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AISLAMIENTO ELCTRICO

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA


FACULTAD DE INGENIERA
DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
BOGOT D.C.
2005
DIEE 2005.

Universidad Nacional de Colombia, Bogot D.C.


Documento de apoyo para la asignatura Aislamiento Elctrico
Marzo de 2005.
Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica.
Facultad de Ingeniera, Universidad Nacional de Colombia, Bogot D.C.

Todos los derechos reservados. Ninguna parte de este documento se puede


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Electrnica, de la Universidad Nacional de Colombia.

ii
TABLA DE CONTENIDO
Pgina
1 CONCEPTOS BSICOS 11

1.1 CAMPO ELCTRICO 11

1.2 CAPACITANCIA (C) 11

1.3 INDUCTANCIA (L) 13

1.4 CORRIENTES DE DESPLAZAMIENTO Y DE CONDUCCIN 14


1.4.1 Corriente de desplazamiento 15
1.4.2 Corriente de conduccin 15

1.5 TANGENTE DELTA (D = tan) 16

1.6 FACTOR DE CALIDAD 17

1.7 PREGUNTAS FRECUENTES 18


Qu es una resistencia? 18
Qu es un aislador? 18
Qu es el cuerpo humano, una L, una R o un C? 18
Para un condensador como el de la figura 1.6, expresar la tan en trminos de y
de . 19
Expresar la Ley de Ampere en trminos de y de 19
2 CAMPO ELCTRICO 21

2.1 CONTROL SOBRE EL CAMPO ELCTRICO 21


2.1.1 Control del campo elctrico por manipulacin de la geometra de los
electrodos 21
2.1.2 Control del campo elctrico mediante el uso de dielctricos 25

2.2 FACTOR DE UTILIZACIN DE SHWEIGER () 27

2.3 CLCULO DEL CAMPO ELCTRICO DE DIFERENTES GEOMETRAS


SIMTRICAS 27
2.3.1 Campo elctrico en una configuracin esfera esfera 27
Campo elctrico 28
Potencial 28
Capacidad 29
2.3.2 Campo elctrico en una configuracin cilindro cilindro 30
Campo Elctrico 30

iii
Potencial 31
Capacidad 32

2.4 MATERIALES EN CAPAS 32


2.4.1 Condiciones de frontera 32
Caso 1. Dielctrico Dielctrico 33
Caso 2. Dielctrico Conductor 33

2.5 EJERCICIOS 35
2.5.1 Condutor atravesando una pared 35
2.5.2 Condensador de placas con dielctricos en capas 36
2.5.3 Condensador de cilindros coaxiales con dielctricos en capas 38
2.5.4 Mtodo de las diferencias finitas, para el clculo de potenciales 40
2.5.4.1 Ejercicio de aplicacin del mtodo de las diferencias finitas, para el
clculo de potenciales 42
2.5.5 Mtodo de las imgenes 43
2.5.6 Para el siguiente cable coaxial, calcle y grafque E , D , P , PS , PSP 46
Intensidad de Campo Elctrico 48
Densidad de Campo Elctrico 48
Polarizacin 49
Densidad superficial de carga 49
Vector de polarizacin de carga 49
2.5.7 Para el siguiente condensador de esferas concntricas, calcle E , D , P ,
PS , PSP 49
2.5.8 Campo elctrico homogneo 52
2.5.9 Carga transportada en condensadores 53
2.5.9.1 Condensadores en serie 53
2.5.9.2 Condensadores en paralelo 56
2.5.10 Clculo de capacidades 57
2.5.11 Generador de Van der Garff 59
2.5.12 Cada de tensin en un arreglo de aisladores 59
2.5.12.1 Capacidades a lnea iguales a cero 60
2.5.12.2 Capacidades a tierra (parasitas) iguales a cero 63
3 COMPONENTES ELCTRICOS Y SU COMPORTAMIENTO EN
FRECUENCIA 67

3.1 CONDUCTORES 67
3.1.1 ngulo de error en cables 69

3.2 INDUCTANCIAS 71

3.3 CAPACIDADES 73
3.3.1 Expresiones de capacidad para otras configuraciones 75

iv
3.4 FERRITAS 76
4 GENERACIN DE ALTA TENSIN 77

4.1 EL TRANSFORMADOR 77
4.1.1 Modelo equivalente del transformador 79
Prdidas en el cobre 79
Prdidas por corrientes parsitas 79
Prdidas por Histresis 79
Prdidas por flujo de dispersin 80
4.1.2 Determinacin de los parmetros en el modelo equivalente del
transformador 83
4.1.2.1 Ensayo de Circuito abierto 83
4.1.2.2 Ensayo de Corto Circuito 85
4.1.3 Aproximaciones al modelo equivalente del transformador 87
4.1.3.1 Ejercicios 88
4.1.4 El transformador con carga capacitiva 89
Relacin de transformacin en el circuito RLC variando C 90
Relacin de transformacin en el circuito RLC variando L 91
4.1.5 El transformador en cascada 92
4.1.6 Montajes de transformadores monofsicos 93
4.1.7 Medida de las capacidades propias de los transformadores 94
Montaje 1 94
Montaje 2 95
Montaje 3 95
Montaje 4 96

4.2 GENERACIN DE ALTA TENSIN A.C. 97


4.2.1 Montaje de Greinacher (diodos en cascada) 97

4.3 GENERACIN DE ALTA TENSIN D.C. 98


4.3.1 Parmetros de las seales 98
4.3.2 Circuitos rectificadores 99
4.3.2.1 Rectificador de media onda 99
4.3.2.2 Puente rectificador de onda completa 101

4.4 GENERACIN DE IMPULSOS DE TENSIN 101


4.4.1 Formas de onda de los impulsos de tensin 102
Impulso rectangular 102
Impulso Rampa 102
Impulso doble exponencial 103
4.4.2 Circuitos de generacin de impulsos de tensin 104
Configuracin 1 104
Configuracin 2 105
4.4.3 Generadores de impulsos de tensin de varias etapas 106
4.4.4 Laboratorio docente Universidad Nacional de Colombia - Bogot 106

v
4.5 GENERACIN DE IMPULSOS DE CORRIENTE 108
4.5.1 Circuito de generacin de impulsos de corriente 108
4.5.2 Laboratorio docente Universidad Nacional de Colombia - Bogot 110
4.5.2.1 Ejemplo de montaje de ensayo en Laboratorio docente 113
4.5.3 Influencia de los elementos del circuito de impulsos de corriente en la
forma de onda 113
5 MEDICIONES EN ALTA TENSIN 117

5.1 MEDICIONES EN ALTA TENSIN, A.C. E IMPULSOS 117


5.1.1 Divisor capacitivo puro 117
5.1.2 Divisor resistivo puro 119
5.1.3 Divisor resistivo compensado 120
5.1.4 Divisor capacitivo amortiguado 122
5.1.5 Impedancia serie 123
5.1.6 Condensador serie 125
5.1.7 Medidores electrostticos 126
5.1.8 Espintermetro de esferas 127

5.2 MEDICIONES EN ALTA TENSIN D.C. 128


5.2.1 Mtodo de los electrodos flotantes 128
5.2.2 Voltmetros giratorios 128

5.3 MTODOS PROBABILISTICOS PARA DETERMINAR LA TENSIN DE


DISRUPCIN 129
5.3.1 Mtodo del nivel mltiple (Multiple Level Method - MLM) 129
5.3.1.1 Linealizacin usando papel probabilstico 130
5.3.1.2 Linealizacin usando la transformacin a la variable normalizada z 131
5.3.2 Mtodo Up & Down (Up and Down Method) 132

5.4 RECOMENDACIONES EN LA REALIZACIN DE MEDICIONES EN ALTA


TENSIN 133
5.4.1 Acoplamiento del osciloscopio al divisor 133
5.4.2 Consideraciones para la medicin de corriente 133
5.4.2.1 Resistencia Shunt tubular coaxial 134
5.4.2.2 Resistencia Shunt jaula de ardilla 134
5.4.3 Posibles errores en el proceso de medicin 135

5.5 MEDICIN DE PRDIDAS DIELCTRICAS 135

5.6 MEDICIN DE CONDENSADORES 137


5.6.1 Puente de Shering 138
BIBLIOGRAFA 140

vi
LISTA DE FIGURAS
Pgina

Figura 1.1 Equivalente hidrulico para un condensador. 12


Figura 1.2 Comportamiento transitorio de un condensador. 12
Figura 1.3 Grfico de las seales transitorias de tensin y corriente en un condensador. 13
Figura 1.4 Visualizacin del campo elctrico y magntico en una bobina para un instante de
tiempo. 13
Figura 1.5 Modelo paralelo para un condensador. 16
Figura 1.6 Esquema de un condensador de placas paralelas. 19

Figura 2.1 Configuaracin punta punta, el vector J es el vector de densidad ds corriente y


es igual para ambos electrodos. 21
Figura 2.2 Configuaracin punta doble punta, el vetor de densidad de corriente J , se
divide en dos en su camino a tierra. 22
Figura 2.3 Configuaracin punta placa, el vetor de densidad de corriente J , tiende a cero
sobre la placa que es su camino a tierra. 22
Figura 2.4 Interruptor de potencia. 23
Figura 2.5 Interruptor de potencia, con discos en sus contactos para disminuir el esfuerzo al
que est sometido. 24
Figura 2.6 (a) Conductor atravesando una pared, para evitar disrupciones conductor pared, el
nivel de tensin al que se puede llegar es reducido, (b) Conductor con aliviadores de
campo, atravesando una pared, el nivel de tensin al que se puede llegar es mucho
mayor que en la configuracin (a). 25
Figura 2.7 Sitacin de un condutor aislado de tierra por un dielctrico, sin embargo se
presenta flameo en las fronteras conductor-dielctrico, debido a que el aire no soporta al
igual que el dielctrico las concentracionesde campo elctrico. 25
Figura 2.8 Sitacin de un condutor aislado de tierra por un dielctrico DK1, sin embargo para
evitaer flameo por el aire se coloca un segundo dielctrico DK2. 25
Figura 2.9 Cambio de conductor aislado a conductor desnudo, situacin que presenta
concentraciones altas de campo elctrico, y por tanto, generacin de efecto corona. 26
Figura 2.10 Cambio de conductor aislado a conductor desnudo, usando conos de alivio para
disminuir las concentraciones elevadas de campo elctrico en las fronteras de los
materiales. 26
Figura 2.11 Cconfiguracin esfera esfera. 27
Figura 2.12 Cconfiguracin cilindro cilindro. 30
Figura 2.13 Distribucin de campo elctrico y potencial para un arreglo de cilindros
coaxiales. 31
Figura 2.14 Condiciones de frontera para un arreglo de dos materiales, y sus respectivos
flujos de campo elctrico. 32
Figura 2.15 Condiciones de frontera para un arreglo de dielctrico conductor. 33
Figura 2.16 Dos configuraciones de condensadores ambos con dos dielctricos, (a)
Dielctricos en paralelo a la alta tensin, (b) Dielctricos en serie a la alta tensin.. 34

vii
Figura 2.17 Conductor con aliviadores de campo de cilindros coaxiales, atravesando una
pared. 35
Figura 2.18 Condensador de placas paralelas con tres dielctricos dispuestos en capas. 37
Figura 2.19 Distribucin de campo elctrico para un condensador de placas paralelas con tres
dielctricos que complen con: r1 > r 2 > r 3 . 38
Figura 2.20 Condensador de cilindros coaxiales dielctricos dispuestos en capas. 39
Figura 2.21 (a) Distribucin de campo elctrico para un condensador de cilindros coaxiales,
(b) Distribucin de potencial para un condensador de cilindros coaxiales. 40
Figura 2.22 Mtodo de diferencias finitas para el clculo de potenciales. 41
Figura 2.23 Arreglo de un par de placas, donde se desea conocer la distribucin de
potenciales en medio de ellas. 42
Figura 2.24 Visualizacin del campo elctrico en el arreglo de la figura 2.23. 42
Figura 2.25 (a) Arreglo de un par de conductores, cargados uniformemente, vistos en un
plano tridimensional (b) el mismo arreglo en el plano (x, y). 43
Figura 2.26 Distribucin de las equipotenciales para el ejercicio 2.5.5. 46
Figura 2.27 Cable coaxial con triple pantalla. 46
Figura 2.28 Distribucin de intensidad de campo elctrico para el ejercicio 2.5.6. 48
Figura 2.29 Distribucin de densidad de campo elctrico para el ejercicio 2.5.6. 48
Figura 2.30 Grfico de polarizacin para el ejercicio 2.5.6. 49
Figura 2.31 Distribucin de densidad superficial de carga para el ejercicio 2.5.6. 49
Figura 2.32 Grfico de vector de polarizacin de carga para el ejercicio 2.5.6. 49
Figura 2.33 Condensador de esferas concntricas, con tres dielctricos. 50
Figura 2.34 Arreglo de un electrodo con terminacin en punta redondeada. 52
Figura 2.35 Arreglo de un par de condensadores en serie. 54
Figura 2.36 Arreglo de un par de condensadores en paralelo. 56
Figura 2.37 Condensador de esferas concntricas. 58
Figura 2.38 Generador de Van der Graff. 59
Figura 2.39 Arreglo de diez aisladores (100 kV) en una torre de transmisin. 60
Figura 2.40 Arreglo de diez aisladores asumiendo capacitancias a lnea iguales a cero. 61
Figura 2.41 Grfico de la distribucin de cada de tensin contra nmero de aislador, para el
arreglo de la figura 2.41. 62
Figura 2.42 Arreglo de diez aisladores asumiendo capacitancias parsitas iguales a cero. 63
Figura 2.43 Grfico de la distribucin de cada de tensin contra nmero de aislador, para el
arreglo de la figura 2.42. 65

