CENTRO UNIVERSITRIO DA FEI

APOSTILA DE
LABORATRIO

CENTRO UNIVERSITRIO DA FEI - 10a VERSO - Fevereiro / 2007

 ndice

Plano de Ensino.................................................................................................................i

Teoria: Conexo Darlington......................................................................................02

1a Experincia: Conexo Darlington........................................................................09

2a Experincia: Amplificador Diferencial................................................................14

Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores..............................................20

3a Experincia: Resposta em Frequncia de Amplificadores.................................32

4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores.....................................................36

5a Experincia: Teoria e Prtica de Celular Solar..................................................48

6a Experincia: Realimentao..................................................................................59

7a Experincia: Amplificador de Potncia Classe B................................................68

 PLANO DE ENSINO DE EL 7430 / NE 8430

DATA DA LTIMA REVISO: 01.02.07

CARGA HORRIA SEMANAL:

1. TEORIA: (02)
2. PRTICA: (02)
3. COORDENADOR: Roberto Martucheli M. Carvalho
4. OBJETIVOS
Proporcionar aos alunos conhecimentos avanados de circuitos com dispositivos eletrnicos. Estudar o comportamento e
particularidades destes circuitos, bem como aplicaes destes dispositivos eletrnicos em projetos e circuitos aplicados.
Implementar no laboratrio os diversos circuitos estudados e analisados em sala de aula, onde sero realizadas caracteriza-
es eltricas e confrontaes com resultados esperados teoricamente.

5. METODOLOGIA ADOTADA
Aulas tericas: Aulas expositivas, onde sero desenvolvidos tpicos tericos com aplicaes em exerccios desenvolvidos
em sala de aula. Aulas prticas: Aulas desenvolvidas em laboratrios da faculdade, onde sero implementados diversos
circuitos vistos em sala de aula. Relatrios sero solicitados para cada um dos experimentos realizados, onde sero reporta-
dos os resultados experimentais bem como discusses sobre os mesmos.

6. PROGRAMA

Teoria
01. Apresentao do programa da disciplina: Amplificador Diferencial. Sedra - Cap. 6 - pag. 451 a 472.
02. Amplificador Diferencial. Sedra - Cap. 6 - pag. 451 a 472.
03. Resposta em Freqncia de amplificadores: Baixa freqncia. Sedra - Cap. 7 - pag. 536 a 572.
04. Resposta em Freqncia de amplificadores: Alta freqncia. Sedra - Cap. 7 - pag. 536 a 572.
05. Resposta em Freqncia de amplificadores. Exerccios.
06. Sensores Passivos: pticos - fotodiodos e fototransistores.
07. Realimentao: Srie-Paralelo e Srie-Srie. Sedra - Cap. 8 - pag. 608 a 637.
08. Realimentao: Paralelo-Paralelo e Paralelo-Srie. Sedra - Cap. 8 - pag. 637 a 654.
09. Realimentao. Exerccios
10. Amplificador de Potncia: Classe A e B. Sedra - Cap. 9 - pag. 687 a 700.
11. Amplificador de Potncia: Classe AB e exerccios. Sedra - Cap. 9 - pag. 700 a 708.
12. Dispositivos Eletrnicos Especiais: SCR, DIAC e TRIAC.

Laboratrio
01. Teoria: Conexo Darlington ( CLE )
02. 1 Experincia: Conexo Darlington ( CLE ).
03. 2 Experincia: Amplificador Diferencial ( CLE ).
04. Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores ( CLE ).
05. 3 Experincia: Resposta em Frequncia de Amplificadores ( CCI ).
06. 4 Experincia: Teoria e Prtica de Termistores ( CLE ).
07. 5 Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar ( CLE ).
08. Projeto Prtico: Aula I ( CLE ).
09. 6 Experincia: Realimentao ( CLE ).
10. 7 Experincia: Amplificador de Potncia Classe B ( CLE ).
11. Reposio / Projeto Prtico: Aula II ( CLE ).
12. Projeto Projeto Prtico: Aula III entrega e avaliao do projeto ( CLE ).

7. CRITRIO DE AVALIAO

MDIA FINAL: MF = MT*FL

Onde:
i
MDIA DE TEORIA: MT = ( 0,4*T1 + 0,6*T2 )*FT

FATOR DE LABORATRIO: FL = ( PP*K*0,03 ) + 0,70

T1,T2....Provas de teoria.
FT........ Fator de teoria ( 0 < FT < 1,0; ser subtrado 0,1 por atividade no entregue ou recusada ).
PP........ Projeto Prtico.
K..........Fator de relatrio ( 0 < K < 1,4 ; ser subtrado 0,2 por atividade no entregue ou recusada )

8. BIBLIOGRAFIA BSICA
- Adel S. Sedra e Kenneth C. Smith, Microeletrnica, Makron Books, 4a edio, 2000.
- Notas de aula e apostila de laboratrio a serem disponibilizadas no site da eltrica: http://elearning.fei.edu.br/learnloop/

ii
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EL 7430 / NE 8430 - Relatrio de Eletrnica III - Laboratrio
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Teoria: Conexo Darlington

1. Conexo Darlington
A configurao Darlington tem por objetivo aumentar o ganho de corrente do transistor do estgio de sada
e, portanto, reduzir a corrente exigida do sensor ou outro dispositivo qualquer em que se esteja querendo
amplificar o sinal. A figura a seguir mostra a configurao mais utilizada:

IC

IC1
IC2

IB
IB1

IE1
VBE1
IB2

VBE
VBE2 IE2 = IE

Figura 1 Conexo Darlington

1.1. O ganho da conexo Darlington pode ser determinada deduzindo-se a relao entre Ic e IB
conforme segue:

Da figura 1 temos Ic = Ic1+Ic2

IB = IB1
IE = IE2
VBE = VBE1+VBE2
VCE = VCE2
IE1 = IB2

sabemos que IE = IC+IB e que IC = .IB+( +1).ICBo porm podemos desprezar a corrente de
portadores minoritrios, ( +1).ICbo 0.

Assim sendo podemos deduzir IC = f(IB) da seguinte forma:

IC = IC1 + IC2 equao 1

sendo

IC2 = 2 IB2 = 2 (IC1 + IB1) = 2 IC1 + 2 IB1 = 2 ( 1 IB1) + 2 IB1

IC2 = ( 2 1 + 2) IB1
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Teoria Conexo Darlington FEI / EL 7430 / NE 8430
 substituindo IC2 na equao 1 temos,

IC = 1 IB1 +( 2 1 + 2) IB1 sendo IB1=IB

IC = IB ( 1 2 + 1 + 2)

Costuma-se aproximar IC IB 1 2 isto depender dos valores de 1 e 2.

1.2. Vantagens desta conexo, est no aumento substancial do ganho de corrente ( 1 2) e

consequentemente no aumento do ganho de potncia.
1.3. Desvantagem est no fato de que praticamente somente o segundo transistor responsvel pelo
ganho de potncia. Outra desvantagem o aumento de VBE que passa a ser igual a 1,4 volts.

2. LDR Light Dependent Resistor

LDR Resistor dependente da Luz, tambm conhecido por Sensor de Luz Fotocondutivo, tem a
caracterstica de variar sua resistncia em funo da intensidade de luz incidente, isto , a medida que
aumenta a intensidade luminosa sua a resistncia diminui.

2.1. Constituio
So constitudos de filmes policristalinos. Para o comprimento de onda da luz visvel (0,4 m a 0,8
m) utiliza-se o sulfato de cdmio (CdS) ou sulfato de selnio (CdSe), para o comprimento de onda
na faixa do infravermelho (2,2 m) utiliza-se o sulfeto de chumbo (PbS).

2.2. Modelo matemtico

Sua resistncia varia de forma no linear sob a ao de uma fonte luminosa. A relao aproximada
entre a resistncia e a iluminao dada pela expresso:

R =A . L-
R Resistncia em ohms
L iluminao em Lux
A e constantes caractersticas do LDR
Normalmente o fabricante fornece a curva R x L.

2.3. Smbolo
Segundo a NB-87, utiliza-se o seguinte smbolo:

Figura 2: Simbologia do LDR

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Teoria Conexo Darlington FEI / EL 7430 / NE 8430
 2.4. Especificaes de um LDR tpico

R0 = 10 M (resistncia no escuro)
RL = 75 a 300 (resistncia a 1000 lux)
Pmax = 0,2 watts (40 C )
Vmax = 150 volts
Ttrabalho = -30 a 80 C
tr = 200 k/Seg

2.5. Curva caracterstica

Considerando escala log x log teremos uma reta aproximada.
obs.: o grfico a seguir meramente ilustrativo.

Resistncia LDR em

106

105

104

103

102 103 104 Intensidade Luminosa LUX

101

Figura 3: Curva Caracterstica do dispositivo.

