UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO JOO DEL-REI

CAMPUS ALTO PARAOPEBA

DIODO SEMICONDUTOR

Relatrio apresentado disciplina Fenmenos

Eletromagnticos, ministrada pela Professora Kelly
B. Vieira Torres no curso de Engenharia Qumica.

Kdima Caldeira Santos

Ouro Branco MG
Junho - 2017
 1. INTRODUO

Materiais semicondutores so a base de todos os dispositivos eletrnicos.

O diodo semicondutor um dispositivo que tem como funo retificar a corrente
eltrica ou chavear um circuito. Ele utilizado em aparelhos eletrnicos, como
televiso, computador, aparelhos de som, entre outros. construdo a partir de
materiais semicondutores, como o silcio ou o germnio.

Um diodo semicondutor consiste numa juno de uma camada de

semicondutor tipo n com outra de semicondutor tipo p. No semicondutor tipo n,
os portadores de carga (as partculas que participam da conduo eltrica) so
eltrons livres, enquanto, no semicondutor tipo p, so buracos livres, de carga
positiva. Na juno de um material tipo n com um tipo p, os eltrons prximos
juno difundem da regio n para a p, enquanto os buracos difundem no sentido
oposto. Essa regio desprovida de portadores de carga e chamada regio
de depleo. Os ons criam um campo eltrico, nessa regio, que impede a
continuidade da difuso de eltrons e de buracos. Essa situao est
representada na Figura 1.

FIGURA 1 - Representao da juno de um semicondutor tipo p com um tipo n. Eltrons e

buracos difundem-se atravs da interface, deixando apenas os ons. Esses ons produzem um
campo eltrico que impede a continuidade do processo de difuso.

O diodo semicondutor um componente eltrico projetado para conduzir

a corrente eltrica com muito mais facilidade em um sentido do que no outro.
Quando colocado em um simples circuito bateria-lmpada, o diodo pode permitir
ou, impedir a passagem da corrente eltrica atravs da lmpada, dependendo
da polaridade da tenso aplicada no circuito. O diodo funciona idealmente como

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uma chave fechada, quando tal est polarizado diretamente, e como uma chave
aberta, quando tal est polarizado reversamente.

A principal funo de um diodo semicondutor, em circuitos retificadores

de corrente, transformar corrente alternada senoidal em corrente contnua
pulsante. No semiciclo negativo de uma corrente alternada senoidal o diodo far
a funo de uma chave aberta, no circulando corrente eltrica no circuito. A
principal funo de um diodo semicondutor, em circuitos de corrente contnua,
controlar o fluxo da corrente, permitindo que esta circule apenas em um sentido.

A polarizao do diodo dependente da polarizao da fonte. A

polarizao direta quando o plo positivo da fonte entra em contato com o lado
do cristal p (denominado nodo) e o plo negativo da fonte entra em contato com
o lado do cristal n (denomindado ctodo). Assim, se a tenso da fonte for maior
que a tenso de limiar do diodo, os portadores livres se repeliro por causa da
polaridade da fonte e conseguiro ultrapassar a juno p-n, permitindo a
passagem de corrente eltrica.

A polarizao reversa quando o inverso acontece. Assim, ocorrer uma

atrao das lacunas do anodo (cristal p) pela polarizao negativa da fonte e
uma atrao dos eltrons livres do ctodo (cristal n) pela polarizao positiva da
fonte, sem existir um fluxo de portadores livres na juno p-n, ocasionando o
bloqueio da corrente eltrica.

Pelo fato dos diodos fabricados conterem impurezas, a conduo de

corrente eltrica no diodo (polarizao direta) sofre uma resistncia menor que
1W, que quase desprezvel. O bloqueio de corrente eltrica no diodo
(polarizao reversa) no total devido novamente presena de impurezas,
tendo uma pequena corrente que conduzida na ordem de microampres,
denominada de corrente de fuga, que tambm quase desprezvel.

Porm, se aumentarmos a tenso reversa o suficiente, o diodo

eventualmente atingir sua tenso de ruptura. Dessa maneira, o diodo passa a
conduzir intensamente, resultando na denominada corrente de avalanche. A
Figura 2 ilustra esses detalhes em um grfico da corrente I contra a tenso V
para um diodo semicondutor de silcio.

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 Figura 2 - O grfico um esboo da denominada curva do diodo.

Teoricamente, a dependncia I(V) de um diodo dada pela equao de

Ebers-Moll,(equao 1):

= [exp ] 1 (1)

que, para V > 0,1 V, pode ser aproximada por (equao 2)

[exp ] (2)

em que Is uma pequena corrente, aproximadamente constante, que aparece

em polarizao reversa e o chamado fator de idealidade que depende da
fabricao do diodo (tipo de material, dopagem etc.). VT uma constante de
origem trmica dada pela equao (3):

1,381023
= = 19
= (3)
1,6010 11600

em que k a constante de Boltzmann, q a carga do eltron e T a temperatura

absoluta (Kelvin). Assim, temperatura ambiente (27 oC 300 K), VT 26 mV.

2. OBJETIVO

O experimento tem como objetivo observar o comportamento de um diodo

semicondutor em polarizao direta e polarizao reversa. Analisar o

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comportamento do diodo, atravs da curva da diferena de potencial em relao
a corrente que passava dentro do diodo e ainda comparar os valores
experimentais com os tericos.