Figura 3.1 Uso de una placa metlica como conductor en un circuito. 67


Figura 3.2 Modelo de un cable, (a) visualizacin de los campos elctricos y magnticos
presentes en un cable cuando lo atravieza una corriente, (b) modelo elctrico de un
cable que lleva corriente alterna. 69
Figura 3.3 (a) Circuito del modelo elctrico de un cable para bajas frecuencias, (b) Diagrama
fasorial del ngulo de error capacitivo. 70
Figura 3.4 (a) Circuito del modelo elctrico de un cable para altas frecuencias, (b) Diagrama
fasorial del ngulo de error inductivo. 70
Figura 3.5 Espira de conductor, que cumple con tener un radio de conductor mucho menor
que la separacin Dentre sus conductores y que la longitud l. 72
Figura 3.6 Efecto capacitivo entre regiones con cargas iguales y opuestas. 73
Figura 3.7 Capacitancia entre conductores y respecto al plano de referencia. 75
Figura 3.8 Corrientes de modo diferencial en ferritas. 76

viii
Figura 4.1 Principio de induccin magntica en un transformador. 77
Figura 4.2 Vista de un transformador en seco. 78
Figura 4.3 Flujo de Magnetizacin y de Dispersin. 80
Figura 4.4 Diagrama vectorial de las tensiones y corrientes en un transformador. 81
Figura 4.5 Modelo de un transformador real. 81
Figura 4.6 Modelo de un transformador real, referido a su nivel se tensin primario. 82
Figura 4.7 Modelo de un transformador referido a su nivel de tensin primario, con
resistencia y reactancia de magnetizacin en configuracin serie. 82
Figura 4.8 Modelo de un transformador referido a su nivel de tensin secundario, con
resistencia y reactancia de magnetizacin en configuracin paralelo. 83
Figura 4.9 Conexin para un ensayo de circuito abierto de un transformador. 83
Figura 4.10 Conexin para un ensayo de corto circuito de un transformador. 85
Figura 4.11 Modelo equivalente serial del transformador con rama de magnetizacin. 87
Figura 4.12 Modelo equivalente del transformador despreciando la rama de magnetizacin. 88
Figura 4.13 Modelo RLC de un transformador, sometido a carga capacitiva. 90
Figura 4.14 Variacin de la relacin de transformacin en funcin de C. 91
Figura 4.15 Variacin de la relacin de transformacin en funcin de L. 91
Figura 4.16 Diagrama de conexiones del transformador en cascada. 92
Figura 4.17 Localizacin fsica de los transformadores en cascada. 93
Figura 4.18 Montaje de un transformador con uno de sus polos a tierra. 93
Figura 4.19 Transformador completamente aislado con TAP intermedio aislado. 94
Figura 4.20 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 1. 95
Figura 4.21 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 2. 95
Figura 4.22 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 3. 96
Figura 4.23 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 4. 96
Figura 4.24 Circuito del montaje de Greinacher. 98
Figura 4.25 Valores caractersticos de una seal d.c. 99
Figura 4.26 Rectificador de media onda. 99
Figura 4.27 Seal obtenida de un rectificador de media onda. 100
Figura 4.28 Rectificador de media onda con condensador. 100
Figura 4.29 Seal obtenida de un rectificador de media onda con condensador. 100
Figura 4.30 Circuito para puente rectificador de onda completa y seal de salida. 101
Figura 4.31 Impulso rectangular de tensin. 102
Figura 4.32 Impulso rampa de tensin. 102
Figura 4.33 Impulso de tensin de doble exponencial, tipo rayo. 103
Figura 4.34 Impulso de tensin de doble exponencial, tipo maniobra. 104
Figura 4.35 Configuracin 1 para generacin de Impulsos de tensin. 104
Figura 4.36 Configuracin 2 para generacin de Impulsos de tensin. 105
Figura 4.37 Generador de impulsos de tensin de varias etapas. Generador Marx. 106
Figura 4.38 Esquema de conexiones del transformador de alta tensin disponible en el
Laboratorio docente de la Universidad Nacional de Colombia. 107
Figura 4.39 Circuito para generacin de Impulsos de corriente. 108
Figura 4.40 Grfico de las respuestas de un circuito RLC. 110
Figura 4.41 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 1 y sus caractersticas. 111
Figura 4.42 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 2 y sus caractersticas. 111
Figura 4.43 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 3 y sus caractersticas. 112
Figura 4.44 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 4 y sus caractersticas. 112
Figura 4.45 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 5 y sus caractersticas. 112

ix
Figura 4.46 Circuito de montaje del laboratorio de Impulsos de corriente aplicable al
laboratorio docente de la Universidad Nacional de Colombia. Capacidad equivalente 6
uF. 113
Figura 4.47 Simulacin de un impulso de corriente manteniendo L, y C constantes y variando
el valor de resistencia. L = 20 uH, C = 6 uF, Vcarga = 60 kV. 114
Figura 4.48 Simulacin de un impulso de corriente manteniendo R, y C constantes y variando
el valor de la inductancia. R = 20 , C = 6 uF, Vcarga = 60 kV. 114
Figura 4.49 Simulacin de un impulso de corriente manteniendo R, y L constantes y variando
el valor de la capacidad. R = 20 , L = 20 uH, Vcarga = 60 kV. 115

Figura 5.1 Divisor Capacitivo. 117


Figura 5.2 Montaje fsico de las capacitancias, para construccin de una capacitancia de alta
tensin. 118
Figura 5.3 Capacidades externas presentes en los divisores capacitivos. 119
Figura 5.4 Divisor resistivo puro. 119
Figura 5.5 Dependencia a la frecuencia del divisor ohmico. 120
Figura 5.6 Divisor resistivo compensado. 121
Figura 5.7 Divisor capacitivo amortiguado. 122
Figura 5.8 Circuitos de medida para Impedancia serie. 123
Figura 5.9 (a) Conexin de un descargador de gas, para proteccin de operarios y equipos, (b)
esquema fsico del circuito Impedancia serie. 124
Figura 5.10 (a) Corrientes de fuga por dispersin en un sistema de medida Impedancia serie,
(b) Correccin de las fugas de dispersin colocando una capacitancia mayor que las
capacitancias de dispersin. 125
Figura 5.11 Esquema del condensador serie. 125
Figura 5.12 Medidor Electrosttico. 126
Figura 5.13 Espintermetro de Esferas. 127
Figura 5.14 Distribucin probabilstica de tensiones en las que ocurre disrupcin. 129
Figura 5.15 Distribucin Normal de probabilidad. 130
Figura 5.16 Resultados de un enayo por el mtodo Up & Down. 132
Figura 5.17 Acoplamiento del osciloscopio al sistema de medida, el acoplamiento es
apropiado cuando Zc=Z0, de otra manera es incorrecto. 133
Figura 5.18 Circuito equivalente de una resistencia Shunt jaula de ardilla. 135
Figura 5.19 Polarizacin del dielctrico de un condensador al soimeterlo a alta tensin. E0, es
el campo elctrico externo resultado de la tensin aplicada, Ei, es el campo interno, en
sentido contrario al aplicado, el cual es producido por la polarizacin del material
dielctrico. 136
Figura 5.20 Polarizacin del dielctrico de un condensador al soimeterlo a alta tensin. 1, es
la densidad de carga superficial sobre el dielctrico. 136
Figura 5.21 Circuito elctrico del Puente Shering, Cs es la capacidad a medir 138

x
1 CONCEPTOS BSICOS
Antes de comenzar con el tema principal que ha de desarrollarse en el presente libro
es necesario revisar los conceptos que permitirn un claro entendimiento de los temas
ac desarrollados.

1.1 CAMPO ELCTRICO

Es una forma de energa, que se manifiesta al igual que un campo de fuerzas, y es


capaz de desarrollar un trabajo; El campo elctrico existe cuando hay presencia de
cargas elctricas en el espacio, quienes son encargadas de procurar una diferencia de
potencial entre dos puntos diferentes del espacio.

El campo elctrico, es tambin el responsable de la aparicin de la corriente elctrica


en un conductor, ya que el trabajo que ste desempea es transportar la onda o
perturbacin de carga.

1.2 CAPACITANCIA (C)

C es una cualidad del espacio que se manifiesta cuando lo sometemos a una


diferencia de potencial, la cual es causante de la aparicin de campo elctrico.

El campo elctrico permite almacenar energa, sin embargo no es posible almacenarla


eternamente ya que entre los puntos con diferencia de potencial siempre se
presentarn corrientes que evacuarn la energa almacenada, de tal manera que se
tender a desaparecer la diferencia de potencial y por tanto el campo elctrico,
convirtiendo la energa del campo elctrico en energa elctrica; Tales corrientes son,
las corrientes de conduccin que aparecen por la presencia de material entre los
puntos fuentes del campo elctrico y las corrientes de desplazamiento, que se
presentan en el espacio vaco, por la misma presencia del campo elctrico, quine
mueve fsicamente cargas en el espacio.

Un condensador es la forma ms fcil de experimentar la capacitancia; ya que se


aprovecha del fenmeno anteriormente descrito para inducir un campo elctrico entre
sus placas a partir de una diferencia de potencial, y de sta manera almacenar energa;
Sin embargo el comportamiento elctrico de un condensador dentro de un circuito, es
bastante interesante y merece analizarse su comportamiento, as, en un condensador
se adelanta la corriente, debido a que el condensador en el instante t = 0+, se comporta
como un corto circuito.

11
Para comprender mejor ste concepto, resulta conveniente analizar el smil hidrulico
del condensador, para lo cual podemos considerar un tanque como el de la figura 1.

Figura 1.1 Equivalente hidrulico para un condensador.

En donde la altura agua del tanque es la fuente de tensin (considerada de h


constante), la vlvula es el interruptor, la corriente elctrica es la misma corriente de
agua y la tensin en el condensador es anloga a la altura del punto en la figura de la
izquierda.

Ahora supongamos que en el instante t = 0+, se cierra el interruptor, es decir se abre la


vlvula, y la corriente elctrica aparece prcticamente sin ninguna resistencia.

Figura 1.2 Comportamiento transitorio de un condensador.

De sta manera observamos que la corriente es quien primero aparece, y por su parte
la tensin (el nivel de agua indicado por la altura del punto) se demora y su
comportamiento sera creciente hasta que consigue llegar al valor de la fuente, por lo
tanto las curvas que describen dichos comportamientos son de la siguiente manera:

12
Figura 1.3 Grfico de las seales transitorias de tensin y corriente en un condensador.

1.3 INDUCTANCIA (L)

Cuando en un conductor circula una corriente, dicha corriente induce un campo


magntico en el sentido que nos da la ley de la mano derecha; Si ahora consideramos
un arrollamiento de conductor, es decir una bobina, el campo magntico inducido por
cada espira se suma con los de su alrededor, y en consecuencia tendremos un campo
magntico ms intenso; consideremos un instante de tiempo en donde est ocurriendo
lo que vemos en la figura 1.4.

Figura 1.4 Visualizacin del campo elctrico y magntico en una bobina para un instante de
tiempo.

S en ste mismo instante de tiempo medimos el campo elctrico causado por dicho
campo magntico, encontramos que ste se opone al incremento del campo
magntico previamente establecido, como lo seala la ley de Lenz, esto puede
apreciarse en la anterior figura donde el campo elctrico E(t) se opone a un aumento
indefinido del campo magntico, , y es claro que esto no puede ocurrir, luego ste

13
campo elctrico que aparece en oposicin al incremento del campo magntico es lo
que se conoce como inductancia.

Al realizar el anlisis elctrico para una bobina, igual que el practicado para un
condensador, encontramos que en ste caso quien se adelanta es la tensin, y lo
podemos interpretar como la fuerza necesaria para vencer una resistencia y luego de
vencerla es que aparece la corriente elctrica.

1.4 CORRIENTES DE DESPLAZAMIENTO Y DE CONDUCCIN

Para entender mejor el por que de las variaciones en los comportamientos de los
dispositivos, es necesario entender un poco acerca de la teora de campos
electromagnticos que Maxwell ayudo a unificar y donde tenemos:

Ecuaciones de Maxwell
James Clerk Maxwell resumi las propiedades conocidas de los fenmenos elctricos
y magnticos en cuatro ecuaciones. La primera relaciona el campo elctrico E que
atraviesa una superficie A (por ejemplo una esfera) con la carga elctrica Q
contenida dentro de la superficie. La segunda ecuacin relaciona el campo
magntico B que atraviesa una superficie A con la carga magntica contenida en la
superficie, y afirma que dicha carga es nula, es decir, que no existen cargas
magnticas. La tercera ecuacin describe dos formas de inducir un campo magntico
B en una espira circular l. Una de ellas implica el movimiento de cargas en una
corriente elctrica , y la otra implica un flujo elctrico variable. La cuarta ecuacin
describe la forma de inducir un campo elctrico E mediante un flujo magntico
variable. La variacin de un flujo depende de la variacin del campo (E o B) y de la
superficie A atravesada por el mismo.

Particularmente nuestro inters se centra en la tercera ecuacin que puede ser escrita
de la siguiente manera:

14

H dl = J ds + D ds
l s
t s

Donde la parte derecha de la ecuacin posee dos componentes, la primera denota una
densidad campo magntico debida al abrazo de una corriente, luego es sta la
corriente de conduccin. Por otra parte la segunda componente advierte que el campo
magntico tambin puede ser inducido por el cambio de flujo elctrico en el tiempo, y
sta es la llamada corriente de desplazamiento.

Esta es la ecuacin de nuestro inters debido a que es la que permite diferenciar y


reconocer las corrientes circulantes dentro de los dispositivos de estudio, y con ello
identificar cual es la que en determinado momento presenta la mayor parte de la
corriente circulante y con ello identificar el modelo a seguir, as, en un capacitor a
bajas frecuencias la parte ms importante de la corriente circula a travs de la
capacitancia y en altas frecuencias la componente ms importante de corriente es
debida a la resistencia.

