REGULADORES DISCRETOS DE VOLTAJE

REGULADORES DE VOLTAJE TRANSISTORIZADOS

Las caractersticas de un regulador de voltaje se mejoran significativamente utilizando

dispositivos activos tales diodos zner y transistores.

REGULADORES DE VOLTAJE TIPO SERIE

La figura 1a muestra el ms simple de los reguladores de voltaje transistorizados del tipo serie.
En esta configuracin el transistor se comporta como una simple resistencia variable cuya
resistencia est determinada por las condiciones de operacin.

IC
Vi VBE + +
Vi VL
- -
VL
b)
VZ

a)

Figura 1. REGULADOR DE VOLTAJE TIPO SERIE

La operacin bsica del regulador se describe mejor utilizando el circuito de la figura 1b, en la
cual el transistor ha sido remplazado por una resistencia variable, RT. Para variaciones en RL, si
VL o Vo debe permanecer constante, la relacin de RL a RT debe permanecer fija.
Por divisor de voltaje se tiene:
RL
Vo Vi
RL RT
Adems: Vo = VL
Si hacemos: R L k1 RT
tendremos:

RL k1 RT k1
k (constante como se requera) (1)
R L RT k1 RT RT k1 1

En conclusin, para una reduccin o un incremento de la resistencia de carga (R L), RT debe

cambiar de la misma manera y a la misma tasa para mantener la misma divisin de voltaje.
 2

Se debe tener presente que la regulacin de voltaje se determina detectando las variaciones en el
voltaje de salida versus la demanda de corriente de carga. Para este circuito una demanda de
aumento de corriente implica una reduccin en RL que se traducir en una tendencia a reducirse
tambin en magnitud Vo. Sin embargo, aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff (L.V.K.) en la
malla de salida.

V BE VZ VO
Analizando la ecuacin anterior una reduccin en Vo (puesto que VZ es fijo o constante) se
traducir en un incremento en VBE. Esto, a su vez, aumentar la conduccin del transistor,
obtenindose por lo tanto una reduccin en su resistencia colector-emisor. Esto conllevar a
mantener Vo en un nivel fijo.

En la figura 2 se muestra un regulador de voltaje tipo serie que utiliza un segundo transistor (Q2)
para efectos de control. El voltaje VBE del transistor de control Q2 est determinado por la
diferencia entre V2 (VR2) el voltaje de referencia Vz. El voltaje V 2 sigue a los cambios
producidos en el voltaje de salida Vo. Cualquier tendencia de parte de Vo a aumentar se traducir
en un aumento en V2 y por consiguiente en el voltaje VBE2, puesto que, VBE2 = V2 - Vz. Esto hace
que el transistor Q2 conduzca ms o conduzca menos dependiendo del valor de la diferencia de
voltaje entre V2 y Vz. Un incremento en VBE2, que corresponde a un incremento en IB2 y en IC2 se
traducir en una disminucin en IB1 (suponiendo que IR3 sea relativamente constante o que
decrezca muy poco). El resultado neto es la reduccin en la conductividad de Q1 y por lo tanto
una disminucin en la corriente de salida lo que ocasiona una estabilizacin de Vo. Siguiendo una
secuencia de cambios tendramos:

VL, V2 , VBE2, IC2, IB1, R(Q1), VL

Se puede aplicar una interpretacin similar para analizar cuando VL disminuye.

VC! IL = 0,5A

hfe1 = 100

IB!
V1
IC2
IR3
Vi = 30V VL
hfe2 = 100
- VBE2

VZ = 10V

Figura 2. REGULADOR DE VOLTAJE CON DOS TRANSISTORES

En la Figura 3 se puede apreciar el diagrama en bloques de una fuente regulada de voltaje tipo
serie ms completa.

En la Figura 4 se muestra a nivel circuital los componentes de cada uno de los bloques de la
Figura 3.
 3

FIGURA 2. DIAGRAMA EN BLOQUES DE UNA FUENTE

Figura 3. DIAGRAMA EN BLOQUES DE UNA FUENTE REGULADA

1. Bloque Pre-regulador

Constituido por R3, Q1 y VZ1, que a su vez conforman la fuente de corriente Io:

VZ 1 V BE1
Io (2)
R3

Esta fuente de corriente constante hace las veces del circuito Pre-regulador.

IL

Vi V0
I4
IM
VZ1
IZ1
IB1
IB3
Io

IB2

IZR
VM
VR

Figura 4. REGULADOR DE VOLTAJE TIPO SERIE.

