Diodos emisores de luz
Figura 7.1. Diagrama de bandas de un diodo LED operando en
7 Diodos emisores de luz
La optoelectrnica estudia la interaccin de radiacin
electromagntica con el flujo de portadores de carga en dispositivos
electrnicos. En este texto nos concentramos exclusivamente en los
dispositivos optoelectrnicos realizados con materiales
semiconductores. Los diodos de luminiscencia (LED: light emitting
diode) emiten radiacin electromagntica requiriendo un suministro
de energa elctrica. De igual modo lo hacen los diodos LASER de
emisin de luz amplificada por la emisin estimulada de radiacin
(LASER: light amplification by stimulated emission of radiation). Los
diodos luminiscentes son en principio estructuras pn dotadas de
contactos hmicos que permiten la inyeccin de portadores. La Figura
7.1 muestra una estructura pn en condiciones de inyeccin de
portadores, debida a la aplicacin de una diferencia de potencial en
directa.
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153 Diodos emisores de luz 154
condiciones de inyeccin. Se muestran dos procesos de recombinacin,
uno noradiante a travs de niveles de defectos, y un segundo proceso
que es radiante y por lo tanto se emite un fotn.
Debido a que la recombinacin radiante requiere el encuentro entre
un electrn y un hueco, la tasa de recombinacin Rrad es tanto mayor
cuanto mayor sean simultneamente la concentracin de electrones n
como la de huecos p, dando un valor elevado del producto np. Resulta
entonces evidente que dopando el semiconductor no puede alcanzarse
esta condicin ya que por la regla de la palanca, np = ni2 , el dopaje
reduce una de ambas concentraciones mientras que aumentara la
otra, pero el producto entre ambas concentraciones se mantiene
constante. Por ello es necesario inyectar huecos y electrones desde los
contactos de una unin pn de forma tal de lograr np >> ni2 en alguna
regin intermedia, obteniendo un alto flujo de fotones emergentes por
la recombinacin radiante. Tpicamente, tal como sugiere la Figura
7.1, dicha condicin se cumple en la regin de carga espacial, y recibe
el nombre de regin activa del LED. De all proviene la mayor parte
de los fotones emitidos por el LED. La Figura 7.2 muestra a la
izquierda procesos de recombinacin radiante espontnea en la
estructura de bandas de un semiconductor directo, y a la derecha, el
incremento de la distribucin de portadores con la energa electrnica,
dentro de la regin de carga espacial, donde se hallan en cantidades
comparables. Las distribuciones aumentan al pasar del equilibrio
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(lnea punteada) hasta la inyeccin en condiciones de polarizacin
(lnea contnua). Si el grfico fuera hecho a escala, las distribuciones
de portadores en condiciones de polarizacin seran varios rdenes de
magnitud mayores a las del equilibrio termodinmico, ya que por
ejemplo en el borde de la regin de carga espacial del lado p tenemos
n p = n p0 exp(V / Vt ) .
Figura 7.2. Recombinacin radiante en la estructura de bandas de un
semiconductor directo (izquierda), y aumento de las concentraciones
de electrones y huecos durante la inyeccin de portadores hacia una
unin pn.
Los portadores recombinan radiantemente desde la banda de
conduccin a la de valencia con fotones de energa h > Eg. Por ello Eg
es una energa caracterstica del espectro de emisin de LEDs y
lseres semiconductores, a la cual podemos asociar una longitud de
onda g dada por
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155 Diodos emisores de luz 156
hc
g = . (7.1)
Eg
Reemplazando los valores de h y c, resulta la ecuacin til en la
prctica g [ m] = 1.24 / E g [eV] . La ec. (7.1) nos indica que al realizar
emisores de luz con semiconductores, obtenemos radiacin cuyas
longitudes de onda dependen inversamente del valor de Eg del
material escogido. Existe una gran variedad de materiales
semiconductores con diferentes valores de energa Eg de la banda
prohibida. La Figura 7.3 muestra la energa Eg de la banda prohibida
de diferentes materiales semiconductores, algunos de ellos indirectos
(indicados con (i) en la figura). Los semiconductores indirectos no son
preferidos para la realizacin de LEDs porque las transiciones
radiantes son muy poco probables en este tipo de materiales. En la
escala de la derecha se leen las longitudes de onda correspondientes
obtenidas con la ec. (7.1), y los colores correspondientes al rango
visible.
De la Figura 7.3 notamos que existen pocos semiconductores de
uno o dos elementos para realizar LEDs de luz visible. Por otro lado,
tanto en diodos LED como en lseres, es deseable un ajuste de la
longitud de onda de la radiacin emitida. Para ello se recurre a la
realizacin de aleaciones semiconductoras, las cuales permiten
obtener semiconductores con un valor de Eg determinado. Las
aleaciones ms utilizadas para obtener luz visible con LEDs se
realizan en el sistema GaAsXP1-X, y GaInXN1-X. Si bien el GaP es un
semiconductor indirecto, no lo son muchas de sus aleaciones con As.
Variando la proporcin X del sistema GaAsXP1-X, se obtienen valores
de Eg que corresponden a longitudes de onda desde el infrarrojo hasta
el amarillo.
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Diodos emisores de luz 157 Diodos emisores de luz 158
Los LEDs verdes se realizan con agregados de nitrgeno GaP:N, y los
LEDs azules con SiC, InGaN, GaN. El sistema utilizado para
dispositivos infrarrojos es el InXGa1-XAs y Ga1-XAlXAs. La mayor
difusin de los LEDs y lseres infrarrojos se encuentra en los
sistemas pticos de comunicacin basados en fibras pticas de SiO2.
Las fibras de SiO2 presentan valores mnimos de la absorcin para
= 1.35 y 1.5 m, por ello los lseres para comunicaciones se realizan
ajustando X en el sistema InXGa1-XAs de forma tal de obtener valores
de Eg que correspondan exactamente a g =1.35 y 1.5 m.

