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DIODO GUNN
1. Simbologa:
3. Caractersticas ms Importantes
1. Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200
GHz, mientras que los de nitruro de galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.
2. Un diodo Gunn tiene una regin de resistencia diferencial negativa.
3. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias
comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias an ms altas (hasta Terahertz).
4. Este efecto slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las
oscilaciones se dan slo cuando existe un campo elctrico. Estas oscilaciones corresponden
aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar la placa de material
tipo N cuando se aplica la tensin continua.
4. Parmetros y Principios de Operacin:
Cuando un potencial suficientemente alto se aplica al diodo, la densidad de portadores de carga
a lo largo del ctodo se convierte en inestable, y se desarrollar pequeas rebanadas de baja
conductividad y alta intensidad de campo que se mueven desde el ctodo al nodo. No es
posible equilibrar la poblacin en ambas bandas, por lo que no siempre ser rodajas delgadas de
alta resistencia de campo en un fondo general de baja intensidad de campo. Por lo tanto, en la
prctica, con un pequeo aumento en la tensin directa, se crea una rebanada en el ctodo,
aumenta la resistencia, la rebanada se quita, y cuando alcanza el nodo se crea un nuevo
segmento en el ctodo para mantener constante la tensin total. Si se baja la tensin, cualquier
segmento, se apaga y la resistencia disminuye de nuevo.