1.4.1 Corriente de desplazamiento

La corriente de desplazamiento o corriente capacitiva, es la corriente debida a la


variacin superficial de carga en el tiempo; es la que aparece dentro de las placas de
un condensador en los fenmenos transitorios, debida a la permitividad elctrica del
material, se da por el movimiento de las cargas es decir dQ/dt dD/dt.

Para aclarar el concepto es conveniente considerar el inicio del proceso de carga de


un condensador, es claro que a medida que una carga se deposita en una de las placas
del condensador, otra aparece de polaridad invertida, en la placa opuesta, esto es
debido a la corriente de desplazamiento, adems, a medida que son depositadas ms
cargas, ellas van ocupando ms espacio dentro de la placa (igual ocurre para ambas
placas), y por tanto elevando el potencial en ellas, es decir, en las placas hay una
variacin superficial de carga, en otras palabras, est ocurriendo un cambio de carga
en el tiempo, lo que se conoce como corriente de desplazamiento y por esa naturaleza
es que tambin es conocida como corriente capacitiva.

1.4.2 Corriente de conduccin

Es la corriente con la que se esta ms familiarizado es tambin llamada corriente


activa por que es la que se aprovecha como trabajo, ella es un transporte de una onda
de carga.

Es la corriente que se observa en los conductores cuando transportan energa


elctrica; si se retoma el ejemplo del condensador anteriormente descrito, es claro que

15
se ha de llegar a un punto en donde se satura el condensador (llega a su tope de
carga), punto en el cual cesan las corrientes de desplazamiento e idealmente no
deberan existir corrientes de ningn tipo, sin embargo, como se ha mencionado
anteriormente, un condensador posee una resistencia asociada, la cual se comporta
como un conductor de alta resistencia, dando lugar a las corrientes de conduccin a
travs de l, de tal manera que no cesan las corrientes capacitivas.

1.5 TANGENTE DELTA (D = tan)

Es la relacin de corrientes de conduccin y desplazamiento que se presentan en


cualquier dispositivo, bsicamente buscan determinar la calidad del aislamiento de un
dielctrico, usualmente se usa para evaluar en que estado se encuentra un
condensador, al igual que el Factor de Calidad, ya que son inversos.

Otra manera de interpretar la tangente delta es como factor de potencia, que es un


trmino utilizado para describir la cantidad de energa elctrica que se ha convertido
en trabajo.

Como se mencion D es til para describir el estado de un condensador, por lo que


resulta conveniente estudiar los modelos de un condensador para bajas y altas
frecuencias.

Cuando un condensador es sometido a bajas frecuencias se recomienda seguir un


modelo en paralelo, debido a que impedancia resistiva y capacitiva son comparables,
por lo que se recomienda usar el modelo paralelo hasta que la impedancia capacitiva
sea aproximadamente igual a la impedancia resistiva, es decir ZC ZR, modelo que
estara dado por la siguiente ecuacin:

Figura 1.5 Modelo paralelo para un condensador.

As, la ecuacin que sigue la tan, de dicho circuito es:

16
iconduccin icon i R
tan = = =
idesplazamiento idesp iC
v
tan = R = Xc
v R
Xc
1
tan =
C R

Pero si queremos analizar el comportamiento del condensador a altas frecuencias,


ste modelo no sirve, debido a que con el aumento de la frecuencia, la impedancia
capacitiva se hara muy pequea comparada con la resistiva y por lo tanto toda la
corriente sera de desplazamiento, pero ste no es el comportamiento verdadero, as
que para altas frecuencias se aplica un modelo serie de un condensador y una
resistencia, y su ecuacin, es:

En ste caso, debemos tener en cuenta que se esta hablando de dos corrientes muy
diferentes, que son la corriente de desplazamiento y la corriente de conduccin, que
aunque un modelo serie pueden llevarnos a pensar que son las mismas, no es as, y es
por ello que resulta ms conveniente analizar las cadas de tensin en las impedancias
respectivas, debidas a las corrientes de desplazamiento (sobre la capacitancia) y de
conduccin (sobre la resistencia), de tal manera que se tiene lo siguiente:

vconduccin vcond v R
tan = = =
vdesplazamiento v desp vC
R
v
Xc + R R
tan = =
Xc Xc
v
Xc + R
tan = C R

1.6 FACTOR DE CALIDAD

Factor de calidad es la relacin inversa a la D.

Dentro de un condensador idealmente slo deberan existir corrientes de


desplazamiento, y nicamente en el proceso de carga, sin embargo el dielctrico
tambin posee resistencia de tal manera que tambin circulan corrientes de
conduccin a travs de ella, y es por ello que el factor de calidad, al relacionar stas
dos cantidades, nos da una idea de la capacidad para retener energa, que tiene dicho
dispositivo, de tal manera que el Factor de Calidad puede ser definido de la siguiente
manera:

17
idesplazamiento id 1 1
Q= = = =
iconduccin i c tan D

As, si el factor de calidad es alto, el dielctrico del condensador tiene una baja
resistencia y por el contrario si el factor de calidad es bajo, el dielctrico del
condensador parece ms bien una resistencia de pocos ohmios.

1.7 PREGUNTAS FRECUENTES

Qu es una resistencia?

Es un dispositivo el cual se opone al paso de corriente, al introducirnos en el material,


encontramos que su resistencia es causada por la densidad de carga presente, as:
R=
a
A partir de la ecuacin 2, queda claro que la resistencia es inversamente proporcional
al rea transversal de los materiales, y aumenta proporcionalmente con la longitud de
material que se tenga.

Qu es un aislador?

Es un dispositivo concebido para evitar que se presenten disrupciones (arcos


elctricos y7o flameos) debidos a los fuertes campos elctricos que aparecen cuando
hay grandes diferencias de potencial entre dos puntos relativamente cercanos.

Qu es el cuerpo humano, una L, una R o un C?

El cuerpo humano es un arreglo de todas las anteriores, y se manifiesta en mayor o


menor medida a causa de la frecuencia de los campos a los que se someta, teniendo a
corriente directa un comportamiento como una resistencia, a bajas frecuencias, seria
tal vez ms parecido a un condensador y para altas frecuencias tal vez una
inductancias, sin embargo es tan sensible y complicado el modelamiento del cuerpo
humano, teniendo variaciones importantes de acuerdo a la cantidad de agua que
contenga en el momento dado del modelamiento y otras variables.

18
Para un condensador como el de la figura 1.6, expresar la tan en trminos de
y de .

Figura 1.6 Esquema de un condensador de placas paralelas.

Expresemos R y C en las variables sugeridas:

A a l
C= =
b b
b b
R= =
A a l

ahora reemplazndolas en la ecuacin de tan (para bajas frecuencias), se tiene:

1 1
tan = = =
R C a l b

b a l
Por lo tanto:
1
tan = =
R C

Expresar la Ley de Ampere en trminos de y de .

La ley de Ampere se expresa de la siguiente manera:


H l = J s+ D s
l s
t s

Donde los vectores J y D pueden expresarse de la siguiente manera:

19

J = E
, y de sta manera tenemos:

D = E


H l = E . s + E s
l s
t s

H l = E s+ E s
l s
t s

De sta manera se puede apreciar que la variacin de densidad de campo magntico


en una superficie cerrada es causada por una variacin superficial del campo elctrico
que la atraviesa dicha superficie y adems tambin por el cambio en el tiempo de ese
mismo campo elctrico que atraviesa tal superficie.

20
2 CAMPO ELCTRICO
El principal objetivo del aislamiento elctrico es ejercer control sobre el campo
elctrico. Por lo tanto para hacer un buen diseo del aislamiento, en sus aplicaciones
en ingeniera, se debe conocer las propiedades del campo elctrico para as poder
controlarlo.

Existen dos formas de controlar el campo elctrico, a saber: manipulando la


geometra de los electrodos o por medio del uso de dielctricos. La filosofa del uso
de dielctricos es que en donde se instalen, stos deben tener constantes dielctricas
mayores que las del medio en el cual se encuentran inmersos los electrodos.

2.1 CONTROL SOBRE EL CAMPO ELCTRICO

El control sobre el campo elctrico busca evitar que ocurra disrupcin.

2.1.1 Control del campo elctrico por manipulacin de la geometra de los


electrodos

Una de las configuraciones de electrodos ms crticas de campo elctrico es la


configuracin punta-punta.

Figura 2.1 Configuaracin punta punta, el vector J es el vector de densidad ds corriente y


es igual para ambos electrodos.

Esta configuracin no permite hacer estudios de alto tensin ya que su anlisis


resulta muy complicado, principalmente por que la evolucin de la descarga se
presenta en las dos puntas, es decir, los lderes salen desde las dos puntas.
En el anterior arreglo ambos electrodos estn igual de estresados, como el objetivo es
el estudio del fenmeno de la descarga, es necesario hacer que uno de los dos

21
electrodos est menos estresado, para de sta manera garantizar que la descarga ser
iniciada slo en uno de ellos, una manera es agragando otra punta a la configuracin,
como lo muestra la siguiente figura:

Figura 2.2 Configuaracin punta doble punta, el vetor de densidad de corriente J , se


divide en dos en su camino a tierra.

Para la anterior configuracin el electrodo ms estresado, es el electrodo superior, ya


que de l sale una densidad de corriente J , mientras que a cada electrodo inferior
llega J . Lo conduce a que el campo elctrico en el electrodo superior es mayor que
2
en los electrodos inferiores, como consecuencia de ello los lderes salen solo del
electrodo superior, por tanto la evolucin de la descarga es ms fcil de analizar.

Sin embargo para garantizar que efectivamente el lider slo provenga del electrodo de
superior, se hace tender el nmero de puntas inferores a infinito, llegando as a la
configuracin punta placa, de sta manera la densidad de corriente sobre el
electrodo inferior tiende a cero, como se muestra en la siguinte figura.

Figura 2.3 Configuaracin punta placa, el vetor de densidad de corriente J , tiende a cero
sobre la placa que es su camino a tierra.

En este caso el estrs de la placa es prcticamente nulo, mientras la punta est


expuesta a un alto estrs, ocacionado por un campo elctrico bastante alto.

22
Los casos anteriores evidencian el control del campo elctrico por manipulacin de la
geometra de los electrodos, mtod que consiste en aumentar el rea de los electrodos
(evitar puntas). Es posible explicar esto con ayuda de las ecuaciones de Maxwell,
como se muestra a continuacin.
E =Q
E = D ds = Q
S

Si suponemos el vector de densidad de campo D constante, se tiene:

D ds = Q
S

D A = Q
Q
D=
A
Ahora como:
D = O E
Q
E=
O A

De la expresin anterior se tiene que al aumentar el rea de los electrodos, del campo
elctrico disminuye. Un caso prctico de control de campo elctrico por manipulacin
del rea de los electrodos se presenta en los interruptores de potencia. El contacto
elctrico en los interruptores de potencia se logra gracias a dos barras de metal como
lo muestra la siguiente figura.

Figura 2.4 Interruptor de potencia.

El problema que se presenta con esta configuracin es que el campo elctrico de los
contactos puede llegar a ser muy alto y puede producir arco entre contactos,
reencendiendo el interruptor, estos reencendidos son extremadamente dainos ya que
producen los llamados "Very Fast Trasient" que pueden afectar otros equipos,
especialmente el equipo electrnico.

23
Una forma de evitar esto, es aumentando el rea de contacto de los electrodos, lo cual
se consigue colocando discos en cada estremo de los electrodos. Vease figura 2.5

Figura 2.5 Interruptor de potencia, con discos en sus contactos para disminuir el esfuerzo al
que est sometido.

En el arreglo anterior, los discos no se mueven al hacer el contacto, sino que tienen
perforaciones en el centro que permiten la movilidad de los electrodos de contacto,
sin embargo si tienen conexin elctrica con las puntas de contacto, es as debido a
que en muchos casos estos puntos de contacto se encuentran sumergidos en
dielctricos lquidos o gaseosos que dificultan el moviendo.

Otra aplicacin comn de control de campo elctrico por medio de la manipulacin


de la geometra de los electrodos, es el uso de tiroides como aliviadores de campo, su
uso es frecuente en aisladores de subestaciones a los cuales se les aade toroides, y
con ellos se disminuye el estrs que le ocacionan las concentraciones de campo
elctrico.

Un ejemplo clsico del uso de aliviadores de campo es cuando se hace necesario


pasar un conductor a travs de una pared, en estos casos se presentan concentraciones
de campo en la pared, ocacionados por la reducida rea de la perforacin en la pared
comparada con la del cable. La solucin a este problema es colocar electrododos de
control, que en este caso consisten en cilindros coaxiales, como se puede apreciar en
la siguiente figura.

24
Figura 2.6 (a) Conductor atravesando una pared, para evitar disrupciones conductor pared, el
nivel de tensin al que se puede llegar es reducido, (b) Conductor con aliviadores de campo,
atravesando una pared, el nivel de tensin al que se puede llegar es mucho mayor que en la
configuracin (a).

La funcin principal de estos cilindros coaxiales es fijar los potenciales para tener una
distribucin uniforme de campo elctrico.

2.1.2 Control del campo elctrico mediante el uso de dielctricos

Cuando se introduce un dielctrico en un campo elctrico se produce la polarizacin


de este, lo que produce una disminucin del campo elctrico original1. Este fenmeno
se utiliza en la prctica para el control del campo elctrico. Una situacin tpica es la
que se ilustra en la siguiente figura.

Figura 2.7 Sitacin de un condutor aislado de tierra por un dielctrico, sin embargo se
presenta flameo en las fronteras conductor-dielctrico, debido a que el aire no soporta al igual
que el dielctrico las concentracionesde campo elctrico.

