Microcontroladores y Electrnica de Potencia

Unidad 6:
Principios de Electrnica de Potencia
 Regulacin de potencia

En aplicaciones de alta potencia se utiliza casi exclusivamente el rgimen de

Conmutacin, con mtodos como PWM, control de fase (subciclo) o control multiciclo.
Segn las caractersticas dinmicas del sistema a controlar, se requieren frecuencias de
conmutacin de pocas decenas de Hz a cientos de KHz.
Los dispositivos de control trabajan como llaves que pasan del estado abierto (bloqueo)
a cerrado (conduccin) mediante una entrada de control.

Dispositivo
carga Terminal
de control
de control

Fuente

Terminal Dispositivo
carga
de control de control

Low side High Side

 Llave ideal

Cada de voltaje nula en conduccin, sin lmite de corriente.

Corriente de fuga nula en bloqueo, sin lmite de voltaje.
Paso instantneo de un estado al otro.
Control sencillo, como valores lgicos de tensin (0-5v) con mnima demanda de corriente.

I Control

Conduccin I

P=V.I

V
Bloqueo
 Llave real (diodo, transistor, tiristor etc)
Cada de voltaje durante la conduccin, del orden de 1 2 volts en dispositivos bipolares, o por
efecto de una resistencia de conduccin del orden de miliohms en dispositivos unipolares.
Corrientes de fuga durante bloqueo, encendido inducido por excesiva dV/dt.
Tiempo de conmutacin finito, de ns a decenas/cientos de s (particularmente el Toff), que
produce prdidas en el dispositivo, consecuentemente prdida de rendimiento y calentamiento.
Lmites de potencia, corriente y tensin.
Efectos que dificultan el bloqueo o producen oscilaciones en la conmutacin.
Efectos que producen la destruccin durante el bloqueo o la conduccin.
Necesidad de circuitos de control de diversa complejidad.

I Control

Conduccin I

I fuga P=V.I

V cada V
Bloqueo
 Problemas (temas de estudio)
de la Electrnica de Potencia
Topologa del control (esquema circuital) dada la aplicacin.

Dispositivos: Conocimiento de la tecnologa de los dispositivos, materiales, construccin,

principio de funcionamiento, SOA, caractersticas estticas y dinmicas, elctricas y
trmicas, para definir su mbito de aplicacin. O, dada la aplicacin, elegir con criterio el
dispositivo adecuado.

Circuitos y tcnicas para el encendido, apagado, proteccin e inmunizacin (snubbers).

Tcnicas de agrupamiento de dispositivos para aumentar su capacidad de bloqueo

(dispositivos en serie) o de conduccin (dispositivos en paralelo), y efectos que limitan las
prestaciones de los agrupamientos.

Encapsulados, Montajes y tcnicas para disipacin del calor, robustez frente a ciclos
trmicos, aislacin elctrica.

Medicin de grandes corrientes en CC y CA.

Gestin de sistemas: encendido, setpoints, diagnstico de alarmas y fallas

SOA: Safe Operating Area. rea de funcionamiento seguro
 Pasos en el diseo de un sistema de potencia
1) Especificaciones externas:
Dadas por la aplicacin.
Niveles de tensin, corrientes e impedancias de las fuentes de entrada
(monofsica, trifsica, CC etc) y cargas de salida (motores CC-CA, R etc)
Condiciones ambientales: Trmicas, baromtricas, electromagnticas etc.
Otras restricciones, normativas etc.
2) Topologa y modo de control:
Esquema de conexionado de dispositivos (llaves, diodos, elementos
reactivos) segn fases y niveles de tensin/corriente de entrada y salida.
3) Especificaciones internas:
Corrientes, tensiones y frecuencias de conmutacin de los elementos
derivadas de la topologa escogida.
4) Dispositivos: Eleccin de elementos activos. Tipo (MOSFET, IGBT, Tiristor, BJT
etc) y modelos segn corrientes, tensiones y frecuencias.
5) [Agrupamiento]: Considerar la posibilidad en caso de rangos muy exigentes de
corriente o tensin.
6) Clculo trmico: Estimacin de las prdidas en conmutacin (potencia a disipar), clculo de
disipadores /ventilacin a partir del incremento de temperatura admisible e
impedancias trmicas de encapsulados, reclculo de disipadores.
7) Circuitos de excitacin/bloqueo, proteccin e inmunizacin:
Dimensionamiento de drivers, snubbers, aislaciones, diodos de avalancha
etc.
8) Diseo de montaje definitivo:
Accesorios y tcnicas de sujeccin mecnica, aislacin trmica y elctrica,
cableados.

