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TRABAJO PREPARATORIO 5

Espinosa David.
Facultad de Ingeniera Mecnica
Escuela Politcnica Nacional
201321105
davidespinosa08@hotmail.com.

I. CUESTIONARIO Figura 2. Diagrama de pines transistor 2N3904. Referenciado de:


http://4.bp.blogspot.com/VCouDielxIQ/Umr5gPJ3NmI/AAAAAA
1. Presentar y explicar las regiones de trabajo de un transistor
AAAOY/nJXF9BHcKbE/s1600/61.png
TBJ: zona de corte, zona de saturacin, zona de operacin Caractersticas:
normal. valor de beta (hfe): min 60V y mx. 300V
voltaje colector emisor mximo VCEO: 0,2V
corriente mxima de colector IC: 200mA
potencia mxima PMAX: 625mW

3. Simular el circuito de la Figura 1 tomando en cuenta los


siguientes datos:

Vcc = 15V (voltaje DC)


R1 = 3,9 k
R2 = 1 k
Rc = 560
RE1 = 39
RE2 = 180
RL = 1 k
Figura 1. Regiones de trabajo en un transistor bipolar. Referenciado
de:http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/image_ CB = 33 F
num_169.png CE = 330 F
CC = 22 F
Regin de saturacin: Es la regin donde el emisor y el colector estn
polarizados de forma directa, los voltajes van desde 0,1mV a 0,2mV.

Regin de ruptura: Es la regin donde se alcanzan voltajes de ruptura,


cuando se llega a la regin el transistor se puede destruir por el
fenmeno de avalancha.

Regin de Corte: Es la regin donde se tienen voltajes muy pequeos,


no hay corriente circulando y el transistor se encuentra apagado.

Regin Activa: Aqu el emisor y la base estn directamente Figura 3. Circuito de la figura 1.
polarizados y el colector y la base estn polarizados inversamente,
comprende voltajes de 0,4 V a 0,8 V.
3.1. Calcular Zin (impedancia de entrada) y Zo (impedancia
2. Consultar las caractersticas del transistor 2N3904 (incluir de salida)
diagrama de pines, valor de beta (hfe), resistencia de emisor 1
= 1
(re), voltaje colector emisor mximo VCEO, corriente mxima 21000(0,0033)
de colector IC, potencia mxima PMAX) = 1 0,0048
Este transistor es utilizado para la amplificacin analgica, se
caracteriza por trabajar con elevados niveles de corriente y voltaje. 1
= 1
21000(0,0022)
= 1 0,0072
3.2. Determinar el voltaje de entrada mximo CA para que no
exista recorte en la salida.
15
= 1
3,9 + 1
= 3,06
3.3. Presentar la simulacin y los valores de voltaje y
corriente sobre cada elemento en una tabla. Utilizar un
voltaje CA sinusoidal de 1 kHz con Vpp de la mitad del
calculado en el punto anterior.

3.1. Colocar un canal del osciloscopio sobre la fuente (CA) y


otro canal sobre la carga RL. Explicar fenmeno ocurrido y
hallar la ganancia del circuito.

Se puede apreciar que la seal del circuito sobre la carga RL


tiene mayor amplitude que sobre la carfa de la fuente AC, esto
puede ser debido al aumento de corriente en la direccin de la
Resistencia.

Figura 4. Formas de Onda de la fuente y la resistencia RL

Referencias
i. http://unicrom.com/modos-operacion-transistor-bipolar-region-
lineal-corte/
ii. https://www.sparkfun.com/datasheets/Components/2N3904.pdf
iii. http://www.forosdeelectronica.com/f27/hoja-datos-2n3904-
60985/

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