indice

1. Introduo.................................................................................................................. 3

2. Objectivos.................................................................................................................. 4

2.1.Objectivo ................................................................................................................. 4

2.2.Objectivos Especficos ............................................................................................ 4

3. Transstor................................................................................................................... 5

3.1. .Nveis de dopagem ............................................................................................ 5

3.2. Os dodos emissor e coletor ............................................................................... 5

3.3. Transstor BJT.................................................................................................... 5

3.4. Funcionamento ................................................................................................... 6

3.5. Junes com polarizao direta ......................................................................... 7

3.6. Junes com polarizao direta reversa .......................................................... 7

3.7. .Relaes entre corrente no transstor ................................................................ 8

3.8. Configuraes bsicas ........................................................................................ 8

3.9. Regio de operao ............................................................................................ 9

3.9.1. .Regio ativa ............................................................................................... 9

3.9.2. Regio de ruptura........................................................................................ 9

3.9.3. Regio de saturao .................................................................................... 9

3.10. MOSFET ...................................................................................................... 10

3.10.1. .Processo de fabricao............................................................................. 11

3.10.2. Tipos de MOSFET ................................................................................... 11

3.10.3. .MOSFET no modo de depleo .............................................................. 11

3.10.4. Simbologia ................................................................................................ 12

3.10.5. Polarizao e curvas caractersticas do MOSFET no modo de depleo . 12

3.10.6. Amplificadores com MOSFET no modo de depleo.............................. 14

3.10.7. MOSFET no modo de crescimento .......................................................... 14

3.10.8. Simbologia ................................................................................................ 15

 3.10.9. Princpio de funcionamento do MOSFET no modo de crescimento ........ 15

3.10.10. Curvas caractersticas do MOSFET no modo de enriquecimento ........ 16

3.10.11. Aplicaes do MOSFET ....................................................................... 17

3.11. Transstor JFET ............................................................................................ 17

3.11.1. Smbolo dos transstores de efeito de campo de unio ............................. 18

3.11.2. Composio do JFET ............................................................................... 18

3.11.3. Caractersticas Importantes do JFET ........................................................ 19

3.11.4. Diferenas entre o transstor Bipolar de Juno (BJT) e transstor de

juno com efeito de campo (JFET): ...................................................................... 19

3.11.5. Tipos de JFETs e o princpio de funcionamento ...................................... 19

3.11.6. Curvas caracterstica do dreno .................................................................. 21

3.11.7. Tenso de corte ......................................................................................... 21

3.11.8. Curva de transcondutncia........................................................................ 22

3.11.9. Aplicaes de JFET .................................................................................. 22

4. Amplificador operacional ........................................................................................ 23

4.1. Simbologia ....................................................................................................... 25

4.2. Amplificador inversor ...................................................................................... 25

4.3. Realimentao negativa -Amplificador inversor ............................................. 25

4.4. Terra virtual ..................................................................................................... 26

4.5. Amplificador no inversor ............................................................................... 27

4.6. bsico ............................................................................................................... 27

4.7. Caractersticas ideais de amplificador operacional .......................................... 28

4.8. Aplicaes de amplificao operacional .................................................. 28

4.9. Ganho de tenso em malha fechada ................................................................. 28

4.10. Seguidor de tenso ....................................................................................... 29

5. Concluso ................................................................................................................ 29

6. Referncias Bibliogrficas ...................................................................................... 30

 1. Introduo
A inveno do transstor foi um marco para a engenharia eltrica e eletrnica, assim como
para toda humanidade. Com o desenvolvimento dos transstores foi possvel a construo
de equipamentos eletrnicos verdadeiramente portteis funcionando apenas com pilhas
ou baterias. Alm disso, o reduzido volume destes componentes a possibilidade de
associao para implementar funes analgicas ou digitais, das mais diversas,
proporcionou um desenvolvimento sem igual na indstria de equipamentos
eletroeletrnicos. Por tudo isso, o contato com estes dispositivos essencial para o
estudante de engenharia, alm do que, a grande maioria dos circuitos eletrnicos emprega
um ou milhares destes componentes.

O transstor um dispositivo ativo, portanto ele capaz de amplificar a potncia do sinal

de entrada necessitando de uma fonte de alimentao.
O transstor uma conexo de duas junes PN (a mesma dos dodos), capazes de
controlar a passagem de uma corrente.

O presente trabalho surgiu com finalidade de fazer uma introduo ao Transstor e ao

Amplificador Operacional, na qual iremos abordar sobre as principais caractersticas,
assim com o princpio de funcionamento entre outras aplicaes do transstor.

