Transistor MOSFET

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son

dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear
una canal de conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET ya
que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con
la tecnologa MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N
o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden
ser de acumulacin (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad
los segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern
descritos los MOS de acumulacin tambin conocidos como de
enriquecimiento. La figura 1.14 indica los diferentes smbolos utilizados
para describir los transistores MOS.

En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con

sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el
sustrato se encuentra conectado a la fuente.
La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del substrato por un
dielctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de
un condensador. Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas
negativas (capa de inversin) en la superficie del substrato y se crea un
camino de conduccin entre los terminales drenador y fuente.
La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin
umbral o tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del
transistor. Si la VGS < VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores
tpicos de esta tensin son 0.5 V a 3 V.

MOSFET EMPOBRECIMIENTO
Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario
suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en
cuenta esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del
canal. Con esta disposicin se consigue eliminar prcticamente la
corriente de fuga que apareca en dicho terminal en los transistores JFET.
En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de
canal N.

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento

como de enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:
La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los
electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador
a travs del canal estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto
mayor sea la diferencia de potencial V aplicada por la fuente, mayor ser
DD

esta corriente. Como ocurra con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la

puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento
de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenador. Aqu se
aprecia claramente que, el fenmeno de control se realiza a travs del
efecto del campo elctrico generado por la tensin V de la puerta.
GG

Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin
positiva de polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer
trabajar al MOSFET en enriquecimiento. Efectivamente, la tensin
positiva del graduador provoca un aumento o enriquecimiento de
electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la
tensin positiva V , aumenta tambin la corriente de drenador.
GG

Curvas caractersticas
En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una
familia de curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de
canal N.
Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de
V (trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en
GS

modo de enriquecimiento). La corriente ms elevada se consigue con la

tensin ms positiva de V y el corte se consigue con tensin negativa de
GS

V (apag).
GS

De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia,

que nos indica la relacin que existe entre V e I . sta posee la forma que
GS D

se muestra en la siguiente curva abajo a la derecha:

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje
de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con
tensiones positivas como negativas. Por esta razn, la corriente I , DSS

correspondiente a la enterseccin de la curva con el eje I , ya no es la de

D

saturacin.
Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y
la ecuacin que la define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET,

este tipo de transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el
punto correspondiente a V =0, I =I . Cuando ste queda polarizado as, el
GS D DSS

transistor queda siempre en conduccin o, normalmente, encendido.

Smbolos de los MOSFET
En la siguiente figura, podemos ver un transistor MOSFET de canal N
(punta hacia adentro) con cuatro terminales disponibles. El terminal de
sustrato est libre, en algunos casos, para dar al transistor un mayor
control sobre la corriente de drenador.

Proteccin de los MOSFET

Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de enriquecimiento,
poseen una capa extremadamente delgada de aislante que separa la puerta
del canal. Esta capa se destruye con suma facilidad si se aplica una tensin
V por encima de la mxima soportable. Por esta razn, nunca debe
GS

operarse con una tensin superior a la V prescrita en las caractersticas

GS(max)

del MOSFET.
An as, dicha capa aislante es tan delicada que puede destruirse por otras
causas, como pueden ser las sobretensiones provocadas al insertar o retirar
un MOSFET del circuito sin haber desconectado la fuente de
alimentacin. Tambin puede ocurrir, en ciertos casos, que al tocar con las
manos los terminales de un MOSFET se produzca una descarga
electrosttica entre ellos, que los destruya. Por esta razn los MOSFET se
almacenan con un conductor que cortocircuita sus terminales. Este
conductor se retira una vez conectado el MOSFET a su circuito.
Consideraciones sobre el MOSFET
En un transistor de unin de efecto campo, se aplica al canal un campo
elctrico a travs de un diodo p-n. Empleando un electrodo de puerta
metlico separado del canal semiconductor por una capa de xido, como
se muestra en la figura, se obtiene el efecto de un campo bsicamente
distinto. La disposicin Metal-xido-Semiconductor (MOS) permite que
un campo bsicamente distinto afecte al canal si se aplica una tensin
externa entre puerta y sustrato, y sto, tambin posee un efecto negativo
sobre el comportamiento del MOSFET.

En efecto, si observamos la figura de la derecha, donde en azul marino se

representa la capa de Dixido del Silicio y en Rojo las zonas tipo N y el
canal, vemos que al aplicar una tensin sobre la puerta se necesitar un
campo mnimo que inversione el canal. Esta tensin, llamada tensin
umbral y representada por V es aquella que acumula una concentracin
TH

de cargas capaz de invertir el canal.

Esto da lugar a que los niveles entre los circuitos digitales MOS y TTL
sean incompatibles, porque los MOS no pueden trabajar a 5 V, puesto que
quedara un margen de ruido muy pequeo para su trabajo.
Se puede buscar entonces, reducir esa tensin umbral para la
compatibilidad de las dos familias de dispositivos, y se ataca este
problema en la fase de fabricacin del dispositivo, teniendo en cuenta que
la tensin umbral se debe a:
El espesor del SiO : A ms espesor, menos campo aplicado.
2
 A los espacios de registro de la puerta. El contacto de puerta, en
su fabricacin, no cubre el 100% de la capa, por lo que baja su
efectividad.
Para reducir la tensin umbral del dispositivo, hemos de atacar estos dos
conceptos, en la fase de fabricacin de estos dispositivos, por ejemplo,
mediante fabricacin con la tcnica SATO.
Adems, los dispositivos MOS, presentan otro problema: las capacidades
asociadas al contacto de puerta y los contactos de drenador y surtidor por
el hecho de estar solapados. Esta capacidad, introduce cortes o polos a
altas frecuencias. Si disminuimos las capacidades, el transistor, podr
trabajar a ms altas frecuencias, sobre todo dirigido para aplicaciones
digitales y computacionales.