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Materiales y nanotecnologa
ndice
Presentacin de la unidad
Cada uno de los tipos generales de materiales (metales, cermicos, vidrios, polmeros y
semiconductores) est asociado con determinados tipos de enlaces atmicos. Los
materiales compuestos son combinacin de los tipos fundamentales.
Propsitos
Competencia especfica
Foro de dudas
Tanto los protones como los electrones tienen carga elctrica. Un protn tiene una masa
de 1.67x1027 kg y tiene una carga de 1.60x1019 C (coulomb). El neutrn es ligeramente
ms pesado que el protn y tiene una masa 1.67x1027 kg y no tiene carga. El electrn
tiene una masa relativamente pequea de 9.11x1031 kg y una de carga de 1.60x1019 C,
es decir, tiene una carga igual en valor pero de signo contrario a la del protn. En la
siguiente tabla, se muestra de manera resumida esta informacin.
Se observa que el ncleo rene casi toda la masa del tomo. La nube electrnica
representa una pequea parte de su masa, pero constituye casi todo el volumen del
tomo. La importancia radica en que los electrones, particularmente los ms externos,
determinan la mayor parte de las propiedades elctricas, mecnicas, qumicas y trmicas
de los tomos, por lo que, el conocimiento bsico de la estructura atmica es importante
en el estudio de los materiales.
Nmero atmico
Cada elemento qumico se caracteriza e identifica por el nmero de protones del ncleo,
llamado nmero atmico (). En un tomo neutro, el nmero atmico es tambin igual al
nmero de electrones de su nube de carga. Existen poco ms de 100 elementos, con
nmeros atmicos desde el 1 para el hidrgeno, y son los constituyentes qumicos de
toda la materia.
Masa atmica
La masa atmica () de un tomo se puede expresar como la suma de las masas de los
protones y los neutrones del ncleo. No todos los tomos de un elemento determinado
tienen la misma masa, aunque el nmero de protones es igual en todos los tomos de un
mismo elemento, el nmero de neutrones puede variar. Los tomos de un mismo
elemento que tienen diferentes masas atmicas se denominan istopos.
Cuando se busca la masa atmica del carbono en una tabla peridica, se encontrar que
su valor no es 12.00 uma, sino12.01 uma. La razn de esta diferencia es que la mayora
de los elementos de origen natural (incluido el carbono) tiene ms de un istopo. Esto
significa que al medir la masa atmica de un elemento, por lo general, se debe establecer
la masa promedio de la mezcla natural) de los istopos.
Es til observar que la masa molar de un elemento (en gramos) es numricamente igual a
su masa atmica expresada en uma. De manera que estas dos formas de expresar las
masas atmicas estn relacionadas de manera simple:
1 =1
( )
Tambin es posible calcular la masa de las molculas si se conocen las masas atmicas
de los tomos que las forman. En este caso, la masa molecular es la suma de las masas
atmicas (en uma). Por ejemplo, la masa molecular del 2 es
2 ( ) + = 2
La longitud de onda es la distancia entre dos mximos o dos mnimos sucesivos de una
onda. Su unidad habitual es el metro, aunque tambin puede expresarse en centmetros,
nanmetros () y angstroms (). La frecuencia () es el nmero de oscilaciones que
pasan por cada punto en la unidad de tiempo. Habitualmente su unidad es 1 , que
tambin se denomina hert ().
De acuerdo a un modelo propuesto por Niels Bohr, los electrones de los tomos solo
pueden encontrarse en ciertos estados o niveles energticos en los que mantienen una
energa fija y determinada. Es decir, cada electrn ocupa un determinado escaln de
energa en el tomo.
Analoga mecnica del proceso de emisin. La pelota puede detenerse en cualquier escaln, pero
nunca entre ellos. Fuente: tomado de Chang, (2010).
En este modelo, se supone que los electrones pueden pasar de un nivel energtico a otro,
es decir, pueden cambiar de escaln energtico, mediante la absorcin (ganancia de
energa) o emisin (prdida de energa) de un fotn, con una energa igual a la diferencia
energtica existente entre ambos niveles; es decir:
= =
Sin embargo, las transiciones entre niveles son ms complejas y abundantes que este
modelo de Bohr. Es preciso considerar la existencia de subniveles energticos que
integran cada uno de los niveles originalmente postulados. Estos nuevos estados
energticos para los electrones, dependen del nmero cuntico .
Habr tantos subniveles como marca el valor de ese nmero, por ejemplo, el nivel:
La notacin utilizada para identificar los orbitales electrnicos se deriva de los nmeros
cunticos de la mecnica ondulatoria. El llenado de electrones se efecta colocando los
electrones en los niveles y subniveles en orden creciente de energas. Adems, cada
electrn tiene un momento de espn, que se relaciona con el giro del electrn sobre su
propio eje. Al estar dos electrones en un mismo orbital, un electrn gira hacia la derecha y
otro hacia la izquierda, que corresponden a las orientaciones hacia arriba (+1/2) o hacia
abajo (1/2) del momento de espn ( ).
Esquema de los estados energticos para un tomo de sodio. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Por ejemplo, la configuracin electrnica del calcio (), que tiene 20 electrones, y se
escribe 1 2 2 2 26 3 2 36 4 2 , siendo el nmero que antecede a cada componente el
correspondiente al nivel, mientras que el superndice indica los electrones que existen en
el correspondiente subnivel.
Electrones de valencia
Los electrones de valencia son aquellos situados en los orbitales atmicos ms externos
del tomo, generalmente asociados al nivel de energa ms alto del tomo. Estos
electrones son muy importantes, puesto que participan en el enlace entre tomos de los
agregados atmicos y moleculares.
Algunos tomos que tienen una configuracin electrnica estable, debido a que presentan
los estados de los niveles ms externos completamente llenos. Normalmente, esto
corresponde a la ocupacin por ocho electrones en los estados y de los niveles ms
externos, como en el nen, argn y criptn. Estos elementos (, , ) son gases
Algunos tomos de los elementos que no tienen llenos los niveles de valencia, adquieren
la configuracin electrnica estable ionizndose, ganando o perdiendo electrones o
compartiendo electrones con otros tomos. Este es el fundamento de algunas reacciones
qumicas y del enlace atmico de los slidos.