Os transstores bipolares se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e electres, e so

utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto existem aplicaes nos quais os
transstores unipolares com a sua alta impedncia de entrada so uma alternativa melhor.
Este tipo de transstor depende de um s tipo de carga, da o surge o nome unipolar. H
dois tipos bsicos: os transstores de efeito de campo de juno (JFET Junction Field
Effect transstor) e os transstores de efeito de campo de xido metlico (MOSFET).
(CIs), pequenos dispositivos que contem milhares de transstores. Graas ao CI, os
modernos computadores e outros milagres Electrnicos tornaram-se possveis.
 2. Objectivos
2.1.Objectivo Geral
Estudar os transstores e suas principais estruturas relacionais
2.2.Objectivos Especficos
Falar da configurao dos transstores
Verificar os tipos de transstor
Analisar as curvas caractersticas dos transstores
Ver as aplicaes dos transstores.
 3. Transstor
O transstor um dispositivo semicondutor que consiste em duas camadas de material do
tipo e uma camada do tipo ou em duas camadas do tipo e uma camada do tipo . O
primeiro denominado transstor e o outro, transstor (Boylestad & Nashelsky,
2004). Tradicionalmente os transstores se dividem em dois grupos a saber:
1.Bipolares
2.Unipolares ou de efeito de campo

Figura 1: caractersticas dos transstores bipolares (Bertoli, 2006)

3.1..Nveis de dopagem
O emissor fortemente dopado, por outro lado, da base fracamente dopada. O nvel de
dopagem do coletor intermedirio, entre a forte dopagem do emissor e a fraca dopagem
da base. O coletor fisicamente a regio mais larga das trs (Malvino & David, 2011)

3.2.Os dodos emissor e coletor

O transstor tem duas junes; uma entre o emissor e a base e o outro entre o coletor e
base. Por isso o transstor similar a dois dodos virados costa com costa. O dodo de
baixo chamado de dodo_base emissor ou simplesmente dodo emissor. O dodo de
cima chamado de dodo_base coletor ou dodo coletor (Malvino & David, 2011)

3.3. Transstor BJT

O transstor BJT, transstor bipolar de junco (em ingls, BJT bipolar junction transstor).
O termo bipolar vem do facto de que lacunas e eltrons participam no processo de injeo
no material com polarizao oposta. Se apenas um portador empregado (eltrons ou
lacunas), o dispositivo considerado unipolar (Boylestad & Nashelsky, 2004).

Figura 2: Smbolos dos transstores bipolares (Bertoli, 2006)

3.4.Funcionamento

O transstor , por ser o mais utilizado. De maneira simplificada, para compreender a

operao de trabalho do , basta inverter o sentido das tenses e correntes.
Consideremos uma situao em que as duas junes foram polarizadas diretamente, assim
as correntes que circulam sero altas (da ordem de ). Se as duas junes estiverem
polarizadas reversamente, todas as correntes sero praticamente nulas. No entanto, se a
juno da base como o emissor for polarizada diretamente a outra juno polarizada
reversamente, todas as correntes, tambm as correntes de coletor e emissor sero altas,
aproximadamente de mesmo valor. Em polarizao normal (como amplificador), a juno
base-emissor polarizada diretamente e a juno base-coletor reversamente (pinto &
Albuquerque, 2011)

Na juno base-emissor est polarizada diretamente, os eltrons so emitidos no emissor

(que possui alta dopagem), isto , passa a existir uma corrente de (eltrons) indo do
emissor para a base. Os eltrons atingem a base e, por ela ser muito fina e pouco dopada,
quase todos atingem a regio de carga espacial (regio de depleo) da juno base-
coletor, onde so acelerados pelo campo elctrico e direcionados para coletor. Dos
eltrons emitidos no emissor, apenas pequenas parcelas (1% ou menos) consegue se
recombinar com as lacunas da base, formando a corrente de base; os outros (99% ou mais)
atingem a juno do coletor (pinto & Albuquerque, 2011)
 3.5.Junes com polarizao direta
A bateria B1 polariza diretamente o dodo emissor, e a bateria B2 polariza diretamente o
dodo coletor. Os eltrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se na base e
retornam para as baterias. O fluxo de corrente eltrica alto nas duas junes (Bertoli,
2006).

Figura 3:circuito de juno polarizao direta (Bertoli, 2006)

3.6.Junes com polarizao direta reversa

Na Figura 3 o dodo coletor est reversamente polarizado e dodo emissor diretamente
polarizado. A princpio espera-se uma corrente de fuga no dodo coletor e uma alta
corrente no dodo emissor. No entanto isto no acontece, nos dois dodos as correntes so
altas (Bertoli, 2006).

Consideraes:
E= Emissor
B = Base
C = Coletor
IE = Corrente de Emissor
IB = Corrente de Base
IC = Corrente de Coletor
VBE = Tenso Base-Emissor
VCB = Tenso Coletor-Base
VEB = Tenso Emissor-Base
VBC = Tenso Base-Coletor
VCE = Tenso Coletor-Emissor
VEC = Tenso Emissor-Coletor
 3.7..Relaes entre corrente no transstor
A corrente do emissor igual a soma da corrente de base e do coletor = +
mas IB muito menor que IC e representa a parte do fluxo de eltrons atingir o coletor.
Para relacionarmos e pode-se introduzir um parmetro (ganho em corrente
continua).

