Trabajo de circuitos digitales

Tema: sistemas numricos

Entregado a: Ing. jose Caicedo Ortiz

Entregado por : Daniela correa y jose Villanueva

Curso: lunes 9:30

Facultad de ingeniera

Fecha: 08/08/2016

Universidad de la costas(CUC)
 1. Defina las formas de onda digitales, pulso digital, periodo y frecuencia del pulso, diagramas
de tiempo en pulsos digitales.
- Formas de ondas digitales

Las formas de las ondas digitales consiste en alto y bajo, es decir un impulso positivo es cuando
pasa la tensin de nivel bajo a nivel bajo y viceversa. Un impulso tiene dos flancos un flanco
anterior (flanco de subida) que se produce en un instante t0 y un flanco posterior(flanco de
bajada) que se produce en un instante t1.

Imagen impulso positivo y negativo.

El tiempo de subida se mide como el tiempo que tarda en pasar del 10% al 90% partiendo dese
la lnea base con la amplitud del impulso y el tiempo de bajada se mide en pasar del 90% hasta
el 10%, esta razn se debe porque el 10% inferior y el 10% superior no se incluye debido a la
no linealidad de la seal en estas reas.

- Periodo y frecuencia del pulso

La frecuencia (f) se mide en ciclos por segundo o hertzios (hz) y el periodo (T) se mide en
segundos. Sus frmulas son

F=1/T

T= 1/f

- Diagrama de tiempos

Un diagrama de tiempo es una grafica que muestra la relacin temporal entre varias seales, y
como va cambiando cada seal con las dems, mostrando un registro en cada momento de tiempo
como podemos observar en la imagen.
El objetivo ms relevante en este diagrama es ver el cambio de estado de un objeto a largo plazo,
mostrando as las respuestas o estmulos aceptados.

2. Qu es un circuito Digital Integrado, cuales tipos existen (DIP, SOIC, PLCC, LCCC, FP)?

Es un tipo de circuito en donde encontramos todo sus componentes integrado como dice el
concepto, todo en uno solo chip de material semiconductor de tamao pequeo.

Las nuevas tecnologas de circuitos digitales han creado los circuitos integrados(CI) y los han usado
a lo largo de los aos por su fiabilidad, su bajo costo y su bajo consumo de energa. Un chip CI es la
unin de transistores, resistencias, condensadores y diodos en un pequeo chip de silicio. Sus
funciones son definidas por el fabricante y no se pueden modificar.

Estos chips tienen dos principales categoras la lgica para funciones fijas y la lgica programable.

Encapsulados de CI

- DIP: (Dual in-line package) Es un tipo de encapsulado CI donde sus terminales deben
insertarse en los taladros de la tarjeta de circuito impreso.

Figura DIP

- SOIC (Small-Outline Integrated Circuit): Es un encapsulado SMD que tiene un parecido al

DIP pero tiene pines con forma de alas.
 Figura SOIC

- PLCC ((Plastic Leaded Chip Carrier), encapsulado SMD cuyos terminales se insertan en su
cuerpo en forma de J.

Figura PLCC

- LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier): Es un encapsulado SMD que tiene contactos

metlicos moldeados en su cuerpo.

Figura LCCC

- FP (Flat package): Es un encapsulado cuadrado o rectangular con patillas paralelas al plano

de la base adherida a los dos lados opuestos del permetro del encapsulado.

Figura FP

3. Qu es TTL, Qu es CMOS, explicar completamente?

TTL
 Sus siglas significan transistor-transistor logic, es decir lgica transistor a transistor es un tipo
de tecnologa de circuitos electrnicos digitales. En los componentes fabricados con tecnologa
TTLRS los elementos de entrada y salida del dispositivo son transistores bipolares
(wikipedeia)

Aunque la tecnologa TTL tiene su origen en los estudios de Sylvania, fue Signetics la compaa
que la populariz por su mayor velocidad e inmunidad al ruido que su predecesora DTL,
ofrecida por

Fairchild Semiconductor y Texas Instruments, principalmente. Texas Instruments

inmediatamente pas a fabricar TTL, con su familia 74xx que se convertira en un estndar de
la industria.