7.1 Caractersticas de emisin

Las caractersticas de emisin de un LED que nos interesan son el

espectro de emisin y su dependencia de la temperatura, la eficiencia
cuntica, y el rendimiento global.
El flujo de fotones em emitidos depende directamente de la

cantidad de pares electrn-hueco inyectados, aunque slo una fraccin

de estos recombine radiantemente. Por ello vale la proporcionalidad
em = KI (V ) , (7.2)

donde K es una constante de proporcionalidad e I(V) es la curva de

tensin corriente del diodo. Espectralmente, el flujo espectral
em = d em / d est dado por14

h E g
em ( h ) h E g exp
2
. (7.3)
kT
Esta ecuacin muestra la ausencia de emisin para h = E g ,

correspondiente con la ausencia de estados permitidos para los

Figura 7.3. Valores de Eg y g correspondientes a distintos materiales valores exactos EC y EV. De acuerdo a los dos primeros multiplicandos
semiconductores. Los materiales indicados con (i) son
semiconductores indirectos.
14 W. van Roosbroeck y W. Shockley, Phys. Rev. 94, 1558 (1954)

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de la ec. (7.3), el flujo espectral crece con h , lo cual se corresponde
con el aumento de la densidad de estados con la energa. El tercer
multiplicando, un decaimiento exponencial de em , es originado por la
ausencia de estados ocupados, siguiendo la estadstica de ocupacin
de Fermi. Las tendencias creciente y decreciente contenidas en esta
ecuacin implican un mximo en el espectro de emisin em = max , el
cual se halla aproximadamente para h E g + kT / 2 .
El ancho espectral (h ) de em permite caracterizar el LED
segn su cromaticidad, ya que cuanto ms reducido es el ancho
espectral, ms monocromtica es la fuente de radiacin considerada.
Utilizando la ec. (7.3), se puede mostrar que el ancho espectral vale
(h ) 2 kT. El espectro de emisin del LED se torna ms
monocromtico cuanto menor es la temperatura de operacin del
diodo. Cuanto menor es la temperatura, hallamos ms portadores a
energas ms prximas a los bordes de las bandas EC y EV, desde
donde recombinan. La Figura 7.4 muestra esquemticamente
espectros de emisin de un mismo LED a dos temperaturas
diferentes, donde puede apreciarse el aumento del ancho espectral del
espectro de emisin con T.
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159 Diodos emisores de luz 160
Figura 7.4. Espectros de emisin de un LED a dos temperaturas
diferentes.
La Figura 7.4 muestra tambin un corrimiento del espectro con la
temperatura, el cual se debe a la disminucin de la energa de la
banda prohibida Eg con T. Este decremento se origina por el aumento
de las distancias interatmicas con temperaturas crecientes, de
acuerdo a la ecuacin emprica
aT 2
E g (T ) = E g (0) . (7.4)
b+T
En la Tabla 7.1 encontramos valores de los parmetros a y b para
algunos semiconductores. Entre stos, el GaAs posee una menor
dependencia Eg(T) que el Si. Para CdTe alrededor de 300 K, se asume