______________________________________________________________________________________________________ 4
Teoria Conexo Darlington FEI / EL 7430 / NE 8430
3. Rel

So dispositivos controlados eletricamente que abrem ou fecham um contato eltrico que afeta outro
dispositivo do mesmo ou de outro circuito eltrico.

3.1 Classificao
Os rels so classificados de acordo com a aplicao:
- baixa potncia carga cc ou ca;
- mdia potncia carga cc ou ca;
- alta potncia carga cc ou ca;
- bobina de acionamento cc ou ca
- cargas especiais: alta frequncia, alta tenso, etc;
- contatos especiais: selados, de estado slido, etc.
- pelo uso: militar, comercial, comunicaes, aplicao ferroviria, etc;
- pela performance: alto nmero de ciclos.

3.2 Configurao tpica

onde:

NA contato normalmente aberto

NF contato normalmente fechado

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Teoria Conexo Darlington FEI / EL 7430 / NE 8430
3.3 Smbolo para os contatos

ANSI American Nacional Standards Institute

IEC International Electrotechinal Commission

contato NA

contato NF

3.4 Caracterstica de operao

Os rels no entram em operao instantaneamente. Eles apresentam uma sequncia de eventos na
energizao e desenergizao. Estes eventos so mostrados pela figura a seguir:

contato

contato fechado

grama ou resistncia dinmica

contato aberto

tempo

bounce time

O rel tem uma tenso e corrente mnimas de magnetizao da bobina para comutar os contatos, que
diferente da tenso e corrente a partir da qual os contatos voltam para a posio inicial. Por exemplo; o rel a
ser usado no laboratrio fecha com uma tenso de 6 volts e corrente de 18 mA e abre com uma tenso de 2
volts e corrente de 5 mA. A diferena entre operao e desoperao ocorre devido a histerese do sistema
eletromagntico. Estes valores variam de rel para rel de um mesmo lote de fabricao. Deve-se usar os
valores nominais de tenso, ou seja, para o rel a ser usado na experincia a tenso de operao deve ser de
12 volts e desoperao de 0 volts.

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Teoria Conexo Darlington FEI / EL 7430 / NE 8430
4. Exemplo de aplicao

Lmpada vermelha

I1

IB

B
Ic

Lmpada verde

obs.: o diodo D1 serve para curtocircuitar a bobina quando da sua desenergizao em que surge a tenso contra- eletromotriz.

Clculos:
1. O rel precisa de 18 mA no mnimo para magnetizar a bobina e comutar os contatos, adotaremos 30 mA
para garantir sua comutao, portanto IC = 30 mA;
2. Como temos uma configurao Darlington, o total ser igual a T = 1 2 + 1 + 2, sendo dado de
catlogo 1 = 100 e 2 = 50 temos T = 5150;
3. Desta forma podemos calcular IB = IC/ T = 30 10-3 /5150 = 5,8 A;
4. Consideramos I1=100 x IB de forma a termos o circuito independente das variaes de , ficamos com I
= 0,58 mA;
5. Supondo que o LDR apresente uma resistncia no claro 15k , podemos calcular R1 = [(VCC VBE) / I1]
RLDR, claro = [(12 1,4) / (0,58 10-3)] 15000 = 3.276 ;
6. Para podermos utilizar o potencimetro como elemento de ajuste, consideraremos que o mesmo esteja na
metade do seu curso, desta forma podemos calcular R2 = [VBE / (I1 IB)] R potencimetro = [1,4 / (0,58
10-3 0,0058 10-3)] 500 = 1.938 .

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Data de entrega: ____ / ____ / _____
Relatrio: ACEITO RECUSADO CORRIGIR

1a Experincia: Conexo Darlington

NOMES DOS INTEGRANTES DO GRUPO NMEROS

1.
2.
3.
4.
I. Objetivos
Familiarizao com a conexo Darlinghton ( vide livro texto Sedra/Smith: Cap. 09, pg. 718);
Utilizao do LDR Resistncia Dependente da Luz;
Utilizao do rel.
Monitoramento de uma carga atravs de um rel acionado por um LDR utilizando-se de uma conexo
Darlinghton;

II. Material
01 Fonte de tenso simples com seus respectivos cabos.
01 Multmetro ET2700
01 Kit didtico Darlington.
08 cabos banana- banana e 02 garras jacar.
01 resistor de 470 , 680 , 820 , 1k, 1k5, 2k, 2k7, 12k, 15k 18k.
02 lmpadas incandescentes: 01 vermelha e 01 verde

III. Introduo
A conexo Darlington propicia um aumento de ganho de corrente e consequentemente de potncia.
Normalmente o estgio de amplificao de potncia possui um baixo mas uma corrente de coletor/emissor
alta suficiente para acionar os atuadores finais tais como rels, servo motores e etc. J os sensores/detectores
possuem uma baixa capacidade de gerao de corrente, exigindo um estgio de amplificao com elevado.
A conexo Darlington propicia um alto atravs do primeiro transistor e uma corrente de coletor/emissor
elevada atravs do segundo transistor.

IV. Parte Prtica

1. Projeto do circuito de acionamento

1.1. Levantar o valor da resistncia do LDR para a condio de claro e escuro, para tanto proceder
conforme segue:
1.1.1. colocar o LDR em uma posio na bancada que dever ser a mesma do comeo ao fim da
experincia. No obstruir a passagem de luz sobre o LDR. Com o multmetro medir a
resistncia de claro;
1.1.2. mantendo o LDR na mesma posio, interromper a passagem de luz, colocando a mo por
sobre o LDR. Com o Multmetro medir a resistncia de escuro.

RLDR,claro = ___________ RLDR, escuro = ______________

1.2. Calcular os valores de R1 e R2 , do circuito a seguir, considerando:

o potencimetro na metade do seu curso;
- Q1 100 e Q2 = 50;
=
- corrente do divisor de tenso de base 100 vezes maior que a de base de Q1;
- tenso de contato do rel = 220V e corrente mxima 5A;
- tenso e corrente mnima de operao do rel = 6 volts por 18 mA, tenso nominal 12V. Para garantir a
operao do rel prever IC = 30mA;
- tenso e corrente de desoperao do rel = 2V por 5mA.

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1a Experincia: Conexo Darlington FEI / EL 7430 / NE 8430
 A

Lmpada vermelha

I1

IB

B
Ic

Lmpada verde

Clculos:

R1 = _________ e R2 = _________

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1a Experincia: Conexo Darlington FEI / EL 7430 / NE 8430
2. Operao do circuito de acionamento
2.1. Montar o circuito acima com os valores calculados;
2.2. Na situao de claro, ajustar o potencimetro de forma a termos o acionamento do rel;
2.3. Escurea o LDR at o ponto em que ocorra o desacionamento do rel;
2.4. Medir os parmetros indicados na tabela abaixo e anote seus valores:

condio VAB VBC VCEQ1 VCEQ2

claro
escuro

3. Realimentao
3.1. Retirar a lmpada verde do circuito;
3.2. Aproximar a lmpada vermelha do LDR;
3.2. Explicar o efeito.

R:_______________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________

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1a Experincia: Conexo Darlington FEI / EL 7430 / NE 8430
4. Questes

4.1 Explique, em poucas palavras, o funcionamento do circuito.

R:_______________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
4.2 Explique como funcionaria o circuito se mudssemos a posio do LDR, isto ligssemos o LDR no
ramo BC no lugar de R2 e em srie com o potencimetro, ficando no ramo AB apenas R1.
R:_______________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________

Concluses finais

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2a Experincia: Amplificador Diferencial

NOMES DOS INTEGRANTES DO GRUPO NMEROS

1.
2.
3.
4.
I. Objetivos
Familiarizao prtica com amplificador diferencial ( Sedra/Smith - Cap. 06, pg. 451);
Ajuste do off-set;
Verificao experimental do drift;
Medida do ganho em modo comum e diferencial
Clculo do CMRR.

II. Material
01 Fonte dupla com seus respectivos cabos (MPC-3003D).
01 Gerador de funes (modelo MFG-4200).
01 Multmetro ET2700
01 Placa Amplificador Diferencial.
01 Osciloscpio duplo feixe com memria (TDS3012).
10 cabos banana-banana e 01 garra jacar.
02 resistores de 3k3 , 01 resistor de 1k5 .

III. Introduo
Uma das mais importantes caractersticas de um amplificador diferencial a capacidade de amplificar sinais
opostos e de rejeitar a amplificao de sinais comuns a ambas as entradas. O amplificador diferencial
fornece uma componente de sada que devida amplificao da diferena dos sinais aplicados s entradas
e uma componente devida aos sinais comuns a ambas as entradas (Sendra/Smith pag. 465, equao 6.43).

