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Facultad de Ingeniera
Escuela de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones
Universidad de Cuenca
Cuenca, Ecuador
santiago.agila@ucuenca.ec
xavier.alvarezm@ucuenca.ec
I. INTRODUCCIN
Modulacin de amplitud.
Modulacin de amplitud Funciones a estudiar.
[1] La modulacin de amplitud varia la amplitud de la onda
A continuacin realizamos el anlisis de las funciones a utilizar:
portadora senoidal de acuerdo con la seal de banda base, es
decir la seal modulada tendr la frecuencia de la onda
2
() = cos(2 )
Modulacin de doble banda lateral-Portadora suprimida
Donde: (DSB-SC).
Donde:
Figura 2. AM DSB-SC.
De donde:
DSB-SC (Anlisis en frecuencia).
= Sensibilidad de amplitud
Debido a que en la Modulacin de amplitud de doble banda
lateral la onda portadora c(t), es completamente independiente
En base a esta constante realizamos los siguientes anlisis:
de la seal de mensaje m (t), lo cual significa que la transmisin
de onda portadora representa un desperdicio de potencia( que
a. | ()| < 1
es una desventaja de AM). Esto implica que slo una fraccin
de la potencia total transmitida es afectada por m (t).
Lo cual nos garantiza que la envolvente sea siempre
positiva. Por esta razn en esta modulacin suprimimos la componente
portadora de la onda modulada, para este proceso realizamos el
b. | ()| > 1 siguiente anlisis en frecuencia:
En este caso la onda portadora se sobremodula, por esta La onda modulada viene dada por:
razn se debe evitar la sobremodulacin
() = ()()
c.
Donde:
Esta condicin debe satisfacerse, caso contrario no ser
posible visualizar una envolvente en forma satisfactoria. () = cos(2 )
Modulacin lineal.
Y
Debido a que la modulacin de amplitud, es una modulacin
() = cos(2 )
lineal, entonces de forma general se escribe de la siguiente
manera:
Entonces:
() = cos(2 ) cos(2 )
cos( + ) + cos( )
() = [ ] Seal de la portadora y su espectro.
2
() = cos( + ) + cos( )
2 2
1 1
cos() = +
2 2
1 ( + ) 1 ( + )
() = ( + )
2 2 2
1 ( ) 1 ( )
+ ( + )
2 2 2
1 ( + ) 1 ( + )
() = [( + )
2 2 2
1 1
+ ( ( ) + ( ) )]
2 2
1 ( ) ( ) 1 ( ) ( )
() = [( + )
2 2 2
1 1
+ ( ( ) ( ) + ( ) ( ) )]
2 2 Figura 4. Seal portadora y su respectivo espectro en frecuencia
() = [ + ] + [ ]
4 4
+ [ + ] + [ ]
4 4
C3
1nF
L1
V1 33H C2
12V R16 1nF
4.7k
Q10
Figura 6. Espectro en frecuencia sin portadora (DSB-SC)
R17 MPSH10
III. DESARROLLO
4.7k
(1)(1)
50 %
=
1 + 1 R2
10k
R1
10k R5
Key = A
= 0.5 10k
U3A
4
3 C2
1 C1 1
= R4
2
4.7uF
2 0.1uF 1k TL084ACN
11
V1
1 300mVpk R3
= 3kHz 10k
2(33)(0.5) 0
= 1.239
Circuito realizado
Figura 8. Circuito Preamplificador Configuracin Resta de
voltaje
0
1.2MHz
1Vrms
V1
0
20kHz
1Vrms
V2
Key=A 50 %
50k
R14
750
R13
750
R12
51
R10
51
R11
6.8k
R15
-8V
2N3904
Q1
R1
500
D2
1N4007
VDD
2N3904
R2
500
1k
2N3904
Q4
2N3904
Q5
R8
Q2
51
R9
Figura 9. Configuracin Resta de voltaje-amplificador
operacional
2N3904
C1
0.1F
Q6
2N3904
2N3904
Q3
Como queremos obtener un voltaje de salida de
Q7
R3
aproximadamente 2.2V, procedemos a: 500
2N3904
Q8
1k
R7
(3 )(2 + 4 )1 4 2 R4
1k
=
(1 + 3 )(2 ) 2
R6
3.9k
VCC
(10)(1 + 6)(12) 4 (6)
R5
3.9k
12V
2.1 =
(10 + 10)(1) 1
Tektronix
Tektronix
4 (6)
XSC4
2.1 = 36 XSC1
G
P
G
P
1 2 3 4
1
1 2 3 4
T
T
4 = 5.6
Figura 10. Circuito modulador de producto (Simulador-
Como podemos observar en la figura 8, utilizamos un Multisim).
potencimetro para obtener dicho valor.