Clasificacin de los elementos en la tabla segn el subnivel externo. Fuente: tomado de Chang,
(2010)
Con esta clasificacin, se concluyen las nociones bsicas del modelo del tomo y las
principales caractersticas de los orbitales. Estos principios servirn para entender los
fundamentos del enlace atmico que se ver a continuacin.
El enlace qumico se debe a la existencia de fuerzas atractivas que mantienen unidos los
tomos en un compuesto. Es el responsable de la unin estable entre dos o ms tomos,
y se forma con la transferencia total o parcial de electrones entre ellos. Los electrones de
la ltima capa, los electrones de valencia, son los que se hallan ms dbilmente ligados a
los ncleos de cada tomo, y por ello, son susceptibles de ser atrados por ambos
ncleos, constituyendo as un vnculo de unin entre los tomos.
Fuerza y energa con la distancia entre dos tomos aislados. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Los fuertes enlaces primarios, se forman cuando los orbitales externos se transfieren o se
comparten entre los tomos. Los enlaces secundarios, ms dbiles, se forman como
resultado de una atraccin menos intensa entre las cargas positivas y negativas, pero sin
que exista transferencia o comparticin de electrones. En este subtema se ver, las
distintas posibilidades de formacin de enlace, comenzando con el enlace inico.
Enlace inico
El enlace inico se produce al unirse un elemento de carcter metlico, con uno no
metlico, es decir, situados en los extremos de la tabla peridica. El metal cede fcilmente
sus electrones al no metal, que a su vez, es un buen aceptor de electrones. De esta
manera, que ambos se transforman en iones, uno positivo y otro negativo,
respectivamente. En este proceso todos los tomos adquieren la configuracin estable del
gas inerte.
Al existir esta diferencia de cargas, se producen atracciones y repulsiones entre todos los
iones positivos y negativos presentes, obtenindose un compuesto slido en forma de red
cristalina. Un ejemplo comn de enlace inico es el del cloruro de sodio (), en donde
el sodio tiene estructura de capa de valencia 31 y el cloro 3 2 35, de manera que para
completar su octeto, el sodio cede el electrn ms externo y obtiene estructura de gas
noble (+ 2 2 26), mientras que el cloro toma dicho electrn, obteniendo tambin
estructura estable ( 3 2 36 ). Las electrovalencias son en este caso +1 y 1,
Representacin esquemtica del enlace inico en el cloruro de sodio. Fuente: tomado de Callister,
(2005).
Los compuestos inicos son slidos y duros a temperatura ambiente, dado que se
encuentran en la naturaleza formando redes cristalinas. Sus temperaturas de fusin y
ebullicin son elevadas. Su solubilidad es buena en disolventes (polares o con separacin
de cargas elctricas) que, como el agua, sean capaces de romper las estructuras
cristalinas. Los disolventes de tipo orgnico (apolares), por lo general, no son capaces de
disolver estos cristales. Dado que los iones permanecen fijos en posiciones determinadas
del cristal, su conductividad elctrica es nula, salvo en el caso de estar disueltos o
fundidos, ya que al tener as mucho ms libres sus iones ser sencillo desplazarlos por
medio de un potencial elctrico, con lo que su conductividad entonces ser elevada.
La magnitud del enlace inico es igual en todas las direcciones alrededor de un ion y se
denomina no direccional. Para que un material inico sea estable es necesario que todos
los iones positivos tengan como vecinos ms prximos, iones cargados negativamente, y
viceversa. El enlace predominante en los materiales cermicos es inico. Las energas de
enlace son altas, de 600 a 1500 / que se refleja en las altas temperaturas de fusin.
Los materiales inicos se caracterizan por la dureza, fragilidad y por ser tanto elctrica
como trmicamente aislantes (Callister, 1995).
Por ejemplo, el tomo de carbono tiene cuatro electrones de valencia, mientras que cada
uno de los cuatro tomos de hidrgeno, tiene un solo electrn de valencia. Cada tomo de
hidrgeno adquiere la configuracin electrnica del Helio (), dos electrones de valencia
1, ya que comparte un electrn con el tomo de carbono. As, el carbono tiene ocho
electrones, cuatro de los cuales son los electrones adicionales compartidos, uno de cada
hidrgeno.
El nmero de enlaces covalentes posibles para un tomo particular depende del nmero
de electrones de valencia. Para electrones de valencia, un tomo puede enlazarse
covalentemente, como mximo, con 8 tomos. Por ejemplo, para el cloro = 7 y por
tanto, un tomo de cloro puede enlazarse con un solo tomo, como en la molcula de 2.
Anlogamente para el carbono = 4, por lo que cada tomo de carbono tiene cuatro
electrones para compartir. Los enlaces covalentes pueden ser muy fuertes, como en el
caso del diamante, que es un material muy duro y tiene una temperatura de fusin muy
elevada, > 3550, pero tambin pueden ser muy dbiles, como es el caso de los
enlaces del bismuto, que funde a 270.
Otro ejemplo es la molcula de oxgeno (2 ). Est formada por dos tomos de oxgeno
cuyas capa de valencia tienen una estructura 3 2 34, es decir, les faltan dos electrones
para conseguir el octeto, por lo que, cada tomo cede dos de los suyos, de manera que
se forman dos enlaces entre ellos o, lo que es lo mismo, uno doble.
El ncleo y los electrones que no son de valencia forman cationes, que poseen una carga
positiva igual al total de electrones de valencia por tomo. Los electrones libres
contrarrestan las fuerzas repulsivas generadas entre cationes (cargados positivamente).
En consecuencia el enlace metlico tiene carcter no direccional. Los electrones libres
actan como elemento de unin de los iones cargados positivamente. El enlace generado
puede ser fuerte o dbil, los valores de energa van desde 68 / para el mercurio a
850 / para el tungsteno. Los metales son slidos a temperatura ambiente, excepto
el mercurio, y sus puntos de fusin varan notablemente, por ejemplo para el mercurio y
tungsteno son 39 y 3410, respectivamente. Estos materiales, debido a los electrones
libres, son buenos conductores de la electricidad y del calor.
Enlaces secundarios
Los enlaces secundarios, son dbiles en comparacin con los primarios. En realidad,
existen enlaces secundarios entre todas las molculas, pero pueden pasar inadvertidos si
ocurre alguno de los tres tipos de enlaces primarios. Las fuerzas de estos enlaces surgen
de los dipolos atmicos o moleculares. Cuando se enlazan dos tomos diferentes, se
produce una distorsin en la distribucin de carga electrnica en el espacio, que aumenta
en las cercanas del tomo ms electronegativo y disminuye, por tanto, alrededor del otro.
