El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos

conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse
superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor
caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para
ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de
alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen.

Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase
de tiristor.

Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y ctodo. Acta como

un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza
el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la referencia.

DIAC de tres capas

Existen dos tipos de DIAC:

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con
las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector.
Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose
un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en
antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.
 Triac
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Smbolo.
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de
la familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste
es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse
que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos
SCR en antiparalelo.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y
ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo puerta.

Aplicaciones ms comunes [editar]

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre
los interruptores mecnicos convencionales y los rels.
Funciona como switch electrnico y tambin a pila.
Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz,
controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas
inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para
asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de
Corriente alterna.

El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una
resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un
pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la
corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la
 tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no
controla mas la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente
corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el
nodo MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica
invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de
bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual
METODOS DE DISPARO
Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y una
compuerta G.
La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al
nodo 1.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o
negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito
de disparo. Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar en los
cuatro modos posibles de disparo.
1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la
tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al
nodo MT1 y este es el modo mas comn (Intensidad de compuerta entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la union
P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de
electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la
caida de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de compuerta.
Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y - .
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea
el potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin.
2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que
la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al
nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas
P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La
tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente
que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que
alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la
tensin del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de
disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de
compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
 El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de
puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2
y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de
potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin
exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar,
entrando en conduccin.
4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que
la tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de
disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de
compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en
conduccin la estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por
difusin la unin P2N1 son absorbido por su potencial de unin, hacindose ms
conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de
unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de
huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la
tensin exterior y se produce la entrada en conduccin.
El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria
para el disparo es mnima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de
disparo mayor. El modo III(+) es el de disparo ms difcil y debe evitarse su empleo
en lo posible.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante,
asegura el disparo en todos los estados.

SCR - Rectificador controlado de silicio. Smbolo, estructura y

funcionamiento bsico.

El SCR es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un

conmutador casi ideal.

El smbolo y estructura del SCR son:

Analizando los diagramas: A = nodo, G = compuerta o Gate, C = K = ctodo

Funcionamiento bsico del SCR

El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su
funcionamiento.

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2

y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 =
IB1.

IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que

exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su
vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su
vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que
IB1 en la base de Q1, y......

Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y

Q2 causando el encendido del SCR.

Los parmetros del SCR son:

- VRDM: Mximo voljaje inverso de cebado (VG = 0)

- VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Mxima corriente directa permitida.
- PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
- VGT-IGT: Mximo votaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua

El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un

tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o
bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y Transistor.

Tiristor

Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de
controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un
diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras
no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el
instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. El pulso de disparo
ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo. Segn se atrase o adelante ste,
se controla la corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin
de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por
debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se
desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un
circuito de bloqueo forzado.

Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste
puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como
caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR.
Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.

Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia, en el campo del control,

debido a que puede ser usado como interruptor de tipo electrnico.
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un
transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial
estn basados en transistores MOSFET.

[editar] Funcionamiento

Curvas caracterstica y de salida de un transistor MOSFET de acumulacin canal n.

Curvas caracterstica y de salida de un transistor MOSFET de deplexin canal n.

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el

que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas
por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de
conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo
de cmo se haya realizado el dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Las reas de difusin se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el conductor entre

ellos es la puerta(gate).

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

[editar] Estado de corte

Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en estado de no
conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una
diferencia de potencial entre ambos. Tambin se llama mosfet a los aislados por juntura de
dos componentes.

[editar] Conduccin lineal

Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una
regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo
suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en
la regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa
entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y
drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia
controlada por la tensin de puerta.

[editar] Saturacin

Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo
la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente
entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos,
pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

[editar] Modelos matemticos

Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su regin lineal:

donde en la que b es el ancho del canal, n la movilidad de los electrones, es

la permitividad elctrica de la capa de xido, L la longitud del canal y W el espesor de capa
de xido.

Cuando el transistor opera en la regin de saturacin, la frmula pasa a ser la siguiente:

Estas frmulas son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET,

pero no tienen en cuenta un buen nmero de efectos de segundo orden, como por ejemplo:

Saturacin de velocidad: La relacin entre la tensin de puerta y la corriente de drenador

no crece cuadrticamente en transistores de canal corto.
 Efecto cuerpo: La tensin entre fuente y sustrato modifica la tensin umbral que da lugar
al canal de conduccin
Modulacin de longitud de canal.

Si se trata de un MOSFET de doble puerta, existirn entonces dos tensiones de puerta a

fuente, VGS1 y VGS2. As, la expresin que sigue la corriente de drenador en la regin de
saturacin es:

Como es lgico, el parmetro IS2 no se mide en mA, sino en mA / V, as que no se puede

considerar una corriente propiamente dicha.

[editar] Aplicaciones

La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,

consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Vase Tecnologa
CMOS

Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

[editar] Ventajas

La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-
mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:

Consumo en modo esttico muy bajo.

Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de
los nanoamperios.
Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que
conlleva.
La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y
baja potencia.