2. Bloque Comparador
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Conformado por Q2 conocido como el elemento comparador, el cual a travs de la juntura

emisora compara el voltaje muestreado VM con el voltaje de referencia VR. Cualquier desbalance
existente entre estos dos voltajes se aplica a la juntura emisora de Q2, haciendo conducir en
mayor o menor grado, segn sea el caso, controlando as la inyeccin de corriente en la base del
transistor Q3 y por ende el voltaje de salida Vo.

3. Bloque Amplificador

Conformado por Q3 (elemento amplificador), el cual se encarga de amplificar el error o

diferencia de corriente entregado por el comparador (Io IE2) controlndose de esta forma la
inyeccin de corriente en el elemento de paso (transistor Q4).

4. Bloques de Muestreo y Referencia

Conformado por R1, Rp y R2 que constituyen la red de muestreo, encargada de generar el

voltaje VM. R4 y R5 son las resistencias de polarizacin de los diodos zner VR y VZ1
respectivamente y su escogencia se hace con base en las caractersticas de funcionamiento de
cada uno de ellos. R6 da camino a tierra a las corrientes inversas que se presentan en la base de
Q4 cuando la corriente de carga es mnima. Un valor apropiado para R6 es tomarlo del orden de
27K.

DISEO DE UNA FUENTE REGULADA TIPO SERIE

A continuacin y a manera de ejemplo se desarrolla un anlisis que nos lleva a implementar las
ecuaciones de diseo del circuito de la Figura 4.

I. SELECCIN DE LOS DIODOS ZENER VR y VZ1

A) SELECCION DEL DIODO VR

El voltaje de salida se puede expresar as:

Vo V BE 4 V BE 3 VCE 2 V R
Si los transistores son del mismo material:
V BE 4 V BE 3 V BE

Entonces: V R Vo 2V BE VCE 2 (3)

En la ecuacin (3) se tiene la expresin para VR en funcin del voltaje VCE2 dado que Vo y VBE
se suponen voltajes constantes. Un buen criterio para la escogencia del valor de VR es que el
voltaje VCE2 sea tal que dicho transistor est en la regin activa, esto es: VCE2 > 1V (fuera de la
regin de saturacin). Se escoge entonces un valor comercial para VR tal que VCE2 est fuera de
saturacin (VCE2 > 1V) pero que no sea tan alto como para que Q2 no se exponga a daos por
disipacin de Potencia. (Debe recordarse que Q2 podr eventualmente, llegar a disipar una
potencia hasta de VCE2 x Io watios).
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Resumiendo se escoge un valor comercial de VR tal que:
Pot (max)Q2
VCE ( SAT ) VCE 2
Io
Una buena eleccin es hacer:
Vo
VCE 2 VR VBE (4)
2

B) SELECCION DEL DIODO VZ1

El voltaje de entrada no regulado Vin se puede expresar como:

Vin VZ 1 VBE1 VEC1 VBE 3 VBE 4 Vo (5)

Si suponemos que todos los transistores son del mismo material:

V BE1 V BE 3 V BE 4 V BE
Vin VZ 1 VEC 1 V BE Vo
V EC1 Vin (VZ 1 VBE Vo )
o tambin:
V EC1 (Vin (V BE Vo )) VZ 1 (6)

La escogencia de VZ1 se va a reflejar en la capacidad que va a tener la fuente para responder ante
variaciones del voltaje de entrada Vin. Esto es, si se escoge un valor para VZ1 demasiado alto
puede suceder que para un valor de Vin mnimo el trmino (Vin (V BE Vo )) VZ 1 puede
hacerse negativo, si suponemos VBE y Vo constantes. Pero como esto no es factible que suceda
pues el voltaje VCE > 0, necesariamente deber disminuir Vo para que la ecuacin (6) se siga
satisfaciendo:

De acuerdo a lo anterior deber escogerse VZ1 tal que: V EC1 V EC1 ( SAT )
lo que lleva a:
(Vin (V BE Vo )) V Z 1 V EC 1( SAT ) (7)

La anterior desigualdad puede transformarse en igualdad para el caso en el que se tenga Vin =
Vin(min), o sea:
(Vin (min) (V BE Vo )) VZ 1 V EC1( SAT )
Por lo tanto:
V Z 1 Vin (min) (V BE Vo V EC1( SAT ) ) (8)

Si comercialmente no es posible conseguir un valor para VZ1 que satisfaga con exactitud la
ecuacin (6), deber escogerse entonces VZ1 tal que:

VZ 1 Vin (min) (V BE Vo VEC1( SAT ) ) (9)

II. SELECCIN DE LA FUENTE DE CORRIENTE

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Una vez seleccionado VZ1, se debe escoger el valor apropiado de Io que mantenga al transistor
Q2 en su regin lineal suministrando adems la corriente necesaria en todo momento al transistor
amplificador Q3. Esto es:
Io I B 3 max I E 2 (10)