Es por ello que, se crea un exceso de carga negativa en el primero y un defecto en el
segundo, de esta manera surgen dos polos elctricos. En la siguiente figura se muestra la
distribucin electrnica molcula del cido fluorhdrico (). La zona roja representa la
regin ms rica en electrones y la azul la ms deficiente.
Cuando estas molculas se encuentran cerca unas de las otras, se ejercen entre s
fuerzas de atraccin debido a los polos que existen en ellas. El enlace es el resultado de
la atraccin entre el extremo positivo de un dipolo y la regin negativa del vecino. Las
energas caractersticas de enlace son del orden de 10 / (Callister, 1995).
Estos tipos de enlaces, son ms evidentes en los gases inertes, que tienen configuracin
electrnica estable, y, adems, entre molculas cuyos tomos estn unidos
covalentemente. Estas fuerzas intermoleculares pueden ser, principalmente, de dos tipos:
puente de hidrgeno y fuerzas de Van der Waals.
Puente de hidrgeno
Se produce entre molculas que contienen hidrgeno () y un tomo muy electronegativo.
En estos casos, el elemento que est unido al hidrgeno, atrae gran parte de la carga del
enlace que los mantiene unidos, cargndose negativamente y provocando la aparicin de
una cierta carga positiva sobre el hidrgeno. Se crea as, el enlace polar que permite a las
molculas unirse entre s por atraccin electrosttica.
Tiene lugar entre molculas con el hidrgeno unido covalentemente al flor (como en el
), al oxgeno (como en el 2 ) y al nitrgeno (como en el 3 ). Para cada enlace
, o , el electrn solitario del hidrgeno es compartido con otro tomo. De
este modo, el extremo hidrgeno del enlace es esencialmente un simple protn cargado
positivamente, sin electrones que lo apantallen. El extremo de la molcula ms cargado
positivamente es capaz de generar una elevada fuerza de atraccin con el extremo
negativo de una molcula adyacente. La magnitud del enlace por puente de hidrgeno es,
generalmente, mayor que la asociada a otros tipos de enlaces secundarios y puede llegar
hasta 51 /. A consecuencia del enlace por puente de hidrgeno, las temperaturas
de fusin y ebullicin del fluoruro de hidrgeno () y del agua 2 son normalmente
altas, compa radas con sus pesos moleculares.
Los compuestos que sufren estas interacciones presentan anomalas en sus puntos de
fusin y ebullicin y, por tanto, en su estado fsico a temperatura ambiente. Un ejemplo
tpico es el del 2 . Esto solo se puede explicar por la energa adicional, que es preciso
comunicar a las molculas de agua para romper sus fuertes asociaciones electrostticas
intermoleculares de puente de hidrgeno, a fin de hacerlas pasar al estado gaseoso.
distribucin electrnica de tomos o molculas prximas y generar otro dipolo que luego
se enlaza dbilmente al primero. Estas fuerzas atractivas que se originan entre gran
nmero de tomos o molculas son temporales y su magnitud flucta con el tiempo. Este
tipo de enlace es el responsable de la condensacin y, a veces, de la solidificacin de los
gases inertes y de otras molculas elctricamente neutras y simtricas, tales como 2 y
2 . En aquellos materiales en los cuales predominan enlaces debidos a dipolos
inducidos, las temperaturas de fusin y ebullicin son extremadamente bajas; son los
enlaces intermoleculares ms dbiles.
Molculas
Con este tema finaliza la revisin de los conceptos bsicos de la estructura qumica de los
materiales, los cuales son fundamentales para abordar los temas siguientes.
2.2. Estructuras
Los materiales slidos se pueden clasificar segn la regularidad con que se sitan los
tomos o iones, unos respecto de otros. En un material cristalino, los tomos se sitan en
una disposicin repetitiva o peridica a lo largo de muchas distancias atmicas, es decir,
existe un orden de largo alcance tal que, al solidificar el material, los tomos se sitan
segn un patrn tridimensional repetitivo, en el cual, cada tomo est enlazado con su
vecino ms prximo.
Ya se ha visto en el tema de enlace, que si los tomos se van aproximando poco a poco,
empiezan a presentarse fuerzas de cada ncleo sobre los electrones del otro tomo. Esta
perturbacin, provoca que cada nivel de energa del tomo se divida o desdoble en una
serie de estados electrnicos distintos pero muy prximos. El grado de desdoblamiento
depende de la separacin interatmica y empieza con los niveles electrnicos ms
exteriores, puesto que stos son los primeros en ser perturbados a medida que los
tomos se aproximan. Estos estados forman la llamada banda de energa de los
electrones, como se muestra en la siguiente figura:
Dentro de cada banda, los estados de energa son discretos, y la diferencia de energa
entre estados es muy pequea. La formacin de bandas no puede ocurrir para los niveles
cercanos al ncleo.
Pueden producirse intervalos prohibidos entre bandas de energa. Esto significa que los
estados de estos intervalos no pueden ser ocupados por electrones. En la siguiente figura
se muestra una representacin de las estructuras de bandas de energa de los electrones
en la separacin interatmica de equilibrio.
Pueden existir bandas vacas y bandas que estn solo parcialmente llenas. Las
propiedades elctricas de un material slido, son consecuencia de su estructura
electrnica de bandas. Es decir, debido a la distribucin de las bandas y de la manera
como son llenada por los electrones.
La banda que contiene los electrones con mayor energa, se denomina banda de
valencia, debido a que contiene a los electrones de valencia. La banda de conduccin es
la banda de energa siguiente, la cual a menudo no tiene electrones. A una temperatura
de 0, existen cuatro tipos de estructuras de bandas de energa como se muestran en la
siguiente figura.
En la segunda, tambin presente en los metates, tiene la banda de valencia llena, pero se
solapa con la banda de conduccin.
En los ltimos dos tipos, todos los estados en la banda de valencia estn completamente
llenos con electrones. Sin embargo, no existe solapamiento con la banda de conduccin
vaca, originando un intervalo prohibido de energa.