En la interfaz de aire que existe entre el conductor y el dielctrico DK1, hay


concentracin de campo elctrico, que no puede ser soportada por el aire, po lo tanto
se produce flameo. La solucin a esto es colocar un segundo dielctrico DK2
(ejemplo: Plastilina) en esta interfaz. Vease figura 2.8.

Figura 2.8 Sitacin de un condutor aislado de tierra por un dielctrico DK1, sin embargo para
evitaer flameo por el aire se coloca un segundo dielctrico DK2.
1
Para entender mejor ste concepto, ver numeral 5.4.

25
Otro ejemplo practic este tipo de control se tiene cuando se pasa de lnea area a
lnea subterrneay viceversa, como ve en la siguiente figura.

Figura 2.9 Cambio de conductor aislado a conductor desnudo, situacin que presenta
concentraciones altas de campo elctrico, y por tanto, generacin de efecto corona.

Debido que la cubierta se encuentra aterrizada, en el borde se va a presentar efecto


corona, al igual que la interfaz entre el conductor y el dielctrico. Este flameo es
extremadamente peligroso ya que puede producir la ignicin del polietileno
ocacionando incendios.

Para solucionar este tipo de inconvenientes se han implementado los llamados conos
de alivio, que consisten en un dielctrico que elimina la interfaz de aire, como lo
muestra la siguiente figura

Figura 2.10 Cambio de conductor aislado a conductor desnudo, usando conos de alivio para
disminuir las concentraciones elevadas de campo elctrico en las fronteras de los materiales.

El cono de alivio est constituido con un material con r superior a 1, por lo tanto
permite hacer una distribucin ms uniforme del campo elctrico que usando slo
aire.

26
2.2 FACTOR DE UTILIZACIN DE SHWEIGER ()

El factor de utilizacin de Shweiger es una herramienta que se utiliza para comparar


la configuracin electrodica, mediante la relacin de EMAX y EMED.
E
= MEDIO
E MAXIMO

El campo elctrico medio se puede obtener con la siguiente expresin:

V
E MEDIO =
d

Donde V es la diferencia de potencial entre los electrodos y d es la separacin entre


los mismos; est normalizado para distintas configuraciones. Esto quiere decir que
uno puede predecir el voltaje disruptivo a partir de .

2.3 CLCULO DEL CAMPO ELCTRICO DE DIFERENTES


GEOMETRAS SIMTRICAS

La principal herramienta para el clculo del campo elctrico son las ecuaciones de
Maxwell. A se harn clculos del campo elctrico y el potencial para diferentes
configuraciones.

2.3.1 Campo elctrico en una configuracin esfera esfera

Figura 2.11 Cconfiguracin esfera esfera.

Para el cclculo de campo elctrico se tiene:

27
Campo elctrico
E =Q
E = D ds = Q
S

En esta configuracin D es constante, luego se tiene:

D ds = Q
S

D Aesfera = Q
Q
D= ar
Aesfera
Como,
D = O r E
Q
E= ar
4 O r r 2

De la expresin anterior se puede ver que el campo elctrico es mayor en la frontera


de la esfera interior y es menor en la frontera de la esfera exterior.
Q
E MAXIMO = a r
4 O r r1
2

Q
E MINIMO = ar
4 O r r2
2

La relacin entre el campo mximo y el campo mnimo esta dada por la relacin de
los cuadrados de los radios, que resulta de:
Q
a r
4 O r r1
2 2
E MAX r2
= = 2
Q
E MIN a r r1
4 O r r2
2

Ahora hallando una expresin para el potencial, se tiene lo siguiente:

Potencial
r1

= E dl
r
r1
Q 1
= dr
4 O r r r2

28
r1

Q 1 Q 1 1
= =
4 O r 4 O r r1 r
r r

Q 1 1
=
4 O r r1 r

De acuerdo a la expresin anterior la diferencia de potencial entre las dos ecuaciones:

Q Q
r1 r 2 =
4 O r r1 4 O r r2
Q 1 1
r1 r 2 =
4 O r r1 r 2

En la prctica es ms comn calcular el campo elctrico a partir del voltaje. Por lo


tanto resulta conveniente tener una expresin para campo elctrico en funcin de la
tensin.

Q 1 Q 1 1
E= 2 ar V=
4 O r r 4 O r r1 r 2
V 1
E= a
1 1 r2 r

r1 r2
r1 r2
E =V a
(r2 r1 ) r 2 r
Otra caracterstica importante de los arreglos de electrodos es la capacitancia, para el
arreglo de esferas bajo estudio se teiene:

Capacidad
Q
C=
V
4 O r Q 1 1
C= V=
4 O r r1 r2
1 1

r1 r2

Un caso prctico de un arreglo de esferas es el generador de Van der Graff.

29
2.3.2 Campo elctrico en una configuracin cilindro cilindro

Un arreglo de esta clase es como se ve en la siguiente figura.

Figura 2.12 Cconfiguracin cilindro cilindro.

Esta configuracin es muy usada en la prctica ya que los cables coaxiales tienen esta
forma. Siguiendo el mismo procedimiento que en el caso anterior se tiene:

Campo Elctrico
E =Q
E = D ds = Q
S

D ds = Q
S

D Acilindro = Q
Q
D= ar
Acilindro
Q
D= ar
2 r l
Como,
D = O r E
Q
E= ar
2 O r r l

Expresandolo por unidad de longitud, se tiene:

Q
E= ar
2 O rr

30
Potencial
= E dl
r
Q 1
dr
=
2 o r r r
Q
[ln r ] r1
r
=
2 o r
Q
= (ln r ln r1 )
2 o r
Q r
= ln
2 o r r1

De acuerdo a lo anterior la diferencia de potencial para el caso de los cilindor


concentricos, es:
Q r
= ln 2
2 o r r1

Graficando los resultados obtenidos para campo elctrico y potencial, se tiene la


siguiente grfica.

Figura 2.13 Distribucin de campo elctrico y potencial para un arreglo de cilindros


coaxiales.

Campo elctrico en funcin del voltaje:

31
Q
E= ar
2 O r r
V
E= ar
r2
ln r
r1

Capacidad
Q 2 o r
C= =
V r
ln 2
r1

La anterior ecuacin expresa la capacidad de un arreglo de cilindros coaxiales por


unidad de longitu.

2.4 MATERIALES EN CAPAS

En toda configuracin o arreglo de electrodos condensadores se va a tener cambios


de material, por ejemplo en los transformadores, es comn encontrar capas de
diferentes dielctricos y material conductor, como por ejemplo, papel, aceite, recinas,
y cobre; Por sta razn es tan importante ralizar un estudio de esta situacin.

2.4.1 Condiciones de frontera

Considere la siguiente figura:

Figura 2.14 Condiciones de frontera para un arreglo de dos materiales, y sus respectivos
flujos de campo elctrico.

Donde,

32
D1T
Tan 1 D
= 1N
Tan 2 D 2T
D2 N
Y como,
D1N D2 N = S

Entonces se tienen dos casos de estudio, primero, cuando se tienen dos dielctricos, y
segundo cuando se tiene u dielctrico y un conductor.

Caso 1. Dielctrico Dielctrico

Como en los dielctricos no hay acumulacin de cargas:

D1N D2 N = 0
D1N = D2 N
r1 E N 1 = r 2 E N 2

Caso 2. Dielctrico Conductor

Como en el caso del conductor no existe campo elctrico efectivo, entonces:


D1N = S
r1 E N 1 = S

Figura 2.15 Condiciones de frontera para un arreglo de dielctrico conductor.

De acuerdo a la ecuacin de Maxwell, se cumple para la regon enmarcada en verda


de la figura 2.15, que:

33
E dl = 0

E T 1 l E T 2 l = 0
E T1 = E T 2
DT1 DT 2
=
r1 r2

DT1 r1
=
DT 2 r2

Con estos resultados se puede escribir:

Tan 1 D T 1 D N 2 r1
= =
Tan 2 D T 2 D N 1 r 2
r1
Tan 1 = Tan 2
r2

Hay dos configuraciones importantes que se deben analizar:

(a) (b)
Figura 2.16 Dos configuraciones de condensadores ambos con dos dielctricos, (a)
Dielctricos en paralelo a la alta tensin, (b) Dielctricos en serie a la alta tensin..

Para el caso de la figura 2.16 a, se tiene:

34
V1 = V2
E1 = E 2
D1 D2
=
r1 r 2
S1 S 2
=
r1 r 2

Para el caso de la figura 2.16 b, se tiene:

S1 = S 2
D1 = D 2
r1 E 1 = r 2 E 2

2.5 EJERCICIOS

2.5.1 Condutor atravesando una pared

El caso del conductor que atraviesa una pared tiene una geometra de cilindros
coaxiales.

Figura 2.17 Conductor con aliviadores de campo de cilindros coaxiales, atravesando una
pared.

35
Lo que se busca es que la diferencia de potencial entre cada cilindro sea la misma,
entonces:

V = 1 = 2 = 3 = 4 = 5
Como,
Q
V=
C
Y,
Q1 = Q2 = Q3 = Q4 = Q5
Entonces,
C1 = C2 = C3 = C4 = C5

Como ya se defini previamente,

2 o r l
C=
r1
ln
r2
2 o r l1 2 o r l2 2 o r l3
Ci = = = = ...
r r r
ln 1 ln 2 ln 3
r2 r3 r4

Entonce para satisfacer la condicin de tener una distribucin uniforme de potencial


se debe cumplir que:

r2 r3
ln ln
r3 r4
l2 = l1 ; l 3 = l 2 ;...
r r
ln 1 ln 2
r2 r3

En general se escoje como l1, el ancho de la pared.

2.5.2 Condensador de placas con dielctricos en capas

Un arreglo de ste tipo es el que se aprecia en la siguiente figura.

36
Figura 2.18 Condensador de placas paralelas con tres dielctricos dispuestos en capas.

De ste arreglo se pueden escribir las siguientes ecuaciones:

VT = V1 + V2 + V3
VT = E 1 d1 + E 2 d 2 + E 3 d 3
D1 = D 2 = D 3 = D
D d1 d2 d3
VT = + +
o r1 r2 r3
D
VT = Coeff pp
o
Donde,
d1 d2 d3
Coeff pp = + +
r1 r2 r3
Como,

37
D VT
E1 = =
o r1 r1 Coeff pp
D VT
= =K
o Coeff pp
K
E1 =
r1
VT K
E2 = =
r 2 Coeff pp r 2
VT K
E3 = =
r 3 Coeff pp r 3

S r1 > r 2 > r 3 , entonces la distribucin de campo elctrico a lo largo del


condensador ser como aparece en la sigiente figura.

Figura 2.19 Distribucin de campo elctrico para un condensador de placas paralelas con tres
dielctricos que complen con: r1 > r 2 > r 3 .

2.5.3 Condensador de cilindros coaxiales con dielctricos en capas

Un arreglo de ste tipo es el que se aprecia en la siguiente figura.

38
Figura 2.20 Condensador de cilindros coaxiales dielctricos dispuestos en capas.

De ste arreglo se pueden escribir las siguientes ecuaciones:

V14 = V12 + V23 + V34


r1 r2 r3
V14 = E 1 dl E 2 dl E 3 dl
r2 r3 r4
r2 r3 r4
V14 = E 1 dl + E 2 dl + E 3 dl
r1 r2 r3

Como se vio anteriormente el campo elctrico en cilindros coaxiales es:

Q
E= ar
2 o r r l
Q 1 r2 dr 1 r3dr 1 r4 dr
V14 = + +
2 o l r1 r1 r r2 r2 r r3 r3 r
Q 1 r 1 r 1 r
V14 = ln 2 + ln 3 + ln 4
2 o l r1 r1 r 2 r2 r 3 r3
Q Q
V14 = K CC ; = E r r
2 o l 2 o l

V14
Ei = donde ri 1 < ri < ri +1 para i = 2,3,4
Kcc ri r

Como,
Q 2 o l
C= =
V Kcc

39
S r1 > r 2 > r 3 , entonces la distribucin de campo elctrico y de potencial a lo largo
del condensador ser como aparece en la sigiente figura.

(a) (b)
Figura 2.21 (a) Distribucin de campo elctrico para un condensador de cilindros coaxiales,
(b) Distribucin de potencial para un condensador de cilindros coaxiales.
Para ambas figuras los dielctricos cumplen, r1 > r 2 > r 3 .

2.5.4 Mtodo de las diferencias finitas, para el clculo de potenciales

Las ecuaciones de Maxwell anlogas, resultan cmodas cuando se trabaja con


configuraciones sencillas y con simtria, sin embargo para configuraciones
complicadas, resulta ms conveniente usar los mtodos numricos para la solucin de
las ecuaciones de Maxwell. Uno de los mtodos usados para la slucin de stas
ecuaciones por mtodos numricos, son las diferencias finitas.

Donde se parte de las siguientes ecuaciones:

E ds = Q Forma integral

2 = 0 Forma diferencial

Debido a que en un dielctrico no hay acumulacin de carga la ecuacin de Poisson


queda de la siguiente forma:

2 = 0
2 2
+ 2 =0
x 2 y

40
2 i +1 , j i 1 , j
= =
x 2
x x x 2 x

Aplicando ste resultado para un arreglo como el de la figura 2.22, se tiene la


siguiente ecuacin:



2 x i +1 , j x i 1 , j
=
x 2 2 x

Figura 2.22 Mtodo de diferencias finitas para el clculo de potenciales.

Luego se puede escribir,


i+2 , j i , j i , j i 2 , j


2
2 x 2 x
=
x 2 2x
2 i + 2 , j 2 i , j + i 2 , j
=
x 2 4 x 2

De igual manera,
2 i , j + 2 2i , j + i , j 2
=
y 2 4y 2
S,
x = y
Entonces,
i + 2 , j 4i , j + i 2 , j + i , j + 2 + i , j 2
2 = =0
4 x 2

41
i+2 , j + i , j +2 + i2 , j + i , j 2
i , j =
4

2.5.4.1 Ejercicio de aplicacin del mtodo de las diferencias finitas, para el


clculo de potenciales

Considere el siguiente arreglo, y calcule a travs del mtodo de diferencias finitas la


distribucin de campo elctrico.