Es un proceso iterativo, puede requerir replanteo an de las primeras etapas

 1) Algunas aplicaciones de la Electrnica de Potencia
Control de movimiento
Vehculos elctricos (motos, automviles, autobuses, trenes, AGVs etc)
Transportadores (ascensores, escaleras mecnicas, cintas etc)
Control de traccin/velocidad, freno regenerativo.
Bombas, ventiladores y compresores.
Rotacin constante, poca variacin de par.
Mquinas-herramienta, Robtica (control en posicin/velocidad/torque)
Control preciso de posicin, velocidad y/o torque
Generadores elicos, hidroelctricos, a combustible.
Basados en alternadores en su ltima etapa
Mquinas extrusoras, rotativas, textiles
Control de velocidad proporcional.
Otras
Fuentes de alimentacin. Cargadores/inversores para generadores
solares/bateras.
Rectificacin CA/CC, Control de corriente y tensin en DC, generacin de CA.
Hornos elctricos resistivos, cubas de electrlisis etc.
Carga resistiva/capacitiva.
Correctores de factor de potencia
Intercambio de energa con la red para compensar atraso de corriente.
 Conversin de potencia implicada en las aplicaciones

Reguladores de Vcc (CC/CC) Rectificador

Lineales o disipativos CC CA
Inversor/ondulador
V1 V3, f1
Conmutados: Reductores o elevadores
Reguladores de Vca, sin cambio de f Convertidor
indirecto de f F1!=F2: Ciclo-
Basados en transformadores e inductancias
convertidor
Basados en CA/CC y CC/CA (ej UPS)
Reguladores de Vca con cambio de f Regulador F1=F2:
CC-CC Regulador CA
Cicloconvertidores
UPS Convertidor
indirecto de Vcc
Rectificadores CA/CC. CC CA
V2 V3, f2
No controlados (diodos).
Controlados (tiristores y transistores)
Inversores CC/CA

Otros: Interruptores estticos de CC y CA, filtros activos de I y V ,

acondicionadores conmutados, correctores de Factor de Potencia
 2) Topologas 3) Especificaciones internas
Interruptores estticos de CC y CA

Reguladores de Vcc Convertidores Trifsicos

Inversores CC/CA
4) Dispositivos de conmutacin de potencia PSD
NO CONTROLADOS PSD: Power switching devices
I PCT: Phase Controlled Thyristor
Diodos GTO: Gate Turn Off Thyristor
P-N IGCT: Integrated Gate Controlled Thyristor
IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor
P-I-N (alta tensin) V HV IGBT: High Voltage IGBT
Schottky (alta velocidad) SJ MOS: Super Junction MOSFET

CONTROLADOS (por terminal denominado base o puerta)

Tiristores Bloqueo Conduccin
PCT
IGCT I I
GTO
Transistor Bipolar
V V
MOSFET
VMOS/DMOS
I I
Trench MOS
SJ MOS
IGBT V V
IGBT1,2,3,4 (en MOSFETs hay conduccin
por diodo zener integrado)
Dispositivos en el lmite tensin/corriente
Dispositivos en el lmite tensin/corriente
 Dispositivos para bloqueo de alto voltaje

