LOS FET

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una

familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de
un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente

MODELOS FUNDAMENTALES DE LOS FET

Estos transistores poseen dos regiones de polarizacin fundamentales: la regin lineal (o de

triodo) y la regin de saturacin (o de estrangulamiento).

Transistor Canal N Transistor Canal P

Modelo del transistor JFET a pequea seal

En la imagen se muestra el modelo del transistor JFET trabajando a pequea seal con
corriente alterna.

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DEL FET Y CURVA CARACTERISTICA

1.ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una

resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos
valores de VGS.

2.ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se

comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se
trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET

de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de
sentido contrario.

APLICACIONES DEL TRANSISTOR FET

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada alta Uso general, equipo de medida,
(buffer) y de salida baja receptores
 Sintonizadores de FM, equipo para
Amplificador de RF Bajo ruido
comunicaciones
Baja distorsin de Receptores de FM y TV,equipos para
Mezclador
intermodulacin comunicaciones
Facilidad para controlar
Amplificador con CAG Receptores, generadores de seales
ganancia
Instrumentos de medicin, equipos de
Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada
prueba
Amplificadores de cc, sistemas de
Troceador Ausencia de deriva
control de direccin
Amplificadores operacionales,
Resistor variable por
Se controla por voltaje rganos electrnicos, controlas de
voltaje
tono
Amplificador de baja Capacidad pequea de Audfonos para sordera, transductores
frecuencia acoplamiento inductivos
Mnima variacin de Generadores de frecuencia patrn,
Oscilador
frecuencia receptores
Integracin en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeo tamao
computadores, memorias
 Ao del Buen servicio al Ciudadano

PRE INFORME

CURSO:
Laboratorio de Circuitos Electrnicos Il
DOCENTE:
Ing. MADRID CISNEROS, FRANCISCO

INTEGRANTES:
Lamberto Torres, Richard
Lpez Farach, Isabel
Cubaz Cordova, Angel
Perez Mallco, Jaime

ESCUELA:
Ingeniera Electrnica

2017