UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, LABORATORIO 6 1

Caractersticas Termicas y Dimensionamiento de

Disipadores de Calor en Dispositivos
Semiconductores de Electronica de Potencia
Giovany Crasby Britton Orozco, Anthony Bocanegra Garavito , Daniel Cabrera Ojeda
gcbrittono, abocanegrag, dcabrerao @unal.edu.co
Universidad Nacional de Colombia

ResumenEn el presente informe se realiza la medicion junto con la potencia disipada y la resistencia termica del
de la temperatura para un transistor 2N3055 y un MOSFET material. Conocido este parametro pasamos hallar la respuesta
IRF530, implementados en circuitos que llevan a niveles muy termica caracterstica del elemento, esto se halla utilizando la
cercanos a los lmites que pueden soportar los dispositivos. Dicha
medicion se realiza con tres elementos (multmetro + termocupla, relacion[6]:
termometro infrarrojo y camara termografica) en dos casos, con
y sin disipador de temperatura y posteriormente se realiza la
comparacion entre los resultados arrojados por cada uno de ellos.

Palabras ClaveDisipacion, Infrarrojo, Potencia, Temperatu- J = Re Ce [6] (2)

ra, Termocupla.

I. I NTRODUCCI ON

L A temperatura es un factor que se debe tener en cuenta

al momento de disenar e implementar circuitos que
contengan elementos que se puedan calentar, ya que si no
Esta relacion puede ser utilizada para encontrar un compor-
tamiento estimativo de la temperatura utilizando la igualdad
siguiente[6]:
se controla dicho factor, puede afectar el comportamiento
esperado de los componentes y por ende, el funcionamiento
del circuito, llegando a ocasionar que los elementos dejen de
funcionar.
t/
T AB = ReAB PD (1 e )[6] (3)
Una posibilidad para controlar la temperatura, es utilizar
disipadores en los componentes, los cuales reducen de forma
considerable su valor y sirven como proteccion para el
funcionamiento del circuito en general.

A continuacion, se ilustra la funcion del disipador en dos

circuitos, uno con un transistor BJT y el otro con un MOSFET,
en los cuales se medira la temperatura con tres instrumentos
a saber: Termocupla, camara termografica y un termometro
infrarrojo, comparando los resultados al utilizar y no utilizar
el disipador en los componentes anteriormente mencionados.
II. M ARCO T E ORICO
II-A. Calculos de temperatura interna en terminos de tem-
peratura ambiente y/o disipada
En el caso de que se necesite evaluar las variables termicas
de semiconductores podemos utilizar las variables siguientes
para conocer los parametros[6]:
TJ = TA + (PD ReJA )[6]
En este caso, las ecuaciones muestran la relacion entre
la temperatura de union,TJ , la temperatura ambiente, TA ,
II-B. Funcionamiento y caractersticas de termometro infra-
rrojo
El diseno basico de funcionamiento de un termometro
infrarrojo se basa principalmente en la utilizacion de lentes
que enfocan la energa infrarroja en un detector. La senal que
se detecta es una caracterstica que tienen los elementos de re-
flejar esta energa en su superficie. Esto hace parte del espectro
electromagnetico de la luz incidente sobre estos, de aqu que
se puede aprovechar esta propiedad para ver el calor emitido
por este. Las ventajas de utilizar un termometro infrarrojo se
basan en que no es necesario estar en contacto directo con
(1) el objeto para medir su temperatura, esto puede utilizarse en
situaciones en donde no es posible utilizar termometros de
contactos debido al cuerpo que se mide en cuestion es difcil
de acceder o no se pueden obtener datos adecuados[3].
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Figura 1. Esquema de medicion utilizando un termometro infrarrojo[3]
La figura anterior ilustra como funciona la medicion de tem-
peratura utilizando un termometro infrarrojo, en este diseno no
es necesario contacto directo con el objeto.
II-C. Funcionamiento y caractersticas de la camara ter-
mografica y emisividad
La emisividad hace referencia al ratio de la energa iradiada
por un cuerpo a cierta temperatura y la misma energa iradiada
por un cuerpo negro a esa misma temperatura. La emisividad
de un cuerpo negro se define como 1,0. Los valores de
emisividad tienen valores que oscilan entre 0 y 1. Una
desventaja que poseen los termometros basados en infrarrojos
radica en que para valores pequenos de emisividad la
precision del instrumento disminuye, este tipo de fenomeno
es comun en elementos que poseen una superficie metalica
que la reflexion en su superficie es tan grande que no se puede
determinar una caracterstica adecuada en su temperatura[5].
En el caso de las camaras termograficas el funcionamiento
principal se basa en la misma teora que un termometro
infrarrojo. El funcionar utiliza un lente especial para incidir
la emerga infrarroja en un sensor electronico especial. Una
vez que la energa infrarroja se enlaza con el lente, el sensor
reacciona de forma distintiva a cada senal de la apertura, de
tal forma que se genera una senal electrica que indica el
comportamiento del objeto estudiado. El comportamiento del
sistema se muestra en la imagen siguiente[5]:
2
Figura 2. Funcionamiento de una camara infrarroja[5]
II-D. Analisis termico en semiconductores, utilidad de la
pasta termotransferente
Disenar sistemas electronicos robustos implica la
utilizacion de tecnicas de diseno que tomen en cuenta
los fenomenos fsicos que suceden al interior de los sistemas
semiconductores, en este caso es necesario proveer al sistema
los puntos lmites de operacion para as evitar posibles danos
permanentes al sistema[6].
Un termino importante que sucede en los componentes
semiconductores tiene que ver con la temperatura de union,
conocida en ingles como Junction Temperature. Este
termino entra en vigor denotando los primeros tiempos de los
dispositivos semiconductores, en los cuales los transistores
bipolares y los rectificadores disipaban calor bajo ciertas
circunstancias. El termino de la union de temperatura es una
simplificacion del concepto general que denota solamente una
temperatura constante en la superficie del material, esto sin
tener en cuenta los gradientes de temperatura presentes en las
coordenadas espaciales del elemento, las cuales necesitaran
calculos mas densos para encontrar la verdadera relacion
espacial de temperatura en el cuerpo[6].
En el caso en que se estudie el dominio termico de un
material, es posible hacer relaciones entre principios basicos
de otros campos, en el caso de las relaciones termicas, las
relaciones se pueden hacer tomando en cuenta los comporta-
miento vistos en un circuito sencillo de corriente electrica, esta
relacion se muestra en la imagen siguiente de forma simple[6]:
Figura 3. Similitudes entre dominio electrico y termico[6]
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Conociendo las similitudes entre estos campos, podemos ha-

