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La cristalinidad:
Monocristalino
Policristalino
Amorfo.
El tomo de silicio presenta un enlace covalente, cada tomo est unido a otros cuatro
tomos y compartiendo sus electrones de valencia. Necesita 8 electrones para su estabilidad.
El enlace covalente lo forman todos los elementos del grupo IV de la tabla peridica, al cual
pertenece el silicio.
Al aplicarle energa externa, ya sea de calor o de luz, se rompen los enlaces quedando un
electrn libre por cada enlace roto, pero a su vez. Se tiene un hueco vaco, el que ocupaba el
electrn. De esta forma se obtiene corriente elctrica, por el movimiento de los electrones
haca los potenciales positivos y del movimiento de los huecos haca los potenciales negativos.
El estado del germanio en su forma natural es slido y pertenece al grupo de los metaloides.
El nmero atmico del germanio es 32. El smbolo qumico del germanio es Ge. El punto de
fusin del germanio es de 1211,4 grados Kelvin o de 938,25 grados celsius o grados
centgrados. El punto de ebullicin del germanio es de 30,3 grados Kelvin o de 2819,85 grados
celsius o grados centgrados.
Los conductores tienen la propiedad fsica de conducir los electrones debido a que un la
ltima rbita comnmente pueden tener ms de cuatro y hasta ocho electrones lo cual les da
esta caracterstica, la mayora de los metales son excelentes conductores porque sus tonos
estn muy junto entonces aunado a la caracterstica anterior funcionan muy bien para
conducir electrones. El mejor conductor es el oro.
Los materiales aislantes reducen la conduccin elctrica debido a a que en su ltima rbita
tienen menos de cuatro electrones por lo cual no son buenos conductores, el mejor material
aislante es la porcelana.
Es importante saber que no existen materiales ideales (ni conductores ni aislantes), es decir
que no conducen ni aslan al 100%.
2. Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia. Las energas requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
El proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el
estado energtico correspondiente en la banda de conduccin a un hueco en la banda de
valencia, liberando as energa. Este fenmeno se conoce como "recombinacin". A una
determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante.
Sea "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos
(cargas positivas).
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos
tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una
diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos
prximos, originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria
al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.
3. Semiconductores extrnsecos
4. Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material
donante, ya que da algunos de sus electrones.
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y
los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con
tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In),
y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr
tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un
electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por
la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son
aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los
huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas
de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
UNIN P-N
5- Polarizacin directa
Puede observarse que la polarizacin directa provoc una disminucin del ancho de la
barrera de potencial de la zona de agotamiento. El lado p tiene una diferencia de potencial
positiva respecto al lado n. Los electrones y huecos tienen ahora mayor facilidad para cruzar la
barrera. La corriente de difusin aumenta y la de deriva disminuye, teniendo as una corriente
neta en el diodo que circula desde el lado p hacia el lado n
Polarizacin inversa
Como puede observarse, la polarizacin inversa provoca que el lado n tenga una diferencia
de potencial positiva respecto al lado p. Esta diferencia de potencial positiva provoca que la
barrera de potencial de la regin de agotamiento se expanda, impidiendo con mayor fuerza
que los portadores mayoritarios la crucen. Impedir que los portadores mayoritarios pasen
hacia el otro lado por difusin provoca un aumento de la corriente de deriva la cual est
compuesta por los portadores minoritarios. Al ser los portadores minoritarios menores en
cantidad, la corriente inversa es pequea. Esta corriente trasciende las barreras de la juntura
pn, circulando desde el lado n al lado p. La concentracin de portadores minoritarios se
mantiene a ambos lados de la juntura gracias a la generacin trmica. La corriente inversa es
proporcional a la temperatura (aumentando con ella), al rea de unin (aumentando con ella)
y es prcticamente independiente del voltaje aplicado (para unas pocas dcimas de voltios, la
corriente empieza a circular pero llega hasta un valor mximo limitado por la cantidad de
portadores de carga que en este caso son los minoritarios).
6-
7.
Qu es un Diodo Zener?
Los diodos zener, zener diodo o simplemente zener, son diodos que estn diseados para
mantener un voltaje constante en su terminales, llamado Voltaje o Tensin Zener (Vz) cuando se
polarizan inversamente, es decir cuando est el ctodo con una tensin positiva y el nodo
negativa. Un zener en conexin con polarizacin inversa siempre tiene la misma tensin en sus
extremos (tensin zener).
Se llama zona de ruptura por encima de Vz. Antes de llegar a Vz el diodo zener NO Conduce.
Como ves es un regulador de voltaje o tensin. Fijate en la grfica de funcionamiento del zener
ms abajo.
Pero OJO mientras la tensin inversa sea inferior a la tensin zener, el diodo no conduce, solo
conseguiremos tener la tensin constante Vz, cuando est conectado a una tensin igual a Vz o
mayor. Aqu puedes ver una la curva caracterstica de un zener:
Para el zener de la curva vemos que se activara para una Vz de 5V (zona de ruptura),
lgicamente polarizado inversamente, por eso es negativa. En la curva de la derecha vemos que
sera conectado directamente, y conduce siempre, como un diodo normal. Este diodo se
llamara diodo zener de 5V, pero podra ser un diodo zener de 12V, etc.
Sus dos caractersticas ms importantes son su Tensin Zener y la mxima Potencia que pueden
disipar = Pz (potencia zener).
La relacin entre Vz y Pz nos determinar la mxima corriente inversa, llamada Izmx. OJO si
sobrepasamos esta corriente inversa mxima el diodo zener puede quemarse, ya que no ser
capaz de disipar tanta potencia.
Un ejemplo: Tenemos un diodo zener de 5,1V y 0,5w. cual ser la mxima corriente
inversa que soportar?
Para evitar que nunca pasemos de la corriente inversa mxima, los diodos zener se
conectan siempre con una resistencia en serie que llamamos "Resistencia de Drenaje".
9- EL (DIODO) LED
Si alguna vez has visto, unas pequeas luces de diferentes colores que se encienden y apagan, en
algn circuito electrnico, sin lugar a dudas has visto el diodo LED en funcionamiento.
El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado
por la corriente emite luz.
Existen diodos LED es de varios colores y estos dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo.
Debe de escogerse bien la corriente que atraviesa el LED para obtener una buena intensidad
luminosa. El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 Voltios aproximadamente y la
gama de corrientes que debe circular por l va de 10 mA a 20 mA en los diodos de color rojo y de
entre 20 mA y 40 mA para los otros LEDs.
Tiene enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como son su bajo consumo de
energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas.
TIPOS DE LED:
Simbolos:
Diodo Tnel
Diodo emisor de luz, tambin conocido como LED (acrnimo del ingls) de Light-
Emitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de
espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula
por l una corriente elctrica. Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia. El
color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la
construccin del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible,
hasta el infarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin
reciben el nombre de UV LED (UltraV'iolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja
suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode).
Diodo Avalancha
Diodo schottky
Diodo Varicap
El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que
basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la
barrera de potencial en una unin PN varie en funcin de la tensin inversa
aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la
anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este
modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad
obtenidos van desde 1 a 500 pf. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
Diodo Lser
El diodol laser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que
bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. A veces se los denomina diodos
lser de inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD
Diodo Zener
Diodo P-I-N
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia
semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N
(estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la
capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad ()
o bien por una capa n de alta resistividad ().
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
- Conmutador de RF
- Resistencia variable
- Protector de sobretensiones
- Fotodetector
Fotodiodo
Diodo Gunn