Para materiales muy puros, los electrones no tienen energas en este intervalo. La
diferencia entre los dos tipos de estructura de bandas, reside en la magnitud del intervalo
prohibido de energa. Para los materiales aislantes, el intervalo prohibido es relativamente
grande, mientras que para los semiconductores es pequeo. La energa de Fermi para
este tipo de estructura de bandas est en el intervalo prohibido de energa, cerca del
centro.
Los electrones que participan en el proceso de conduccin, son los que tienen energas
mayores a la energa de Fermi, y son los llamados electrones libres.
Para que un electrn llegue a ser libre, debe ser excitado o promovido hacia uno de los
estados de energa vacos y disponibles por encima de . Para metales (dos primeros),
existen estados de energa vacos contiguos al nivel ocupado de mayor energa ( ). Por
tanto, se requiere poca energa para promover electrones los niveles bajos de energa.
Estructura cristalina
Las estructuras cristalinas de la mayora de los metales pertenecen a uno de tres tipos
relativamente sencillos de estructuras. Los compuestos cermicos, tienen una amplia
variedad de composiciones qumicas, por lo que, tambin presentan una amplia variedad
de estructuras cristalinas. Algunas son relativamente sencillas pero otras, como las de los
silicatos, son muy complejas. Los polmeros, de manera similar a los cermicos y en
particular a los vidrios, son estructuras cristalinas complejas. Los semiconductores
elementales, como el silicio, poseen una estructura caracterstica, mientras que los
semiconductores compuestos, tienen estructuras similares a las de los compuestos
cermicos ms sencillos (Shackelford, 2005).
La mayora de los slidos son cristalinos, con tomos ordenados de manera regular.
Poseen orden lejano, debido a que la regularidad se puede extender a lo largo de todo el
cristal. En contraste, los materiales amorfos, como el vidrio y la cera, carecen de un orden
de largo alcance, pero poseen el denominado orden cercano, donde el entorno local de
cada tomo es similar al de otros tomos equivalentes, pero esta regularidad no persiste a
distancias apreciables. Los lquidos tienen un orden cercano, pero no lejano. Los gases
no presentan ni el orden lejano ni el cercano (Poole, 2007).
Al describir la estructura cristalina se consideran los tomos o iones como esferas slidas
con dimetros muy bien definidos. Es el denominado modelo atmico de esferas rgidas,
en el cual, las esferas representan tomos macizos en contacto. En el contexto de las
estructuras cristalinas a menudo se utiliza la palabra red, en este sentido red significa
disposicin tridimensional de puntos coincidentes con las posiciones de los tomos o
molculas (centros de las esferas).
Celda unidad
El orden atmico de los slidos cristalinos indica que grupos de pocos tomos forman un
patrn que se repite en el espacio. Al describir la estructura cristalina conviene dividirla en
las pequeas entidades que se repiten, llamadas celdas unidad. La celda unidad de la
mayora de las estructuras cristalinas son paraleleppedos o prismas con tres conjuntos
de caras paralelas.
Sistemas cristalinos
La estructura tridimensional, se genera al colocar una capa encima y otra debajo de esta
capa, de tal manera que las esferas de una capa cubren totalmente las esferas de la capa
inferior. Este procedimiento se repite para generar muchas capas como las de un cristal.
En la figura, la esfera marcada con una , est en contacto con otras cuatro esferas en su
misma capa, una esfera en la capa superior y una esfera en la capa inferior. Una esfera
acomodada tiene un nmero de coordinacin de 6 porque tiene seis vecinos prximos.
El nmero de coordinacin, se define como el nmero de tomos o iones que rodean a un
tomo o ion en una red cristalina. Su magnitud es una medida de qu tan compactas
estn empacadas las esferas. Cuanto mayor es el nmero de coordinacin, ms juntas
estn las esferas. La unidad bsica que se repite en este tipo distribucin de esferas es la
celda cbica simple ().
En las celdas cbicas simple y centrada en el cuerpo , hay ms espacio vaco que
en la celda cbica centrada en las caras. El arreglo ms eficiente de las esferas,
denominado empaquetamiento compacto, se inicia con la primera estructura que se
observa en la siguiente figura, que se llamar capa . Examinando la nica esfera
encerrada, se ve claramente que la rodean seis vecinas prximas en la capa. En la
segunda capa, que se llamar , las esferas se empacan en los huecos que quedan entre
las esferas de la primera capa, de manera que todas las esferas estn lo ms juntas
posible. Hay dos formas en que la tercera capa de esferas puede cubrir a la segunda
capa para hacer ms compacto el empaquetamiento. Las esferas se pueden acomodar en
los huecos, de tal modo que cada esfera de la tercera capa quede directamente sobre una
esfera de la primera capa. Dado que no hay diferencia entre la distribucin de la primera y
tercera capas, a la tercera capa tambin se le llama capa . De manera alternativa, es
posible que las esferas de la tercera capa se acomoden en los huecos que estn
directamente sobre la primera capa de esferas. En este caso, a esta tercera capa se le
denomina capa . La siguiente figura muestra las estructuras que resultan de estos dos
arreglos.
Muchos metales y gases nobles, que son monoatmicos, forman cristales con estructuras
o . Por ejemplo, los tomos de magnesio, titanio y zinc cristalizan como una
estructura , en tanto que el aluminio, nquel y plata cristalizan en la distribucin .
Todos los gases nobles slidos tienen la estructura , con excepcin del helio que
cristaliza en la estructura . Es natural preguntarse por qu un conjunto de sustancias
relacionadas, como los metales de transicin o los gases nobles, forman estructuras
cristalinas distintas. La respuesta se encuentra en la estabilidad relativa de una estructura
cristalina particular, la cual, est determinada por las fuerzas intermoleculares. As, el
magnesio metlico tiene la estructura porque esta distribucin de tomos de le da
mayor estabilidad al slido.
Dado que cada celda unitaria de un slido cristalino colinda con otras celdas unitarias, la
mayora de los tomos de la celda se comparten con las celdas vecinas. Por ejemplo, en
todos los tipos de celdas cbicas cada tomo del vrtice pertenece a ocho celdas
unitarias. Un tomo centrado en las caras es compartido por dos celdas unitarias.