cer una tabla que muestre la relacion basica de los elementos,
esto se ilustra como sigue en la imagen siguiente[6]:

Figura 4. Definicion de variables y relacion existente entre ellas[6]

En el caso de que las condiciones en las que se desea
trabajar no sean apropiadas para el semiconductor, existen
otras tecnicas capaces de mejorar el rendimiento del sistema
utilizando elementos disipativos, uno de estos es la pasta
termotransferente. Su principal funcion radica en mejorar la
conduccion entre 2 superficies en contacto, un ejemplo comun
son los procesadores y las placas disipadoras, esto debido a
que las superficies no son uniformes, pueden existir entre ellas
pequenas regiones de aire que bajan la calidad de transferencia
entre estas, razon por la cual es necesario utilizar estas pastas
para rellenar dichos espacios y mejorar la conduccion[7].
Figura 5. Circuito para la medicion de temperatura en el transistor
En la figura 6 se puede observar como vara la potencia
en el transistor conforme vara la temperatura desde los 20 C
hasta los 160 C que es la temperatura maxima que puede
arrojar el simulador. la lnea de color naranja que se ve en
9, 5W , corresponde a la potencia a una temperatura de 160 C
y por ende, entre mas baja sea la temperatura, la potencia en
el transistor aumenta.

III. C ALCULOS
Calcule el disipador que debe colocarse a un transistor
2N3055 que trabajara disipando una potencia maxima de
30W. Considerar la temperatura ambiente de trabajo igual a
T a = 25 C.