=

Como menor que tem-se que alfa ser sempre menor que um (01). Podemos
tambm relacionar Ic como . Neste caso, temos o prametro (ganho em corrente
continua), que relaciona a corrente de sada IC, com a corrente de entrada
(Neto & Robson)
I
= = ou =
( 1+) ( 1+)

3.8.Configuraes bsicas

Existem trs configuraes bsicas utilizadas para conectar um transstor. Base comum
(BC), Coletor comum (CC) ou Emissor comum (EC). O lado comum ou o terra de cada
fonte de tenso est conectado ao um dos terminais do transistor. Por isso, o circuito
tratado por conexo em comum. o circuito tem duas malhas. A da esquerda malha da
base e a da direita a malha do coletor ou a da direita a malha da base e a da esquerda
a malha do emissor (Malvino & David, 2011).

Base comum (BC)

Baixa impedncia (Z) de entrada.

Alta impedncia (Z) de sada.
No h desfasagem entre o sinal de sada e o de entrada.
Amplificao de corrente igual a um.

Coletor comum (CC)

Alta impedncia (Z) de entrada.

Baixa impedncia (Z) de sada.
No h desfasagem entre o sinal de sada e o de entrada.
Amplificao de tenso igual a um.
Emissor comum (EC)

Mdia impedncia (Z) de entrada.

Alta impedncia (Z) de sada.
Desfasagem entre o sinal de sada e o de entrada de 180.
Pode amplificar tenso e corrente, at centenas de vezes.

3.9.Regio de operao
3.9.1. .Regio ativa

Tem regies diferentes onde as aes de um transstor mudam. Primeira, existe a regio
do meio, onde VEC est entre 1V e 40 V. Ela representa a operao normal do transstor.
Nessa regio, o dodo, emissor est diretamente polarizado e o dodo coletor est
reversamente polarizado. Alem disso, o coletor est capturando quase todos os eltrons
que o emissor est injetando na base. por isso, que a variao na tenso do coletor no
afeta a corrente do coletor.

3.9.2. Regio de ruptura

O transstor nunca de operar nessa regio porque ele ser danificado. Ao contrrio do
dodo zener, que foi otimizado para funcionar na regio de ruptura, um transstor no foi
projetado para operar na regio de ruptura.

3.9.3. Regio de saturao

Existe a parte onde a curva comea a aumentar onde VEC est entre, 0V e alguns dcimos
de um volt. Nessa regio, o dodo coletor tem uma tenso positiva insuficiente para que
o coletor possa capturar todos os eltrons livres injetados na base. Nessa regio a corrente
na base IB maior que a normal e o ganho de corrente menor que o normal (Malvino
& David, 2011).
 Figura 4: grfico da curva do coletor (Malvino & David, 2011)

3.10. MOSFET
O nome Transistor de Efeito de Campo, ou MOS-FET, vem da sua denominao em
ingls Metal Oxide Semicondutor Field-Effect Transistor, ou traduzindo, transistor de
efeito de campo de xido de metal semicondutor (Oliveira, 1999).
O MOSFET um transistor unipolar, dependendo somente de um tipo de carga, ou as
lacunas ou os electres, comumente usado como chave ou amplificador de sinais
eltricos em projectos.
O MOSFET possui normalmente trs terminais:
Porta;
Fonte e
Dreno.
 Figura 5 Constituio do MOSFET.

Este dispositivo controla a condutividade do canal do condutor por meio da tenso

aplicada entre o canal e a porta. Criando um caminho que conecta o dreno e a fonte com
um isolante (Pinto, 2011).
O canal de superfcie formado na interface entre o corpo de semicondutor e o isolador
de porta (Dorf, 2000).

3.10.1. .Processo de fabricao

O MOSFET fabricado com uma base chamada substrato. Duas regies fortemente
dopadas tipo n so criadas no substrato, originando o dreno e a fonte. Uma camada
isolante de dixido de silcio puro com espessura entre 3nm e 20nm depositada sobre a
regio do substrato entre o dreno e a fonte (Pinto, 2011).

3.10.2. Tipos de MOSFET

Existem dois tipos de MOSFET, o de modo de depleo e o de modo de crescimento ou
intensificao (Malvino & Bates, 2011). Ambos so produzidos com canal N ou P
(Oliveira, 1999).

3.10.3. .MOSFET no modo de depleo

Assim como em um JFET, o MOSFET no modo de depleo considerado um
dispositivo normalmente em condio. Isto , os dois dispositivos apresentam uma
corrente no dreno quando a tenso porta-fonte VGS=0 V (Malvino & Bates, 2011).
Neste dispositivo existe um canal na regio abaixo do dixido de silcio com o mesmo
tipo de dopagem das regies de dreno e fonte, sendo que a concentrao de dopagens no
canal um pouco menos que nas regies de dreno e fonte, conforme o esquema na figura
abaixo.
.
3.10.4. Simbologia
D D

B B
G G

S S

Figura 6 MOSFET canal n e canal P no modo de depleo.