Puesto que cada esfera del vrtice es compartida por ocho celdas unitarias y hay ocho
vrtices en un cubo, dentro de una celda cbica simple habr el equivalente a una sola
esfera completa. Una celda cbica centrada en el cuerpo contiene el equivalente a dos
esferas completas, una en el centro y ocho esferas compartidas en las esquinas. Una
celda cbica centrada en las caras contiene cuatro esferas completas, tres de los seis
tomos centrados en las caras y una de las ocho esferas compartidas en los vrtices.
Partes de las esferas dentro de las celdas unidad. Relaciones entre parmetros. Fuente: tomado
de Chang, (2010).
Actividades
Materiales cristalinos
Monocristales
Policristales
Anisotropa
Defectos puntuales
Sin embargo, el defecto intersticial no es muy probable, debido a que los tomos suelen
ser mucho mayores que las posiciones intersticiales donde se sitan. De manera que
existen en pequeas concentraciones, mucho menores que para las vacantes.
Impurezas en slidos
Existen diversas condiciones entre los tomos de las impurezas y el material, que
determinan la cantidad de tomos que pueden acomodarse en el material, de acuerdo a la
Defectos lineales
Dislocacin producida por una porcin extra de un plano de tomos. Fuente: tomado de Callister,
(2005).
En la regin afectada por la dislocacin de lnea existe una red localmente distorsionada.
Los tomos situados arriba de la dislocacin de lnea estn comprimidos, mientras que los
de abajo estn sometidos a un esfuerzo. Esto se refleja en la ligera curvatura de los
planos verticales de tomos, que se doblan alrededor del semiplano extra. La magnitud de
esta dislocacin decrece con la distancia, de modo que en las posiciones ms alejadas, la
red cristalina es perfecta.
Defectos interfaciales
Los defectos interfaciales son lmites de grano que tienen dos direcciones y normalmente
separan regiones del material que tienen diferente estructura cristalina y orientacin
cristalogrfica. Los defectos de superficie incluyen superficies externas, lmites de grano,
lmites de macla, entre otros (Callister, 2005).
Otro defecto interfacial, el lmite de grano, separa dos pequeos granos o cristales que
tienen diferentes orientaciones cristalogrficas en materiales policristalinos. Los lmites de
grano, tienen algunos tomos de ancho, en la cual los tomos no se alinean con ninguno
de los dos granos.
A lo largo de un lmite de grano, no todos los tomos estn enlazados con otros tomos y,
por lo tanto, existe una energa de lmite de grano o interfacial similar a la energa
superficial. La magnitud de esta energa es funcin del grado de desorientacin, siendo
mayor cuanto mayor sea la desalineacin. Los lmites de grano son ms reactivos que los
granos como consecuencia de la energa de este lmite. La energa interfacial total es
menor en materiales con grandes granos que con pequeos granos, ya que el rea total
de lmite de grano es menor.
El tamao de los granos es importante para los metales, debido a que afecta sus
propiedades mecnicas. Es preferible un metal con granos pequeos, debido a que
presenta mayor resistencia y dureza. Adems puede tener mayor ductilidad y una mejor
superficie del producto terminado (Callister, 2005).
Un lmite de macla es un tipo especial de lmite de grano a travs del cual existe una
simetra de red especular, es decir, los tomos de un lado del lmite son como imgenes
espejo de los tomos del otro lado. La regin de material entre estos lmites se denomina
Otros defectos interfaciales son los fallos de apilamiento, lmites de fase y paredes de
dominios ferromagnticos. Los defectos de apilamiento en aparecen cuando se
Adems de las imperfecciones mencionadas, existen otros defectos como los poros,
grietas, inclusiones y otras fases. Normalmente se introducen durante las etapas de
fabricacin.
Solidos no cristalinos
Los slidos amorfos, como el vidrio, carecen de una distribucin tridimensional regular de
tomos. El vidrio es uno de los materiales ms valiosos y verstiles, y es tambin uno de
los ms antiguos. En la siguiente figura, se muestran esquemas bidimensionales de las
estructuras cristalina y no cristalina del dixido de silicio (2 ), debido a que puede existir
en ambos estados.
Estructuras cristalina (a) y amorfa (b) del xido de silicio. Fuente: tomado de Callister, (2005).
Estructuras metlicas
La estructura cristalina, exige que muchos metales tengan una celda unidad de geometra
cbica con los tomos localizados en los vrtices del cubo y en los centros de todas las
caras del cubo (). Cristalizan en esta estructura el cobre, aluminio, plata y oro. En la
siguiente figura, se muestra una seccin del cristal formada por muchas celdas unidad
.
Seccin formada por estructuras cbicas centradas en las caras. Fuente: tomado de Callister,
(2005).
En la estructura el factor de empaquetamiento atmico es 0.74, que es el mximo
empaquetamiento posible para esferas rgidas del mismo tamao. Los metales ms
Otra estructura cristalina comn en los metales es la cbica centrada en el cuerpo ().
El cromo, el hierro, el tungsteno, entre otros, presentan estructura . Cada celda unidad
tiene asociados dos tomos, un tomo equivalente a un octavo de cada uno de los
ocho tomos de los vrtices, que son compartidos con otras ocho celdas unidad, y el
tomo del centro de la celda, que no es compartido.
Adems, las posiciones de los tomos del centro y del vrtice son equivalentes. El
nmero de coordinacin de la estructura cristalina cbica centrada en el cuerpo es 8, cada
tomo situado en el centro de la celda est rodeado por ocho tomos situados en los
vrtices. Debido a que el nmero de coordinacin es menor en la estructura que en la
, tambin el factor de empaquetamiento atmico es menor para la : 0.68 (0.74 para
).
No todos los metales tienen celda unidad con simetra cbica, tambin se presenta la
hexagonal. Cada celda unidad equivale a seis tomos completos, cada tomo situado en
los 12 vrtices superiores e inferiores contribuye con la sexta parte, los 2 tomos del
centro de los hexgonos contribuyen con la mitad y los 3 tomos del plano central
contribuyen enteramente. El nmero de coordinacin y el factor de empaquetamiento
atmico para los cristales de estructuras son idnticos que para los : 12 y 0.74,
respectivamente. Ejemplos de metales son cadmio, magnesio, titanio y zinc.
Un material con grano fino es ms duro y resistente que uno que tiene granos gruesos.
Esto se debe a que conforme el grano es ms pequeo, el total de lmites de grano es
mayor, impidiendo el movimiento de las dislocaciones. As mismo, los lmites de grano de
ngulo pequeo no son efectivos para interferir en el proceso de deslizamiento. Por otro
lado, los lmites de macla y los lmites entre dos fases diferentes, bloquean de forma
efectiva el deslizamiento y aumentan la resistencia del material.
