Que es un diodo?

L os diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la electricidad

solo en un sentido. La flecha del smbolo del diodo muestra la direccin en la cual
puede fluir la corriente. Los diodos son la versin elctrica de la vlvula o tubo de
vaco y al principio los diodos fueron llamados realmente vlvulas.
Los diodos constan de dos partes, una llamada N
y la otra llamada P, separados por una juntura
llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es
de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6
voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

Cmo se forma el material tipo P y el material tipo N?

Material tipo N:
Tanto el material tipo N como el tipo P se forma mediante la adiccin mediante un numero
predeterminado de tomos e impurezas al germanio o al silicio. El tipo n se crea atreves de
la introduccin de elementos de impurezas que poseen cinco electrones de valencia
(pentavalentes).
A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llama tomos donadores.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin
conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.

Lopez Flores Vctor leonel agosto de 2017

Material tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido
como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son
conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
tomo tetravalente.

Lopez Flores Vctor leonel agosto de 2017