Figura 2.23 Arreglo de un par de placas, donde se desea conocer la distribucin de


potenciales en medio de ellas.

Para encontrar la distribucin de campo, se opt por usar el software Microsoft Excel,
en el cual se crea una matriz con los valores dados, es decir, la placa de 100 V, los
puntos de 75 V, 50 V y 25 V y la placa referenciada a tierra, luego se introduce la
frmula para el mtodo de diferencias finitas en cada cuadro libre y se le pide al
software que calcule los valores a travs de una iteracin, que para el caso que se
muestra en seguida es de 500 iteraciones.

Figura 2.24 Visualizacin del campo elctrico en el arreglo de la figura 2.23.

42
La matriz que da como resultado a la anterior distribucin de campo, se consigui,
as:

A B C D E F G G I J
1 100 100 100 100 100 100 100 100
2 100
3 75 100
4 75 100
5 100
6 50 C6=(C5+D6+C7+B6)/4 100
7 50 100
8 100
9 25
10 25
11
12 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

Luego se procede con la iteracin de dicha frmula, para lo cual se selecciona toda la
matriz y en el men HERRAMIENTAS, en Opciones, en Calcular, se habilita la
casilla de iterar y se da Aceptar, a partir de ello el software hace los respectivos
clculos, los cuales pueden graficarse.

2.5.5 Mtodo de las imgenes

Para la configuracin de la siguiente figura, calcular (x, y, z), en donde el radio de


los conductores es r, y estn separados una distancia 2d m en el espacio vaco,
suponga que tienen cargas opuestas (+q, -q). Dibuje las lneas equipotenciales.

(a) (b)
Figura 2.25 (a) Arreglo de un par de conductores, cargados uniformemente, vistos en un
plano tridimensional (b) el mismo arreglo en el plano (x, y).

43
Para encontrar (x,y,z) en el espacio circundante a los conductores, cmo primera
medida, (ya que no se ndica lo contrario) se asume que la longitud de los
conductores es infinita, luego es posible trabajar sobre el plano z = 0, (Figura 2.25
(b)), de sta manera es posible encontrar la contribucin de cada conductor sobre un
punto P(x, y), as:
( x , z ) = + ( x , z ) + ( x , z )
Donde,
P
= E dl

y como,
Q
D cilndro = a
2l
D cilndro Q
E cilndro = = a
2l
Entonces:
r
Q
= a dl
= 0 2l
r
Q 1
= d dr d ; a = d ; dl = dr d
2l d r
Q Q
ln[r ] d = ln[r ] r
r d
=
2l 2l
Q
= [ln(d ) ln(r )]
2l
Q d
= ln
2l r

De sta manera, se tiene:

44
( x , z ) = + ( x , z ) + ( x , z )
Q d Q d
( x , z ) = ln + ln
2 l R1 2l R2
Q d d
( x , z ) = ln ln
2 l R1 R2
d
Q R
( x , z ) = ln 1
2 l d
R2
Q R
( x , z ) = ln 2
2 l R1
Como:
R1 = ( x d ) 2 + y 2
R2 = ( x + d ) 2 + y 2
Entonces:
Q (x + d )2 + y 2
( x, z ) = ln
2 l (x d )2 + y 2

Q (x + d )2 + y 2
( x, z ) = ln
2 l (x d )2 + y 2
1
Q (x + d )2 + y 2 2
( x, z ) = ln
2 l (x d )2 + y 2

Q 1 (x + d )2 + y 2
( x, z ) = ln
2 l 2 (x d )2 + y 2
Q (x + d )2 + y 2
( x , z ) = ln
4 l (x d )2 + y2

Que es la ecuacin de una familia de circunferencias, cuyo centro se va desplazando


sobre el eje x, a una razn menor que la de crecimiento del radio y en direccin
contraria a las cargas.

Las lneas equipotenciales lucen de la siguiente manera:

45
Figura 2.26 Distribucin de las equipotenciales para el ejercicio 2.5.5.

2.5.6 Para el siguiente cable coaxial, calcle y grafque E , D , P , PS , PSP

Figura 2.27 Cable coaxial con triple pantalla.

Donde r1 = 3 y r2 = 4.

De sta manera se tienen las siguientes regiones:

Para, r1 r r2; (r1 = 3)

46
Q l Q
D= ap D= a p ; donde , l =
2rl 2r l
D Q l
E= E= ap E= ap
2rl (3 0 ) 6r 0
1
P = D 0 E = l 1 ap P = l ap
2r 3 3r

Para, r2 r r3; (conductor)

l
D= ap
2r
E = 0a p
l
P = D 0 E P=D P= ap
2r

Para, r3 r r4; (r2 = 4)

l
D= ap
2r
D Q l
E= E= ap E= ap
2rl ( 4 0 ) 8r 0
l 1 3
P = D 0 E = 1 ap P = l ap
2r 4 8r

Para, r4 r (Pantalla conductora en r4)

D=E=P=0

Condiciones de frontera

Para r = r1:
l l
S = n( D1 D2 ) S = a a S =
2r 2r
l
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a a Sp = l
3r 3r
Para r = r2:

47
l l
S = n( D1 D2 ) S = a a a S = 0
2r 2r
l l
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a a l a Sp =
3r 3r 6r

Para r = r3:
l
S = n( D1 D2 ) S = a a l a S = 0
2r 2r
3 l l
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a a l a Sp =
8r 2r 4r

Para r = r4:
l
S = n( D1 D2 ) S = a a S = l
2r 2r
3 l 3
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a a Sp = l
8r 8r
De sta manera s se grafican los anteriores resultados se tiene:

Intensidad de Campo Elctrico,

Figura 2.28 Distribucin de intensidad de campo elctrico para el ejercicio 2.5.6.

Densidad de Campo Elctrico,

Figura 2.29 Distribucin de densidad de campo elctrico para el ejercicio 2.5.6.

48
Polarizacin,

Figura 2.30 Grfico de polarizacin para el ejercicio 2.5.6.

Densidad superficial de carga,

Figura 2.31 Distribucin de densidad superficial de carga para el ejercicio 2.5.6.

Vector de polarizacin de carga,

Figura 2.32 Grfico de vector de polarizacin de carga para el ejercicio 2.5.6.

2.5.7 Para el siguiente condensador de esferas concntricas, calcle E , D , P ,


PS , PSP

49
Figura 2.33 Condensador de esferas concntricas, con tres dielctricos.

De sta manera se tienen las siguientes regiones:

Para, r1 r r2; (r1 = 1)

Q
D= ar
4r 2
D Q Q
E= E= ar E= ar
4r 2 ( 0 ) 4 0 r 2
Q
P = D 0 E = [1 1]a r P=0
4r 2

Para, r2 r r3; (r2 = 2)

Q
D= ar
4r 2
D Q
E= E= ar
8 0 r 2
Q 1 Q
P = D 0 E P= 1 ar P= ar
4r 2
2 8r 2

Para, r3 r r4; (r3 = 5)

50
Q
D= ar
4r 2
D Q
E= E= ar
20 0 r 2
Q 1 Q
P = D 0 E P= 1 ar P= ar
4r 2
5 5r 2

Para, r4 r (Conductor en r4)

D=E=P=0

Condiciones de frontera

Para r = r1:
Q Q
S = n( D1 D2 ) S = ar ar 0 S =
4r1 4r1
2 2

Sp = n( P1 P2 ) Sp = a r (0 0 ) Sp = 0

Para r = r2:
Q Q
S = n( D1 D 2 ) S = ar ar ar S = 0
4r2 4r2
2 2

Q Q
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a 0 ar Sp =
8r2 8r2
2 2

Para r = r3:
Q Q
S = n( D1 D2 ) S = ar ar ar S = 0
4r3 4r3
2 2

Q Q 3Q
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a r ar ar Sp =
8r32
5r32 40r32

Para r = r4:
Q Q
S = n( D1 D2 ) S = ar 0 ar S =
4r42 4r42
Q Q
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a r ar 0 Sp =
5r42 5r42

51
2.5.8 Campo elctrico homogneo

En la configuracin de la siguiente figura, calcule r1, para obtener una distribucin


homognea de campo elctrico a lo largo de todo el electrodo, use r1 = 0,1m.

Figura 2.34 Arreglo de un electrodo con terminacin en punta redondeada.

Como el campo elctrico en un cilindro es:


Q
E= a
2l
Y para el caso de un cilindro metlico, de longitud l2 y radio r2, se tiene:

Q
E2 = a
2 0 r2 l 2

Ahora, el campo elctrico de una esfera, se tiene:

R03
E= ar
3r 2

Y para el caso de una punta esfrica metlica (media esfera) de radio r1, se tiene:

Qr13 6
E1 = ar
3 0 r12 4r13
carga
Donde, =
volumen

Luego,
Q
E1 = ar
2 0 r12

52
Como, la condicin es tener campos elctricos iguales, se procede a igualar las
ecuaciones obtenidas tanto para E1, como para E2, y de sta manera encontrar el radio
aproximado de la punta esfrica que consiga satisfacer la condicin, as:

Q Q
a = ar
2 0 r2 l 2 2 0 r12
1 1
2
ar = a
r1 r2 l 2

Como no interesa su direccin sino su magnitud, se tiene:


r1 = r2 l 2
S, r2 = 0.1m, entonces:
r1 = 0.1 l 2
r1 = 0.316 l 2

Luego, para hacer homogneo el campo elctrico en todo el electrodo, es necesario


que el radio de la punta cumpla con la condicin: r1 = 0.316 l2 .

NOTA: Sin embargo, es necesario tener en cuenta que se introdujo un error al


aproximar la carga de cada parte del electrodo como la carga total Q.

Qu se puede hacer s en el caso anterior, r1 tiende a 0?

A partir de la ecuacin obtenida, s r1 tiende a 0, entonces se debe hacer que la


longitud del cuerpo del electrodo tambin tienda a 0 con una rapidez mayor
(cuadrtica); Una segunda posibilidad es hacer el electrodo totalmente esfrico.

2.5.9 Carga transportada en condensadores

Demuestre cual es la carga transportada en un arreglo de condensadores en paralelo y


en serie; Adems halle sus respectivos equivalentes.

2.5.9.1 Condensadores en serie

En un arreglo como el de la siguiente figura, donde se tiene un par de condensadores


que almacenan una carga Q cada uno, Cul es la carga transportada?

53
Figura 2.35 Arreglo de un par de condensadores en serie.

Cmo los condensadores almacenan una carga Q cada uno, se ve que:


Q = C *v
Q1 = C1 * v1
Q2 = C2 * v2
Como Q1 = Q2, entonces,
C1 * v1 = C 2 * v 2
Adems es posible plantear:
v v v1 v
itotal = ; iC1 = ; iC 2 = 1
ZT Zc1 Zc 2
Pero como es un circuito serie, se tiene:
itotal = iC1 = iC2
Luego,
v v v1 v v
= ; = 1
ZT Zc1 Z T Zc 2
, y a partir de estas dos ecuaciones, se tiene:
v v v1 v v1
= ; =
ZT Zc1 ZT Zc 2
Z
vZc1 = (v v1 ) Z T ; v = v1 T
Zc 2
vZc1 vZ T = v1 Z T ;
v( Z T Zc1 ) = v1 Z T ;
ZT
v = v1 ;
Z T Zc1
Luego,

54
ZT ZT
v1 = v1
Z T Zc1 Zc 2
Z T Zc1 = Zc 2
ZT = Zc1 + Zc 2
1 1
ZT = +
jC1 jC 2
1 C1 + C 2
ZT =
j C 1 C 2
Si se considera un equivalente de esa impedancia como un nico condensador, se
tiene:
1
ZT =
jC T
1 C1 + C 2 1
=
j C1 C 2 j C T
1 C1 + C 2
=
CT C1 C 2
1 1 1
= +
CT C1 C 2
1
1 1
CT = +
C1 C 2

De sta manera se obtiene el equivalente para un par de condensadores en serie; ahora


s se asume que las capacitancias C1 y C2 son iguales, se tiene:
1
1 1
CT = +
C1 C2
C1
CT =
2
Adems tambin se tiene que:
v = v1 + v2
Q1 Q2
v = +
C1 C2
2Q1
v =
C1
Y como,

55
QT = CT * v
C1 2Q1
QT = *
2 C1
QT = Q1

Luego queda demostrado que para una configuracin de condensadores en serie, la


carga transportada en todo el circuito es la carga de uno de ellos, es decir Q.

Otra forma de analizarlo, es: Considerando que la corriente que circula por un
condensador es Q y nunca puede ser mayor, inclusive s se tuviera el caso de un
t
condensador que almacene nQ, ya que el otro limitara el flujo de carga (corriente) a
tan slo Q.

2.5.9.2 Condensadores en paralelo

En un arreglo como el de la siguiente figura, donde se tiene un par de condensadores


que almacenan una carga Q cada uno, Cul es la carga transportada?

Figura 2.36 Arreglo de un par de condensadores en paralelo.

Cmo los condensadores almacenan una carga Q cada uno, vemos que:

Q = C *v
Q1 = C1 * v
Q2 = C 2 * v
Como Q1 = Q2, entonces,
C1 * v = C 2 * v
C1 = C 2
Adems es posible plantear:

56
v v v
itotal = ; iC1 = ; iC 2 =
ZT Zc1 Zc 2
Pero como C1 es igual a C2, se tiene que ZC1 es igual a ZC2, luego iC1 es igual a iC2,
as:

itotal = iC1 + iC2 = 2iC1

De sta manera se ve que cada condensador aporta una carga Q, luego la carga total
transportada es 2Q.