Las aleaciones son ms resistentes que los metales puros debido a que los tomos de
impurezas producen una deformacin de la red en los tomos vecinos. Como resultado de
las interacciones, el movimiento de las dislocaciones es ms difcil.
Una impureza cuyo tamao es menor que el tomo del cristal al cual substituye, ejerce
deformaciones de tensin sobre la red del entorno. Una impureza de mayor tamao,
impone deformaciones de compresin a sus vecinos. En la siguiente figura se muestran
ambos casos.
a) b)
Efectos de las impurezas de menor (a) y mayor tamao (b). Fuente: tomado de Callister, (2005).
Estructuras cermicas
debe ser elctricamente neutro, es decir, todas las cargas positivas de los cationes deben
ser equilibradas por un nmero igual de cargas negativas de los aniones.
El nmero de coordinacin, est relacionado con el cociente entre los radios de los
cationes y de los aniones. Para un nmero de coordinacin especfico, existe un valor
crtico o mnimo de / para el cual este contacto entre catin y anin se establece.
Un tipo de hueco, est rodeado de cuatro tomos (tres en un plano, y solo uno en el plano
adyacente) y se denomina posicin tetradrica, puesto que si se trazan lneas rectas
desde los centros de las esferas circundantes se forma un tetraedro. El otro tipo de hueco
est rodeado por seis esferas, tres en cada uno de los dos planos. Puesto que al unir los
centros de las esferas se produce un octaedro, este hueco se denomina posicin
octadrica. Por consiguiente, los nmeros de coordinacin de los cationes que llenan las
posiciones tetradricas y octadricas son 4 y 6, respectivamente. Adems, para cada una
de estas esferas de aniones, existe una posicin octadrica y dos posiciones tetradricas.
La mayora de los cristales inicos tienen puntos de ebullicin elevados, lo cual, refleja la
gran fuerza de cohesin que mantiene juntos a los iones. La estabilidad de los cristales
inicos depende en parte de la energa reticular, cuanto mayor sea esta energa, ms
estable es el compuesto. Como se ha visto anteriormente, estos slidos no conducen
electricidad debido a que los iones estn en una posicin fija.
Tal como ocurre en los metales, en los compuestos cermicos pueden existir tanto
vacantes inicas como iones intersticiales. Puesto que estos materiales contienen iones
de dos tipos, pueden existir defectos con cada tipo. Por ejemplo, en el pueden existir
tomos intersticiales y vacantes de y tomos intersticiales y vacantes de . Sin
embargo, es menos probable que existan aniones intersticiales, debido a que el anin es
relativamente grande y para ocupar una posicin intersticial, deben originarse
deformaciones importantes en los iones vecinos.
Por otro lado, los tomos de impureza pueden estar presentes en los materiales
cermicos de la misma manera que lo hacen en los metales. Puesto que hay tanto
cationes como aniones, una impureza sustituir al tomo que sea ms similar en el
comportamiento elctrico. Si el tomo de impureza forma normalmente un catin, lo ms
probable es que sustituya al catin en material cermico. Por ejemplo, en el cloruro de
sodio, las impurezas inicas +2 y 2 sustituirn probablemente a los iones + y ,
respectivamente.
Las cermicas pueden contener alguna porosidad debido a los procesos de fabricacin.
Cualquier porosidad, tendr un efecto negativo en las propiedades elsticas y en la
resistencia. Los poros reducen el rea de la seccin a travs de la cual se aplica la carga,
y tambin actan como concentradores de tensin, en el caso de un poro esfrico la
tensin es amplificada en un factor 2. La influencia de la porosidad en la resistencia es
mucho ms dramtica, por ejemplo, un 10% de porosidad podra disminuir el mdulo de
rotura en un 50% del valor medido para el material no poroso.
Estructuras polimricas
Las propiedades de los polmeros, como en el caso de los metales y de las cermicas,
estn relacionadas con la estructura elemental del material. La estructura est formada de
carbono () e hidrgeno () principalmente.
Dentro de cada molcula, los tomos estn unidos mediante enlaces interatmicos
covalentes. En la mayora de los polmeros, estas molculas forman cadenas largas y
flexibles, cuyo esqueleto es una hilera de tomos de carbono, como se muestra se
muestra en la siguiente figura:
La capacidad de un polmero para cristalizar est influida por la qumica molecular y por la
configuracin de la cadena. En los polmeros constituidos por unidades monomricas
complejas, la cristalizacin no est favorecida. Las ramas interfieren la cristalizacin, de
modo que los polmeros ramificados nunca son totalmente cristalinos, de hecho, una
ramificacin excesiva pueden prevenir toda cristalizacin. En cambio, los polmeros
lineales se cristalizan fcilmente, puesto que no existen restricciones al alineamiento de
las cadenas.
El grado de cristalinidad del material polimrico repercute en sus propiedades fsicas. Los
polmeros cristalinos son ms resistentes a la disolucin y al ablandamiento trmico.
Las esferulitas de los polmeros equivalen a los granos de los metales policristalinos y de
las cermicas. Sin embargo, cada esferulita est formada por diferentes cristales
laminares y por algn material amorfo. En la siguiente figura se muestra como los cristales
laminares estn separados por material amorfo, de manera que las laminillas se conectan
a travs de regiones amorfas. Dentro de cada esferulita aparece una caracterstica cruz
de malta.
Este proceso ocurre en varias etapas. En la etapa inicial de la deformacin, las laminillas
deslizan una respecto de la otra y la regin amorfa se extiende. Al continuar la
deformacin, en la segunda etapa, las laminillas se alinean en la direccin del esfuerzo.
Con este tema concluye la revisin de la estructura general de los materiales. Con estos
conocimientos se podr abordar el siguiente tema, nanoestructuras, donde las
propiedades dependen adicionalmente de la escala.
2.3. Nanoestructuras
2.3.1. Nanoescala
Mientras las dimensiones del sistema sean mayores que la distancia caracterstica de la
propiedad en estudio, la fsica del problema no se modifica y las caractersticas estarn
determinadas por las propiedades intrnsecas del material. Pero si alguna de las
dimensiones del objeto es menor que esta distancia, entonces la respuesta del sistema
depender no solo de las propiedades del material sino tambin de su tamao (Guimpel y
Pastoriza, 2005).