Figura 7 MOSFET canal N no modo de depleo.

3.10.5. Polarizao e curvas caractersticas do MOSFET no modo de depleo

Figura 8 MOSFET com negativa e positivamente polarizado no modo de depleo

Se a tenso VGG for igual a zero, ir circular uma corrente ID no circuito, uma vez que
existe canal para que essa corrente possa fluir. Sendo a porta negativa em relao fonte
tem-se que a camada de metal fica negativa e polariza o isolante. Haver um estreitamento
do canal N, diminuindo a corrente ID no dispositivo segundo a formula abaixo (Malvino
& Bates, 2011).
2
= (1 )

Este estreitamento do canal tanto maior quanto maior a polarizao negativa da porta.
Se aplicar uma tenso positiva porta, haver um alargamento no canal, aumentando a
circulao da corrente ID (Oliveira, 1999).

ID

VGS>0
Dss

Modo de intensificao
IDD
VGS<0
VGS (desligado)

Vp VDS
Figura 9 Curvas de dreno do MOSFET no modo de depleo
Conforme a figura acima, quando VDS=0, a corrente no dreno ser igual a IDD. Isso
demostra que o MOSFET no modo de depleo um dispositivo normalmente em
condio. Quando VGS negativa, a corrente no dreno ser reduzida e quando VGS
positiva, a corrente no dreno ser positiva (Malvino & Bates, 2011).

5.3.3.Princpio de funcionamento
Quando a porta positive em relao ao canal, os electres so atrados do substrato,
aumentando a condutividade do canal. Quando a porta negativa, os electres so
repelidos para fora do canal, diminuindo a condutividade deste. Se a por de porta
suficientemente negativa, o estreitamento do canal pode atingir o valor mximo anulando
a corrente de dreno (Oliveira, 1999).
Figura 10 a) MOSFET de canal N no modo de depleo com tenso VGS=0, b) a reduo
dos portadores livres no canal devido ao potencial negativo na porta

Na figura acima, a tenso porta-fonte ajustada em zero volt devido conexo de um

terminal com o outro, e a tenso VDS aplicada atravs dos terminais dreno-fonte,
resultando em uma atraco dos electres livres do canal N para o potencial positivo do
dreno. A tenso VGS na figura b) negativa, o potencial negativo na porta tender a
pressionar os electres em direco ao substrato do tipo p e atrair lacunas do substrato do
tipo n (Malvino & Bates, 2011).

3.10.6. Amplificadores com MOSFET no modo de depleo

Os MOSFETs no modo de depleo so usados principalmente como amplificadores de
rdio frequncia. Os MOSFETs no modo de depleo apresentam boa resposta a altas
frequncias, geram baixos nveis de rudos elctricos e mantem altos valores de
impedncia de entrada quando VGS negativa ou positiva. Os MOSFETs de porta dupla
podem ser usados em circuitos de controle de ganho automtico (Malvino & Bates, 2011).

3.10.7. MOSFET no modo de crescimento

O modo de crescimento ou enriquecimento refere-se ao aumento de portador de carga
devido aplicao de tenso de porta, este tipo de dispositivo no tem a regio do canal
N, o qual produzido por induo de portadores no prprio substrato p.
Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons livres da
fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos
termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado
desligado (Off). Isto totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo
depleo (Dorf, 2000).

3.10.8. Simbologia

D D

B B
G G

S S
Figura 11 Transistor MOSFET de canal P e canal N de crescimento

O dispositivo de modo de enriquecimento tem uma corrente de dreno extremamente

reduzida para uma tenso nula aplicada na porta. A conduo de uma corrente de dreno
ocorre para uma tenso VGS superior a um valor mnimo (tenso de Threshold) VTh (ou
VGS(Th)). Para valores de tenso na porta superiores a esse mnimo, as curvas
caractersticas so semelhantes s do FET de depleo (BOYLESTAD & NASHELSKY,
2009).

3.10.9. Princpio de funcionamento do MOSFET no modo de crescimento

Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons livres da
fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos
termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado
desligado (BOYLESTAD & NASHELSKY, 2009).
Quando a porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons livres
recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso
suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas ao dixido de silcio so
preenchidas e electres livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo
que a criao de uma fina camada de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa
camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo,
normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres fluem facilmente da fonte para
o dreno (Oliveira, 1999).
O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar,
simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de dreno zero.
Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno
e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar de menos de 1V at mais de 5V
dependendo do MOSFET (Pinto, 2011).