Ahora, s se desea obtener su equivalente, es necesario considerar el caso donde C1 es


diferente de C2, y as:
v v v
iT = = +
ZT Z C1 Z C 2
1
1 1
ZT = +
Z C1 Z C 2
ZT = ( jC! + jC2 )1
1
ZT = (C! + C2 )1
j
Si se considera un equivalente de esa impedancia como un nico condensador, se
tiene:

1
ZT =
jCT
Luego,
1 1
(C! + C 2 )
1
=
j CT j
CT = C! + C 2
Que es el equivalente de capacitancia para un arreglo de condensadores en paralelo.

2.5.10 Clculo de capacidades

Calcule la capacidad para el siguiente arreglo de esferas coaxiales.

57
Figura 2.37 Condensador de esferas concntricas.

Se conoce que:
Q
D= = ar = E
A 4r 2
Q
E= ar
4r 2
Adems, se tiene:
P r1
Q
v = E dl = a r a r dr
v =0 r2 4r 2
Q 1 1
v=
4 r1 r2
Y como,
Q =C v
Q
C=
v
Luego, se tiene lo siguiente:
4
C=
1 1

r1 r2

Qu ocurre s se hace tender r2 a infinito?

Al tener esto, la capacidad de dichas esferas es:

4
C=
1
r1
C = 4r1

58
2.5.11 Generador de Van der Garff

Para un generador de Van der Graff como el de la siguiente figura, calcule el radio
(r1) de la esfera para no superar la capacidad disruptiva del aire.

Figura 2.38 Generador de Van der Graff.

El campo elctrico para una esfera es:


R03
E= ar
3 r2

S, se tiene que la capacidad disruptiva del aire es de 3 MV/m, y ste est aplicado
sobre la superficie de la esfera, se tiene que:

Q
E= ar
4 0 r 2
Q
E= 3 Mv
(
4(3.14) 8.85 10 r
12 2
) m
Q
r = 54.7 Q _ m
4(3.14)(8.85 10 12 )(3 10 6 )
r 54.7 Q _ m

Luego, se tiene que el radio (en metros) de la esfera del generador debe ser como
mnimo 54.7 veces la carga a la que se someta.

2.5.12 Cada de tensin en un arreglo de aisladores

Considere el siguiente arreglo de aisladores y resuelva:

59
Figura 2.39 Arreglo de diez aisladores (100 kV) en una torre de transmisin.

Asumir:
Caislador = 12 pF. = Ca.
Ca lnea =1 pF. = CL.
Cparsitas =1 pF. = Cp.

Encuentre en cada caso, cual debera ser la capacitancia de cada aislador para cumplir
con el ideal de mantener una lnea recta en la caracterstica de cada de tensin contra
nmero de aislador.

2.5.12.1 Capacidades a lnea iguales a cero

Encuentre las cadas de tensin sobre los aisladores, asumiendo las capacitancias a
lnea como cero.

El siguiente es el equivalente elctrico bajo las condiciones dadas para el anterior


arreglo:

60
Figura 2.40 Arreglo de diez aisladores asumiendo capacitancias a lnea iguales a cero.

El proceso a seguir, en primer lugar hallar la capacitancia total del arreglo y luego se
procede a hallar la capacitancia vista desde el nodo de tierra (nodo 10) hasta el punto
de inters, de sta manera se consigue tener un divisor capacitivo y as, es posible
conocer la cada de tensin en cada punto para luego graficarlos.

Para hallar la capacitancia total del arreglo, se sigue la siguiente ecuacin:

CT = ((((((((((((((Ca // C p ) + Ca ) // C p ) + Ca ) // C p ) + Ca )// C p ) + Ca )// C p ) + Ca )// C p ) + Ca )// C p ) + Ca )

Esta ecuacin es repetitiva por lo que se sugiere programarla, una opcin muy
asequible es usar Microsoft Excel.

Al usar el software anteriormente sugerido se lleg a la siguiente tabla de valores:


Ca(pF) = 12 w(Hz) = 60
Cp(pF) = 1 Tensin(v) = 1
Cl(pF) = 0

C(pF)
C(pF) en Z(G ) en el V(pu) en V(pu) C(pF) de cada
Nodo esperada en
el nodo nodo el nodo esperado aislador
cada nodo
10 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 29,223
9 12,000 1,389 0,252 0,100 30,223 29,285
8 6,240 2,671 0,484 0,200 15,111 26,885

61
7 4,516 3,691 0,669 0,300 10,074 23,781
6 3,779 4,411 0,800 0,400 7,556 20,594
5 3,418 4,877 0,884 0,500 6,045 17,676
4 3,229 5,162 0,936 0,600 5,037 15,158
3 3,127 5,330 0,967 0,700 4,318 13,047
2 3,071 5,427 0,984 0,800 3,778 11,301
1 3,040 5,483 0,994 0,900 3,358 9,860
0 3,022 5,515 1,000 1,000 3,022

Al graficar lo valores obtenidos, se tiene la siguiente grfica:


Cada de tensin por aislador para Cp = 1 pF, Cl = 0 pF y Ca = 12 pF

1,0
0,9
0,8
0,7
Tensin en pu

0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0 2 4 6 8 10
Nmero de aislador

Cada de tensin real Cada de tensin esperada

Figura 2.41 Grfico de la distribucin de cada de tensin contra nmero de aislador, para el
arreglo de la figura 2.41.

A partir de la anterior Grfica, es notable el hecho de que la cada de tensin se


acenta en los aisladores que estn ms prximos a tierra (entre ms prximos, mayor
el esfuerzo) y esto ocurre debido a que nicamente se estn considerando las
capacidades a tierra; y por el contrario, aquellos aisladores que estn cerca de la alta
tensin parecen estar muy relajados.

En la anterior tabla se sugieren unos valores para la capacitancia de cada aislador, las
cuales conseguiran que la cada de tensiones fuese como la cada de tensin esperada
de la anterior Grfica; S esto llegara a implementarse se conseguiran distribuciones
de tensin ms uniformes, sin embargo modificar la construccin de un aislador
puede resultar demasiado costoso, por lo que es ms viable agregar ms aisladores (el

62
esfuerzo por aislador se reduce a medida que crece su nmero) que modificar su
diseo.

Para el ejercicio que estamos considerando, s la tensin de alto voltaje es de 100 kV


lnea - lnea, se tendra que la corriente que circula a travs de todas las capacitancias
a lnea llega a ser de 31,4 A.

2.5.12.2 Capacidades a tierra (parasitas) iguales a cero

Encuentre las cadas de tensin sobre los aisladores, asumiendo las capacitancias
parsitas como cero.

El siguiente es el equivalente elctrico bajo las condiciones dadas para el arreglo de


aisladores:

Figura 2.42 Arreglo de diez aisladores asumiendo capacitancias parsitas iguales a cero.

El proceso a seguir, es similar al proceso del anterior punto, en donde como primer
lugar se hall la capacitancia total del arreglo y seguido se procede a hallar la
capacitancia vista sta vez desde el nodo puesto a la alta tensin (nodo 0) hasta el
punto de inters, de sta manera se consigue de igual manera tener un divisor

63
capacitivo y as es posible conocer la cada de tensin en cada punto para luego
graficarlos.

Nuevamente se opta por usar el software anteriormente sugerido y se lleg a la


siguiente tabla de valores:

Ca(pF) = 12 w(Hz) = 60
Cp(pF) = 0 Tensin(v) = 1
Cl(pF) = 1

C(pF)
C(pF) en Z(G ) en el V(pu) en V(pu) C(pF) de cada
Nodo esperada en
el nodo nodo el nodo esperado aislador
cada nodo
10 4,022 4,144 0,000 0,000 4,022 9,335
9 4,040 4,126 0,004 0,100 4,469 11,191
8 4,071 4,094 0,012 0,200 5,028 13,470
7 4,127 4,038 0,025 0,300 5,746 16,252
6 4,229 3,941 0,049 0,400 6,704 19,602
5 4,418 3,773 0,090 0,500 8,045 23,525
4 4,779 3,488 0,158 0,600 10,056 27,899
3 5,516 3,022 0,271 0,700 13,408 32,391
2 7,240 2,302 0,444 0,800 20,111 36,412
1 13,000 1,282 0,691 0,900 40,223 39,223
0 0,000 0,000 1,000 1,000 0,000

Al graficar lo valores obtenidos, se tiene la siguiente grfica:

64
Cada de tensin por aislador para Cp = 0 pF, Cl = 1 pF y Ca = 12 pF

1,0
0,9
0,8
0,7
Tensin en pu

0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0 2 4 6 8 10
Nmero de aislador

Cada de tensin real Cada de tensin esperada

Figura 2.43 Grfico de la distribucin de cada de tensin contra nmero de aislador, para el
arreglo de la figura 2.42.

A partir de la anterior Grfica, es notable el hecho de que la cada de tensin se


acenta en los aisladores que estn ms prximos a la alta tensin (entre ms
prximos, mayor el esfuerzo) y esto ocurre debido a que nicamente se estn
considerando las capacidades a lnea; y por el contrario, aquellos aisladores que estn
cerca de tierra parecen estar relajados, caso contrario al numeral 2.5.12.1, que se
acab de analizar.

En la anterior tabla se sugieren unos valores para la capacitancia de cada aislador, las
cuales conseguiran que la cada de tensiones fuese como la cada de tensin esperada
de la Grfica inmediatamente anterior; Nuevamente cabe sealar que modificar el
diseo de los aisladores es mas costoso que agregar ms aisladores.

Para el ejercicio que estamos considerando, s la tensin de alto voltaje es de 100 kV


lnea - lnea, se tendra que la corriente que circula a travs de todas las capacitancias
parsitas es de 41,8 A, como se ve, es mayor la corriente que se escapa a tierra a
travs de las capacitancias parsitas que la corriente a travs de las capacitancias de
lnea.

65
66
3 COMPONENTES ELCTRICOS Y SU COMPORTAMIENTO EN
FRECUENCIA
Como ya se ha sealado el comportamiento de los componentes elctricos depende
directamente de la frecuencia de funcionamiento, un ejemplo de ello es usar condensadores
para evacuar las componentes de alta frecuencia (ruido) de las pantallas de los cables en
casos donde la seal se deba filtrar eficientemente, sin embargo, si las corrientes de ruido
presentes en las pantallas de los cables son de frecuencias mayores que la frecuencia de
auto resonancia del condensador, el comportamiento ahora se parecer ms al de una
inductancia y no se lograr la esperada baja impedancia del condensador.

Es por eso que ste captulo analizar el comportamiento en frecuencia de conductores,


condensadores, inductancias, resistencias y ferritas.

3.1 CONDUCTORES

Los conductores siempre que transporten corrientes estarn acompaados de campos


electromagnticos, y sern ellos quienes determinen las propiedades parsitas de un
conductor.

Considere una placa metlica conductora, y que ella transporta una corriente, como se
muestra en la figura 3.1.

Figura 3.1 Uso de una placa metlica como conductor en un circuito.

Cuando la corriente circulante es d.c., la densidad de corriente es uniforme a travs de toda


la seccin de la placa, sin embargo, si se pone a circular un corriente a.c. los campos
magnticos variables dentro de la placa, ejercen una fuerza sobre los portadores de carga,
haciendo que ellos no logren penetrar todo el espesor de la placa (efecto piel), entonces la
densidad de corriente ahora sigue una funcin exponencial, as:
x

J ( x) = J 0 l

Donde:
Jo : Densidad de corriente en la superficie.

67
: Profundidad de penetracin.

Entonces es una funcin de la frecuencia, y se define como:

1
=
f
Donde:
f : frecuencia
: Conductancia

Luego la corriente en el conductor estar dada por:

d
I = J ( x) dx
0
d x

I = J0 l
dx
0
x

I = J0 1 e

Observando sta ultima ecuacin, se tiene que si el conductor es muy grueso comparado
con la penetracin del efecto piel, es decir, d>>, se tiene que la corriente apenas fluye por
la piel de espesor , otro punto que se debe notar de la ltima ecuacin es que el 99 % de
la corriente circula dentro de una piel de espesor 5.

Es decir que a 1 MHz, el 99 % de la corriente en un conductor de cobre fluye en una piel de


0,33 mm de espesor, de tal manera que desde el punto de vista electromagntico, escoger
un conductor de mayor que ste espesor resulta intil.

La resistencia d.c. de un conductor esta dada por:

l
Rd .c. =
A
Donde:
l : Longitud del conductor
A : rea de la seccin

De tal manera que la resistencia d.c. por unidad de longitud de un conductor de rea
seccional circular es:

68
l
Rd .c. =
r2 m

A bajas frecuencias:

RLF Rd .c. S r <<

A altas frecuencias

1
RHF =
[ r 2 (r )2 ] m
1
RHF =
[2 r ] m
2

Reemplazando del valor de se tiene

f
RHF =
2 r 1 m
1

Donde se tiene que la resistencia se incremente 10 dB por dcada de frecuencia.

3.1.1 ngulo de error en cables

Siempre que se tenga la presencia de una corriente, sta lleva presente a su alrededor un
campo magntico y un campo elctrico, Vease figura 3.2 a, que en algunos casos no pueden
ser ignorados y por tanto deben incluirse a la hora de hacer un modelo para un cable. Si el
campo elctrico se modela con un condensador y el campo magntico con una inductancia
obtenemos el modelo que muestra la figura 3.2 b.

(a) (b)
Figura 3.2 Modelo de un cable, (a) visualizacin de los campos elctricos y magnticos presentes en
un cable cuando lo atravieza una corriente, (b) modelo elctrico de un cable que lleva corriente
alterna.

69
Para frecuencias pequeas L es mucho menor que R y por lo tanto el error es
principalmene capacitivo, el circuito equivalente se muestra en la figura 3.3 a.

IC V C
Tan C = = = R C 1
IR V
R

El diagrama fasorial puede verse en la figura 3.3 b.

