Professional Documents
Culture Documents
Amplificador de RF
Universidad Nacional de Colombia Sede Bogot
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Aguilar Ricardo, Guerrero Anderson D.
iraguilard@unal.edu.co
adguerreroc@unal.edu.co
II. P ROCEDIMIENTO
El procedimiento realizado fue el diseo de un amplificador
lineal con las siguientes especificaciones:
Una sola fuente de tensin de alimentacin, tal que Vcc
20V.
Frecuencia de operacin dentro de la banda de 1MHz
1% f 50MHz 1%.
Ganancia 30dB 2dB.
Amplitud de salida de 2.5Vp, acoplada a una carga ZL
= 1k.
III. D ISEO
Durante la primera sesin para esta prctica se haba optado
por desarrollar un amplificador emisor comn, el cual cumpla Figura 1. Diseo propuesto para punto de operacin DC.
con la especificacin de ganancia requerida, pero no garanti-
zaba la frecuencia de operacin que se necesitaba. Luego de
esto se decidi realizar un amplificador en configuracin de
cascodo, pues este tiene una etapa de base comn que tiene Cabe resaltar que estos valores de resistencia fueron ajus-
tados para que se pudieran conseguir a nivel comercial. Las
caractersticas de operacin del amplificador se muestran a
continuacin, obtenidas mediante el software LTSpice.
UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA. CIRCUITOS DE RF. AMPLIFICADOR DE RF. NOVIEMBRE DE 2016. 2
V. C ONCLUSIONES
Con respecto a lo propuesto, se logr hacer una determi-
nacin con los parmetros mas prximos, pese a que no
se logro un diseo optimo, este de alguna manera trabaja
en alta frecuencia a una ganancia deseada.
No se tuvo en cuenta un diseo correctamente acoplado,
con respecto a su impedancia de entrada, por lo cual
presento una una reflexin significativa que de alguna u
otra manera afectara la elevacin de tensin en diferentes
Figura 7. Seal de entrada y salida medida en el osciloscopio frecuencias, siendo este el factor fundamental de un
diseo a una banda deseada.
En la figura anterior se logra apreciar que la seal de entrada
La principal diferencia entre los resultados obtenidos
no es exactamente los 20mv aplicados desde el generador, esto
de manera terica, simulacin y experimental, es que
puede deberse a que no hay un buen acople entre generador y
en cada uno de los casos los parmetros internos del
la entrada del amplificador, y de lo cual se puede deducir que
transistor varan, as como los valores de capacitancias
existe una reflexin del transistor hacia la fuente de voltaje.
e inductancias, pues estos no son ideales. As mismo el
Por ultimo se verifico el ancho de banda a la cual deseamos
uso del cable para realizar las conexiones entre com-
que opere el dispositivo, esto se llevo a cabo haciendo un
ponentes tiene un papel fundamental, pues este genera
muestreo de varias frecuencias, y como variaba la ganancia a
capacitancias parsitas a altas frecuencias y esto hace que
medida que hacamos los cambios.
la respuesta de frecuencia principalmente se vea afectado.
Para efectos prcticos al generar seales del orden de
los 10mV en el generador de seales, no es posible
realizar una visualizacin correcta de la seal, pues no
es posible establecer diferencia entre la seal y el ruido
generado, por esta razn se usaron amplitudes superiores
a los 20mV.
R EFERENCIAS
[1] Christopher Bowick, John Blyler and Cherylagjuni. RF Circuit Design,
2nd Edicin, Oxford University, 2008, pginas 3-11.
[2] Jos A Garca Souto.Componentes y Circuitos Electrnicos,Tcnicas
de medida en laboratorios de electrnica , Universidad Carlos III de
Madrid, 2004, pginas 3-8.
[3] Sedra. A, Smith. K. Circuitos microelectrnicos. 5ed. Pginas 497-503.