Hablar de Radios y de Energas es lo mismo. Cuanto mayor sea el radio mayor ser tambin la energa.

Existen diversas maneras de darle energa a un electrn, por:

Energa Trmica.

Energa Luminosa (fotn E = h x f).

Campo Elctrico.

etc...

Si se le da energa a un electrn para que pase de E1 a E2, este electrn puede pasar de una rbita a otra.

Ese electrn vuelve enseguida, al volver tiene que ceder o soltar la energa. Puede hacerlo de 2 formas:

Al volver sale un fotn de luz:

E2 - E1 = h x f

Una aplicacin de esta caracterstica se ve en los Diodos Led, que dependiendo de las energas
tendrn diferentes colores, y tambin pueden soltar fotones invisibles a frecuencias en las que la vista no
puede captarlas.

Tambin se suelta energa en forma de calor, energa trmica (calentamiento del diodo).

Las energas las representaremos grficamente de esta manera:

Hasta ahora hemos visto un tomo aislado, pero en un cristal tenemos que aplicar el "Principio de
Exclusin de Pauli":

"En un sistema electrnico no puede haber 2 electrones con los mismos nmeros cunticos".

Esto es, que no puede haber 2 electrones con la misma energa.

Bandas de Energa en un Semiconductor Intrnseco

Anteriormente hemos visto que los semiconductores intrnsecos eran aquellos que no tenan impurezas,
esto es, todos son tomos de Si.

Al aplicar el principio de exclusin de Pauli el electrn de energa E1 de un tomo y el electrn de energa

E1 del tomo vecino se han de separar en energa. Como hay una gran cantidad de tomos aparecen
muchos niveles energticos con una separacin muy pequea, formando la 1 Banda de Energa.

Los electrones de energa E2 se separan en energa formando la 2 Banda de Energa.

Y as sucesivamente con el resto de energas se van creando Bandas de Energa (grupos de niveles
energticos). El resultado es el siguiente:
Como es difcil sacar un electrn de las bandas inferiores, no nos interesan las 2 bandas inferiores, no las
tendremos en cuenta, as tendramos:

Estas 2 bandas son las creadas por los 4 electrones de la ltima rbita del tomo.

A 0 K los 4 electrones de cada tomo estn en la Banda de Valencia (cada uno en un radio o energa
permitido).

BC = Banda de Conduccin
BV = Banda de Valencia

A 300 K (27 C, temperatura ambiente) o a mayor temperatura, algn electrn puede conseguir suficiente
energa como para pasar a la Banda de Conduccin, dejando as un hueco en la Banda de Valencia.
Recordar que a esto le llambamos Generacin Trmica de Pares electrn libre-hueco. Cuanto ms
aumente la temperatura, ms electrones suben debido a la generacin trmica.

Por eso un semiconductor a 0 K no conduce y si aumenta la temperatura conduce ms. Ahora veremos
que es lo que ocurre con los semiconductores con impurezas.

Bandas de Energa en un Semiconductor tipo n

Tenemos muy pocos tomos de impurezas (+5) en comparacin con los tomos normales de Silicio (+4).

Como se impurifica muy poco, los tomos de +5 estn muy alejados y no se influyen entre si, pudiendo
tener electrones de tomos diferentes la misma energa y por lo tanto estn todos al mismo nivel. Esa
energa que tienen se llama "Energa del tomo Donador" (ED).

En cuanto se le de una pequea energa los electrones suben a la BC y se convierten en libres.

Tambin se da la generacin trmica (generacin de pares hueco-electrn), pero lo que ms ocurre es

debido a las impurezas y muy poco por generacin trmica, por lo que despreciaremos esta ltima.

Bandas de Energa en un Semiconductor tipo p

En este caso las impurezas son tomos de +3, y como en el caso anterior hay muy pocos y estn muy
alejados por lo que los electrones de tomos diferentes estn al mismo nivel energtico. Esa energa es la
"Energa del tomo Aceptor" (EA).

A 300 K o ms, el electrn cercano a EA sube desde la BV y deja un hueco en la BV mientras que la
EA se llena de electrones. Se sigue dando generacin trmica tambin, pero como antes es despreciable.