Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Escuela de Ingeniera Electrnica

Instituto Tecnolgico de Costa Rica
Laboratorio de Elementos Activos

Introduccin a la fabricacin de
Circuitos Integrados

Dr. Pablo Alvarado

Adaptado de:
Moreira, Paulo Introduction to VLSI digital design CERN, Suiza, 2005

Cartago, Costa Rica Octubre, 2006

Pablo Alvarado 1
Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Contenido
Historia
Proceso de Fabricacin
Magic
IETIX
Resumen

Pablo Alvarado 2
 Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Historia
1883 Thomas Edison (Efecto Edison)
Experimentando con bombillos, Edison encontr que en el
vaco una corriente puede fluir del filamento luminoso a una
placa de metal polarizada positivamente pero no a una
polarizada negativamente
1904 John Ambrose Fleming (Diodo Fleming)
Reconoce impacto del descubrimiento de Edison, y
Audion (Triodo) demuestra la rectificacin de seales CA.
1906, Lee De Forest
1906 Lee de Forest (Triodo)
Aade una rejilla al diodo de Fleming lo que permite
amplificar seales.
Los tubos al vaco continan su evolucin
Dominan industria de radio y TV hasta los 60s, y representan
la gnesis de la industria electrnica actual. Son sin
embargo frgiles, relativamente grandes, consumen mucha
potencia y tienen altos costos de produccin.

Pablo Alvarado 3
 Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados
Historia (2)
Primer transistor de contacto
puntual (germanio)
1947, John Bardeen y Walter
Brattain
Laboratorios Bell
1940 Russel Ohl (Union PN junction)
La union PN es desarrollada en los Laboratorios Bell.
1945 Labs. Bell establece grupo para desarrollar alternativa
de tubos al vaco. El grupo lo lidera William Shockley.
1947 Bardeen and Brattain (Transistor)
Se crea el primer circuito amplificador de estado slido
utilizando un transistor de contacto puntual (Ge)
1950 William Shockley (Transistor de juntura)
Ms fcil de producir que el transistor de contacto puntual.
1952 fabricacin de silicio monocristalino
1954 primer transistor comercial de silicio
Texas Instruments
1954 Primer radio de transistores (Regency TR-1)
4 transistores de Texas Instruments
1955 Primer transistor de efecto de campo
Laboratorios Bell
Pablo Alvarado 4
 Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados
Historia (3)
Primer circuito integrado (Ge)
1958 Jack S. Kilby,
Texas Instruments
5 componentes entre
transistores, resistencias y
condensadores
1952 Geoffrey W. A. Dummer (concepto de CI)
En 1952 se public el concepto y en 1956 se hizo un intento
1954 Desarrollo de proceso de enmascaramiento del xido
Proceso incluye oxidacin, foto-enmascaramiento, corrosin
y difusin
1958 Jack Kilby (Circuito Integrado)
Oscilador con 5 componentes
1959 Invento de tecnologa planar
Esta tecnologa se usa an en la actualidad
1960 Primer MOSFET fabricado
En los Labs. Bell, por Kahng
1961 Primer Circuito Integrado comercial
Fairchild and Texas Instruments
1962 Invento de TTL
1963 Primer Circuito Integrado PMOS producido por RCA
1963 CMOS inventado
Pablo Alvarado 5
Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Historia (4)
1971 Primer microprocesador
Intel produce el 4004 (primer
microprocesador de 4 bits)
Conjunto de 3 chips encapsulados en DIP de
16 pines
Circuito Integrado de 2 kbit ROM
Circuito Integrado de 320 bit RAM
Procesador:
Proceso PMOS de compuertas en Si, 10 m
~2300 transistores
Velocidad de reloj: 108 kHz
Tamao del dado de silicio: 13,5 mm2

Pablo Alvarado 6
Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Historia (5)
1982 Intel 80286
Proceso CMOS de compuertas en Si, 1,5 m
1 capa de polisilicio
2 capas metalicas
134 000 transistores
Velocidad de reloj 6 a 12 MHz
Tamao del dado 68,7 mm2