Figura esquema de TTL

Caracteristicas

Su voltaje de alimentacin es de +5 voltios con vmin=4.75 Voltios y Vmx = 5.25

Voltios. Por encima del voltaje mximo el circuito integrado se puede daar y
por debajo del voltaje mnimo el circuito integrado no funcionara
adecuadamente.
Su realizacin (fabricacin) se logra con transistores bipolares
multiemisores, como se puede observar en el grfico siguiente. (Ver E1, E2)
Las seales de TTL se degradan muy rpido si no se transmiten a travs de
circuitos adicionales.
Tiene 3 etapas la primera entrada de emisor que utiliza un transistor
multiemisor en vez de una matriz de diodios de DTL la segunda fase es un
transistor conectado a un emisor comn que produce en su colector y emisor
seales en contrafase y la ultima es la etapa driver que esta formada por varios
transistores, separados en dos grupos el primero va conectado al emisor del
separador de fase y ordena la corriente para producir el nivel bajo a la salida ,
 el segundo grupo va conectado al colector del divisor de fase y produce el nivel
alto.

Los circuitos de tecnologa TTL se prefijan normalmente con el nmero 74 (54 en

las series militares e industriales). A continuacin un cdigo de una o varias cifras
que representa la familia y posteriormente uno de 2 a 4 con el modelo del circuito.

Con respecto a las familias cabe distinguir:

TTL: serie estndar.

TTL-L (low power): serie de bajo consumo.
TTL-S (schottky): serie rpida (usa diodos Schottky).
TTL-AS (advanced schottky): versin mejorada de la serie anterior.
TTL-LS (low power schottky): combinacin de las tecnologas L y S (es la familia ms
extendida).
TTL-ALS (advanced low power schottky): versin mejorada de la serie LSS.
TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky).
TTL-AF (advanced FAST): versin mejorada de la serie F.
TTL-HCT (high speed C-MOS): Serie HC dotada de niveles lgicos compatibles con TTL.
TTL-G (GHz C-MOS): GHz (From lbkj).

CMOS

Es un semiconductor complementario de xido metlico, es de la familia lgica usada en la

fabricacin de circuitos integrados. Una de sus principales caractersticas es que consiste en la
utilizacin conjunta de tipo pmos y tipo nmos configuradas para que en estado de reposo solo use
energa debido a las corrientes parasitas se encuentra colocado en la placa base.

Otra de sus caractersticas es que es regenerativos es decir una seal degradada que acometa una
puerta lgica CMOS se vera restaurada a su valor lgico inicial que son 0 o 1 siempre y cuando este
dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.

Uno de sus problemas es la reducida velocidad. En el momento que se aumenta la frecuencia del
reloj su consume sube hacindose mayor que las otras tecnologas. Esto se debe a dos razones

La capacidad MOS, intrnseca de los transistores MOS

La utilizacin de MOS de canal P, mas lentos que los de canal N, por ser la movilidad de los
huecos menor que la de los electrones.

La creacin del CMOS es muy complejo por lo tanto optaron por la fabricacin de una nueva
tecnologa llamada I^2L.

Fueron apareciendo nuevas familias lgicas como los son HC y HCT en competencia directa con la
TTL-LS dominadora del sector digital hasta ahora.

La velocidad de estos nuevos CMOS hay que considerar la arquitectura de los circuitos NMOS
 Uso de cargas activas : esto es un transistor que se polariza con otros transistores y no con
resistencias debido al menor tamao de aquellos. Tambin funciona como fuente de
corriente constante.
Estructura de almacenamiento dinmicas: la propia capacidad MOS se puede utilizar para
retener informacin durante cortos periodos de tiempo.

En cambio la tecnologa cmos puede eliminar la carga activa y suele sustituir los registros
dinmicos por estticos y asi puede bajar el reloj hasta cero.