Como se puede observar en la figura 10, en la entrada se
c. Modulador de producto. introduce dos seales con dos generadores de funciones
senoidales de 1.2 Mhz y 20Khz respectivamente, de la misma
Para el modulador de producto realizamos el siguiente circuito, manera en las dos salida se encuentra un osciloscopio, para la
mismo que a la salida elimina la portadora debido a la corriente visualizacin de las ondas.
bsica, la cantidad de portadora que aparece en la salida se
puede controlar aadiendo desplazamientos a los pares A continuacin se muestra el circuito completo, en el mismo se
diferenciales de portadora. podr observar amplificadores operacionales entre las seales
de entrada y el modulador de producto, los mismos que se
encuentra configurados como adaptador de impedancias.
en la figura 8.
e.
XSC2
Tektronix R23
C3 VCC
1nF P 1 2 3 4 T 12V 560k
G VEE
R8 R7 U1B
4
-12V U1D 5
4
L1 12
V1 R5
33H C2 1k C1 1k R6 7
11
3.9k R21 U1A 14
12V R16 1nF R9 0.1F 3.9k 6
2 13
4.7k 10k
11
TL084ACD
11
R20 3
Q10
4
10k TL084ACD
Tektronix
R22 VSS
R17 MPSH10 560k 12V R24 P 1 2 3 4 T
4.7k G
20k
Q1 Q3 R25
R18 U1C 2N3904
Q2 Q7
2N3904 10k
Modulador de producto.
50 %
VCC VCC
12V 12V R30
VCC
Key Q4
R26 12V= A R13 R12 R10 R11 Q8 XSC4
10k 750 750 51 51 2N3904
R27 10k 2N3904
10k U2A R14 Tektronix
4
3 C5
C4 1 50k D2 R4
R29 R15 1N4007
P 1 2 3 4 T
2 Key=A 50 % 1k G
4.7uF 6.8k
0.1uF 1k TL084ACN
11
R2 R3
V4 R1
500 500
500
300mVpk R28 VCC2
3kHz
d.
10k -12V
0
VDD
-8V
7
Figura 14. Seal del mensaje - simulacin Figura 16. Seal resultante - simulacin
IV. MATERIALES
Resistor () 2
Resistor () 5
Resistor () 1 BIBLIOGRAFIA
Inductor () 1
Edwin Xavier Alvarez Murudumbay (13 de Julio de 1994.
Capacitor Electrolitico (. ) 2 Caar-Ecuador). Estudios secundarios: Instituto Tecnolgico y
Capacitor Electrolitico () 1 Colegio Nacional: Juan Bautista Vzquez- Especialidad: Tcnico
Capacitor Ceramica (. ) 1 en Comercio y Administracin Especializacin Aplicaciones
Informticas. Actualmente es estudiante de Ingeniera
Capacitor Ceramica (. ) 1 Electrnica y Telecomunicaciones en la Universidad de Cuenca
Transistor bc547 8
Jefferson S. Agila, naci en Loja-Ecuador el 17 de diciembre de
1994. Realiz sus estudios secundarios en la Unidad Educativa
Eloy Alfaro donde obtuvo el ttulo de Bachiller en Fsico
V. CONCLUSINES Matemtico. En el ao 2013 ingres a la Universidad de Cuenca.
VI. RECOMENDACIONES
Se recomienda tratar de implementar el circuito con tiempo y
hacer las pruebas necesarias para que el sistema responda de
manera adecuada y as poder llegar a tener resultados ptimos
Se recomienda armar el circuito en una protoboard que tenga
una calidad alta ya que al ser circuitos de alta frecuencia los
protoboards de mala calidad tienden a distorsionar la seal, ya
que la salida del circuito es de amplitud mxima de 40mV pico-
pico.
REFERENCIA
http://83.212.103.151/~mkalochristianakis/tei/2015/telecom/a
m_fundamentals.pdf