Vo = Ad (Ve1-Ve2) + Ac (1/2) (Ve1+Ve2)

IV. Parte Prtica

1. Offset e Drift
1.1. Montar o circuito da figura a abaixo:

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2a Experincia: Amplificador Diferencial FEI / EL 7430 / NE 8430
1.2. Ajustar a alimentao Vcc = Vbb = 10V;

1.3. Medir I com o multmetro. Conectar as duas entradas ao terra tal que Ve1 = Ve2 = 0; ajustar o offset
Vs = 0 atravs do potencimetro P.

1.4. Aquecer os transistores e verificar o comportamento da sada Vs com multmetro. Para tanto segure o
encapsulamento de T1 com os dedos indicador e polegar e observe Vs, em seguida repita a operao para o
transistor T2. Ao efeito observado denominamos drift.
Aps terminada as observaes espere aproximadamente um minuto, para que os transistores entrem em
equilbrio trmico, e ajuste novamente o offset.

1.5. Descrever o que ocorreu e explicar o porque:

R:_______________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________

1.6. Medir a polarizao, sendo que os valores de Ic1 e Ic2 devem ser calculados por VRc/Rc e Ic3 por
VRe / Re.

Vcc Vbb Vce1 Vce2 Vce3 Vbe1 Vbe2 Vbe3 Vz Ic1 Ic2 Ic3

Obs.: Se as tenses Vce forem muito pequenas (prximo da saturao), aumentar as fontes Vcc e Vbb para que
tenhamos valores prximos a 2,5V ou maior.

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2a Experincia: Amplificador Diferencial FEI / EL 7430 / NE 8430
2. Ganho em modo comum
2.1 Aplicar um sinal senoidal de 2 Vpp e frequncia 1 kHz s entradas Ve1 e Ve2 simultaneamente, chamamos
esta configurao de sinal em modo comum.

2.2 Medir com o osciloscpio (no utilizar os dois canais) os seguintes sinais:

Ve (volts pico a pico) Vs (volts pico a pico) Vs1 (volts pico a pico) Vs2 (volts pico a pico)

2.3 Calcular o ganho em modo comum sada simples: Acm = VS1/Ve: Acm = .

2.4 Calcular o ganho em modo comum sada diferencial: Gcm = Vs/Ve: Gcm = .
3. Ganho em modo diferencial
3.1. Utilizando-se de um gerador de sinais, aplicar um sinal senoidal de frequncia 1 kHz no
enrolamento primrio do transformador que se encontra na placa didtica, e aplicar o sinal de sada
do enrolamento secundrio do transformador s entradas Ve1 e Ve2 do amplificador diferencial.
Ajustar a amplitude do sinal do gerador senoidal Ve de modo a no termos distoro do sinal Vs.
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2a Experincia: Amplificador Diferencial FEI / EL 7430 / NE 8430
 3.2. Medir com o osciloscpio (no utilizar os dois canais) em volts pico a pico:

Ve (Vpp)=Ve1-Ve2 Ve1(volts pico a pico) Ve2(volts pico a pico) Vs(volts pico a pico) Vs1(volts pico a pico) Vs2(volts pico a pico)

Notar que Ve1=-Ve2 pois esto defasados de 180 entre si.

3.3. Calcular o ganho em modo diferencial sada simples Ad = VS1/Ve Ad = .

3.4. Calcular o ganho em modo diferencial sada diferencial Gdm = Vs/Ve Gdm = .

4. Taxa de rejeio em modo comum CMRR

Sabe-se que o CMRR o resultado da relao entre o ganho diferencial para sada simples pelo ganho em modo comum
para sada simples, desta forma calcular o valor do CMRR:

CMRR = Ad/Acm = .

ou como expresso nos catlogos dos fabricantes,

CMRR (dB) = 20 log (Ad/Acm) = .

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2a Experincia: Amplificador Diferencial FEI / EL 7430 / NE 8430
 5. Resposta em frequncia
Aplicar a mesma tenso de entrada do item 3, variar a sua frequncia conforme tabela abaixo. Manter a
tenso Ve = constante para todas as frequncias ajustadas.

fr (Hz) 50 100 500 1k 10k 50k 70k 80k 100k 200k 500k
Vs(Vpp)

20 log(Vs/Ve)

Plotar no grfico os valores da tabela anterior:

60 dB
10
57 dB
9.5
54 dB
9
51 dB
8.5
48 dB
8
45 dB
7.5
42 dB
7
39 dB
6.5
36 dB
6
33 dB
5.5
30 dB
5
27 dB
4.5
24 dB
4
21 dB
3.5
18 dB
3
15 dB
2.5
12 dB
2
9 dB
1.5
6 dB
1
3 dB
0.5
0 dB
0

1 2 3 5 8 10 100 1.000 10.000 100.000 Frequncia (Hz)

6. Determine, a partir do grfico acima, o valor da frequncia de corte fc2: ______________ Hz.

Concluses finais
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________

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Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores

1. Objetivos
- Estudo da resposta em frequncia para os amplificadores transistorizados de pequenos sinais
(Sedra/Smith: Cap. 01, item 1.6; Cap. 07 e Apndice F));
Estudo da construo do diagrama de Bode.
Estudo da medida da resposta em frequncia

2. Introduo
Os amplificadores de pequenos sinais devem amplificar sinais cuja frequncia pode variar de poucos Hz
a centenas de kHz. Acontece que os capacitores introduzidos para desacoplar sinais CC bem como as
capacitncias naturais das junes do TBJ acabam por interferir no ganho do amplificador. Estes fatores
devem ser levados em considerao quando do projeto do amplificador.

Funo de transferncia e medida da resposta em frequncia

A medida da resposta em frequncia consiste em aplicar, no amplificador ou sistema, um sinal senoidal de
amplitude, geralmente constante, e frequncia conhecidos, e medir o sinal de sada resultante. O sinal de
sada ter a mesma frequncia do sinal de entrada, se o sistema for linear, mas possivelmente com uma fase e
amplitude diferentes dependendo da frequncia do sinal de entrada.
Note que o sinal de sada tem a mesma frequncia do sinal de entrada somente se o sistema for linear e o
sinal for senoidal. Na verdade a senide a nica onda que no muda de forma quando passa por um circuito
linear real.
Observe, contudo, que o sinal de sada senoidal ter, em geral, uma amplitude e um deslocamento de fase
(defasagem) diferentes do sinal de entrada.
O mdulo do ganho na frequncia a razo da amplitude da senide de sada (Vo) pela amplitude da
senide de entrada (Vi). Denominamos por funo de transferncia o mdulo e fase da relao entre a
sada e a entrada:
Amplificador linear

+
vo = V0 sen (wt+ )
vi = Vi sen wt
-

G() = Vo / Vi e G() =
______________________________________________________________________________________________________ 20
Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
O resultado final ser um grfico do mdulo ganho |G()| versus frequncia e um grfico do ngulo da fase
G() versus frequncia. Esses dois grficos juntos constituem a resposta em frequncia do amplificador; o
primeiro conhecido como resposta em mdulo e o segundo, resposta em fase.

Diagrama de Bode
Este diagrama simplifica a determinao da representao grfica da resposta de frequncia. Os grficos
logartmicos so chamados diagramas de Bode em honra a H. W. Bode, que os utilizou em seus estudos de
amplificadores com realimentao.
Nos diagramas polares, a funo harmnica de transferncia representada no plano complexo como segue:
Im

G(j) = Re [G(j)] + j Im [G(j)] G(jw)

b
r
ou
G(j) = | G(j)| a Re

sendo r = a 2 + b2

b
= arctan
a
Na representao cartesiana a resposta em fr. desdobra-se em dois grficos, um representando o ganho | G(j)|
e outro a fase G(j) , ambos em funo da fr. Tipicamente estes grficos so representados na escala
logartmica.
A vantagem de representar na escala log a de conseguir um amplo intervalo de variao da fr. dentro das
dimenses limitadas do grfico. Outra vantagem a converso de fatores multiplicativos em fatores aditivos.
x=log 0 0,30 0,48 0,60 0,70 0,78 0,85 0,90 0,95 1 2 3
x=20log (dB) 0 6 9,6 12 14 15,6 17 18 19 20 40 60
=10x 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 100 1000

uma oitava uma oitava

dobro da fr. dobro da fr.
x = 0,3 ou x = 0,3 ou
6dB 6dB

______________________________________________________________________________________________________ 21
Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
A denominao oitava emprestada da msica, onde uma nota que tenha o dobro da fr. de outra, uma
oitava superior a essa outra, pois a escala musical tem sete notas, dobrando-se a fr. passamos de uma escala
para a mesma nota da escala imediatamente superior.
Nas funes de transferncias aparecem normalmente 4 tipos bsicos de fatores, estudaremos separadamente
3 tipos, que so os que aparecem em amplificadores de pequenos sinais, o 4 fator ser estudado na cadeira
de Controle Automtico.
fator de ganho K
fatores integrais ou derivativos (j)+/- 1
fatores de 1 ordem (j + 1)+/- 1
fatores de 2 ordem [(j/0)2 + a(j) + 1]+ 1