una dependencia lineal Eg(T) con una pendiente de -3.5810-4
eV/K.15,16
15 Dittrich H., Karl N., Kck S., Schock H.W., en: Madelung O., Rssler U., Schulz M. (eds), II-VI
and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds, Sub-volumen B de Semiconductors, Volumen
41 de: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Springer:
Heidelberg, 1999.
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Diodos emisores de luz 161 Diodos emisores de luz 162

hc
max = 850 nm , (7.7)
Tabla 7.1: valores de los parmetros de la ecuacin (7.4) para E g (T ) + kT / 2
T =300 K
distintos semiconductores.
perteneciente al infrarrojo cercano. De acuerdo a (7.6), el flujo emitido
Material Eg(0) [eV] 10-4a [eVK-1] b [K] tendr el ancho espectral = 30 nm. Notamos que << max, lo cual
Si 1.170 4.73 636 indica que el LED es una fuente de luz ms bien monocromtica, un
Ge 0.7437 4.774 235 resultado caracterstico para procesos de emisin de luz luminiscentes
GaAs 1.519 5.405 204 (no basados en emisin de radiacin trmicamente). Si bien los diodos
CuInSe2 0.965 1.086 97 LED pueden utilizarse para la transmisin de datos en sistemas de
comunicacin digitales con fibras pticas, su uso se excluye en
El ancho espectral (h ) se corresponde con un rango de longitud de sistemas de alto flujo de datos debido a que el ancho de banda
onda que calculamos diferenciando respecto a la longitud de onda limita la densificacin de los pulsos de luz, ya que la separacin
la energa h = hc / , obteniendo mnima entre pulsos de luz debera ser de al menos varias veces .
2
= (h ) , (7.5)
hc 7.2 Eficiencia y prdidas
que podremos aproximar segn La eficiencia cuntica interna ECI de un LED se define como el
2kT 2
= . (7.6) cociente
hc
fotones creados J
Esta ecuacin revela que el ancho espectral de diodos LED depende, ECI = = rad , (7.8)
pares electrn-hueco inyectados J LED
adems de la temperatura, de la longitud de onda misma. Cuanto
indicando la proporcin de corriente inyectada que produce
mayor es la longitud de onda, o ms infrarrojo es el LED, ms
recombinacin radiante Jrad con respecto a la total inyectada al LED
policromtico es su espectro de emisin, segn 2 . Utilizando
JLED. La corriente de la recombinacin radiante proviene de la
por ejemplo GaAs a temperatura ambiente tendremos la longitud de
integral dela tasa Rrad = Bnp a travs de todo el dispositivo. Puede
onda del mximo de emisin
verse directamente que en condiciones de inyeccin baja y zonas
neutrales del diodo, Rrad es directamente proporcional a la
concentracin de portadores inyectada.
La ECI es muy elevada en dispositivos comerciales y se
16 Otros semiconductores, utilizados en fotodetectores para bajas energas, poseen una aproxima al 100 % en dispositivos experimentales. Una vez generados
dependencia inversa de Eg con T. El PbS presenta un aumento de Eg = 0.29 eV a 0 K al valor Eg los fotones por procesos de recombinacin radiante, ocurren prdidas
= 0.41 eV a 300 K.