Revisando el datasheet del transistor 2N3055, se encontro

que la resistencia entre la union y la capsula (Rthj c =
Figura 6. Variacion de la potencia al aumentar la temperatura del transistor
1, 5 C/W ) y la temperatura maxima de la union semiconduc-
tora es (T j = 200 C) pero por seguridad se trabajara con En la figura 7 se muestra la potencia en funcion de la
T j = 150 C. Para la union con el disipador se hara uso de temperatura para la resistencia de potencia. Esta vez, la lnea
pasta termoconductora y por ende la resistencia termica entre naranja corresponde a la temperatura de 160 C y se encuentra
la capsula y el disipador es (Rthc d = 1 C/W ). Utilizando en el valor de la potencia maxima que debera soportar dicho
la siguiente ecuacion se encontrara la resistencia termica entre elemento. El comportamiento de la potencia en funcion de la
el disipador y el aire: temperatura para este elemento es inverso al presentado por el
transistor.
Tj Ta
Rthd amb = (Rthj c + Rthc d) (4)
P
150 25
Rthd amb = (1,5 + 1) = 1, 6667 /W
30
Con los anteriores parametros, se puede buscar un disipador
que cumpla con todos los requisitos encontrados. [5]

IV. S IMULACIONES
IV-A. Parte B
En la figura 5 se muestra el circuito montado en el simulador
NI Multisim 14.0 para medir la temperatura del transistor Figura 7. Variacion de la potencia al aumentar la temperatura en la resistencia
2N3055. de potencia
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IV-B. Parte c

La figura 8 presenta el diseno del circuito para la medicion

de temperatura utilizando el MOSFET IRF530 y al igual que
en el caso anterior, se utilizo una resistencia de potencia de
22 para R1.

Figura 10. Medicion de corriente y tension en el MOSFET

P = V I = 19, 3[V ] 488[mA] = 9, 4184[W ] (5)

Figura 8. Circuito para la medicion de temperatura en el MOSFET

V. R ESULTADOS

La variacion de la potencia en la resistencia R1 en funcion V-A. Laboratorio Parte B

de la temperatura se presenta en la figura 9 y al igual que en
el caso anterior, entre mayor sea la temperatura, mayor sera Resultados sin disipador
la potencia que debe soportar la resistencia, que para el caso
de 200 C, la potencia corresponde a 5, 2586W .

Figura 9. Variacion de la potencia al aumentar la temperatura en la resistencia

de potencia

Lastimosamente, no fue posible realizar la grafica de poten-

cia en funcion de la temperatura para el MOSFET, por ende
se opto por encontrar el valor de tension y corriente en el
componente y as encontrar su potencia. Figura 11. Medicion de temperatura, multimetro (termocupla) transistor BJT
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Figura 12. Medicion de temperatura, camara termografica transistor BJT Figura 15. Medicion de temperatura, multmetro (termocupla) disipador

Figura 16. Medicion de temperatura, camara termografica transistor BJT

Figura 13. Medicion de temperatura, termometro infrarrojo transistor BJT

En el cuadro I se encuentra un resumen de las valores
Con disipador obtenidos en los diferentes instrumentos.