Como exemplo suponhamos a seguinte funo de transferncia:

Kg 1 + j
1
G ( j ) =

( j ) 1 + j
2
Defini-se por zero as razes que anulam a equao do numerador e por polo as razes que anulam o
denominador.
Como j foi dito, o diagrama de Bode consta de dois traados; um o diagrama logartmico de mdulo
de uma funo de transferncia senoidal, e outro o diagrama de ngulo de fase. Ambos so
representados em funo da fr. em escala logartmica, temos portanto:

Mdulo > G ( j )dB = 20 log k g + 20 log 1 + j 20 log j 20 log 1 + j
1 2

Fase > = [(0 se Kg 0 e 180 0 se Kg 0) + 1 90 0 2 ]

Analisando as parcelas de forma independente temos:
|G(jw)|
1 parcela Kg
YdB

20 log Kg = YdB
= 00 para Kg >0 e w
= -180 para Kg <0

G(jw)

Kg>0

w
Kg<0
-180
______________________________________________________________________________________________________ 22
Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430

2 parcela - 1 + j
1
Mdulo
2

20log 1 + j = 20log 12 +
1 1

para 1 temos 20log1 = 0 dB
1

para 1 temos 20log = 20 [log log 1 ]
1 1

por exemplo se 1 = 1 temos,

para = 1 20 [log1 log1] = 0 dB
para = 10 20 [log10 log1] = 20 dB
notemos que existe um erro para = 1, ou seja,

20log 1 + j = 20log 12 + 12 = 20log 2 3 dB
1
Fase

1
arctan = arctan
1 1
para << 1 temos arctan 0 = 0
para >> 1 temos arctan = 90
para = 1 temos arctan 1 = 45
para = 1/10 temos arctan 0,1 = 5,7 6
para = 10 1 temos arctan 10 = 84,3 ou seja faltam ~6 para 90

Com os dados acima podemos desenhar o diagrama de Bode conforme segue,

|G(jw)|
20 dB/dec
20dB
3dB
w
0,1 w1 1 10

G(jw)
90
84
45

6
0 w

______________________________________________________________________________________________________ 23
Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
 1
3 parcela
j
1
20log = 20 [log1 log ] = 20log
j
= 1 20 log1 = 0 dB
= 0,1 20log 0,1 = + 20 dB
= 10 20log10 = 20 dB

|G(jw)|
-20 dB/dec
20dB
w
0,1 1 10
-20dB

G(jw)

0
w

-90

|G(jw)|

1 0,1 w2 1 10
4 parcela w

1+ j -3dB
2
-20dB -20 dB/dec

1
20 log =

1+ j G(jw)
2
0 w
-6
= 20 log1 log 1 + j =
2 -45
-84
= 20log 1 + j -90
2

o raciocnio idntico a parcela 2,

com exceo do sinal, o que resulta no diagrama ao lado.

______________________________________________________________________________________________________ 24
Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
3. Faixa de Passagem do Amplificador
A figura a seguir mostra a resposta em frequncia de mdulo de um amplificador. Ela indica que o ganho
praticamente constante dentro de uma faixa denominada Faixa passante e que decresce para as
20 log |G( )|

3 dB

Faixa de passagem

1 2

frequncias situadas acima e abaixo desta faixa.

4. Anlise no domnio s
Como ser amplamente estudado na cadeira de Controle Servomecanismos, existe grande vantagem em
se estudar a resposta em frequncia em termos da varivel complexa s. Na anlise no domnio s, a
impedncia do capacitor C igual a 1/(sC) e a impedncia do indutor L igual a sL.
Usando a tcnica de anlise de circuito, deduzimos a funo de transferncia para dois circuitos passivos
denominados Filtro Passa Baixa e Filtro Passa Alta.

4.1. FPB Filtro Passa Baixa

1 1
tendo-se X c = =
j C sC
vi 1 vi
vo = =
R+
1 sC ( RCs + 1)
sC

______________________________________________________________________________________________________ 25
Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
 vi

Funo de transferncia : G ( s ) =
vo
=
( RCs + 1) =
1
vi vi ( RCs + 1)

Funo de transferncia em regime permanente senoidal, neste caso s = j , temos portanto:

1 1
G ( j ) = =
( RCj + 1) j

+1
0

Defini-se 0 = 1/ sendo a constante de tempo do circuito, que igual a = RC.

O mdulo da funo de transferncia calculado como sendo

G( j ) =
1
e a fase como, ( j ) = arctan
(
) 0

2 1
+ 12
0

Variando e mantendo a amplitude constante do sinal de entrada vi, levantamos a resposta em

frequncia do FPB.

|G(jw)|

w0/10 w0 10w0
w
-3dB
-20dB -20 dB/dec

G(jw)

0 w
-6
-45
-84
-90

______________________________________________________________________________________________________ 26
Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
 4.2. FPA Filtro Passa Alta

1 1
tendo-se X c = =
j C sC

vi vi R vi
vo = .R = =
1 1 1
R+ R+ 1+
sC sC RCs

vi
1
1+
vo RCs 1
Funo de transferncia : G ( s ) = = =
vi vi 1
1+
RCs

Funo de transferncia em regime permanente senoidal, neste caso s = j , temos portanto:

1 1 j
G ( j ) = = =
1+
1
1+ 0
( j + 0 )
RCj j

j
0
G ( j ) =

j +1
0

Defini-se 0 = 1/ sendo a constante de tempo do circuito, que igual a = RC.

O mdulo da funo de transferncia calculado como sendo

______________________________________________________________________________________________________ 27
Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
 2
w
0 0
G( j ) = = e a fase como,
2 2

+1 +1
0 0

( j ) =

arctan 0
zero
arctan ( )
0 = 90 arctan 0
0
( )

|G(jw)|
20 dB/dec
20dB
0,1wo wo 10wo
w

3dB

G(jw)
90
84

45

6
0 w

-45

-90

______________________________________________________________________________________________________ 28
Teoria: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
 CENTRO UNIVERSITRIO DA FEI
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3a Experincia: Resposta em Frequncia de

Amplificadores

NOMES DOS INTEGRANTES DO GRUPO NMEROS

1.
2.
3.
4.
I. Objetivos
Familiarizao a resposta em frequncia (Sedra/Smith: Cap. 01, item 1.6; Cap. 07 e ApndiceF));
Uso do diagrama de Bode.

II. Material
Software MULTISIM.

IV. Parte Prtica

1. Amplificador 1 estgio
1.1. Dado o circuito da figura 1, aplicar o gerador de funes com uma tenso 1,0 mV e frequncia
1 kHz;
1.2. Medir o ganho com o osciloscpio. Para tanto medir a tenso de sada Vs e de entrada Ve.
1.3. Usar o Bode Plotter (amplitude) e medir as frequncias de corte e o ganho da banda passante em dB
(A dB = 20 log (Vs/Ve);
1.4. Usar o Bode Plotter (fase) e medir os ngulos nas frequncias importantes;
Anotar todos os dados obtidos na tabela I.

Figura 1: Circuito eltrico do 1o estgio do amplificador.

______________________________________________________________________________________________________ 30
3a Experincia: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
2. Amplificador 2 estgio
2.1. Dado o circuito figura 2, aplicar o gerador de funes com uma tenso 1,0 mV e frequncia 1 kHz;
2.2. Medir o ganho com o osciloscpio. Para tanto medir a tenso de sada Vs e de entrada Ve, a relao
entre elas ser o ganho. Anotar os dados obtidos na tabela I;
2.3. Usar o Bode Plotter (amplitude) e medir as frequncias de corte e o ganho da banda passante em dB;
2.4. Usar o Bode Plotter (fase) e medir os ngulos nas frequncias importantes;
Anotar todos os dados obtidos na tabela I.

Figura 2: Circuito eltrico do 2o estgio do amplificador.

3. Amplificador com dois estgios

3.1. Dado o circuito abaixo, aplicar o gerador de funes com uma tenso 1,0 mV e frequncia 1 kHz;
3.2. Medir o ganho com o osciloscpio. Para tanto medir a tenso de sada Vs e de entrada Ve, a relao
entre elas ser o ganho. Anotar os dados obtidos na tabela 1;
3.3. Usar o Bode Plotter (amplitude) e medir as frequncia. de corte e o ganho da banda passante em dB;

Figura 3: Circuito eltrico do amplificador com dois estgios.