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de fotones, denominadas prdidas pticas, que reducen la cantidad de
fotones que realmente emite el dispositivo hacia el medio. Se define
entonces la eficiencia global o eficiencia cuntica externa ECE,
como la fraccin entre el flujo em de fotones emitidos por el
dispositivo hacia el medio y el flujo de pares electrn-hueco
inyectados, y viene dada por
fotones emitidos em
ECE = = ,
pares e-h inyectados J LED / q
la cual ronda entre 10% y 40% en dispositivos comerciales. Las
prdidas pticas son cuantificadas segn el rendimiento ptico opt , de
manera que podemos escribir
ECE = ECIopt .
El rendimiento ptico contiene el efecto de varios factores de prdidas
de fotones, que describimos a continuacin en las siguientes
secciones.
La eficiencia lumnica L se utiliza para caracterizar fuentes de
radiacin visible al ojo humano, indicando qu fraccin de la potencia
elctrica se transforma en flujo de luz visible. El mximo terico es de
L = 683 lmen por Watt (lm/W) para luz monocromtica de 555 nm,
mientras que para luz blanca es de L = 200 lm/W. La eficiencia
lumnica de LEDs de luz visible depende del tipo de material
utilizado, y en gran parte del grado de pureza que puede alcanzarse
con cada uno de ellos. Diodos LED azules basados en GaN rondan los
10 lm/W, mientras que los verdes, rojos, amarillos y naranjas
alcanzan 80 lm/W. Recientemente, LEDs de laboratorio han superado
los 170 lm/W. En comparacin, las lmparas fluorescentes poseen una
eficiencia de unos 110 lm/W, las incandescentes halgenas 40 lm/W, y
las lmparas incandescentes ordinarias rondan 10 lm/W. El
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163 Diodos emisores de luz 164
desarrollo de LEDs en la investigacin y en la industria se esfuerza
en aumentar la eficiencia lumnica utilizando materiales ms puros,
ms apropiados, y mejorando el diseo general de LEDs. Con el
tiempo, la investigacin y el desarrollo de LEDs ha mostrado que los
LEDs actuales poseen un rendimiento global 100 a 1000 veces mayor
al de los LEDs rojos de GaAsP de 1965.
(7.9) 7.2.1 Prdidas por recombinacin no-radiante
La recombinacin por estados de defectos y la recombinacin Auger
compiten con la recombinacin radiante. Para la recombinacin por
defectos podemos ver que en condiciones de funcionamiento tenemos
np >> ni2 , y asumiendo Et = Ei y n = p = , tenemos la tasa
(7.10)
np
RSRH = vth N t . (7.11)
n+ p
De esta expresin vemos que la recombinacin por defectos es
directamente proporcional a la concentracin de defectos Nt y a la
concentracin de portadores inyectados (si n = p el cociente resulta
igual a n, si n >> p resulta igual a p, y si n << p resulta igual a n). Por
lo tanto, la recombinacin por defectos puede reducirse mediante la
utilizacin de materiales de gran pureza. Adems, en uniones pn con
heteroestructura tendremos una recombinacin por defectos en la
interfaz entre semiconductores, donde debe ponerse especial atencin
a las diferencias entre constantes de red y orientacin cristalogrfica.
La recombinacin de Auger es un proceso intrnseco y presenta
una prdida fuertemente dependiente de la inyeccin. Asumiendo
coeficientes de Auger idnticos para electrones y huecos Cn = C p = C ,
tenemos
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RAuger = C (n2 p + p2n) , (7.12) esquemticamente una heteroestructura de nGa1-XAlXAs

resultando que en zonas neutrales (n >> p p >> n) tenemos un GaAs (regin activa) pGa1-XAlXAs donde se han introducido estas

aumento lineal de RAuger con la concentracin de minoritarios, pero en mejoras.