Cuadro I
M EDICIONES BJT

Disipador Termocupla C Termometro Camara

infrarrojo C termografica C
No 152,6 135,1 186
Si 62,3 - 59

V-B. Laboratorio Parte c

Figura 14. Medicion de temperatura, multmetro (termocupla) transistor BJT Sin disipador
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Figura 17. Medicion de temperatura, multmetro (termocupla) MOSFET
Con disipador
Figura 18. Medicion de temperatura, multmetro (termocupla) MOSFET
En el cuadro II se encuentran los resultados obtenidos para
el caso del MOSFET, para el cual solo fue posible realizar
mediciones con el multmetro porque se realizo la practica
en un horario diferente a la clase.
Cabe resaltar que el valor cuando no se utilizo el disipador,
el valor alcanzado fue mucho mayor al mostrado en la figura
17, solo que no se cuenta con la imagen para mostrarla.
Cuadro II
M EDICIONES M O SFET
Disipador Termocupla C
No 128,7
Si 111
V-C. Analisis y argumentacion: limitaciones del modelo ma-
tematico para obtencion de temperatura interior
Debido a que los calculos de temperatura del modelo
dependen de el valor de la union de juntura, se espera que
estos modelos tengan limitaciones a la hora de caracterizar
el comportamiento correcto de la temperatura del transistor.
La razon de esto es que el valor de la union de juntura es
un estimativo de la temperatura promedio en la superficie del
elemento, en el cual se omiten los gradientes de temperatura
a lo largo de las coordenadas de los elementos.
6
V-D. Analisis y argumentacion: limitaciones en el funciona-
miento de la camara termografica, el termometro infrarrojo y
las termocuplas tipo K. (analisis de error, analisis de fuentes
de error, emisividad y cuerpo negro)
La desventaja que poseen estos sistemas de medida es
la ausencia de un contacto directo con el elemento siendo
estudiado, en este caso pese a que estos dispositivos pueden
ser exactos en muchas ocasiones poseen la desventaja de la
emisividad en ciertos cuerpos, esto debido a que elementos
brillantes reflejan mas la luz, por ende se dificulta mas
medir adecuadamente la temperatura real del elemento. otro
inconveniente es que solo se puede conocer la temperatura
superficial del elemento sin conocer la temperatura interna del
mismo.
V-E. Analisis y argumentacion: limitaciones en el funciona-
miento de la camara termografica
Las limitaciones de la camara termografica, se deben a que
es un metodo de medicion indirecto por lo tanto su precision
dista significativamente de un metodo directo pues en este caso
la camara termometrica, capta las emisiones de rayos infrarro-
jos emitidas por el calor cuerpos, por lo tanto su medicion se
ve afectada pues las ondas electromagneticas se atenuan con la
distancia, de igual forma el termometro infrarrojo presenta este
inconveniente pero con el agravante que el termometro dispara
luz infrarroja, y la reflexion de este rayo es medida, pero se
ve afectada por condiciones adicionales como la rugosidad del
material e el cual incide el rayo y el angulo de incidencia, lo
cual genera errores en la medicion. Los metodos directos como
las termocuplas tipo k tienen mediciones de mayor precision
pues se encuentran en contacto directo con la superficie, pero
precisamente ese es su inconveniente que no en todas las
condiciones se puede tener contacto directo con la superficie
de medicion, las temperaturas son tan extremas que el material
pierde sus propiedades o se desintegra.
V-F. Analisis y argumentacion: Influencia del uso del disi-
pador correctamente
Para el caso en el cual no se utiliza el disipador, el
componente presenta una capacidad reducida para evacuar
el calor, por lo tanto su temperatura se eleva de forma
rapida, el caso en el que se usa disipador pero sin pasta, la
trasferencia de calor del dispositivo al disipador no se da de
forma eficiente ni uniforme, dado que como es de esperarse
hay espacios de aire entre ambos elementos, el uso de pasta
permite una transferencia uniforme y eficiente del calor del
dispositivo hacia el disipador lo cual permite una reduccion
en la temperatura del dispositivo mediante un elemento con
mayor superficie.
VI. C ONCLUSIONES
Como se evidencio en el desarrollo de la practica, al
utilizar el disipador tanto en el BJT como en el MOSFET,
se redujo de manera considerable su temperatura por lo
que se puede decir, que para aplicaciones que requieran
una potencia significativa respecto al componente que
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se este trabajando, se hace indispensable la utilizacion

de dicho elemento.

Se debe tener presente la exactitud con que los instru-

mentos pueden realizar las mediciones para el analisis
de los resultados, dado que en ciertos casos no se va
a poder utilizar el mas preciso ya sea por condiciones
ambientales o simplemente porque no se cuenta con el.

R EFERENCIAS
[1] Hart, Daniel W. Electronica de Potencia. Pearson-Prentice Hall 1997.

[2] F. Trujillo, A. Pozo and A. Trivino, Calculo de disipadores

de calor, Universidad de Malaga, 2017. [En lnea]. Disponi-
ble en: https://ocw.uma.es/ingenierias/electronica-de-potencia/ejercicios-
proyectos-y-casos-1/calculo de disipadores.pdf. [Consultado: 26- Sep-
2017].
[3] Electronic Temperature Instruments Ltda. infrared thermometer
guide. Consultado en: https://thermometer.co.uk/content/19-infrared-
thermometer-guide
[4] Omega, Your Source for Process Measurement and Control. Infrared
ThermometerIntroduction to Non contact Infrared Thermometers. Con-
sultado en:https://www.omega.com/prodinfo/infraredthermometer.html
[5] Fluke Corporation.How infrared cameras work. Consultado en:
http://en-us.fluke.com/training/training-library/measurements/how-
infrared-cameras-work.html
[6] NXP. Thermal Analysis of Semiconductor Systems. Consultado en: https:
//cache.freescale.com/files/analog/doc/white paper/BasicThermalWP.pdf
[7] WhatIs. thermal grease (thermal paste or thermal compound). Consul-
tado en: http://whatis.techtarget.com/definition/thermal-grease-thermal-
paste-or-thermal-compound