Chris Sorensen, profesor de fsica, es el inventor princi ...

Leer mas: http://www.europapress.es/ciencia/laboratorio/noticia-producen-

grafeno-masa-metodo-simple-bujia-coche-20170127133324.html
 ESTRUCTURA TIPOS

Tipos semiconductores

Nuevos materiales

El grafeno es una estructura laminar plana, de un tomo de grosor,

compuesta por tomos de carbono densamente empaquetados en una red
cristalina en forma de panal de abeja mediante enlaces covalentes que se
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formaran a partir de la superposicin de los hbridos sp de los carbonos

enlazados.

El Premio Nobel de Fsica de 2010 fue otorgado a Andre Geim y Konstantin

Novoselov por sus revolucionarios descubrimientos sobre el material
bidimensional grafeno.

Ms informacin: El grafeno material del futuro?:

http://es.wikipedia.org/wiki/Grafeno
http://youtu.be/dTSnnlITsVg
 ESTRUCTURA TIPOS

IMPORTANTE

Tanto en los semiconductores de tipo P como en los de tipo N, la

conductividad aumenta con la temperatura.
Los semiconductores extrnsecos se forman aadiendo pequeas cantidades
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de impurezas (dopantes) a los semiconductores puros.

El objetivo es modificar su comportamiento elctrico al alterar la densidad de
portadores de carga libres. En todos los casos, sin embargo, la carga neta del
semiconductor es cero (N+ = N):
Cuando se rompe un enlace y aparece un electrn de conduccin, el tomo
correspondiente queda ionizado con carga positiva y la carga neta siempre es
cero. Los tomos ionizados estn fijos en la red y no contribuyen a la
conduccin.
 ESTRUCTURA TIPOS

Referencias

Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits. S.

Franco.Ed. McGraw-Hill, 1997
Electrnica. Allan R. Hambley. Prentice Hall 2001
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Circuitos Electrnicos. Anlisis, Simulacin y Diseo. Norbert R. Malik.

Prentice Hall 1996
Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos. R. Boylestad.
Prentice Hall. 2003
Principios de Electronica. A. Malvino. Ed. Mcgraw-Hill (2007, 7a edicin)