Figura 12 Formao de um canal em um MOSFET de canal N no modo de enriquecimento

3.10.10. Curvas caractersticas do MOSFET no modo de enriquecimento

A figura abaixo mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificao
e reta de carga tpica. No grfico ID x VDS, a curva mais baixa para VGS(th). Quando
VGS maior que VGS(th), a corrente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste
estgio o MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (regio hmica) quanto uma
fonte de corrente. A curva ID x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva
quadrtica. O incio da parbola est em VGS(th) (BOYLESTAD & NASHELSKY,
2009).
= ( () )2
Figura 13 Caractersticas de transferncia de um MOSFET de canal N no modo de
enriquecimento.

3.10.11. Aplicaes do MOSFET

O MOSFET possui dois tipos principais de aplicaes:
Chaveamento- Se a tenso de limiar for maior que a tenso de porta-fonte, ento
o transstor conduz corrente elctrica.
Amplificadores- como amplificador, destaca-se o uso para amplificadores de
rdio frequncia de alta frequncia e amplificador de potncia.
As aplicaes de MOSFET mais comuns so:
Misturadores de frequncia;
Circuitos de comutao de frequncia;
Amplificadores em corrente contnua.

3.11. Transstor JFET

A sigla JFET significa Junction Field Efect. Transstor (transstor de juno com efeito
de campo) um tipo de transstor que usa um campo elctrico para controlar a
condutividade de um canal de um nico tipo de portador de carga no
material semicondutor.
 3.11.1. Smbolo dos transstores de efeito de campo de unio
O transstor da figura 1.a) um JFET de canal n porque o canal entre a fonte e o dreno
um semicondutor tipo n.
A figura abaixo mostra o smbolo esquemtico para um JFET do tipo n e tipo p onde todas
as tenses e correntes so invertidas (Malvino & Bates, 2011).

(a) (b)

Figura 14: Smbolos do JFET do tipo n smbolo(a) e tipo p smbolo (b).

3.11.2. Composio do JFET

O JFET um tipo unipolar de transstor. Esse nome deriva do facto de que a maioria dos
portadores de cargas fluindo atravs do transstor somente de electres como o caso
do transstor JFET com canal N de fraca dopagem e em cujas extremidades so fixados
dois terminais: fonte (S) e dreno (D), ou apenas lacunas como no caso do transstor JFET
com canal P em que fixada o terminal denominado de porta (G) (Andrey, 1999).

Figura 15: Estrutura do JFET do tipo n e tipo p.

 3.11.3. Caractersticas Importantes do JFET
As principais caractersticas do JFET so:

Controle por Tenso: a corrente entre o dreno e a fonte controlada pela tenso
aplicada na porta, em contraste com o transstor BJT, cuja corrente de coletor
controlada pela corrente de base.
Alta Impedncia de Entrada: para que seja possvel o controle de corrente do canal n
necessrio que se produza uma polarizao reversa das junes da porta,
provocando desta forma um aumento na regio de depleo destas junes e em
decorrncia disto um estreitamento do canal; com isto, tem-se baixas correntes de
porta, e consequentemente, alta impedncia.
Curvas Caractersticas: o comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas
curvas de dreno e de transcondutncia.
Outras Caractersticas: os transstores JFET apresentam menores ganhos em relao
aos transstores BJT e em decorrncia disto tm maior estabilidade trmica;
geometricamente, os JFET tm dimenses menores quando comparados com os
transstores BJT (Horowitz & Hill, 2015).

3.11.4. Diferenas entre o transstor Bipolar de Juno (BJT) e transstor de juno

com efeito de campo (JFET):
- O TBJ controlado por corrente enquanto o JFET controlado por tenso;
- O JFET possui dimenses menores em relao ao TBJ, sendo mais adequado para
a construo de circuitos integrados;
- Usa-se o TBJ para obter grandes ganhos de tenso e os JFETS para altas
impedncias de entrada.

3.11.5. Tipos de JFETs e o princpio de funcionamento

O termo de efeito de campo (efeito de um campo elctrico) derivado a partir do
princpio de funcionamento destes transstores no que diz respeito camada de
depleo (camada de depleo). Esta camada formada entre o semicondutor do tipo n
e do tipo p, devido fuso de electres e as lacunas nas imediaes da borda. Da mesma
forma que o campo elctrico, esta camada de depleo pode aumentar ou diminuir
dependendo da tenso entre a porta para a fonte. Na Figura 2 acima, a camada de depleo
mostrada a amarelo sobre a esquerda e para a direita (Oliveira, 1999).
Os transstores JFET esto divididos em 2 tipos das quais temos:
 JFET do tipo n

Para explicar o princpio de funcionamento do JFET do tipo n revista estrutura do JFET

do tipo n. O dreno e fonte deste transstor so feitos com o semicondutor do tipo n e a
porta com o tipo p. A figura seguinte mostra como o transstor dado a uma tenso de
polarizao. A tenso de polarizao entre a porta e a fonte chamado de polarizao de
voltagem inversa ou polarizao negativa.