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Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Historia (6)
2000 Pentium 4
Proceso CMOS de compuertas en Si, 0,18m
1 capa de polisilicio
6 capas metlicas
Fabricacin: 21 capas / mscaras
42 millones de transistores
Reloj: 1,400 to 1,500 MHz
Tamao del dado: 224 mm2

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Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Historia (7)
Historia de los microprocesadores de Intel
(Tomado de http://www.intel.com/pressroom/kits/quickreffam.htm)

Ao Chip L Transistores
1971 4004 10m 2,3k
1974 8080 6m 6k
1976 8088 3m 29k
1982 80286 1,5m 134k
1985 80386 1,5m 275k
1989 80486 0,8m 1,2M
1993 Pentium 0,8m 3,1M
1995 Pentium Pro 0,6m 15,5M
1999 Mobile PII 0,25m 27,4M
2000 Pentium 4 0,18m 42M
2002 Pentium 4 (N) 0,13m 55M
2005 Pentium 4 (EE) 90nm 169M

Pablo Alvarado 9
Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Ley de Moore
En 1965 Gordon Moore Qu motiva este ritmo de
(entonces en Fairchild Corp.) desarrollo en tecnologas de
not que: integracin?
La complejidad de El deseo de superacin y
integracin se duplica cada motivacin de las personas
3 aos involucradas con tecnologa?
Esta afirmacin se conoce y / o es una motivacin
comnmente como la Ley econmica la mayor
de Moore directriz?
Ha resultado correcta Ventas de la industria de
hasta este momento semiconductores:
1962, > $1000 Millones
1978, > $10 000 Millones
1994, > $100 000 Millones

Pablo Alvarado 10
Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Motivador: Economa
Tradicionalmente, el costo por funcin en un CI se
reduce de un 25% a un 30% por ao.
Esto le permite al mercado de la electrnica a crecer
un 15% por ao
Para lograrlo, el nmero de funciones por CI debe
crecer, lo que requiere:
Incremento del nmero de transistores
incremento de la funcionalidad
Incremento de la velocidad de reloj
ms operaciones por unidad de tiempo = incremento de la
funcionalidad
Disminucin del tamao de caractersticas
si se mantiene el rea se mantiene el precio
mejora en el desempeo

Pablo Alvarado 11
Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Motivador: Economa (2)

Incremento de la productividad
Incremento del desempeo del maquinaria de produccin
Incremento en la produccin (yield)
Incremento en el nmero de chips en una oblea de silicio (wafer):
reduccin del rea de un chip:
menor tamao de caractersticas smaller y rediseo
Uso del mayor tamao de oblea disponible

Ejemplo de un producto efectivo en costo

(tipicamente DRAM): el rea en el CI se reduce en
un 50% cada 3 aos y en un 35% cada 6 aos.

Pablo Alvarado 12
Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Hay un lmite?
Fbrica con gran volumen de produccin
Capacidad total: 40 000 obleas iniciadas por mes (Wafer Starts Per
Month, WSPM) (180 nm)
Inversin total capital: $2700 Millones
Maquinaria y equipo de produccin: 80%
Servicios, Facilidades: 15%
Sistemas de manejo de materiales: 3%
Informacin y control de fbrica: 2%
Ingresos mundiales del mercado mundial de semiconductores en
el 2000: ~$180 000 Millones
Tasa de crecimiento del mercado de semiconductores ~15% / ao
Tasa de crecimiento de mercado de equipo: ~19.4% / ao
Al 2010 los costos para equipo excedern el 30% de los ingresos del
mercado de semiconductores!
Limitaciones tecnolgicas (tamao de las estructuras,
velocidades de transmisin, etc.)