zonas donde las concentraciones son parecidas, tenemos un aumento

cbico de RAuger. Debido a que en la prctica los coeficientes de Auger
son muy pequeos, con corrientes de inyeccin moderadas la
eficiencia del LED no se ve afectada por este mecanismo de
recombinacin, pero a medida que la corriente se cerca de la corriente
mxima puede apreciarse un decremento paulatino de ECE. Este
efecto se denomina declinacin de la eficiencia, en ingls efficiency
droop (a veces confundido con drop).

7.2.2 Prdidas por absorcin

En primer lugar aparecen las prdidas por absorcin del material
emisor. Cuanto mayor sea el espesor del material emisor, ms fotones
emitidos sern absorbidos. La parte a) de la Figura 7.5 muestra un
diodo pn no optimizado para funcionar como LED, donde se aprecia
que nicamente los fotones emitidos muy cerca de los bordes fsicos
del dispositivo y en direccin perpendicular a las superficies logran
Figura 7.5. Emisin de fotones en un diodo pn no optimizado para
funcionar como LED (a), y estructura LED (b) con una regin p
angosta para reducir la absorcin, y sustratos transparentes que
permiten la reflexin de los fotones emitidos en direccin al contacto
posterior reflejante.
7.2.3 Prdidas por reflexin

salir al medio circundante. Con lnea punteada se muestra un fotn La Figura 7.6 muestra que una parte de los rayos que inciden sobre la

emitido hacia abajo en vez de al exterior, y en consecuencia es interfaz semiconductor- medio exterior es reflejada nuevamente hacia

absorbido por el semiconductor. Para reducir esta prdida se recurre el interior debido al cambio de medio portador de la onda

entonces a la disminucin del espesor del dispositivo, y a realizar la electromagntica. La reflectividad es tanto mayor, cuanto mayor sea

unin np lo ms cercana a la superficie de emisin posible, es decir la diferencia de ndices de refraccin. Suponiendo que el material

utilizando una zona n muy angosta. Adems los diodos LED utilizan semiconductor de ndice de refraccin nS se encuentra directamente

una heteroestructura, de forma tal que el semiconductor adyacente a expuesto al aire (con ndice 1), tendremos un ndice de reflexin

la regin de emisin de fotones (regin activa), tenga un ancho de la

banda prohibida mayor al del material activo, siendo transparente a
la radiacin emitida. En la parte b) de la Figura 7.5 vemos