Figura 16: tenso de polarizao de um JFET do tipo n

JFET do tipo P

Transstor JFET do tipo p tem o mesmo princpio com o JFET do tipo n, apenas os canais
utilizados um semicondutor do tipo p. Assim, a polaridade da tenso e corrente de
direo oposta, se comparado com o transstor JFET do tipo n, o smbolo do JFET do tipo
p o mesmo, apenas com diferentes setas direcionais.

Figura 17: tenso de polarizao de um JFET do tipo p

 3.11.6. Curvas caracterstica do dreno
O circuito abaixo mostra um JFET com tenses de polarizao normal. Neste circuito, a
tenso porta-fonte VGS igual tenso de alimentao da porta VGG e a tenso dreno-
fonte VDS igual tenso de alimentao do dreno VDD (Malvino & Bates, 2011).

Figura 18: JFET com tenses de polarizao normal e curva de drenagem ID versus VDS

Onde:

ID =corrente do dreno.

IDSS =corrente de dreno para fonte com porta de curto-circuito

VGS=tenso entre a porta e fonte.

VGS corte= tenso de constrio.

3.11.7. Tenso de corte

A figura abaixo mostra as curvas de dreno para um JFET com uma IDSS de 10 mA. A
curva sempre para VGS=0, a condio de porta em curto-circuito. Neste exemplo, a
tenso de estrangulamento de 4 volts e a tenso de ruptura de 30 volts. A curva
imediatamente abaixo para VGS=-1 volt, a prxima para VGS=-2 volts e assim
sucessivamente. Quanto mais negativa a tenso porta-fonte, menor a corrente de dreno
(Boylestad & Nashelsk, 2004).
 Figura 19 Curva de dreno.

3.11.8. Curva de transcondutncia

A curva de transcondutncia de um JFET um grfico de ID versus VGS. Fazendo a leitura
dos valores de ID e VGS para cada curva de dreno pode-se traar a curva. A curva no
linear porque a corrente aumenta mais rpido quando VGS aproxima de zero (Malvino &
Bates, 2011).

Figura 20 Curva de transcondutncia

3.11.9. Aplicaes de JFET

JFET aplicado como chaveamento analogico, nesta aplicao o JFET funciona Como
Uma chave que transmite ou bloqueia um pequeno sinal C.A. para obter esse tipo de
funcionamento a tenso ponto de fonte VGS tem apenas dois valores : zero ou um valor
maior que VGS (corte).

aplicado como uma chave serie

aplicado como uma chave paralela
 Recortador de um JFET no pode competir com transistor bipolar, para a maioria
das aplicao de amplificaoes, mas a sua propriedades no usais fazem dele o
melhor escolha de uma aplicao.
Multiplixidade analogica , um circuito que guia um ou mais de um sinal de entrada
para alinha de saida funciona como chave em srie

A tabela aseguir indica as aplicacoes, vantagens e utilizao dos JFET

Aplicao Vantagem principal Utilizacao

Reforador Alta Zin, baixa Zout
Amplificador de RF Baixo rudo
Misturador de RF Baixa distoro
Amplificador AGC Facilidade no controle do ganho
Amplificador cascode Baixa capacitncia de entrada
Amplificador recortador Sem derivao (drift)
Resistor varivel Tenso controlada
Amplificador de udio Capacitores de acoplamentos
de baixos valores
Oscilador RF Frequncia mnima de deriva
Uso geral em equipamentos
de medicao, receptores
Sintonizadores de FM,
equipamentos de
comunicao
Receptores de FM e televiso
e equipamentos de
comunicao
Receptors e geradores de
sinais
Instrumentos de medicao e
equipamentos de teste
Amplificadores CC, sistemas
de controle de orientao
Amplificador operacional e
controle de tons para rgos
Auxilio na medicao e
transdutores indutivos
Frequncias padronizadas e
receptores

4. Amplificador operacional
 um amplificador diferencial de ganho muito alto com impedncia de entrada muito alto
com impedncia de sada baixa.
O estgio de entrada de um amp -dif, seguido por mais estgios de ganho e um seguidor
de emissor push-pull classe B. Como amp- dif o primeiro estgio ele determina as
caractersticas de entrada de amp-op. Na maioria dos amplificador operacional a sada
com terminao simples, com fontes positivas e negativas, a sada com terminao
simples projetada para ter um valor quiescente zero. Dessa forma, uma tenso de entrada
zero resulta idealmente numa tenso de sada zero.
Nem todos os amplificadores so projetados como a figura a baixo. Por exemplo, alguns
no usam uma sada push pull classe B e outros podem ter sada com terminao dupla,
alm disso, os amplificadores operacional no so simples como sugere a figura abaixo.
O projeto interno de um amplificador operacional monoltico muito complexo, com
dezenas de transstores como espelhos de corrente, cargas ativas e outras inovaes que
no so possveis implementadas em projetos discretos. Para as nossas necessidades a
figura em baixo apresenta duas caractersticas importantes que se aplicam amplificador
operacional tpico: a entrada inversora no inversor e uma sada com terminao
simples.