IE2 es la corriente requerida por el transistor Q2 para permanecer en su regin lineal, previa
escogencia del voltaje VCE2. Es importante aclarar aqu que IE2 va a estar variando de acuerdo a
los requerimientos de la corriente de carga IL, entre los siguientes valores, a saber:
I E 2 min Io I B 3 max

I E 2 max Io dado que: I B 3 0, I L 0, R L

Pot (max)Q2
Esto es: I B 3 max I E 2
VCE 2
Una buena eleccin es hacer:
I E 2 3I B 3 max (11)
Io I B 3 max I E 2 Io 4 I B 3 max

Por lo tanto: Io 4 I B 3 max

Conociendo ILmax y suponiendo: I L max I 4 I M

I (I 4 I M ) I
I B 3 max L max L max
hfe3 hfe4 hfe3 hfe4
Por lo tanto:
4 I L max
Io
hfe3 hfe 4

Conocida Io puede hallarse el valor de R3:

VZ 1 V BE1
R3 (12)
Io

Ahora haciendo IZ1>>IB1 se elige un valor de IZ1(ptimo) tal que IZ1(ptimo) 10IB1 y que
haga que el diodo VZ1 est trabajando en todo momento en la REGION ZENER. Esto es:

Vin V z1
I Z1 (13)
R5

Los fabricantes acostumbran a dar un valor mnimo de corriente de trabajo en la regin zner, que
se conoce como corriente de codo. Se escoge entonces RZ1 tal que:

Vin V z1
I Z 1( codo )
R5

Para los diodos normalmente utilizados un valor tpico de IZ1(codo) puede ser de unos 10 mA,
por lo tanto:
Vin (min) V z1
R5
I z1( codo )
(14)
 7

Debe tenerse cuidado adems de hacer R5 tan pequea pues podran sobrepasarse los lmites de
mxima disipacin de potencia en el diodo,
I Z 1 V z1 PZ 1(max)

Pz1(max)
I z1
V z1

Vin (min) V z1 Vin (min) V z1

R z1
Pz1(max) I z1( codo ) (15)
V z1

III. SELECCIN DE LA RED DE MUESTREO

Suponemos que IM >> IB2 por lo que podemos expresar IM como un divisor de voltaje
independiente del efecto de carga que pueda presentar la impedancia vista desde la base del
transistor Q2:
R2 Rp 2
VM Vo (16)
R1 R2 Rp 2
Si llamamos a:

Rp Rp1 Rp 2 R R1 Rp1 R R2 Rp 2

R
VM Vo
R R
R
Adems: VM V BE 2 V R y Vo V BE 2 V R
R R
R V BE 2 VR

R R Vo

R V VR
R 1 BE 2 R
R R
Vo

Vo
R 1 R (17)
V BE 2 V R

Se ha supuesto que: I M I B 2 . Adems deber cumplirse que: I L (max) I M , por lo tanto una
buena eleccin es hacer:
I M 0.01I L (max) ,
siempre que se cumpla que:
I M 10 I B 2

entonces: 10 I B 2 I M 0.01I L (max)

Una vez escogida I M se puede hallar otra relacin que nos permita calcular R y R :
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Vo ( R R ) I M (recordar que: I M I B 2 )

Vo
R R (18)
IM

Resolviendo las ecuaciones (17) y (18) se pueden encontrar los valores de R y R .

Conocidas R y R se escogen el potencimetro Rp y las resistencias R1 y R2 que satisfagan

las siguientes relaciones:

R1 R2 Rp R R R R1 Rp1 R R2 Rp 2 (19)

IV. SELECCIN DEL ELEMENTO DE REFERENCIA

Se escoge I4(ptima) de tal manera que el diodo de referencia VR se encuentre en la regin de

regulacin o regin zner.
Vo VR
R4 (20)
I 4 ( optima )

V. SELECCIN DE LOS TRANSISTORES

La seleccin de los transistores se hace con base en la potencia mxima que puede llegar a disipar
cada uno de ellos. Las potencias para cada uno de ellos ser:

Transistor Q1:
PQ1 VCE1 max Io

PQ1 Vin (max) (VZ 1 Vo V BE ) Io (21)
Transistor Q2:
PQ 2 VCE 2 max I E 2 (max)
VCE 2 cons tan te Vo 2V BE V R
PQ 2 (Vo 2V BE V R ) Io (22)

Transistor Q3:
Vin max (Vo VBE ) I L (max)
PQ 3 (23)
hfe 4

Transistor Q4:
PQ 4 (Vin max Vo ) I L (max) (24)