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Diodos emisores de luz 167
2
n 1
r= S . (7.13)
nS + 1
Para valores tpicos de nS = 3.5, tendremos r = 0.3, es decir el 30 % de
la radiacin vuelve al interior. En la prctica, este factor de prdidas
se reduce cubriendo el semiconductor con un material de ndice de
refraccin entre 1 y nS , de manera de lograr un escalonamiento de los
ndices de refraccin entre el semiconductor y el aire. El material
intermedio tambin reduce un factor de prdidas mucho ms
importante, la reflexin total interna.
Figura 7.6. Reflexin de rayos emitidos desde la unin pn en direccin
perpendicular hacia la superficie delantera de un LED expuesto
directamente al aire.
7.2.4 Prdidas por reflexin total interna
La Figura 7.7 muestra esquemticamente un diodo LED, el cual
emite un fotn en una direccin que forma un ngulo con la superficie
del LED mayor al ngulo crtico de refraccin, por lo que es reflejado
totalmente hacia el interior. La emisin de fotones con recombinacin
radiante espontnea no tiene direcciones preferenciales, y, debido a
que la unin pn es plana y el diodo posee superficies planas paralelas,
una gran cantidad de los rayos emitidos en direcciones aleatorias
forman ngulos mayores al de reflexin total. Adems, la diferencia
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Diodos emisores de luz 168
entre el ndice de refraccin del aire y del material semiconductor es
muy alta, lo cual reduce el ngulo crtico de refraccin, o el cono de
escape para rayos emitidos hacia el exterior.
Aplicando la ley de Snell, el ngulo crtico de refraccin C
entre un semiconductor de ndice de refraccin nS y un medio
circundante con ndice n est dado por
n
sin C = . (7.14)
nS
Figura 7.7. Esquema del problema de reflexin interna total en un
LED expuesto directamente al aire (izquierda), y su solucin parcial
utilizando una cubierta de un material con ndice de refraccin n
intermedio.
Para un material semiconductor con nS = 3.5 emitiendo luz
directamente hacia el aire circundante con nA = 1, obtenemos
C = 16.6. Asumiendo que la luz se emite isotrpicamente, resulta17
que slo un 2 % de la radiacin emitida escapa del material a travs
del cono de salida de luz subtendido por el ngulo C = 16.6. Es decir
que la eficiencia global, suponiendo una ECI = 100 %, alcanza como
mximo slo ECE = 0.021 = 2 %, sin contar la reflexin descrita por
17
Al calcular el rea del casquete esfrico a travs del cual se emiten los fotones, dado por la
2 c
integral esfrica A= sin d d .
0 0
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Diodos emisores de luz 169 Diodos emisores de luz 170
la ec. (7.13). Para reducir tanto las prdidas por reflexin como la inverted pyramid), con la cual se alcanza una eficiencia global del
reflexin total interna, es necesario realizar una graduacin del ndice 50 %.19
de refraccin entre el medio y el semiconductor. Por ello, los diodos
LED llevan una cubierta semiesfrica de resinas epoxy con nr = 1.8.
Entre el semiconductor y la resina, tendremos C 31, de manera
que un 7 % de la radiacin emitida puede salir al exterior. Adems,
por ser la cubierta de forma semiesfrica, se anula la reflexin total
en la interfaz resina-medio. Las prdidas remanentes son la reflexin
parcial en las interfases semiconductor-resina y resina-medio. Con
este tipo de encapsulamiento se obtiene un rendimiento global de
entre 5 y 6 %.
En principio, las prdidas por reflexin total interna podran
eliminarse utilizando LEDs esfricos con uniones pn esfricas, lo cual
Figura 7.8. Vista en corte de un LED de pirmide truncada invertida,
es, actualmente, tcnicamente muy complicado. No obstante, se ha mostrando distintos haces totalmente reflejados que logran escapar al
conseguido reducir drsticamente las prdidas por reflexin total medio circundante.

interna modificando la estructura del LED bien microscpica, o

macroscpicamente. En el primer caso, se provee a la superficie
emisora de una textura que modifica los ngulos de propagacin de la
luz emitida luego de la reflexin en la superficie rugosa, de manera
tal que una gran parte de los rayos reflejados adquieren direcciones
que no sufrirn reflexin total interna al alcanzar la superficie.18 En
el segundo caso, se corta el LED de forma tal que los ngulos
formados entre las caras del LED y los haces de luz emitidos dan
reflexin total interna en su primer encuentro con una superficie, y
para el siguiente inciden con ngulos menores a C . Tal es el caso de

la estructura de pirmide truncada invertida (TIP truncated

18 ver R. Windisch et al., Appl. Phys. Lett. 63, 2174 (1993), y por ejemplo Y. Kanamori et al.,
IEEE Photonics Tech. Lett. 14, 1064 (2002) 19 Krames et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2365 (1999)

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