(a) (b)
Figura 3.3 (a) Circuito del modelo elctrico de un cable para bajas frecuencias, (b) Diagrama
fasorial del ngulo de error capacitivo.

Para altas frecuencias puede despreciarse la capacidad ya que ( C ) << R . En este caso
1

el ngulo de error es por efecto inductivo, Vease figura 3.4 a.

VL L I L 2
L = Tan L = = =
VR RI R

El diagrama fasorial para ste caso puede verse en la figura 3.4 b.

(a) (b)
Figura 3.4 (a) Circuito del modelo elctrico de un cable para altas frecuencias, (b) Diagrama
fasorial del ngulo de error inductivo.

1
Ecuacin de tan para bajas frecuencias.
2
Ecuacin de tan para altas frecuencias.

70
Si se consideran ambos ngulos de error se tiene:

L
= L C = R C
R
L
De lo anterior se deduce que el error desaparecer para el caso en que = R2
C

3.2 INDUCTANCIAS

La inductancia interna de un conductor se debe al flujo magntico interno del conductor.


Para r << (bajas frecuencias), puede asumirse que la corriente se encuentra
uniformemente distribuida.

Entonces la inductancia a una distancia del centro, es:

x2 1
H dl = I
l
r 2
2 x
x A
Hx = I
2 r 2
m
x I Wb
Bx =
2 r 2 m2

El flujo perpendicular a un rea elemental formada por el espesor dx (por unidad de


longitud) es:

d = B x dx
xI Wb
d = dx
2 r 2
m

Entonces, el flujo total encerrado en el conductor, es:

r
INT = d
x =0
r
xI
INT = dx
x =0 2 r
2

71
r
x2 I
INT =
2 r 2 x =0

I Wb
INT =
4 m

Luego la inductancia interna es:

INT
LINT =
I
H
LINT =
4 m

Este valor de inductancia es para corrientes d.c. o de baja frecuencia, donde se ha asumido
que la distribucin de corrientes es uniforme; un valor tpico es:

nH
LINT = 50 , para cobre y aluminio.
m

A altas frecuencias la corriente se encuentra en la superficie de espesor y la inductancia


por unidad puede darse como:

0 l 2l
LINT = ln 1 [H ]
2 r

Condiciones:
r/l << 1
<< 1

Para el caso de una espira como la de la siguiente figura:

Figura 3.5 Espira de conductor, que cumple con tener un radio de conductor mucho menor que la
separacin Dentre sus conductores y que la longitud l.

72
En ste caso se tiene que el valor de la inductancia del arreglo es:

0 l 2l
LINT = ln 1 [H ]
2 D

Condiciones:
D/l << 1

3.3 CAPACIDADES

La capacidad entre dos puntos con carga igual y opuesta se define como:

Q F
C=
V m
Donde:
Q = Carga por metro [C/m]
V = Diferencia de tensin entre puntos (V2 V1)

Figura 3.6 Efecto capacitivo entre regiones con cargas iguales y opuestas.

Si la distancia entre los dos espacios cargados es grande se puede asumir que la carga se
encuentra confinada en la superficie y uniformemente distribuida, que es el caso de los
conductores.

Para hallar la capacitancia entre dos conductores de radio r, y separados una distancia D, se
tiene el siguiente procedimiento:

D ds = Q
s
2 r
( E ) dr d = Q
= 0 r =0

Q
Er =
2 r

Integrando ste valor de campo elctrico en la distancia que separa los conductores, es
posible hallar la diferencia de potencial, entonces:

73
b
Vab = E dr
a

V12 = V2 V1
r D
Q Q
V12 = dr dr
r =D
2 r r =r
2 r
Q Q
ln (r ) D + ln (r ) r
r D
V12 =
2 2
Q D Q D
V12 = ln + ln
2 r 2 r
Q D
V12 = ln [V ]
r

Entonces la capacidad es:

Q
C12 =
V12
Q
C12 =
Q D
ln
r
F
C12 =
D m
ln
r

Al observar sta ecuacin, es posible notar que a mayor r, es decir al aumentar la seccin
de un conductor su capacidad aumenta, ya que la relacin D/r se hace cada vez menor y de
la misma manera el logaritmo natural, luego la capacidad aumenta, y de la misma manera,
s se quiere disminuir la capacidad, se puede lograr separando ms los conductores.

Es importante tener en cuenta que la capacidad de un par de conductores se ve afectada si:


primero, por la presencia de un campo elctrico de fondo, segundo, tener un tercer
conductor cargado en las cercanas, y por ltimo, la presencia de un plano conductor cerca
del arreglo.

A diferencia de la inductancia interna de un conductor, no existe una capacitancia


interna de un conductor, por que las cargas se sitan en la superficie y los campos
elctricos no lo penetran.

74
3.3.1 Expresiones de capacidad para otras configuraciones

Figura 3.7 Capacitancia entre conductores y respecto al plano de referencia.

2
2h
2 ln +1
D F
C12 =
4h m
2
4h 2h D
ln + 1 ln
D D 2h
2

+1
D
2 F
C12 =
4h 2h
2 m
ln +1
D D

La capacidad total entre los dos conductores es:

Cr
CT = C12 +
2
F
CT =
4h m
D
ln
2
2h
+1
D

En la medida que los conductores estn ms prximos a la tierra, aumenta CT. La CT es


determinada por la CR (capacidad a tierra) para valores grandes de D comparados con h
(regla aproximada).

Para los conductores, la capacidad esta normalmente en valores entre 5 15 pF/m. C


depende fuertemente de D hasta D/d = 10. Ms all los valores de C caen lentamente.

75
3.4 FERRITAS

Los campos magnticos tienden a concentrarse en materiales de alta permeabilidad. Los


anillos ferromagnticos son muy tiles para suprimir el ruido de modo comn (CM) en los
cables.

Los conductores se arrollan a travs del ncleo, de tal forma que los flujos debido a la
corriente de CM se suman en el ncleo, teniendo como consecuencia una impedancia muy
grande, mientras que los flujos debidos a la corriente diferencial (DM) se restan en el
ncleo y de sta manera dado que casi todo el flujo se confina en el ncleo, las inductancias
propias y mutuas de los arrollamientos son las mismas, entonces:

Z DM = j (L M ) = 0

Figura 3.8 Corrientes de modo diferencial en ferritas.

Las corrientes de DM producen flujos de direccin opuesta, y en el caso ideal ellas se


cancelan totalmente entre s y por lo tanto la inductancia es negativa y cancela la parte de
inductancia propia o autoinductancia. Por lo tanto, las ferritas no presentan impedancia a
las corrientes de modo diferencial.

En el caso de las corrientes de CM, los flujos establecidos por las corrientes individuales se
suman y por lo tanto la inductancia mutua es positiva, luego la ferrita presenta una
impedancia serie de modo comn para las corrientes de modo comn.

Generalmente las corrientes de DM son mucho mayores que las CM, entonces los flujos
debidos a grandes corrientes de modo diferencial DM se cancelan en el ncleo, por lo tanto
no lo saturan.

76
4 GENERACIN DE ALTA TENSIN

En este captulo se hace referencia a las tcnicas de generacin de alta tensin a.c., d.c., e
impulsos, y en un captulo siguiente, se considerarn las tcnicas de medicin; teniendo en
cuenta los principios elctricos de su funcionamiento.

Siempre que sea necesario tener altas tensiones va a ser requerido un transformador, por tal
razn se dedicarn los siguientes numerales al entendimiento de estos, sin embargo es
importante recordar que los usados para pruebas de laboratorio son transformadores
monofsicos de prueba y tienen ciertas caractersticas que los hacen especiales.

4.1 EL TRANSFORMADOR

Es una mquina elctrica esttica muy importante que consta de dos o ms bobinas, y que
se utiliza para acoplar magnticamente y/o desacoplar elctricamente dos o ms circuitos de
corriente alterna (a.c.) aprovechando el efecto de induccin magntica entre devanados.
Gracias a ste es posible convertir un nivel de tensin a otro nivel diferente, o tambin
transformar corrientes. Existen transformadores de potencia, de potencial y de corriente los
cuales tienen muchas aplicaciones tanto en la parte de potencia como en la parte de la
electrnica y control; La transmisin de corriente alterna sera inapropiada sin la presencia
del transformador.

El funcionamiento del transformador se basa en el principio de induccin magntica, de tal


forma que cuando a un devanado se le aplica una tensin alterna, que llamamos primaria
Vp, se forma en l un flujo magntico tambin alterno , de tal forma que, si otra bobina
prxima esta cortada por dicho flujo, se inducir en ella una fuerza electromotriz (f.e.m) de
igual frecuencia que la original; como consecuencia aparece en el devanado secundario una
tensin Vs.

Figura 4.1 Principio de induccin magntica en un transformador.

77
La f.e.m inducida en el secundario es proporcional a la relacin entre el nmero de espiras
de los devanados, que es llamada a (relacin de transformacin).

Figura 4.2 Vista de un transformador en seco.

El devanado conectado a la fuente de energa es comnmente llamado devanado primario.


Los dems devanados reciben el nombre de devanados secundarios. En la figura 4.1 se
tiene un esquema muy simplificado de un transformador monofsico. En la parte izquierda
de la figura se puede ver el devanado primario, y en la derecha el secundario. En el caso
que se muestra, el transformador est funcionando sin carga, esto es, sin ningn dispositivo
de carga conectado al secundario. En esas condiciones, la proporcin entre los voltajes o
tensiones V corresponde a la proporcin entre los nmeros de espiras N, cumplindose la
relacin Vp/Vs = Np/Ns = a. Como la potencia absorbida de la red Pp y la entregada por el
transformador Ps han de ser prcticamente iguales, la intensidad en cada devanado ser
inversamente proporcional a su tensin, as como el nmero de espiras. Si llamamos Ip a la
corriente circulante por el primario, e Is a la del secundario, completamos la relacin
anterior como sigue:
Vp Np Is
= = =a
Vs Ns Ip

El camino que siguen de la mayora de los flujos magnticos desde el devanado primario
hasta los devanados secundarios, es lo que se conoce como ncleo del transformador,
dichos ncleos pueden ser de diferentes materiales dependiendo de la aplicacin para la que
se vayan a usar, as, s se requiere linealidad en la relacin de transformacin, se usan

78
ncleos de aire, y si se requiere para altas frecuencias, mejor se usan ncleos de materiales
ferromagnticos.

El producto de intensidad de corriente por voltaje es constante en cada juego de bobinas, de


forma que en un transformador elevador el aumento de voltaje de la bobina secundaria
viene acompaado por la correspondiente disminucin de corriente.

4.1.1 Modelo equivalente del transformador

Este modelo es utilizado para representar las prdidas propias de los transformadores y
explicar su comportamiento. Las prdidas tenidas en cuenta para la elaboracin del modelo
son:

Prdidas en el cobre

Son prdidas causadas por la resistencia hmica de las bobinas del devanado primario y
secundario del transformador, las cuales generan un calentamiento en los devanados. En el
modelo se representan por una resistencia Rp en el primario y una resistencia Rs en el
secundario.

Prdidas por corrientes parsitas

Al existir un flujo magntico variable dentro del ncleo del transformador, en ste se
inducen corrientes parsitas (tambin llamadas de Foucolt). stas al interactuar con la
resistencia del ncleo producen prdidas que se manifiestan como energa calorfica
disipada en el ncleo del transformador. En el modelo estas prdidas se representan por una
resistencia Rm colocada en la rama de magnetizacin del modelo.

Prdidas por Histresis

Son las asociadas con los reacomodamientos de los dipolos magnticos en el ncleo
durante cada medio ciclo. Estas son representadas por una reactancia inductiva llamada
Reactancia de Magnetizacin Xm, la cual provoca el desfasamiento de la corriente de
magnetizacin con respecto al voltaje aplicado en el primario. La Reactancia de
Magnetizacin est relacionada con el flujo de magnetizacin m que enlaza la bobina
primaria y secundaria (figura 3.1)

Vale la pena recordar que la resistencia Rm y la reactancia Xm son aproximaciones de los


efectos de excitacin reales.

79
Prdidas por flujo de dispersin

Estas prdidas son debidas a al porcin de flujo magntico que circula a travs de una de
las bobinas pero no se alcanza a enlazar con la otra (figura 4.1). Al estar implicado un flujo

y una corriente, se establece una relacin entre estos a travs de una inductancia (L = /I).
Son representadas por una reactancia Xp en el primario y una reactancia Xs en el secundario.

Figura 4.3 Flujo de Magnetizacin y de Dispersin.

Si llamamos EP y Es a las fuerzas electromotrices inducidas, en primario y secundario,


vectorialmente tendremos las ecuaciones siguientes (a Ep se le pone el signo menos por
deberse a una cada de tensin puramente inductiva de signo contrario a Es):

Vp = Ep + Ip ( Rp + Xp ) = Ep + Ip * Zp
Vs = Es Is ( Rs + Xs ) = Es Is * Zs

Las prdidas en el hierro dan lugar a un adelanto de la corriente de excitacin Io, con
respecto al flujo, por tanto en un transformador real el desfase entre Io y Vp es inferior a
/2 y su valor es: prdidas fe = Vp * I 0 * cos 0

80
Figura 4.4 Diagrama vectorial de las tensiones y corrientes en un transformador.

Teniendo en cuenta las prdidas anteriormente estudiadas, podemos observar en el


diagrama vectorial que los desfases entre tensiones, corrientes y flujo nunca son iguales a
/2, sino que estos sern mayores o menores dependiendo de los desfases originados por
los diferentes tipos de prdidas habidos en todo el transformador. Los desfases 1 y 2 son
los habidos entre tensiones y corrientes primaria y secundaria y sern mayores o menores
en funcin del tipo de cargas conectadas al transformador (resistivas, inductivas y
capacitivas).