A
Tiristores / PCT Mnima prdida en conduccin Baja frecuencia de trabajo.
Alta confiabilidad Necesidad de circuitos para bloqueo
Sensible a dV/dt (requiere snubber) G
K

GTO Bloqueo por puerta. Altas prdidas en conduccin

Frecuencia de trabajo hasta cientos Demanda potencia de control en
de Hz puerta.
Sensible a dV/dt (requiere snubber)

IGCT Mnima prdida en conduccin

Alta confiabilidad. Resiste alta dV/dt
Bloqueo por puerta.
Frecuencia de trabajo hasta kHz

IGBT Bloqueo por puerta. Altas prdidas en conduccin

Frecuencia de trabajo de 10kHz comparado con los tiristores
mnimo
Muy baja demanda de potencia en
puerta.
 Dispositivos en la frontera actual
Potencia a controlar [VA] / Frecuencia de conmutacin [kHz]

PCT: Phase Controlled Thyristor

GTO: Gate Turn Off Thyristor
108 [VA]

IGCT: Integrated Gate Controlled Thyristor

IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor
PCT

HV IGBT: High Voltage IGBT

SJ MOS: Super Junction MOSFET
106

GTO
104

SJ MOS

MOSFET
102

101 102 103 104 105 [Hz]

 Dispositivos de alta velocidad: MOSFET o IGBT

IGBT or MOSFET: Choose Wisely

Carl Blake and Chris Bull, International Rectifier
Campo de aplicacin en espacio V-I-F
 Diodos
K K K

Smbolos
A A A

PN Schottky Zener/avalancha

Encapsulados
 Diodos de potencia

Tipo de diodo V ruptura Imax Vfw Tsw Aplicacin

Rectificadores de 30kV 500mA 10V 100ns Circuitos de alta tensin
alta tensin
Propsito 5kV 10kA 0.7 a 2.5V <25s Rectificadores 50Hz
general
Rpidos (fast 3kV 2kA 0.7 a 1.5V <5s Conmutacin <100kHz
recovery)
Diodos Schottky 100V 300A 0.2 a 0.9V 30ns Conmutacin f>100kHz
Diodos Zener de 300V 75W (Ir) Referencia y
potencia enclavamiento
 Diodo PN
25
150

I de Pico nico

I de Pico repetitivo
Valores mximos de
corriente en conduccin
Imedia

Cada Vd
en directo

Valores mximos de
tensin en bloqueo
 Diodo PN

Recuperacin directa Recuperacin inversa

ta: tiempo de almacenamiento

tc: tiempo de cada
tr: tiempo de recuperacin inversa

Modelo equivalente en alta

velocidad de conmutacin
(recuperacin inversa)
 Diodo Schottky

Menor capacitancia equivalente (Menor tiempo de

recuperacin inversa (40 pf frente a 400 pf)
Menor cada de tensin en directo (0,8V frente a 1,2V)
 Tiristores
Smbolo

SCR (estndar) GTO IGCT

Encapsulados
 Tiristores: Tiristor estndar
Proceso de disparo Curva de salida

Modelo

Estructura fsica
Pastilla
 Tiristor/GTO (apagado por puerta)

GTO

Para apagarlo por puerta debe drenarse un 20% de la corriente principal A-K
 IGCT (Tiristor controlado por puerta integrada)

Un wafer IGCT de unos 2700 segmentos de ctodo

agrupados en 10 anillos, rodeados por la
metalizacin de puerta. El anillo central es el punto
de contacto de los terminales de puerta
Tensin de bloqueo 4 a 10 kV
Corrientes hasta unos 7 kA

IGCT

Circuito de
puerta
 Transistores
Smbolos

Bipolar NPN
MOSFET de IGBT
enriquecimiento

Encapsulados
 Transistor Bipolar de Potencia

Estructura
Transistor Bipolar de Potencia: Curvas de salida - SOA

MJ14001
FBSOA

Circuitos de proteccin (rama inferior)