Pablo Alvarado 13
Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Fabricacin de un
Circuito Integrado

Pablo Alvarado 14
 Inversor CMOS

A Y VDD
0

A Y

A Y
GND
Paulo Moreira Introduction 15
 Transistor n-MOS

4 terminales: compuerta, surtidor, drenador

y sustrato
Compuerta oxido sustrato conforman un
condensador
Compuerta y sustrato son conductores
SiO2 (oxido) es un excelente aislador
Se denomina condensador MOS, an cuando la compuerta
no es metlica Source Gate Drain
Polysilicon
SiO 2

n+ n+

p bulk Si

Paulo Moreira Introduction 16

 Transistor p-MOS

Similar, pero dopado y tensiones invertidas

Sustrato conectado a VDD
Compuerta en bajo: transistor encendido
Compuerta en alto: transistor apagado
Crculo en la compuerta denota comportamiento
invertido
Source Gate Drain
Polysilicon
SiO 2

p+ p+

n bulk Si

Paulo Moreira Introduction 17

 Seccin transversal del inversor

Usualmente se utiliza un sustrato de tipo p

para los transistores n-MOS
Se requiere un pozo n para los
transistores tipo p-MOS
A
GND VDD
Y SiO 2

n+ diffusion

p+ diffusion
n+ n+ p+ p+
polysilicon
n well
p substrate
metal1

nMOS transistor pMOS transistor

Paulo Moreira Introduction 18

 Coneccin a pozos y sustratos

Sustrato debe ser conectado a GND y pozo n a VDD

La conexin entre metal y un semiconductor
levemente dopado forma una conexin elctrica
deficiente (en realidad, un diodo Shottky).
Se utiliza entonces para la conexin contactos
fuertemente dopados
A
GND VDD
Y

p+ n+ n+ p+ p+ n+

n well
p substrate

substrate tap well tap

Paulo Moreira Introduction 19

 Mscaras del inversor

Transistores y conecciones se definen a travs de

mscaras
La seccin transversal se tom en la lnea punteada

GND VDD

nMOS transistor pMOS transistor

substrate tap well tap

Paulo Moreira Introduction 20

 Vistas detalladas de las mscaras

Seis mscaras
n-well
n well

Polysilicon
n+ diffusion Polysilicon

p+ diffusion
Contact n+ Diffusion

Metal
p+ Diffusion

Contact

Metal

Paulo Moreira Introduction 21

 Pasos de fabricacin

Inicio con una oblea en blanco

Construir inversor de abajo hacia arriba
Primer paso: formar el pozo n (n-well)
Cubrir la oblea con una capa protectora de xido de silicio
(SiO2)
Eliminar capa en el sitio donde debe construirse el pozo n
Implantar o difundir dopantes n en la oblea expuesta
Eliminar SiO2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 22

 Oxidacin

Producir SiO2 en la parte superior de la oblea

900C 1200C con H2O o O2 en horno de oxidacin

SiO 2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 23

 Photoresist

El Photoresist es un polmero orgnico sensitivo a la

luz.
Se suaviza en los sitios expuestos a la luz

Photoresist
SiO 2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 24

 Litografa

Exponer photoresist a travs de la mscara del pozo

n
Eliminar photoresist expuesto

Photoresist
SiO 2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 25

 Decapado (etch)

Decapar el xido con cido hidroflurico (HF)

Solo solo se ataca al xido donde el resist ha sido
expuesto

Photoresist
SiO 2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 26

 Eliminar Photoresist

Eliminar el fotoresist remanente

Se utiliza una mezcla de cidos denominado decapado
piraa
Esto es necesiario para que el resist no se deshaga
en los prximos pasos

SiO 2

p substrate

Paulo Moreira Introduction 27

 Pozo n (n-well)

Pozo n se forma por difusin o por implantacin de

iones
Difusion
Colocar la oblea en horno con arsnico gaseoso
Calentar hasta que los tomos de As se difunden
en el Si expuesto
Implantacin de iones
Se dispara a la oblea con un rayo de iones de As
Los iones bloqueados por el SiO2, solo entran al Si
expuesto
SiO 2

n well

Paulo Moreira Introduction 28

 Eliminar xido

Eliminar xido remanente utilizando HF (cido

hidroflurico)
Estamos de vuela con una oblea en blanco con un
pozo n
Los pasos siguientes involucran pasos similares

n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 29

 Polisilicio

Depositar capa delgada de xido para compuertas

< 20 (6-7 capas atmicas)
Deposicin qumica de vapor (Chemical Vapor
Deposition, CVD) de una capa de silicio
Colocar oblea en horno con gas silano (SiH4)
Forma muchos cristales pequeos denominados polisilicio
Fuertemente dopado para que sea buen conductor