Figura 21 diagrama de bloco de um amplificador operacional

 4.1.Simbologia

Figura 214 Smbolo esquemtico para um amplificador operacional

4.2.Amplificador inversor
o circuito com amplificador operacional mais bsico. Ele usa realimentao negativa
para estabilizar o ganho de tenso total. O motivo da necessidade de estabilizar o ganho
de tenso total porque Avol demasiado grande instvel para ser usada sem forma de
realimentao.

4.3.Realimentao negativa -Amplificador inversor

Um amplificador inversor. Para simplificar o desenho, as tenses das fontes de
alimentao no foram mostradas na figura a baixo. Uma tenso de entrada Vin acciona
a entrada inversora por meio do resistor R1. Isso resulta numa tenso na entrada inversora
de V2 Ateno de entrada amplificada pelo ganho de tenso em malha aberta produzido
uma tenso de sada invertida. A tenso de sada alimentada de volta na entrada por
meio de um resistor de realimentao Rf, isso resulta em uma realimentao negativa
porque a sada 180 grau para fora em relao a entrada. Em outras palavras, quaisquer
variaes V2 produzidas pela tenso de entrada esto em oposio ao sinal de sada.
Eis como a realimentao negativa estabiliza o ganho de tenso total: se o ganho de tenso
em malha aberta Avol aumenta por qualquer razo, a tenso de sada aumenta e realimenta
mais temo na entrada inversora. Essa tenso de realimentao oposta reduz V2.portanto
ainda que Avol tenha aumentado, V2 diminui e a sada final aumenta muito menos do
que o correria sem a realimentao negativa. O resultado geral que o aumento na tenso
de sada tao pequeno que difcil de ser notar.
 Figura 23 Amplificador inversor

4.4.Terra virtual
Quando conecta-se um pedao de fio entre um ponto do circuito no GND, a tenso no
ponto torna-se zero. Alm disso o fio proporciona um caminho para a corrente at GND
um terra mecnico (um fio entre um ponto GND) ponto de GND tanto para a tenso
quanto para corrente. Esse tipo de terra um artifcio bastante usando na anlise de um
amplificador inversor. Com um terra virtual, a anlise de um amplificador inversor e
circuitos relacionados torna-se incrivelmente fcil. O conceito de terra virtual baseado
no amplificador operacional ideal. Quando um amplificador operacional ideal, tem um
ganho de tenso em malha aberta infinito e uma resistncia de entrada infinita. Por isso
pode-se deduzir as seguintes propriedades ideias para o amplificador inversor da figura
abaixo a baixo

Figura 24 amplificador operacional ideal

1.como Rin i2 zero
2.como Avol infinito,v2 zero
Como i2 zero, a corrente atravs de Rf tem que ser igual corrente de entrada atravs
R1, alm disso, como v2 zero, o terra informa que a entrada inversora a tua como um
terra para a tenso. Mas um circuito aberto para corrente, o terra muito incomum.
como se ele fosse um terra parcial porque um curto-circuito para tenso, mas um circuito
aberto para a corrente. Para lembrar dessa qualidade de terra usa uma linha tracejada entre
a entrada inversora e GND. A linha tracejada significa que nenhuma corrente pode fluir
para GND. Embora o terra virtual seja uma aproximao ideal, ele proporcional resposta
muito precisas quando usando com uma fonte realimentao negativa.

4.5.Amplificador no inversor
Amplificador no inversor um outro circuito bsico com amplificador-operacional. Ele
usa realimentao negativa para estabilizar o ganho de tenso total. Com esse tipo de
amplificador a realimentao negativa tambm aumenta a impedncia de entrada e
diminui impedncia de sada.

4.6.bsico
O circuito equivalente de um amplificador no- inversor.
Uma tenso de entrada Vin aciona a entrada no inversora. Essa tenso de entrada
realimentada na entrada atravs de um divisor de teno. Ateno R1 realimentao
aplicada na entrada inversora. Essa tenso de realimentao e quase iguala tenso de
v2.devido ao alto ganho de tenso em malha aberta, a diferencia entre V1 e V2 muito
pequena. Visto que a tenso de realimentao se o pe tenso de entrada, temos uma
realimentao negativa.

Figura 25 O circuito equivalente de um amplificador no- inversor

Como realimentao negativa estabiliza o ganho de tenso total: se o ganho de tenso em
malha aberta Avol aumentar porque qualquer razo, a tenso de sada ira aumentar e
realimentar mais tenso na entrada inversora. Essa tenso de realimentao em posio
reduz a tenso de entrada lquida V1-V2. Portanto, ainda que Avol aumenta,V1-V2
diminui e a sada final aumenta bem menos do que a correria sem, a realimentao
negativa. O resultado final apenas um pequeno aumento de tenso de sada
(BOYLESTAD & NASHELSKY, 2009).