Transistor Bipolar de Potencia: Conmutacin
MOSFET de Potencia
MOSFET: Curvas de salida directa-inversa

Vgs>Vth
 MOSFET: SOA (FBSOA SSOA)
BIPOLAR MOSFET

FBSOA (Forward SOA)

SOA en Transistor Bipolar

SSOA (Switched SOA)

 MOSFET de potencia: Tecnologas

V-MOSFET, D-MOSFET SJ-MOSFET (CoolMOS)

Trench-MOSFET
HEXFET etc
 MOSFET de potencia: elementos intrnsecos
CGS RG

RW
CGD

CDS
RD

Parmetro Descripcin
Cgs Capacitancia puerta- Solapamiento dIndependiente de Vds
fuente e la metalizacin entre G y S.
Cds Capacitancia drenaje- Capacitancia de juntura entre la zona N de
fuente deplexin y la zona P. Disminuye a mayor Vds
Cgd Capacitancia puerta- Capacitancia de Miller por solapamiento entre CISS=CGS+CGD C de entrada
drenaje la puerta y la zona de deplexin.
Rg Resistencia interna de Resistencia del silicio de puerta.
CRSS=CGD C reversa
puerta
Rd Resistencia de Resistencia de la regin N, parte central de la
Drenaje Rdson
COSS=CDS+CGD C de salida
Rw Resistencia lateral de Resistencia Base-Emisor del NPN parsito.
la zona P.
Application Note AN-1084 - Power MOSFET Basics International Rectifier
 MOSFET de potencia en conmutacin

Modelos para conmutacin

Nota: Efecto Miller

CM = (1+Av). CDG
 MOSFET de potencia: Encendido por corriente

Encendido:
t0-t1: La VGS no llega a VG(TH) del MOSFET, ID=0
t1-t2: ID comienza a aumentar pero VD no cae porque el diodo D, durante su recuperacin inversa, es
prcticamente un cortocircuito y puentea a la carga.
t2-t3: Una vez bloqueado el diodo D, Una gran dVDS/dt negativa se acopla por CGD (capacitancia de Miller)
impidiendo aumentar la VGS (IG debe cargar la CGD)
t3: IG termina de cargar las capacitancias CGD y CGS y prosigue el aumento de VG hasta la plena conduccin
(aunque en la grfica no se refleja, una mayor VGS produce una RDS(on) menor, y en consecuencia menores
prdidas de conduccin.
Apagado:
Aparecen fenmenos similares que retrasan el apagado. Al aplicar una Ig negativa Vgs disminuye, pero en cuanto
Vds comienza a aumentar, la dVDS/dt positiva se acopla por Cgd impidiendo bajar Vgs. Una vez descargada Ciss
(Cgd+Cgs). Vgs contina bajando y en consecuencia Id, hasta llegar a Vgsth y de all al bloqueo. En caso de carga
inductiva aparece una sobretensin en Vd, moderada por el diodo de recirculacin D. (ver IGBT)
MOSFET de potencia: Encendido inducido (no deseado)

Encendido (no deseado) por dVd/dt:

Por puerta a travs de Cgd
Cgd.Rg.dVd/dt >= Vth dVd/dt >= Vth/(Cgd.Rg)
Por encendido del transistor interno a travs de Cdb
Cdb.Rb.dVd/dt >= Vbe(th) dVd/dt >= Vbe(th)/(Cdb.Rb)
 IGBT: Similitudes y diferencias con MOSFET

MOSFET IGBT
IGBT: elementos intrnsecos-circuito equivalente
IGBT: Curvas caractersticas directa/inversa
IGBT: Tipos
IGBT: Generaciones
 Efectos durante la conmutacin del IGBT

CGC es la capacitancia parsita G-C, grande con bajos valores de

VCG, y menor para alta VCG. Produce un efecto de realimentacin
negativa de la tensin de C a G (efecto Miller)
CCE es la capacitancia del diodo integrado entre CyE, que se carga
durante el bloqueo.
 Efectos en la conmutacin del IGBT: Conduccin