Polysilicon
Thin gate oxide

n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 30

 Conformacin del Polisilicio

Usa mismo proceso litogrfico anterior para dar

forma al polisilicio

Polysilicon

Polysilicon
Thin gate oxide

n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 31

 Proceso autoalineado

Utilizar xido y mscaras para exponer los sitios

donde los dopantes n+ debern ser difundidos o
implantados
La difusin n forma la fuente y drenador del
transistor n-MOS y el contacto con el pozo n

n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 32

 Difusin n

Dar forma al xido y conformar las regiones n+

Proceso auto-alineado donde la compuerta bloquea
la difusin
Polisilicion es mejor que el metal para las
compuertas autoalineadas porque no se deshace en
procesos posteriores

n+ Diffusion

n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 33

 Difusin n (2)

Histricamente los dopantes eran difundidos

En la actualidad se usa implantacin de iones
A pesar de eso a las regiones se les denomina
difusin

n+ n+ n+
n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 34

 Difusin n (3)

Eliminar xido para terminar la conformacin.

n+ n+ n+
n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 35

 Difusin P

Serie similar de pasos se utiliza para conformar las

regiones de difusin p+, usadas en fuente y
drenador del transistor p-MOS y en el contacto del
sustrato

p+ Diffusion

p+ n+ n+ p+ p+ n+
n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 36

 Contactos

Ahora deben interconectarse los dispositivos

Se cubre al chip con una capa gruesa de xido
Se decapa el xido donde los cortes para contactos
se requieran

Contact

Thick field oxide

p+ n+ n+ p+ p+ n+
n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 37

 Metalizacin

Depositar aluminio sobre toda la oblea

Conformar para remover exceso de metal, dejando
solo las conexiones

Metal

Metal
Thick field oxide
p+ n+ n+ p+ p+ n+
n well
p substrate

Paulo Moreira Introduction 38

 Layout
Chips se especifican con un conjunto de mscaras
Las dimensiones mnimas de las mscaras
determinan el tamao del transitor (e
indirectamente velocidad, costo y potencia)
Tamao caracterstico f = distancia entre drenador
y surtidor
Dado por el ancho mnimo del polisilicio
Tamao caracterstico se mejora un 30% cada 3
aos aproximadamente

Paulo Moreira Introduction 39

 Reglas de diseo simplificadas

Reglas conservadoras para iniciar

Paulo Moreira Introduction 40

Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Niveles de abstraccin
en el Diseo VLSI
Alto
High
System Specification
Especificacin del sistema

Sistema
System
de Abstraccin
of Abstraction

Mdulo funcional
Functional Module +
NivelLevel

Compuerta
Gate

Circuito
Circuit

G
Dispositivo
Device S D

Bajo
Low
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Dominios de Descripcin
de Diseo VLSI
Dominio Comportamental Dominio Estructural

Aplicaciones Procesador RISC

Sistemas Operativos
Programas
Sumadores, compuertas, registros
Subrutinas
Transistores

Instrucciones

circuital
Transistores RTL, lgico

Celdas arquitectural

Mdulos
Niveles de abstraccin
Chips
Tarjetas
Dominio Fsico Pablo Alvarado 42
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El flujo de diseo analgico

Simulacin
Ingreso del
Especificacin del Layout
Diseo
Pre-layout

Velocidad Crear esque-

Simulacin del Distribucin
mtico circuito
Potencia Ubicacin
Dimensiona- Rediseo
Ancho de Banda miento de dis-
Enrutamiento
rea ... positivos

Front end Back end

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Flujo de diseo (2)

Extraccin de
Extraccin del Simulacin del
Verificacin Elementos
Diseo Post-layout
Parsitos

Comprobacin Extraccin
de reglas de Extraccin de Simulacin del
diseo Layout vs elementos circuito
Esquemtico parsitos
Comprobacin Rediseo
de reglas
elctricas

Front end Back end

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Introduccin a la Fabricacin de Circuitos Integrados

Referencias
Moreira, Paulo Introduction to VLSI digital design CERN, Suiza, 2005

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