______________________________________________________________________________________________________ 31
3a Experincia: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
 Tabela I

Circuito 1 Circuito 2 Circuito 3

Ve (Vpp)
Osciloscpio Vs (Vpp)
Av (Vs / Ve)
Av em frequncias
mdias (dB)
Bode Plotter frequncia 1 a (-3dB)

frequncia 2 a (-3dB)

4. Analise os resultados apontados na Tabela I e explique:

4.1. Por que a frequncia de corte inferior (fr1) para o circuito 1 maior que para o circuito 2?
R:_________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
4.2. Por que o ganho, para a faixa de frequncias mdias, do circuito 1 bem maior do que o circuito 2?

R:_________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________

4.3. Levantar os grficos ( Diagrama de Bode ) dos circuitos 1 e 2, a soma dos circuitos ( 1 + 2 ) e o do
circuito 3. Comparar os resultados dos diagramas soma ( 1+2 ) com o do circuito 3.

______________________________________________________________________________________________________ 32
3a Experincia: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
Grfico 1: circuitos 1 e 2:

frequncia [ Hz ]

Grfico 2: circuito 3:

frequncia [ Hz ]
______________________________________________________________________________________________________ 33
3a Experincia: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
Faa a comparao entre os resultados obtidos, justificando a sua resposta.

R:_________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________

Concluses

______________________________________________________________________________________________________ 34
3a Experincia: Resposta em Frequncia de Amplificadores FEI / EL 7430 / NE 8430
 CENTRO UNIVERSITRIO DA FEI
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4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores

NOMES DOS INTEGRANTES DO GRUPO NMEROS

1.
2.
3.
4.
 I Termistores

1. Introduo
Os termistores esto inclusos na classe dos slidos conhecidos como semicondutores, tendo uma
condutividade eltrica que est entre os condutores e os isolantes. O termo termistor derivado do ingls
thermistors thermally sensitive resistors , pois sua resistncia varia com a temperatura.
Existem dois tipos de termistores, o NTC Negative Temperature Coefficient e o PTC Positive
Temperature Coefficient .

2. NTC Coeficiente negativo de temperatura

um componente resistivo cuja resistncia decresce com o aumento da temperatura.

2.1. Constituio
Os termistores so fabricados com um semicondutor slido cuja resistividade possui um alto
coeficiente de temperatura. constitudo de uma mistura de cromo, mangans, ferro, cobalto e
nquel.
Sua fabricao semelhante a da cermica. Depois de uma intensa mistura e da adio de um
aglutinante plstico, dado a forma adequada, aps o que submetido a altas temperaturas
suficiente para haver a sinterizao e consequente oxidao. Finalmente so aplicados contatos
eltricos.

2.2. Smbolo
Segundo a NB-87 da ABNT temos a seguinte representao grfica:

Figura 1- Simbologia utilizada para o NTC.

______________________________________________________________________________________________________ 36
4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores FEI / EL 7430 / NE 8430
 2.3. Relao entre a resistncia e a temperatura
A figura 2 mostra a relao entre a resistncia e a temperatura. Notar que temos uma relao no
linear, porm podemos considerar a resposta aproximadamente linear para trechos limitados de
variao de temperatura.

Figura 2 Variao da resistncia com a temperatura

A figura 3 apresenta a relao entre a tenso aplicada e a corrente que circula pelo NTC. Notar que no
incio temos uma reta, isto o NTC segue a lei de Ohm, mas a partir de um certo ponto a potncia
dissipada aumenta a temperatura do NTC fazendo com que sua resistncia diminua, passamos ento a
ter uma no linearidade.

______________________________________________________________________________________________________ 37
4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores FEI / EL 7430 / NE 8430
 Figura 3 Relao entre I x V aplicadas ao NTC

2.4. Modelo matemtico

A variao da resistncia com a temperatura para o NTC pode ser expressa pela seguinte equao:

R = Ae T

Sendo:
R resistncia do NTC em ohms, na temperatura T (K);
A e B constantes para cada NTC;
e base dos logaritmos neperianos = 2,718;
T temperatura em Kelvin.

______________________________________________________________________________________________________ 38
4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores FEI / EL 7430 / NE 8430
 B

Se T tender para o infinito, teremos (B/T) tendendo a zero e portanto e T

= 1 , o que resulta em R = A.
Podemos tirar que a dimenso de A ohms e a de B em Kelvin.

Podemos calcular A e B de uma maneira indireta. Submetendo o NTC a uma temperatura T1 teremos sua
resistncia igual a:
B
T1
R1 = A e
Se submetermos o NTC a uma temperatura T2 teremos sua resistncia igual a:
B
T2
R2 = Ae

Dividindo-se R1 por R2, teremos:

B
T1 1 1
R1 e B
T1 T2
= =e , calculando o log neperiano para ambos os termos ficamos com:
R2 B
T2
e

1 1
R1 B
T1 T 2
ln = ln e
R2

R1 1 1
ln = B
R2 T1 T2

R1
ln
R2
B =
1 1

T1 T2
conhecendo-se B determina-se o valor de A.

2.5. Especificaes de um NTC tpico

Valor da resistncia a + 25C 2,2 a 1300

Valor de B25/85 2675 a 5450 K
Dissipao mxima 1W
Fator de dissipao 10 mW/C
Constante de tempo trmica 60 seg. aproximadamente
Faixa de operao de temperatura:
para dissipao zero -25 a +125 C
para mxima dissipao 0 a + 55 C

Por exemplo, NTC de 1300 , tem um valor de B25/85 = 5450 K, coeficiente de temperatura 6,15 % /
C e identificado pelas cores marron/laranja/vermelho.

______________________________________________________________________________________________________ 39
4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores FEI / EL 7430 / NE 8430
 2.6. Cuidados para medir um NTC

2.6.1. Nunca medir um NTC ao ar, isto provoca medidas erradas devido a variao de temperatura.
Use um lquido no condutivo como leo de silicone;
2.6.2. Use um termmetro com preciso de 0,1 C ou melhor. Mesmo que o leo seja
adequadamente agitado, ainda existe gradiente de temperatura. Medir a temperatura to perto
quanto possvel do NTC;
2.6.3. Antes de proceder a leitura da temperatura, espere o NTC entrar em equilbrio trmico com o
leo, pelo menos 1 minuto;
2.6.4. Use a menor tenso possvel aplicada ao NTC, caso contrrio o NTC ir ser aquecido pela
corrente eltrica. Recomenda-se tenso da ordem de 0,5 volts.

2.7. Exemplos de aplicao

2.7.1. Normalmente os NTC so conectados a uma ponte de Weatstone, conforme mostrado a
seguir:

Sendo r a variao de R para uma determinada faixa de temperatura, podemos deduzir:

Tenso diferencial Vd=(V1-V2),
V cc V cc
V1 = ( R + r) = ( R + r)
R+ R+r 2R + r
V cc R V cc
V2 = =
R+ R 2

Vcc ( R + r ) Vcc 2( R + r ) ( 2 R + r )
Vd = V1 V2 = = Vcc
2R + r 2 2( 2 R + r )

Vcc r
Vd =
4 R + 2r

Tenso em modo comum, Vcm =(V1-V2)/2, aproximadamente Vcm ~ Vcc/2

______________________________________________________________________________________________________ 40
4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores FEI / EL 7430 / NE 8430
 2.7.2. Uso do NTC com um amplificador de diferenas (Sedra/Smith cap. 2, pag. 82)

V0

Sabe-se que CMRR = Ad/Acm (Sedra pag.464, equao 6.38), podemos deduzir que:

Ad V1 V2
V0 = Ad (V1 V2 ) + sendo Ad = R2/R1,
CMRR 2

como CMRR costuma ser da ordem de 80 dB ou 10.000 podemos desprezar o efeito do sinal de modo
comum, ficando a sada igual a:

R2
V0 = (V V1 )
R1 2

______________________________________________________________________________________________________ 41
4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores FEI / EL 7430 / NE 8430
3. PTC Coeficiente positivo de temperatura
um componente resistivo cuja resistncia aumenta com o aumento da temperatura, ou seja possui
coeficiente positivo de temperatura.

3.1. Constituio
So fabricados a partir de xido semicondutores, tais como BaTiO3 e SrTiO3. Apresentam as
seguintes diferenas em relao ao NTC:
- O seu coeficiente positivo apenas dentro de determinado intervalo de tempera;
- O valor absoluto de seu coeficiente de temperatura na maior parte das vezes bem superior ao dos
NTC.

3.2. Smbolo
Segundo a NB-87 da ABNT temos a seguinte representao grfica:

3.3. Relao entre a resistncia e a temperatura

______________________________________________________________________________________________________ 42
4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores FEI / EL 7430 / NE 8430
 3.4. Modelo matemtico
Devido ao comportamento irregular, o PTC no possui uma equao que defina matematicamente
seu comportamento.