IC
VCE

VS VGE

t0 t1t2 t3 t4
Encendido por tensin:
t0-t1: La VGE no llega a VGE(T) del IGBT, IC=0
t1-t2: Crece IC y disminuye VCE (y VCG).
t2-t3: IC tiene un sobrepico por la recuperacin inversa del diodo freewheeling , VCE no decae en este
intervalo.
t3-t4: Una gran dVCE/dt negativa se acopla por CGC, impidiendo aumentar la VGE (IG carga la CGC)
t4: Al disminuir la magnitud de dVCE/dt (y dVGC/dt), VGG termina de cargar las capacitancias CGC y CGE.
 Efectos en la conmutacin del IGBT: Bloqueo

IC VCE

VS

VGE

t0 t1 t2 t3 t4
Bloqueo:
t0-t1: IG descarga la tensin de puerta hasta el umbral de bloqueo del IGBT VTH.
t1-t2: Una pequea disminucin de Ic inicia un aumento de VC, que se acopla a travs de CGC
aportando carga a G, que la excitacin debe drenar. En este intervalo VGE se mantiene casi
constante.
t2-t3: Terminada de cargar CGC, VGE e IC disminuyen rpidamente, provocando el pico de
tensin en t3 debido a la fem de la carga inductiva.
t3-t4: Desaparece la fem, VCE se equilibra, IC termina de extinguirse (tail current)
 5) Conexin en serie y paralelo
Conexin Serie Conexin paralelo
Se utiliza cuando la tensin de bloqueo
requerida por la aplicacin supera las
especificaciones de bloqueo de los dispositivos.
Debe utilizarse externamente resistencias y
capacitores en paralelo con cada elemento para
equilibrar las tensiones durante el bloqueo y la
conmutacin.
Mientras ms estricto deba ser el equilibrio,
menores debern ser los valores de las R y
mayores los de los C.
Se utiliza cuando la corriente de conduccin
requerida por la aplicacin supera las
especificaciones de corriente o disipacin de los
dispositivos.
En los dispositivos con coeficiente positivo de
temperatura para la cada de tensin en
conduccin (EJ MOSFET) la corriente tiende a
distribuirse uniformemente (ej 50/50 para 2
elementos).
En dispositivos con coeficiente negativo de
temperatura (Ej tiristores, diodos, IGBTs) es
fundamental emparejar sus caractersticas y
equilibrar trmicamente los elementos. A pesar de
esto la corriente se va a distribuir de manera
despareja, por ejemplo 60/40 para 2 elementos. Se
utilizan mtodos estadsticos para determinar la
distribucin esperable de corrientes en el peor
caso (Monte Carlo: simulacin con variacin
aleatoria de parmetros de dispositivos segn
especificaciones del fabricante)

La conmutacin debe ser lo ms simultnea posible.

 Diodos/Tiristores en paralelo

Ejemplo: Diodos en paralelo

Se simula la redistribucin de corrientes durante
la conduccin, y la influencia del desbalance
trmico.

Diodo paralelizable (infineon IDB30E60)

http://www.ipes.ethz.ch/ipes/2002thermal/parallel/diode1.html
 IGBTs en paralelo

Utilizar un mismo driver para evitar defasajes de la excitacin.

RG1, RG2 RG3 , aseguran una distribucin de la excitacin.
RE1, RE2 RE3 conectadas directamente sobre los emisores
compensan los desbalances de las LEi (parsitas)

Ejemplo:
Se muestra el efecto de desbalances trmicos
de 20 y 100 en la redistribucin de corrientes
durante la conduccin y durante la conmutacin.
Tambin el efecto de oscilacin durante el paso
a bloqueo (Turn-off) por inductancias parsitas
en las mallas del driver.

