Propiedades del Ge, Si y GaAs

Ge Si GaAs
3
tomos/cm 4.421022 5.01022 4.421022
Peso atmico 72.60 28.09 144.63
Campo de ruptura (V/cm) ~105 ~3105 ~4105
Estructura cristalina Diamante Diamante Blenda
Densidad (g/cm3 ) 5.3267 2.328 5.32
Constante dielctrica relativa 16.0 11.9 13.1
Densidad efectiva de estados en la 1.041019 2.81019 4.71017
banda de conduccin, NC (cm3 )
Densidad efectiva de estados en la 6.01018 1.041019 7.01018
banda de valencia, NV (cm3 )
Masa efectiva reducida, m* /m0
Electrones m* l=1.64 m* l=0.98 0.067
m* t =0.082 m* t =0.19
Huecos m* lh =0.044 m* lh =0.16 m* lh =0.082
m* hh =0.28 m* hh =0.49 m* hh =0.45
Afinidad electrnica, (V) 4.0 4.05 4.07
Gap de energa (eV)
EG(T)=EG(0)-( T2 )/(T+)
EG(0) 0.7437 1.170 1.519
4.77410-4 4.7310-4 5.40510-4
235 636 204
300K 0.66 1.12 1.42
Concentracin intrnseca, ni (cm-3 ) 2.41013 1.451010 1.79106
Resistividad intrnseca ( cm) 47 2.3105 108
Parmetro de red () 5.64613 5.43095 5.6533
Punto de fusin (C) 937 1415 1238
Tiempo de vida medio de los 10-3 2.510-3 ~10-8
portadores minoritarios (s)
Movilidad (cm2 V-1 s-1 )
Electrones 3900 1500 8500
Huecos 1900 450 400

Constantes fsicas y algunas unidades

Nombre Smbolo Valor

Angstrom 10-10 m
Nmero de Avogadro NAVO 6.022041023 mol-1
Constante de Boltzmann K 1.3806610-23 J/K
Carga elemental q 1.6021810-19 C
Masa del electrn en reposo m0 0.9109510-30 Kg
Electrn volt eV 1.6021810-19 J
Permeabilidad del espacio libre 0 410-9 H/cm
Permitividad del espacio libre 0 8.8541810-14 F/cm
Constante de Plank h 6.6261710-34 Js
Tensin trmica Vt =KT/q 0.0259 V