3.5. Especificaes de um PTC tpico

Valor da Resistncia a 25 C 250 +/- 25%

Valor da Resistncia a 80 C 3700 +/- 30%
Coeficiente de temperatura + 5 % / C aproximadamente
Mxima tenso a Tamb=+55C 25 Vdc
Fator de dissipao 6 mW / C
Temperatura de operao
a potncia zero -25 a +155 C
a Vmx +0 a +55 C

3.6. Exemplos de aplicao

Rel temporizado

______________________________________________________________________________________________________ 43
4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores FEI / EL 7430 / NE 8430
I. Objetivos

Familiarizao prtica com o NTC;

Verificao experimental do comportamento do NTC em funo da variao de temperatura.

II. Material

01 Fonte 12V dupla com seus respectivos cabos

01 Fonte ajustvel simples com seus respectivos cabos
01 Multmetro ET2700
01 Multmetro com sensor de temperatura
01 Kit didtico Amplificador operacional
01 placa ponte de Wheatstone
10 cabos banana-banana e 02 garras jacar.
01 resistor de 560 , 100k
02 resistores de 10k, 1,2k e 47k
01 potencimetro de 1k

III. Parte Prtica

1. NTC como sensor de temperatura

1.1. Medir a temperatura ambiente e a resistncia do NTC a esta temperatura. Ateno para deixar o
NTC se estabilizar na temperatura ambiente e colocar o NTC prximo a ponta medidora de
temperatura.

T ambiente = _____________ C RNTCamb = ____________

1.2. Segurar a ponta medidora de temperatura com os dedos polegar e indicador da mo esquerda e o
NTC com os da direita at a temperatura estabilizar (~2 min) anotar o valor da temperatura e da
resistncia do NTC.

T2 = _____________ C RNTC = ____________

1.3. Calcular A e B do NTC indicando a expresso da funo. Qual ser o valor da resistncia do NTC a
50oC?

A = ___________ B = ______________ Expresso: R =

R50 = ______________

______________________________________________________________________________________________________ 44
4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores FEI / EL 7430 / NE 8430
 1.4. Para o circuito abaixo, calcular o valor de Vd e V0 para a temperatura T2 . Detalhar os clculos no
quadro abaixo:

Clculos:

Vd = ________ V e V0 = _________ V

1.5. Montar o circuito a seguir. OBS.: Ajustar o offset do amplificador operacional antes da
realizao do experimento.

______________________________________________________________________________________________________ 45
4a Experincia: Teoria e Prtica de Termistores FEI / EL 7430 / NE 8430
 1.6. Com o NTC a temperatura ambiente, ajustar o potencimetro de forma a termos V0 = 0 V.

1.7. Segurar o NTC com os dedos polegar e indicador. Depois de estabilizado a temperatura, medir o
valor de Vd e V0. Comparar com os valores calculados.

Vd = Vo =

Concluses finais

__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
_________________________________________________________________ _________

______________________________________________________________________________________________________ 46
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5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar

NOMES DOS INTEGRANTES DO GRUPO NMEROS

1.
2.
3.
4.
I Clula Solar

1. Introduo
A converso da luz solar em energia eltrica conseguida atravs das clulas solares, cujo processo
usualmente chamado de efeito fotovoltaico.
O termo fotovoltaico adotado para diferenciar-se do termo fotocondutivo, ambos so efeitos fotoeltricos
que acontecem em materiais semicondutores. No efeito fotocondutivo, cargas eltricas livres so geradas
por ftons da luz incidente. Isto ocorre pela foto-ionizaco interna dos tomos ou ons que constituem o
cristal semicondutor. As novas cargas mveis incrementam a condutividade eltrica do material. Este efeito
no gera energia, mas pode ser empregado como dispositivo sensvel a luz. O efeito fotovoltaico por sua
vez, pode ocorrer somente quando existir uma barreira potencial no material semicondutor quando este no
estiver iluminado. Tal barreira achada, por exemplo, na interface entre duas reas com diferentes dopagens,
isto , onde dois tipos diferentes de impurezas introduzidas em concentrao inferior a 1%. Se este material
iluminado, a carga eltrica criada pela luz atravs do efeito fotovoltaico ir ser separada pela barreira em
cargas positivas de um lado e cargas negativas do outro lado. Este o efeito fotovoltaico o qual um
processo gerador de potncia eltrica P = VxI.
importante dizer que este tipo de converso no depende da temperatura, ao contrrio, a eficincia da
clula solar cai quando sua temperatura aumenta. Este comportamento devido ao fato de que os ftons da
luz solar transferem sua energia diretamente para os eltrons. Devido a este fato, a eficincia das clulas
solares excelente nas regies polares da terra, sendo que sua eficincia no cai para regies cujo cu
coberto por nuvens. O mesmo no ocorre para regies equatoriais onde a incidncia da luz solar direta e
aquecem a clula.
A converso fotovoltaica pode ser encontrada em qualquer semicondutor. Isolantes no so adequados
devido a sua baixa condutividade; tanto quanto para os metais, eles so insensveis a luz devido a sua alta
concentrao de eltrons no escuro.
Os melhores semicondutores para a converso da luz solar em energia eltrica, so aqueles sensveis a luz
solar visvel. O semicondutor PbS que sensvel a luz infravermelha no adequado para gerar energia
eltrica apesar de ser muito til na deteco da luz infravermelha. ZnS, o qual sensvel a luz ultravioleta,
tambm no adequado para a converso de energia solar em eltrica.

2. Clula solar convencional

No presente momento, o silcio o material semicondutor mais importante para a converso de energia solar
fotovoltaica, as clulas so fabricadas de material monocristalino. Normalmente, as clulas de baixo custo
tem o formato de disco porque so feitas de fatias cortadas diretamente da barra monocristalina tirada da
fundio. A estrutura da clula solar tpica mostrada na figura 1.

Grade de contato (negativo)

Cobertura antireflexiva

Camada dopada com Fsforo

barreira a 0,3 m da superfcie

Vapor de metal contato pastilha de silcio com 0,03 m, dopada
positivo tipo P com Boro

Figura 1 Esquema de uma clula solar.

______________________________________________________________________________________________________ 48
5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar FEI / EL 7430 / NE 8430
Devido a camada de barreira (juno PN), a qual essencial para o efeito fotovoltaico, a clula solar tem
uma caracterstica de diodo quando est no escuro.

3. Curva caracterstica
A caracterstica IxV de uma clula tpica de 2x2 cm mostrada pela Figura 2.

Figura 2 Caracterstica I x V.

______________________________________________________________________________________________________ 49
5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar FEI / EL 7430 / NE 8430
Sob luz, a curva I x V tem o mesmo formato mas a corrente comea com um valor negativo. Como
resultado, uma tenso de circuito aberto aparece no eixo positivo da tenso e uma corrente de curto circuito
no eixo negativo da corrente.
A curva I x V se desloca linearmente ao longo do eixo da corrente como funo da intensidade luminosa. A
tenso de circuito aberto varia logaritmicamente em funo da intensidade luminosa.
A mxima potncia pode ser obtida otimizando o produto I x V. Este ponto corresponde a tenso Vm a qual
ligeiramente menor que a tenso Voc (vide Figura 2).

A clula solar pode ser fixada no seu ponto de mxima potncia de duas formas: pela aplicao de uma
tenso externa de valor Vm ou conectando-se uma carga resistiva de valor R=Vm/Im.

Para as clulas solares de Silcio, uma temperatura ambiente e uma intensidade luminosa AMO Air Mass
zero (atmosfera zero), a tenso est entre 0,55 a 0,60 volts e a corrente de curto circuito de
aproximadamente 30 mA/cm2.

4. Circuito equivalente
O circuito equivalente para a clula solar, quando sob luz, mostrado na figura 3. Variando-se a carga Rcarga
de zero a infinito, obtm-se a curva caracterstica I x V da clula solar.

Figura 3 Circuito equivalente de uma clula solar.

Conforme mencionado anteriormente, a potncia de sada da clula solar cai quando a temperatura aumenta.
Isto pode ser visto na figura 4. Uma clula tpica perde em torno de 0,35% a 0,45% por grau Celsius de
elevao da temperatura. Em outras palavras para uma variao da temperatura de 20 C para 70 C a clula
solar perde 20% da sua potncia.

______________________________________________________________________________________________________ 50
5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar FEI / EL 7430 / NE 8430
Figura 4 Potncia x temperatura; tenso em circuito aberto x temperatura e corrente de curto
circuito x temperatura.

______________________________________________________________________________________________________ 51
5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar FEI / EL 7430 / NE 8430
5. Eficincia

A eficincia da clula solar definida como a relao entre a potncia eltrica, a qual pode ser extrada do
ponto de mxima potncia da curva I x V, e a luz incidente. Para a luz monocromtica, por exemplo feixe de
luz amarela ou verde, a mxima eficincia terica est entre 45% e 50%. No entanto, a eficincia
obtida da luz do Sol menor. Isto devido ao espectro da luz solar se estender do ultravioleta passando pela
luz visvel at o infravermelho, sendo que a clula solar insensvel a luz fora da faixa visvel.