4. Cules son las series ms comunes CMOS y TTL?

Segn The TTL Data Book for Design Engineers (el libro de datos TTL para diseo de ingeniera) el
cual muestra segn la referencia las caractersticas de cada cicuito integrado son:

Bipolar
- 74 - Subserie inicial, obsoleta.
- 74L - Bajo consumo, pero lenta
- H - Alta velocidad
- S - Schottky, obsoleta
- LS - Schottky de bajo consumo
- AS - Schottky Avanzada
- ALS - Schottky Avanzada de bajo consumo
- F Rpida
CMOS
- C - CMOS 4-15V similar a la serie 4000
- HC - CMOS alta velocidad, rendimiento similar a LS, 12nS
- HCT - Alta velocidad, niveles compatibles con bipolar
- AC - CMOS avanzada, rendimiento entre S y F
- AHC - CMOS avanzada de alta velocidad, velocidad tres veces superior a HC
- ALVC - Bajo voltaje - 1.65 to 3.3V, tpd 2nS
- AUC - Bajo voltaje - 0.8 to 2.7V, tpd<1.9nS@1.8V
- FC - CMOS rpida, rendimiento similar a F
- LCX - CMOS con alimentacin de 3V y entradas de 5V
- LVC - Bajo voltaje - 1.65 a 3.3V y entradas de 5V, tpd<5.5nS@3.3V, tpd<9nS@2.5V
- LVQ - Bajo voltaje - 3.3V
- G - Velocidades superiores a 1 GHz, alimentacin entre 1.65V y 3.3V y entradas de 5V, tpd
1nS (Producidas por Potato Semiconductor)
BiCMOS
- BCT - BiCMOS, compatible con niveles TTl a la entrada
- ABT - BiCMOS avanzada, compatible con niveles TTl a la entrada, ms rpida que ACT y BCT
5. Comparar las tecnologas CMOS y TTL en trminos de dispositivos y parmetros de
funcionamiento (Retardo de Propagacin, Disipacin de Potencia, fan-out).

Familia CMO

Parmetros caractersticos

OHmin: Es la tensin de salida mnima que se garantiza en nivel alto.

iHmin: Es la mnima tensin de entrada que se garantiza ser reconocida como nivel alto.

Olmax: Es la tensin de salida mxima que se garantiza en nivel

bajo.

ilmax: Es la mxima tensin de entrada que se garantiza ser reconocida como nivel bajo.

Los elementos lgicos abstractos procesan 0's y 1's. Los circuitos reales procesan seales elctricas,
en este caso niveles de tensin

Niveles lgicos y margen de ruido

Los parmetros relacionados con los niveles lgicos nos dan informacin acerca de los niveles de
ruido que ser capaz de aceptar nuestra lgica sin que se corrompa la informacin. Estos
parmetros pueden venir dados como valores absolutos o como relativos a la alimentacin

Retardo de propagacin

Se define como el tiempo que transcurre desde que se produce un cambio en la seal de entrada
hasta que ste se refleja en la salida Se suele dar desde el punto medio del flanco de subida o
bajada de forma que se eliminan en lo posible los tiempos de transicin

En caso de que se cargue una puerta en exceso los tiempos de transicin harn incrementar el
retardo de propagacin.

: Retardo de propagacin cuando la salida pasa de nivel alto a nivel bajo pHL pLH.

: Retardo de propagacin cuando la salida pasa de nivel bajo a nivel alto.

Figura terardo de programacin familia CMO

Consume potencia cuando hay paso de corriente desde alimentacin a tierra cuando la tensin de
entrada esta lejos de la alimentacin y la tierra, es decir en las transiciones.
Formula de potencia en CI para la familia CMO

Se consume potencia cuando cargamos la carga capacitiva a la salida. Esta capacidad es debida
a las conexiones y a la impedancia de carga.

Familia TTL

Caractersticas respecto a CMOS

Los transistores usados son bipolares, esto implica: corrientes de entrada mucho mayores
consumo de potencia en esttica mayor velocidad?

Podemos apreciar en los niveles lgicos, que no son simtricos.