Revista Bodo s Power Marzo 2007, pp 28-31

6) Encapsulados para PSD Clculo Trmico
Stud y Base plana
Stud: consiste en un tornillo que asegura el contacto
elctrico y trmico con el disipador mediante un torque
definido en las hojas de datos.
Flat base: en vez de tornillo tiene una base plana con
bridas para el montaje con tornillos al disipador de calor.
Estos encapsulados no requieren soldaduras en la zona
de trabajo por lo que se facilita un montaje que soporte
la temperatura nominal del dispositivo.
Encapsulados para PSD
Disco
En el encapsulado Disk o press pack los terminales estn
conectados internamente a presin. Al no tener conexiones
soldadas ni aleadas, ofrece la mayor la robustez frente a
ciclos trmicos, pues
permite que los componentes internos con distinto
coeficiente de dilatacin trmica se muevan
independientemente.
Para funcionar DEBEN ESTAR PRESIONADOS
EXTERNAMENTE para
asegurar el contacto interior. NUNCA se debe utilizar un
dispositivo disco sin la presin mecnica externa adecuada.
El valor adecuado de esta fuerza axial se encuentra
especificado, y debe aplicarse a travs del disipador, lo que
asegura una distribucin uniforme de la presin.
Encapsulados para PSD
Mdulos
El encapsulado tipo mdulo consiste en una
base de metal (no siempre) que conduce el
calor al disipador de calor, una placa cermica
conductora del calor pero aislante elctrico entre
las partes activas y la base,
uno o varios elementos semiconductores
interconectados, y una caja protectora de
plstico con terminales roscados.
Encapsulados para PSD
 Tecnologas de conexin elctrica-mecnica-trmica

Tcnicas: Factores:
Soldadura trmica Temperatura
Soldadura ultrasnica (wire bonding) Ciclos trmicos
Sinterizado de plata (diffusion sinthering) Vibracin
Contacto flexible Corrosin
 Disipacin del calor Clculo trmico
RTH R : Resistencia trmica ZTHJC Impedancia trmica juntura-carcasa
ZTH Z : Impedancia trmica
ZTHCS Impedancia trmica carcasa-disipador
ZTHSA Impedancia trmica disipador-ambiente
ZTHJA Impedancia trmica juntura-ambiente
Ej: IRF530 MOSFET Encapsulado TO-262
calor RthJC= 2.15 C/W
P RthJA= 40 C/W
T1 T2 RthCS(Tpica)= 2 C/W
RthSA =3C/W (ejemplo de disipador)

Sin disipador: RJA=40 C/W Con disipador:

P=5 W, TA = 25C TJ = 5 . 40 + 25 RJA=RJC+RCS+RSA =2.15 + 2 + 3 = 7.15 C/W
225C !! P=5 W, TA = 25C TJ = 5 . 7.15 + 25
60.75 C
Disipacin Impedancia trmica (1)
Disipacin Impedancia trmica (2)

5STP 03X6500 (Tiristor ABB 6500V, 550A)

Funcin analtica de
impedancia trmica transitoria J-C
Disipacin del calor Disipadores en aire
 Disipacin del calor Disipadores con agua

Phase arm for combination of Diodes, Thyristors Base for isolated Diode/Thyristor and IGBT
& Fuses packs.
Nom. Thermal resistance = 0.012C/W @ 6L/min. Nom. Thermal resistance = 0.024C/W @
4L/min.
Driver de MOSFETs e IGBTs IR2110 (International Rectifier)
Driver de MOSFETs e IGBTs 2ED020I12-FI (Infineon)

Provee 1200 V de aislacin galvnica por el Coreless Transformer

Nuevos materiales semiconductores

SiC
La resistencia ON se baja en un
factor de 1/300
Permite temperaturas de
funcionamiento de hasta 500C
La tensin umbral de juntura es
incrementada a 2,5
Las capacitancias de juntura son
mucho mayores.
No se pueden aplicar tecnologas
de difusin de impurezas.