Dualidad onda-partcula
De manera explcita, recurdese que las partculas tienen una masa bien definida,
adems su posicin y velocidad se pueden determinar en funcin del tiempo (propiedad
corpuscular). En cambio, las ondas no tienen masa y no se les puede localizar de manera
precisa, por lo que, se definen en funcin de su longitud de onda o de su frecuencia
(propiedad ondulatoria).
Por ejemplo, el electrn, tiene masa y cantidad de movimiento, pero tambin una longitud
de onda, de modo que en una colisin con otro electrn, predomina el comportamiento
corpuscular. Sin embargo, el comportamiento ondulatorio es evidente cuando un haz de
electrones se difracta cuando pasa por un pequeo orificio circular de tamao comparable
a su longitud de onda.
Confinamiento cuntico
Este comportamiento no es exclusivo de los electrones, sino que sucede tambin con la
luz y el sonido. Un ejemplo de confinamiento cuntico, son los electrones de los tomos,
especialmente los que estn ms cerca del ncleo. Los electrones, se encuentran
atrapados por la fuerza electromagntica atractiva del ncleo (Faisten y Hallberg, 2005).
Es posible fabricar sistemas nanomtricos en donde se pueden observar los efectos del
confinamiento cuntico en dos dimensiones espaciales (2D, pozos cunticos), en una (1D,
alambres y tubos) o en cero dimensiones (0D, punto cuntico). En la siguiente figura se
muestra una secuencia de reduccin de dimensionalidad que pueden sufrir los materiales.
Pozos cunticos
En un pozo cuntico los electrones estn confinados en una direccin, por ejemplo, en la
direccin del eje de un sistema de tres ejes coordenados (, , ), mientras que en las
otras dos direcciones (, ) se mueven libremente. Es como si se obligara a los electrones
a moverse en una hoja de papel. Las propiedades de estos materiales, suelen ser muy
diferentes a las volumtricas. Se ha encontrado, que la resistividad elctrica (el inverso de
la conductividad) de los metales en capas delgadas presentan valores mucho mayores
que su valor volumtrico. Por ejemplo, el semiconductor cuyo ancho de banda
prohibida es de 2.42 (volumtrica), puede presentar valores de hasta 3.8 cuando
son preparados con algunos nanmetros de espesor (Oliva, 2005).
Cuando se reducen dos dimensiones del material, se pueden formar hilos cunticos, de
manera que su movimiento est restringido en dos dimensiones, es decir, los electrones
solo pueden moverse en una direccin, la longitud el hilo. Pueden ser de diversos
materiales semiconductores como el arseniuro de galio () o los compuestos por
fsforo e indio (), con arsnico (). Tambin existen estructuras tubulares de
carbono, llamados nanotubos de carbono, o de manganeso.
Los fenmenos que surgen con el mayor confinamiento de los portadores de carga, tienen
gran potencial en aplicaciones tecnolgicas. Sin embargo, la fabricacin de alambres
cunticos semiconductores es mucho ms complicada que la de los pozos cunticos y
requiere procesos y equipo muy especializados.
Puntos cunticos.
Al confinar el material en las tres dimensiones, las cargas quedan atrapadas en un punto.
En un punto cuntico los electrones estn confinados en sus tres dimensiones y por eso
se dice que son sistemas de dimensin cero. Usualmente estn fabricados con material
semiconductor y pueden albergar desde uno a varios miles de electrones.
Sus tamaos tpicos pueden variar desde unos pocos nanmetros hasta algunos
micrones, pero su tamao, su forma y el nmero de electrones se pueden controlar en
forma muy precisa, todo esto gracias a los avances en la litografa, la qumica y los
mtodos de crecimiento capa por capa.
La fsica de los puntos cunticos tiene muchas similitudes con la fsica de los tomos. Los
niveles de energa estn cuantizados debido al confinamiento de los electrones y por esa
razn, se les denomina tomos artificiales. Tambin presentan comportamientos
electrnicos y pticos similares a los de los tomos. Sin embargo, en los puntos cunticos
el nmero de electrones que caben en cada capa es diferente, en la primera caben dos,
en la segunda cuatro, en la tercera seis, en la cuarta ocho y as en adelante. Esta
diferencia se debe a que los puntos cunticos tienen simetra circular y no esfrica como
en un tomo real.
Los puntos cunticos pueden conectarse fcilmente a circuitos para estudiar sus
propiedades o usarlos como dispositivos electrnicos. Tambin se han podido acoplar
varios puntos cunticos para formar molculas artificiales. Los niveles electrnicos por
confinamiento en nanoestructuras, ha marcado a la ciencia y la tecnologa, en dispositivos
y aplicaciones de la vida cotidiana (Faisten y Hallberg, 2005).
Estructuras de carbono
Un nanotubo se forma enrollando una lmina de grafito alrededor de un eje y uniendo los
bordes por medio de enlaces entre los tomos de carbono. Los dimetros de los
nanotubos varan, los ms delgados tienen el mismo dimetro que la molcula 60,
aproximadamente 7.
Hay una gran cantidad de maneras de enrollar la lmina, lo que provee a los nanotubos
diferentes propiedades. Un nanotubo se puede caracterizar conociendo su dimetro y su
helicidad, la cual viene dada de acuerdo al ngulo en el que se enroll (Faisten y Hallberg,
2005).
En la siguiente figura se muestran dos tipos de nanotubos. Las lneas roja y azul a la
izquierda, muestran en qu direccin se enroll la lmina de grafito para obtener los
diferentes tipos de nanotubos, mostrados a la derecha. El nanotubo zigzag puede ser
metlico o semiconductor, segn su dimetro. En cambio el tipo silln siempre es
metlico.
Debido a su tamao, el transporte elctrico est cuantizado. Pueden ser usados como
alambres cunticos y son capaces de transportar densidades muy altas de corriente, de
varios rdenes de magnitud mayor que la transportada por los alambres de cobre
habituales (Faisten y Hallberg, 2005).
