ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIN Y CONTROL

INDUSTRIAL
REA DE INSTRUMENTACIN

LABORATORIO DE:

ELECTRNICA DE POTENCIA

PREPARATORIO

Prctica: 4 Tema: Transistor Bipolar de Juntura TBJ

Realizado por: Jcome Moreta Gustavo Israel

Alumno (s): Grupo: GR15

Fecha de entrega: 15 /05/2015 f.

Recibido por:

Sancin:

Semestre: Ene./Junio

Ago/Dic.
OBJETIVO:

Disear el circuito de control para un transistor bipolar de juntura de potencia.

Conocer las caractersticas de conmutacin del transistor bipolar de juntura

TRABAJO PREPARATORIO:

Disear un control PWM en base a un LM555 [3]. Con un potencimetro la frecuencia debe variar
entre 10kHz < f < 40kHz, de igual forma con otro potencimetro relacin de trabajo debe variar
entre 0,2 < < 0,8.

Figura 1: PWM

Considero:

1 = 1.5
2 = 470
2 = 10F
1 = 10F
3 = 0.1F

0.69
=
(21 + 2 + 1)1

0.69
=
(21 + 2 + 1.5)10

1 = 5
 2 = 1
Disear el circuito de la Figura 2 si la fuente a usarse es de aproximadamente 40 V y la resistencia
de carga es un foco de 100W.

Debemos llevar a los transistores a su estado de saturacin, por lo que se asume para Q2 una corriente de
5mA, y para Q1 una de 30 mA. (Circuito de control 5v)

5[]
1 = = 5 []

5[]
1 = = 1
5 []

Para el Darlington se tiene una fuente de 12 [V]

12[]
2 = = 5 []
2
12[]
2 = = 400 = 330 [] + 56[]
30[]

Dems se asume un 3 = 1

Disear un circuito adicional en la base del TBJ para disminuir los tiempos de conmutacin en el
apagado.
 Traer armado los circuitos diseados.

C.S. Savant, G.L. Carpenter. Diseo electrnico de circuitos y sistemas.