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ELECTRONICA 2
Profesor Perpetuo
Polarizacin de
Transistores en divisor
de voltaje
La corriente de polarizacin ICQ y el voltaje VCEQ son funciones de la ganancia de corriente del
transistor. Pero como es sensible a la temperatura, sobre todo si se trata de transistores de silicio,
y como el valor real de beta en general no est muy bien definido, conviene desarrollar un circuito de
polarizacin que dependa menos de la beta del transistor y esta configuracin es lo ms prximo a
esa condicin.
En la configuracin debemos hacer pequea R2 para asi garantizar un voltaje base-emisor que
polarice la unin en directo y pueda conducir el transistor, para ello aplicamos en el divisor de tensin
la ley nodos de kirchoff, y esta corriente de base que circulara debe colocar al transistor en una de
las regiones activa, corte o saturacin.
VBE= se reduce aproximadamente 2,5mV por grados Celsius (C) de incremento de la temperatura.
Ico(corriente de saturacin inversa)= duplica su valor por cada 10C de incremento de la temperatura
Cualquiera o todos estos factores pueden hacer que el punto de polarizacin se aparte del punto de
operacin designado.
4) Dado el diagrama
1 = 120
2 = 60
= 2,2
= 0,7
={
= 50
= 6
= 0
= .
. = 0
Saturacin ( = 0)
. = 0
. = 0
= .
6
= = = 2,72
2,2
Corte ( = 0)
. = 0
= 0
= = 6
2 . 60. 6V
= = = 2
1 + 2 120 + 60
1 . 2 120. 60
= = = 40
1 + 2 120 + 60
= 0
= .
. = 0
2 0,7
= = = 32,5
40
= . = 50.32,5 = 1,625
3
2,72
2.5
2 Q(2,425; 1,625)
Ic (mA)
1.5
0.5
0
0 1 2 3 4 5 6 7
VCE (V)
Determinar el factor de estabilizacin S
+
1 + +
( ) = ( + 1). = ( + 1). = ( + 1). =
( + 1). + ( + 1). +
( + 1) +
0 + 40
(50 + 1). = 51.1 = 51
(50 + 1). 0 + 40
Para que este circuito sea estable deberamos aadirle una resistencia de emisor y esta debe ser por
lo menos 10 veces mayor que la Rth o resistencia de base, para que el factor S sea lo ms prximo
a 1, y garantizar estabilidad.