En los nanotubos no quirales (silln y zigzag) las disposiciones hexagonales en las partes
extremas del tubo son siempre paralelas al eje del tubo. Esta distribucin de los tomos,
permite que los electrones accedan libremente a los estados de conduccin. En funcin
del dimetro del tubo, dos tercios de los nanotubos no quirales son conductores. El resto
se comportan como semiconductores. En los nanotubos quirales, los hexgonos definen
un cierto ngulo con respecto al eje del tubo. Esta orientacin de los tomos dificulta el
acceso de los electrones a los estados de conduccin. De acuerdo al ngulo de torsin,
unos dos tercios son semiconductores y el resto conductores (H. Terrones y M. Terrones,
2004).
Los nanotubos resisten grandes presiones sin romperse (1.8 ). Puesto que la
estructura cede a movimientos longitudinales, la conductividad trmica es elevada a lo
largo del tubo pero escasa en la direccin perpendicular. Adems de este tipo de
nanotubos, llamados de pared simple, existen nanotubos formados por varios tubos
concntricos, los llamados de pared mltiple.
= 60( + 1)2 , = 0, 1,
De manera que los primeros miembros de esa familia contienen 60, 240, 540, 960...,
tomos de carbono. El nmero de pentgonos siempre es 12, y el de hexgonos
aumenta. En la siguiente figura se muestran algunos ejemplos de estas estructuras.
Las fulleritas, son blandas como el grafito. Sin embargo, si se comprime su volumen hasta
un 70% del valor inicial, superan la dureza del diamante. Sus propiedades elctricas
varan en extremo en funcin del compuesto, es decir, las fulleritas puras son aislantes,
sin embargo las dopadas (impurezas) con metales alcalinos se comportan como
superconductores a temperaturas que alcanzan los 40 (H. Terrones y M. Terrones,
2004).
Actividades
Actividades
Algunos de los fenmenos fsicos que ocurren en las nanoestructuras, provienen de que,
la geometra del material est restringida a cero, una o dos dimensiones. Adems, el
hecho de que el material tenga una fraccin importante de los tomos en la superficie
hace que los efectos superficiales dominen las propiedades de estos materiales (Montero
y Schuller, 2003).
La forma geomtrica que adoptan las estructuras nanomtricas depende del tipo de
elemento qumico, del nmero de tomos en el sistema y de la temperatura. De los ms
importantes se encuentran, los formados por tomos de carbono, las estructuras de
metales alcalinos y las constituidas por metales de transicin.
Con el fin de predecir estas propiedades nicas, es esencial entender cmo las
estructuras varan con la disminucin de tamaos de cristalitos, ya que el tamao de
grano es el parmetro estructural dominante que rige las propiedades de un material.
Como se vio en la unidad anterior, otro efecto que toma relevancia al disminuir el tamao
de un material, es el aumento de su superficie frente al volumen, es decir, se incrementa
Propiedades elctricas
La resistividad elctrica es una propiedad intrnseca del material, por lo que, no debera
de depender de las dimensiones. Sin embargo, se ha encontrado que esta propiedad
cambia para capas delgadas de material cuyo espesor es menor a los 100. Esta
propiedad elctrica se puede incrementar enormemente al disminuir el espesor del
material.
Propiedades magnticas
Los materiales ferromagnticos estn formados por dominios o zonas donde la imanacin
es uniforme. Se requiere mucha energa para mantener dos tomos juntos de un material
ferromagntico con el momento magntico antiparalelo. Por ello, la separacin entre
dominios no es abrupta, sino que est formada por las paredes de dominio, que son
zonas en las que la imanacin va girando progresivamente. El espesor de estos lmites de
dominio es normalmente de unos nanmetros (Garca, et. al. 2006).
Como es sabido, los tomos de la superficie no son iguales que los del volumen, dado
que en el volumen los tomos ven un entorno igual por todos lados, y los de la superficie
ven dos zonas distintas. Adems, los tomos de la superficie tienen menos enlaces, o
bien tienen enlaces de otra naturaleza. Esto causa una simetra local distinta en estos
tomos y por lo tanto anisotropa.
Propiedades qumicas
Otras de las propiedades que dependen del tamao, son la reactividad qumica y la
estabilidad estructural. Un ejemplo es la reactividad qumica de nanopartculas de oro.
El oro es utilizado para hacer joyas de hace milenios, debido a que es uno de los metales
menos reactivos. Esto es cierto para las partculas de oro relativamente grandes. Cuando
los cristalitos de tienen un tamao del orden de 3 5 , son muy reactivos (Miranda,
2006).
Con este tema finalizan los fundamentos bsicos de los materiales nanoestructurados, los
cuales permiten la compresin del origen de las propiedades a escalas nanomtricas,
permitiendo diferenciar el tipo de propiedades que se obtienen en materiales
nanoestructurados a diferencia de los materiales sin nanoestructuras y volumtricos.
Actividades
Autorreflexiones
Una vez que reflexiones sobre tu aprendizaje debes entregar tu reporte en la herramienta
de Autorreflexiones, recuerda subir tu archivo despus de asegurarte que se trate de tu
versin final.
Es importante que entregues slo un archivo por unidad, para poder obtener e 10% de tu
evaluacin final.
Cierre de la unidad
Como resultado de esta unidad, se puede visualizar como las propiedades de los
materiales, son resultado directo la estructura a escala atmica, nanoscpica y
microscpica.
Queda concluida la unidad II, con lo que ahora se tienen los fundamentos de la estructura
de los materiales para abordar la unidad III donde se tratarn las diferentes tcnicas de
anlisis para estudiar y determinar la estructura y propiedades de los materiales.
Para saber ms
Configuraciones electrnicas
http://neoparaiso.com/imprimir/elementos-quimicos/tabla-elementos.pdf
Defectos
Nanotecnologa
Fainstein, A., & Hallberg, K. (2005). La fsica de alambres moleculares, tomos artificiales
y cavidades nanoscpicas. Ciencia Hoy. Obtenido de
http://www.cienciahoy.org.ar/ln/hoy84/index.htm
Tabla peridica
Compuestos
http://www.ptable.com/?lang=es#Compound
Estructura cristalina
http://fisica.ciencias.uchile.cl/~emenendez/docencia/fissol/tperiod.jpg
Fuentes de consulta
Garca, M. A., Marn, P., Gonzlez, J. M., Crespo, P., & Hernando, A. (2006).
Nanomagnetismo. Nanociencia y Nanotecnologa. Obtenido de
http://www.madrimasd.org/revista/revista34/tribuna/tribuna3.asp