4.7.Caractersticas ideais de amplificador operacional

Impedncia de entrada infinita
Impedncia de sada nula
Ganho de tenso infinita
Resposta de frequncia infinita
Insensibilidade a temperatura
O amplificador ideal representa um amplificador de tenso perfeito de tenso
controlada por tenso (vcsv- voltage controlled voltage souse).

4.8.Aplicaes de amplificao operacional

Amplificador somador
Sempre que precisamos combinar dois ou mais sinais analgicos em uma nica sada, o
amplificador somador mostrado na figura em baixo uma escolha natural. Por questo
de simplicidade o desenho abaixo mostra a penas duas entradas mas podemos ter tantas
entradas quantas forem necessrias para aplicao. Um circuito como esse amplifica cada
sinal de entrada. O ganho de cada canal ou entrada dado pela razo entre a resistncia
de realimentao e a resistncia da entrada desejada (Malvino & David, 2011).

4.9.Ganho de tenso em malha fechada

Rf Rf
Av1= e Av2(cl)=
R1 R2

O circuito somador combina todos sinais de entrada amplificados em uma nica sada
por:

= 1()1 + 2()2
 4.10. Seguidor de tenso
O seguidor de tenso equivale a um seguidor de emissor, excepto que funciona muito
melhor que o segundo.
A figura abaixo mostra o circuito equivalente para um seguidor de tenso. Embora mostre
simples, o circuito bem prximo do ideal porque a realimentao negativa mxima.
Como podemos ver, a resistncia de realimentao zero. Portanto toda a tenso de sada
realimentada na entrada inversora por causa do curto circuito virtual entre as entradas
do amplificador operacional, a teno de sada igual de entrada (Malvino & David,
2011):
=
O que significa que o ganho de tenso em malha fechada :
() = 1
Portanto, o seguidor de tenso um circuito seguidor perfeito porque produz uma tenso
de e sada exatamente igual tenso de entrada.

Figura 215 Circuito equivalente para um seguidor de tenso

5. Concluso
Com o trmino do presente trabalho grupo pode concluir que os transstores so
dispositivos muito importante visto que tiveram uma contribuio muito grande para o
avano da electrnica. Os JFETs e MOSFETs so transstores de efeito de campo, o
nome d-se devido ao efeito de campo elctrico provocada pela tenso na camada de
depleo, os JFETs que deram origem aos circuitos integrados devido ao seu tamanho
uma vez que menor que os transstores bipolar. Quanto as vantagens do JFET em relao
aos BJTs os JFETs so reforador, com alta impedncia de entrada e da baixa
impedncia de sada. Essa a razo de o JFET ser uma escolha natural no estgio inicial
dos multmetros, osciloscpio e outros equipamentos similares em que necessrio uma
alta impedncia de entrada de 10M ou mais visto que a resistncia de entrada na porta
de um JFET deve ser acima de 100M. Os JFETs tm vrias aplicaes das quais podem
ser um ser usadas como amplificadores de pequeno sinal, sua tenso de sada tem uma
relao linear com tenso de entrada porque usada apenas uma pequena parte da curva
de transcondutncia. Os JFETs so sempre usados em amplificadores de RF.

Os MOSFETs no modo de depleo se igualam aos BJTs e JFETs na construo das curvas
caractersticas.

6. Referncias Bibliogrficas
Bertoli, A. R. (Setembro de 2006). APOSTILA ELETRNICA BASICA.
Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2004). DISPOSITIVOS ELETRNICOS e teoria de
circuitos 8 Edio. So Paulo.
BOYLESTAD, R., & NASHELSKY, L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y
Dispositivos Electrnicos. Mxico: PEARSON EDUCACIN.
Dorf, R. (2000). The Electrical Engineering Handbook (2 ed.). (I. Woodall, Ed.) New
York: CRC Press LLC.
Malvino, A., & Bates, D. (2011). Electronica (7 ed., Vol. I). (A. E. Ltda, Ed., & R.
Abdo, Trad.) Porto Alegre.
Malvino, A., & David, J. B. (2011). Eletrnica Volume 1 Setima Edio. Porto Alegre:
Mc Graw Hill.
Neto, E. d., & Robson, R. s. (s.d.). Instrumentao Eletrnica Geral. 1999.
Oliveira, J. (1999). Electrnica Bsica- Instrumentao. Esprito Santo: SENAI.
pinto, L. F., & Albuquerque, R. O. (2011). ELETRNICA Eletrnica Analgica. Sao
Paulo.
Pinto, L. T. (2011). Electronica-Electronica Analogica (2 ed., Vol. II). (F. P. Anshieta,
Ed.) Sao Paulo.