Niveles lgicos indicativos para puertas TTL

Disipacin de Potencia en Conmutacin

En la familia CMOS, la disipacin de potencia se da prcticamente en rgimen de conmutacin.

La mayor disipacin de potencia en rgimen esttico ocurre en la familia TTL.

Retardo de propagacin y frecuencia mxima de funcionamiento

El diseo de un sistema digital de un rgimen de trabajo a alta velocidad debe incluir un

tiempo de retardo de propagacin de compuertas bajo. Lgicamente, un menor retardo de
 propagacin se traduce en una mayor frecuencia mxima de funcionamiento. El tiempo de
propagacin medio (tPD) se mide en nS y la mxima de frecuencia de funcionamiento en MHz.
En la tabla. Se muestran los tiempos de las familias lgicas TTL y CMOS.

Disipacin de Potencia

Por razones econmicas predominan los dispositivos de baja disipacin de potencia. La

diferencia de potencia CMOS es un milln de veces menor a la familia TTL.

6. Qu son, para que utilizan el cdigo GRAY el cdigo ASCII, Exceso a 3 y el bit de paridad,
su relacin con el sistema binario y los sistemas digitales modernos?

El cdigo GRAY es un cdigo sin ponderacin que solo cambia un bit por secuencia en una palabra
de cdigo y sirve para evitar problemas de sistemas donde pueda ocurrir un error si ms de un bit
cambia de secuencia.

El cdigo ASCII es un cdigo alfanumrico que codifica 128 caracteres y smbolos usando 7 bits en
donde sus primeros 32 caracteres son de carcter de control pero ibm indujo este cdigo el cual
ahumento a 256 caracteres a 8 bit

Mtodo de paridad y deteccin de errores

Este mtodo consiste en la transmisin siempre para sistemas que involucran errores de un bit.

Un bin extra se adjunta a un grupo de bits para forzar el numero de paridad par o impar paridad
impar, el sistema puede funcionar con impar o impar pero nunca con ambas.
Este mtodo tiene que ver con el sistema binario por ejemplo si se quiere transmitir un cdigo BCD
el cdigo total trasmitido incluyendo el bit de paridas es

00101 donde el primer 0 es el bit de paridad asi se reduce el error al transmitir

7. Datos serie y paralelo y como es su transmisin

La transmisin en serie se utiliza para realizar conexiones a larga distancia pero no es tan usada
debido a su lentitud y la transmisin paralela es mas rpida por lo tanto es la mas usada pero
tambin es mas costosa y es para transmisiones cortas, estos funcionan el paralelo enva los bits
simultneamente por sus canales ya sea un cable etc.

8. Mencione 5 aplicaciones de los sistemas digitales de acuerdo a su carrera (Electrnica,

Elctrica o Sistemas).

De las aplicaciones que tenemos en la ingeniera electrnica, de los sistemas digitales hablando,
encontramos el reproductor de disco compacto CD, la msica de forma digital se almacena en l.
Tambin, tenemos el diseo de computadores, instrumentacin, control de procesos industriales y
semforos. A su vez, en la ingeniera de sistemas encontramos digitalizacin en los sistemas
operativos y en las redes de computadoras.

Referencias

Anonimo. Como probar un circuito integrado. http://www.sharatronica.com/prueba_ic.html

Anonimo. 5 de mayo de 2003. The History of the Integrated Circuit. Nobel Media AB.
http://www.nobelprize.org/educational/physics/integrated_circuit/h istory/index.html

Donate, A. H. (1997). Tcnicas electrnicas digitales: tecnologa y circuitera en TTL y CMOS.

Marcombo.

Floyd, T. L. (1997). Fundamentos de sistemas digitales (Vol. 7). E. B. L. de Turiso (Ed.). Prentice Hall.

The Engineering Staff, Texas Instruments. The TTL Data Book for Design Engineers (Primera edicin
edicin). Dallas, Texas

Wanlass, F., & Sah, C. (1963, February). Nanowatt logic using fieldeffect metal-oxide semiconductor
triodes. In Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. 1963 IEEE International (Vol.
6, pp. 32-33). IEEE.