Para a luz solar fora da atmosfera, chamada Air Mass 0 (AM0), com uma intensidade de luz de 1,38 kW/m2,
a mxima eficincia para a clula de silcio de 19%. No nvel do mar Air Mass 1 (AM1), o espectro de luz
diferente, a luz infravermelha muito menor que no espao, sendo a intensidade de luz 1 kW/m2. Nas altas
montanhas a intensidade aumenta para 1,1 kW/m2. Apesar da intensidade de luz na terra ser menor que a do
espao, a diferena da composio espectral no nvel do mar tem o efeito de concentrar mais a energia em
parte do espectro onda a clula solar mais sensvel. Tem sido comprovado experimentalmente que a
eficincia das clulas de silcio , de uma maneira geral, 20% maior ao nvel do mar que no espao. A
mxima eficincia terica ao nvel do mar de 23%.
As clulas solares comerciais tem uma eficincia de 10% a 15% ao nvel do mar.

6. Painel solar

O painel solar tambm chamado de bateria solar, constitudo de clulas solares de 5 cm a 10 cm de

dimetro. Estas clulas so ligadas em paralelo, para aumentar a capacidade de corrente, e estes conjuntos
ligados entre si em srie, para aumentar a tenso fornecida.
Um cuidado especial deve ser tomado com respeito as caractersticas eltricas das clulas, estas devem
possui a mesma tenso de circuito aberto e o mais importante ainda possuir o mesmo ponto de potncia
mxima.
Uma forma de evitarmos problemas com a eventual diferena de uma clula em relao ao conjunto de
clulas em paralelo, colocarmos um diodo em paralelo que servir de bypass para a corrente reversa.

7. Armazenamento de energia em baterias

comum utilizar-se baterias qumicas recarregveis associadas com os painis solares, de forma a garantir o
suprimento de energia quando no se tem insolao suficiente.
Quando baterias chumbo cido so recarregadas, a tenso aumenta progressivamente, cada clula da bateria
tem sua tenso aumentada de 2,1 V para 2,4 V quando atinge a plena carga. Assim o painel solar deve
fornecer 2,1 V no ponto de mxima potncia e 2,4 V de tenso de circuito aberto, isto multiplicado pelo
nmero de clulas da bateria. Deve-se colocar um diodo em srie para evitar-se que a bateria se descarregue
atravs do painel solar quando no tivermos insolao suficiente.

8. Vida til das clulas solares

A expectativa de vida dos painis solares so de 25 a 30 anos.

9. Concentradores dos raios solares

Para melhorar a eficincia dos painis solares, existem diversas geometria de concentradores solares. A
seguir temos dois exemplos de concentradores:
______________________________________________________________________________________________________ 52
5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar FEI / EL 7430 / NE 8430
Este concentrador possui um fator de concentrao que varia de 2 a 4, dependendo do ngulo que o espelho
forma com a normal e da incidncia de raios difusos.

______________________________________________________________________________________________________ 53
5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar FEI / EL 7430 / NE 8430
Este concentrador possui um fator de concentrao que varia de 4 a 10, porm ele precisa ser ajustado na sua
posio em relao a direo norte/sul.

______________________________________________________________________________________________________ 54
5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar FEI / EL 7430 / NE 8430
I. Objetivos

Familiarizao prtica com a Clula solar;

Verificao experimental da potncia eltrica fornecida pelo painel solar em funo da incidncia da
energia luminosa.

II. Material

01 Fonte 12 volts dupla com seus respectivos cabos

01 Fonte ajustvel simples com seus respectivos cabos
01 Multmetro (ET2700)
01 Multmetro com sensor de temperatura
01 Kit didtico Painel solar
01 Dcada resistiva
10 cabos banana- banana e 02 garras jacar.
01 resistor de 560 , 100k
02 resistores de 10k, 1,2k e 47k
01 potencimetro de 1k

III. Parte Prtica

1. Determinao da mxima potncia fornecida pelo painel solar

1.1. Montar o circuito da figura a seguir, sendo que as lmpadas e painel solar esto montadas dentro da
caixa do kit didtico:

Borne E

Borne A

1.2. Ajustar a fonte de alimentao das lmpadas para 10 volts e a dcada resistiva para 200 k;

1.3. Levantar a curva de corrente x tenso gerada. Para tanto proceder conforme segue:
manter a fonte luminosa constante (Vlmpada = 10 volts) e manter a tampa do kit fechada;
ajustar a dcada resistiva de forma a obter as tenses sugeridas na tabela abaixo;
fazer a leitura da corrente equivalente, anotando-a na tabela abaixo:
calcular a potncia gerada pelo painel solar em cada caso e anotar seu valor na tabela.

V (volts cc) curto

circuito 0,5 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0 circuito
aberto
I (mA cc)
medida
P (mW)
calculada
______________________________________________________________________________________________________ 55
5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar FEI / EL 7430 / NE 8430
 Resposta caracterstica I x V:

1.4. Traar, no mesmo grfico IxV acima, a curva P x V - potncia gerada em funo da tenso. Para
tanto criar outra escala para o eixo das ordenadas mantendo o da abcissa para a tenso V.

1.5. Do grfico tirar o valor da mxima potncia gerada pelo painel solar e calcular o valor da resistncia
de carga nesta situao,

Pmax = __________ mW Rcarga = __________

2. Influncia do concentrador solar

2.1.Montar o circuito abaixo.

______________________________________________________________________________________________________ 56
5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar FEI / EL 7430 / NE 8430
2.2 Abrir a caixa do kit de forma que os raios luminosos da sala de aula atinjam o painel solar. Com auxlio
da tampa da caixa do kit, posicion-la de forma a ter-se a maior gerao de energia eltrica pelo painel solar.
Desenhe qual a posio da folha propicia a maior gerao de energia eltrica e explique.

R:_______________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________

Concluses finais

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__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
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_________________________________________________________________ _________

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5a Experincia: Teoria e Prtica de Clula Solar FEI / EL 7430 / NE 8430
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Data de entrega: ____ / ____ / _____
Relatrio: ACEITO RECUSADO CORRIGIR

6a Experincia: Realimentao

NOMES DOS INTEGRANTES DO GRUPO NMEROS

1.
2.
3.
4.
I. Objetivos
Verificao prtica dos efeitos da realimentao ( vide livro texto: Cap. 08, pg. 608);
Efeito da realimentao na estabilidade trmica da polarizao.

II. Material
01 Fonte de tenso simples com seus respectivos cabos.
01 Multmetro (ET2700)
01 Protoboard
01 BC548B
fios para ligao
10 cabos banana- banana e 01 garra jacar.
01 resistor de 470 , 100 k, 220 k, 02 resistor de 240 .
01 lmpada bulbo leitoso de 100 W 110 volts com soquete.

III. Parte Prtica

1. Circuito sem realimentao

1.1. Calcular a polarizao para o circuito da figura abaixo, de forma a termos VCE = 5 volts, VBE =0,7V
e IC = 10mA, sendo = 250;
1.2. Montar o circuito e medir VCE. O valor deve estar em torno de 5 volts, podendo variar em at 40%
dependendo do valor de , o que no afetar os resultados da experincia. Caso o valor seja menor
que 3,0 volts ou maior que 6,5 volts, redimensionar Rb:

VCE (Transistor frio) = __________ V

1.3. Encostar uma lmpada de 60 ou 100 watts, acesa,

no transistor, por um perodo de 1 minuto. Moni-
torar a tenso de VCE, e anotar o seu valor ao
final de um minuto.

VCE (Transistor quente) = __________ V

1.4. Calcular a variao percentual da tenso de VCE.

VCE (transistor frio ) VCE (transistor quente)

Variaao% = 100
VCE (transistor frio)

Variao = __________%

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6a Experincia: Realimentao FEI / EL 7430 / NE 8430
2. Realimentao paralela/paralela
2.1. Calcular a polarizao para o circuito da figura abaixo , de forma a termos VCE = 5V, VBE=0,7V e
IC = 10 mA, sendo = 250;
2.2. Montar o circuito e medir VCE. O valor deve estar em torno de 5 volts, podendo variar em at 40%
dependendo do valor de , o que no afetar os resultados da experincia. Caso o valor seja menor
que 3,0V ou maior que 6,5V, redimensionar Rb:

VCE (Transistor frio) = __________ V

2.3. Encostar uma lmpada de 60 ou 100 watts,

acesa, no transistor, por um perodo de 1
minuto. Monitorar a tenso de VCE, e anotar
o seu valor ao final de um minuto.