3. MATERIAS E METODOS

3.1 . MATERIAS

Diodo semicondutor.
Fonte de fora eletromotriz.
Resistor de 150.
Protoboard para fazer as conexes.
Cabos banana para auxiliar na montagem.
Cabos banana-jacar.
Trs multmetros.

3.2. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL

Montou-se o circuito conforme o esquema da Figura 3 verificando a

polarizao do diodo e posicionando os trs multmetros para medir a corrente
do circuito, a tenso do diodo e a tenso na fonte.

Figura 3 Circuito envolvendo uma fonte, um diodo e um resistor.

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 Ajustou-se a tenso da fonte para 3 Volts e conferiu-se a leitura do
ampermetro para verificar a preciso do equipamento utilizado. Feito isso,
reduziu-se a tenso da fonte a zero. A partir desse momento, comeou-se a
aumentar gradativamente a tenso na fonte para checar o ponto no qual o
circuito comeou a ter corrente. Aps esse momento fez-se as anotaes com o
intuito de obter a curva corrente (I) versus a tenso (V) no diodo.

4. RESULTADOS E DISCUSSO

Na parte experimental em que aps determinar a polarizao direta do

diodo, variou-se a tenso na fonte e anotou-se os valores de corrente no circuito
e tenso no diodo. Realizou-se 7 medidas e os valores de capacitncia, distncia
e inverso da distncia esto listados na Tabela 1

Tabela 1 - Valores de Tenso de alimentao, corrente no circuito e tenso no

diodo medidos durante o experimento

Tenso (V) Corrente (mA) Tenso no diodo (V)

0,0 0,0 0,00
1,0 1,6 0,59
1,5 4,5 0,63
2,0 7,3 0,65
2,5 9,9 0,67
3,0 12,0 0,68
3,5 16,2 0,69

Com os valores obtidos na Tabela 1, traaram-se o grfico, Figura 4, da

corrente versus tenso no diodo, com o auxlio do software Excel.

6
 18

16
14
12
CORRENTE

10

8
6
4
2

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
TENSO NO DIODO (V)

Figura 4 - Grfico da relao entre corrente e tenso no diodo.

Como pode ser observado, na curva obtida de Corrente versus Tenso para o
diodo, apresentou comportamento satisfatoriamente prximo ao previsto de acordo
com a teoria.

Ao ligar o diodo a uma fonte de tenso, para polarizao direta, observado

um crescimento exponencial da corrente em relao tenso at o ponto
denominado tenso de ruptura. Importante ressaltar que para representao
grfica foram consideradas apenas as amostras obtidas at a tenso de ruptura,
uma vez que aps esse ponto observa-se um comportamento assinttico.

A partir dos dados obtidos calculou-se Is e a partir das equaes (1) e (3)
para uma corrente = 16,5 mA:

[ ]
= . = 0,69 (1)

0,0082
= = = 0.08447 (3)
0,0165
ln( ) ln ( 0,69) 0,026

Se medimos a diferena de potencial V entre os terminais de qualquer

dispositivo e a corrente I que atravessa o dispositivo ao ser submetido a essa
diferena de potencial, podemos calcular a resistncia do dispositivo para esse

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valor de como R = V/I, mesmo que se trate de dispositivo, como o diodo
semicondutor, que no obedece lei de Ohm. Reescrevendo a Lei de Ohm
temos, equao (4):

= (4)
R

Onde V a tenso na fonte, VF a tenso de corte, e R a resistncia utilizada (150),

assim para uma corrente = 1,6 mA, e V =1 V, VF ser:

1
1,6 = = 0,85 (4)
150

A partir do valor de VF encontrado, para uma tenso V=3V e mesmo valor de R foi
determinada a corrente pela equao (4):

3 0,85
= = 14,3 (4)
150

Que comparada ao valor medido no circuito (12mA), est prximo.

5. CONCLUSO

Observamos o comportamento do diodo e o seu funcionamento. O grfico

da corrente em funo da tenso tem crescimento exponencial na polarizao
direta. A tenso na fonte, a tenso no diodo e a corrente eltrica so diretamente
proporcionais. Comparando o valor de corrente medido 12mA e o valor calculado
14,3mA encontramos valores prximos. Contudo, na polarizao reversa, a
corrente exibiu valores mnimos. Conclui-se que o diodo quando polarizado
diretamente se distncia de um diodo sem perdas, porm quando ele
polarizado reversamente, se comporta como um circuito aberto, sabendo que
este limitado por uma pequena corrente reversa que desprezvel quando
comparada com a corrente direta e tambm pela tenso reversa que at gerar a
ruptura.

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6. REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS

SEARS, Francis; YOUNG, Hugh D; FREEDMAN, Roger A; ZEMANSKY,

Mark W. Fsica 3: Eletromagnetismo. So Paulo: Editora Addison Wesley.
12 ed. 2009.
RESNICK, Halliday; WALKER, Jearl.Fundamentos de Fsica. 8. ed.Rio de
Janeiro: Livros Tcnicos e Cientficos Editora S.A., 2009. 392 p.