VCE (Transistor quente) = __________ V

2.4. Calcular a variao percentual da tenso de

VCE.

VCE (transistor frio ) VCE (transistor quente)

Variaao% = 100
VCE (transistor frio)

Variao = __________%

Explique como se processa a realimentao:

R:_________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________

______________________________________________________________________________________________________ 60
6a Experincia: Realimentao FEI / EL 7430 / NE 8430
3. Realimentao srie/srie

3.1. Calcular a polarizao para o circuito da figura abaixo , de forma a termos VCE = 5V, VBE =0,7V e
IC = 10 mA e RC = RE, sendo = 250.

VCE

3.2. Montar o circuito e medir VCE. O valor deve estar em torno de 5V, podendo variar em at 40%
dependendo do valor de , o que no afetar os resultados da experincia. Caso o valor seja menor
que 3,0V ou maior que 6,5V, redimensionar Rb:

VCE ( transistor frio ) = __________ V

3.3. Encostar uma lmpada de 60 ou 100 watts, acesa, no transistor, por um perodo de 1minuto.
Monitorar a tenso de Vo, e anotar o seu valor ao final de um minuto.

VCE ( transistor quente ) = __________ V

3.4. Calcular a variao percentual da tenso de Vo.

VCE ( transistor frio) VCE ( transistor quente)

Variao% =
VCE ( transistor frio)

Variao = __________%

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6a Experincia: Realimentao FEI / EL 7430 / NE 8430
Explique como se processa a realimentao:

R:_________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________

4. Resultados
Estabilidade da polarizao para os trs casos:

1. Sem realimentao 2. real. paralela/paralela 3. real. srie/srie

Variao % de VCE

Concluses finais
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________

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6a Experincia: Realimentao FEI / EL 7430 / NE 8430
 Equacionamento e Comentrios
Autor: Prof Silvio Xavier Duarte

Ligaes:

a) Sem realimentao

IB
VCC
IC VCE = VCC RC I B (I)

VCC VBE
RB RC mas I B = (II)
RB

Substituindo (II) em (I) resulta:

RC
VBE
IE VCE = VCC (VCC VBE ) (III)
RB

Neste esquema de ligao nota-se que as variaes de no afetam a corrente de base, cujo valor, permane-
ce constante, ou seja, no h nenhum elo de realimentao. Assim a tenso sobre VCE sofre grande variao.

b) Realimentao paralela

VCC VCE = VCC RC ( + 1) I B (I)

IE

VCC VBE RC ( + 1) I B
mas I B =
RC RB

IB
VCC VBE
portanto I B = (II)
RB + RC ( + 1)
IC
RB Substituindo (II) em (I) resulta:

RC ( + 1)
VCE = VCC (VCC VBE ) (III)
VBE IE
RB + RC ( + 1)

Neste esquema de ligao nota-se que as variaes de afetam alm da tenso VCE, a corrente de base. Ou
seja, quando modificado (por variaes de temperatura) o valor de VCE alterado, esta alterao trans-
ferida para a tenso aplicada sobre RB que altera tambm a corrente de base fazendo uma compensao da
variao de . Portanto h um elo de realimentao entre a sada e a entrada do circuito, neste circuito atra-
______________________________________________________________________________________________________ 63
6a Experincia: Realimentao FEI / EL 7430 / NE 8430
vs de RC. Desta forma a tenso sobre VCE sofre menor variao com as alteraes de ganho quando com-
parada ao caso sem realimentao.

c) Realimentao srie

IB
VCC VCE = VCC RC I B RE ( + 1) I B
IC
ou VCE = VCC [RC + RE ( + 1)] I B (I)
RB RC
(VCC VBE ) RE ( + 1) I B
mas I B =
RB

VCC VBE
portanto I B = (II)
VBE
RB + RE ( + 1)
RE
Substituindo (II) em (I) resulta:

IE
RC + RE ( + 1)
VCE = VCC (VCC VBE ) (III)
RB + RE ( + 1)

Neste esquema de ligao nota-se que as variaes de afetam alm da tenso VCE, a corrente de base. Ou
seja, quando modificado (por variaes de temperatura) o valor de VCE alterado, esta alterao trans-
ferida para a tenso aplicada sobre RB que altera tambm a corrente de base fazendo uma compensao da
variao de . Portanto h um elo de realimentao entre a sada e a entrada do circuito, neste circuito atra-
vs de RE. Desta forma a tenso sobre VCE sofre menor variao com as alteraes de ganho quando com-
parada ao caso sem realimentao.

______________________________________________________________________________________________________ 64
6a Experincia: Realimentao FEI / EL 7430 / NE 8430
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7a Experincia: Amplificador de Potncia Classe B

NOMES DOS INTEGRANTES DO GRUPO NMEROS

1.
2.
3.
4.
I. Objetivos

Familiarizao prtica com amplificador de potncia classe B ( Sedra/Smith : Cap. 09, pg. 694 );
Verificao experimental das no linearidade;.
Efeito da realimentao.

II. Material
02 Fontes duplas com seus respectivos cabos ( MPC-3003D )
01 fonte simples Minipa.
01 Gerador de funes ( modelo MFG-4200 ).
01 Multmetro ET2700
01 Placa Amplificadores de Potncia.
01 Osciloscpio duplo feixe com memria TDS3012 com FFT.
10 cabos banana-banana e 01 garra jacar.
01 resistor de 1k , 10k e 100k.

III. Parte Prtica

1. Circuito Amplificador de potncia classe B
1.1. Montar o circuito da figura a seguir;
1.2. Levantar a caracterstica de transferncia vo x vi (Sedra/Smith - figura 9.6, pag. 695). Para tanto
preencher a tabela I e desenhar o grfico. Utilizar o multmetro para medir as tenses.

Tabela I Valores medidos de tenso

ventrada (volts) -6,0 -3,0 -1,8 -1,4 -1,0 -0,8 -0,6 -0,4
vsada (volts)

ventrada (volts) 0,4 0,6 0,8 1,0 1,4 1,8 3,0 6,0
vsada (volts)
______________________________________________________________________________________________________ 66
7a Experincia: Amplificador de Potncia Classe B FEI / EL 7430 / NE 8430
 Caracterstica de Transferncia

1.3. Visualizar a caracterstica de transferncia vo x vi (Sedra/Smith - figura 9.6, pag. 695). Para tanto
ajustar a sada do gerador para sua tenso mxima, senoidal, frequncia = 1 kHz e aplicar no canal A
do osciloscpio e vo no canal B. Ajustar o canal A para invertido (TDS3012 {Menu vertical} + {Inv. Ligado} +
{Ch1 Inv. Lig}). Ajustar o Osciloscpio para obter a figura de Lissajou ({Display} + {Disp. xy}+{|__ xy}). Ajustar a
escala vertical de ambos canais at obter a figura mencionada. Desenhar o obtido no grfico acima.

1.4. Explicar o que ocorreu nos pontos prximo a zero, e para os pontos prximos a tenso de
alimentao Vcc. O amplificador tem um comportamento linear? Explicar.
R:_______________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________

______________________________________________________________________________________________________ 67
7a Experincia: Amplificador de Potncia Classe B FEI / EL 7430 / NE 8430
2. Efeito da realimentao no amplificador de potncia classe B
2.1 Montar o circuito da figura a seguir:

2.2 Colocar a chave na posio A (na ausncia da chave utilizar um cabo banana - banana);
2.3 Ajustar o offset do amplificador operacional. Para tanto antes de ligar o gerador de audio, aterrar a entrada Vi e
medir a tenso na sada do Amp. Op. ajustando-a para 0 volts.
2.4 Ajustar a tenso vi para 5 Vpp, fr = 1 kHz e medir vo com o osciloscpio. Desenhar a forma de onda.
2.5 Ajustar a chave para a posio B (circuito com realimentao). Ajustar a tenso vi para 5 Vpp, fr = 1 kHz e medir
vo com o osciloscpio. Desenhar a forma de onda sobreposta forma de onda do item 2.4.

Sinal de sada vo com realimentao: Sinal de sada vo sem realimentao:

______________________________________________________________________________________________________ 68
7a Experincia: Amplificador de Potncia Classe B FEI / EL 7430 / NE 8430
2.6 Comparar as curvas e explicar o porque da diferena entre elas:

R:_______________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
3. Potncia fornecida pelo amplificador de potncia classe B

3.1 Calcule a potncia dissipada pelo resistor de carga (Sedra/Smith - equao 9.17 pag. 697)

Clculos:

P = _________________ W

3.2 Qual a vantagem desta classe de amplificador em relao ao classe A?

R:_______________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________

Concluses finais

_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________
_________________________________________________________________

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7a Experincia: Amplificador de Potncia Classe B FEI / EL 7430 / NE 8430