A partir de estos elementos obtenidos el modelo de un transformador real es:

Figura 4.5 Modelo de un transformador real.

A pesar de ser este el modelo del transformador, no es de mucha utilidad, por lo cual
para fines prcticos, se reduce a un modelo equivalente con un nico nivel de tensin.
Por lo tanto, este circuito debe ser referido ya sea a su lado primario o bien al
secundario. Para esto, se utiliza la relacin de transformacin.

81
As, si se va a referir a un nivel de tensin ya sea el del primario o el del secundario, se
utiliza la relacin de transformacin, que es una cantidad que relaciona la tensin del devanado
secundario contra la tensin del devanado primario, y es de la siguiente manera:

a = Vp /Vs

Figura 4.6 Modelo de un transformador real, referido a su nivel se tensin primario.

La resistencia de magnetizacin y la reactancia de magnetizacin que en este caso se


colocaron en paralelo, tambin se pueden colocar en serie (figura 4.7).

Figura 4.7 Modelo de un transformador referido a su nivel de tensin primario, con resistencia y
reactancia de magnetizacin en configuracin serie.

82
Figura 4.8 Modelo de un transformador referido a su nivel de tensin secundario, con resistencia y
reactancia de magnetizacin en configuracin paralelo.

4.1.2 Determinacin de los parmetros en el modelo equivalente del transformador

Una aproximacin a estos valores se puede obtener mediante la realizacin de dos ensayos:
El Ensayo de Circuito Abierto y El Ensayo de Corto Circuito.

4.1.2.1 Ensayo de Circuito abierto

En este ensayo se deja abierto uno de los devanados, usualmente el devanado de alta
tensin y el devanado de baja tensin se conecta a una fuente de tensin cuyo valor es igual
a la tensin nominal del devanado conectado. Los equipos de medida estn conectados al
lado de baja tensin (figura 4.9).

Bajo estas condiciones, la corriente de alimentacin debe circular a travs de la rama de


excitacin, y debido a que Xp y Rp son demasiado pequeas comparados con Xm y Rm se
asume que el voltaje de alimentacin es el voltaje de la rama de excitacin por lo cual se
usa para calcular los valores de la rama de magnetizacin.

Figura 4.9 Conexin para un ensayo de circuito abierto de un transformador.

83
Deduccin de Xm y Rm

Al realizar el ensayo se obtiene el voltaje de circuito abierto (VOC), la corriente de circuito


abierto (IOC) y la potencia de circuito abierto (POC).

Para fines prcticos es mejor trabajar con los valores de admitancia, por tanto la
Conductancia estara dada por:
1
Gm =
Rm
Y la susceptancia se expresa como:
1
Bm =
Xm

Dado que estos dos elementos estn en paralelo sus admitancias se suman, y la admitancia
total es:
Ym = Gm jBm
1 1
= j
Rm Xm

La magnitud de la admitancia de magnetizacin se puede hallar con los valores de VOC e


IOC .
Ioc
| Ym |=
V oc

El ngulo de la admitancia de magnetizacin se puede encontrar conociendo el factor de


potencia del circuito, el cual est dado por:
Poc
FP = Cos =
VocIoc
Y el ngulo por:
Poc
= Cos 1
VocIoc
Entonces:
Ym =| Ym |

Ioc Poc
= Cos 1
Voc VocIoc

De lo anterior se puede deducir que:

Voc 2 Voc 2
Rm = ; Xm =
Poc Voc 2 Ioc 2 Poc 2

84
4.1.2.2 Ensayo de Corto Circuito

En este ensayo usualmente se cortocircuitan los terminales del devanado de baja tensin y
en los terminales del devanado de alta tensin se conecta una fuente de bajo voltaje, el cual
se ajusta hasta que la corriente llegue a su valor nominal. Los equipos de medida estn
conectados al lado de alta tensin (figura 4.10).

Debido a que el valor de la alta tensin es pequeo durante el ensayo de corto circuito, la
corriente que circula por la rama de excitacin es muy baja. As, se puede asumir que la
tensin del transformador, es la de los elementos en serie del modelo, por lo cual se utiliza
para calcular los elementos series del modelo.

Figura 4.10 Conexin para un ensayo de corto circuito de un transformador.

Deduccin de RP, XP, RS y XS Xm y Rm

Al igual que el ensayo de circuito abierto, el ensayo de corto circuito nos proporciona los
valores de tensin de corto circuito (Vcc), Corriente de corto circuito (Icc) y Potencia de
corto circuito (Pcc).

Por el hecho que en el modelo las resistencias y las reactancias inductivas estn en serie, se
define la impedancia equivalente como la suma de la resistencia equivalente y las
reactancias equivalentes:

Zeq = R eq + jXeq

Donde:
R eq = Rp + Rs '
y
Xeq = Xp + Xs '

La magnitud de la impedancia equivalente est dada por:


Vcc
| Zeq |=
Icc

85
El ngulo de la impedancia equivalente se puede conocer hallando el factor de potencia del
circuito, que est dado por:
Pcc
FP = Cos =
VccIcc
Entonces el ngulo es:
Pcc
= Cos 1
VccIcc
La impedancia equivalente es igual a:

Zeq =| Zeq |
Icc Pcc
= Cos 1
Vcc VccIcc
Se deduce que:
Vcc 2 Vcc 2
Rcc = ; Xcc =
Pcc Vcc 2 Icc 2 Pcc 2

Precauciones para el ensayo de corto circuito:

El ensayo de corto circuito se debe realizar con una lmina de cobre que una los
terminales del devanado de baja tensin. Esta lmina debe ser fuertemente sujetada para
evitar problemas de contacto que podran representar resistencias elevadas que afecten la
medida.

Se debe tener precaucin con la fuente de voltaje pues se debe mantener este voltaje en
un nivel seguro.

Este ensayo se debe realizar en el menor tiempo posible, para evitar as variacin en las
mediciones tomadas por cambios en la temperatura, y lo ms importante, evitar daar el
devanado por el cual se est haciendo el corto circuito.

Nota:
Los valores de los parmetros que se obtienen en estos ensayos estn referidos al lado por
el cual se conectan los equipos de medida durante el ensayo. Es decir si las medidas del
ensayo se hacen por el lado de alta tensin, los valores obtenidos estn referidos al lado de
alta tensin.

Con base a lo anterior podemos deducir que


2 2 2
PCC VCC I CC PCC
Req = 2
X eq = 2
I CC I CC

86
Con este procedimiento es posible calcular la impedancia equivalente, pero no hay una
manera fcil de dividir esta en sus componentes RP, RS, XP y XS.

Una manera emprica es suponer que cuando referimos el modelo a uno de los lados, estos
parmetros tienen valores iguales, es decir

R P = R S Si los referimos al lado


X P = X S de alta tension

RS = R P Si los referimos al lado


X S = X P de baja tension

Bajo estas condiciones los valores de resistencia serian iguales a la mitad de la resistencia
equivalente, al igual que los valores de reactancia serian iguales a la mitad de las
reactancias equivalentes. Otra forma es medir fsicamente la resistencia de los devanados y
asumir estas en el modelo.

4.1.3 Aproximaciones al modelo equivalente del transformador

El modelo del trasformador que se ha trabajado anteriormente, bajo algunas circunstancias


es ms complejo de lo necesario.

Para evitar estas complejidades se le han hecho algunas aproximaciones, por ejemplo, la
rama de magnetizacin tiene valores de impedancia relativamente altas comparadas con los
elementos serie (RP, XP), por esta razn la corriente que circula por la rama es una corriente
pequea, que produce cadas de tensin, despreciables en los elementos serie.

Basndose en esto, se puede correr la rama de magnetizacin hacia la entrada del


transformador. En este caso el modelo equivalente seria el que muestra la figura 4.11.

En otras aplicaciones sencillamente se desprecia la corriente que fluye por la rama de


magnetizacin. En este caso el modelo solo consta de la impedancia equivalente como lo
muestra la figura 4.12.

Figura 4.11 Modelo equivalente serial del transformador con rama de magnetizacin.

87
Figura 4.12 Modelo equivalente del transformador despreciando la rama de magnetizacin.

En los estudios sobre transformadores de prueba en alta tensin se usar el modelo sin rama
de magnetizacin.

4.1.3.1 Ejercicios

Se desea determinar el modelo equivalente de un transformador de 5 kVA, 220 V / 100 kV,


60 Hz. Los ensayos de cortocircuito arrojaron los siguientes resultados

I OC = 2,5 A VCC = 32 V
POC = 165 W PCC = 520 W

Los dos ensayos fueron realizados por el lado de baja tensin.

Solucin
Debido a que los ensayos fueron realizados por el lado de baja tensin el modelo que se
hallar es referido al lado de baja.

El Factor de Potencia en el ensayo de circuito abierto es

PCA 165 W
FP = Cos = = = 0,3 en atraso
VCA I CA 220 V 2,5 A
= Cos 1 0,3 = 72,54

La magnitud de la admitancia de magnetizacin es


I CA 2,5 A
Ym = = = 0,011363 S
VCA 220V
La admitancia de magnetizacin es

88
Ym = 0,011363 72.54
1 1
= 0,003409 j 0,010839 = j
Rm Xm
Entonces,
1
Rm = = 293,39
0,003409 S
1
Xm = = 92,25
0,010839 S
El factor de potencia en el ensayo de cortocircuito

PCC 520 W
FP = Cos = = = 0.715 en atraso
VCC I CC 32 V 22.7 A
= Cos 1 0.715 = 44.28

La magnitud de la impedancia equivalente es:


VCC 32V
Z eq = = = 1,409
I CC 22,7 A
La impedancia equivalente es
Z eq = 1,40944,28
= 1,00875 + j 0,98371
de acuerdo a lo anterior

Req = 1,00875
X eq = 0,98371

El modelo del transformador referido al lado de baja tensin es el siguiente

X eq
0,98371
XP = XS = = = 0,4918.
2 2
Req 1,00875
R P = RS = = = 0,5043
2 2

4.1.4 El transformador con carga capacitiva

En pruebas de alta tensin, el transformador generalmente estar sometido a cargas


capacitivas. A continuacin se analizar su comportamiento bajo ste tipo de carga. Para
ello se despreciar la rama de magnetizacin del modelo.

El circuito resultante es un circuito RLC serie, como lo muestra la figura 4.13 el cual tiene
un manejo relativamente sencillo.

89
A continuacin se hallar una expresin que relacione a V2 con V1.

Figura 4.13 Modelo RLC de un transformador, sometido a carga capacitiva.

V1 V1
I= =
R + j XL + j XC 1
R + j L j
C

V1 1 V1 1
V2 = IX C = j =
R + j L j
1 C j R L +
1 C
C C

V1
V2 =
j R C 2 L C +1
V2
=
1
=
(
1 2 L C j R C )
( ) (
V1 1 L C + j R C 1 2 L C 2 + ( R C )2
2
)
V2
=
(1 L C ) + ( R C )
2 2 2

V1

[(1 L C ) + ( R C ) ]
2 2 2
2

V2 1
=

V1 (1 2
)
L C + ( R C )
2 2

Los valores de L, C y R deben estar referidos al mismo nivel de tensin. El hecho de que
estn referidos al primario o al secundario no interviene en el valor de la expresin.

Relacin de transformacin en el circuito RLC variando C

De acuerdo a la expresin encontrada anteriormente el comportamiento de la relacin de


transformacin en un transformador con cargas capacitivas, usando L = 200 mH y R = 0,5
es el mostrado en la figura 4.14.

90
Figura 4.14 Variacin de la relacin de transformacin en funcin de C.

Relacin de transformacin en el circuito RLC variando L

Usando la expresin encontrada con C = 3600 F y R = 0,3 el comportamiento de la


relacin de transformacin es el mostrado en la figura 4.15.

Figura 4.15 Variacin de la relacin de transformacin en funcin de L.

91
4.1.5 El transformador en cascada

Para la generacin de tensiones mayores de 100 kV, los transformadores monofsicos de


una sola etapa son muy poco usados, por razones tcnicas y econmicas. Por lo general es
utilizada una serie de devanados de alto tensin de varios transformadores, llamada
conexin en cascada. La figura 4.16 muestra el diagrama de conexiones del transformador
en cascada.

Estos transformadores presentan un tridevanado, en este circuito los devanados de


acoplamiento y de excitacin de las etapas inferiores tiene que transmitir o soportar mas
potencias que las etapas superiores, por lo cual su finalidad mas importante es soportar alta
cargabilidad.

Como se observa en la figura 4.17, la magnitud de la potencia transmitida es indicada en


trminos de mltiplos a medida que se acoplan ms transformadores.

Figura 4.16 Diagrama de conexiones del transformador en cascada.

Fsicamente estos transformadores tienen que estar aislados a 0 V, y 2 V en relacin a la


tierra por lo cual la ubicacin del aislamiento es muy importante. La localizacin del
aislamiento puede ser como lo muestra la figura 4.17.

92
Figura 4.17 Localizacin fsica de los transformadores en cascada.

4.1.6 Montajes de transformadores monofsicos

Los transformadores para generacin de altas tensiones alternas generalmente tienen un


polo del devanado de alta tensin puesto a tierra, sin embargo en algunos circuitos para la
generacin de tensiones continuas se utilizan transformadores con devanados
completamente aislados.

Algunos circuitos bsicos de conexin de trasformadores de prueba son:

Figura 4.18 Montaje de un transformador con uno de sus polos a tierra.

93
En esta forma de conexin hay que tener especial cuidado con el aislamiento, debido a que
se necesita mayor aislamiento en la parte superior pues el campo elctrico es mas grande
que en la parte inferior.

Figura 4.19 Transformador completamente aislado con TAP intermedio aislado.

El tipo de conexin que muestra la figura 4.19 presenta mayor versatilidad, pues suministra
tensiones simtricas en el devanado de alta tensin. Es muy utilizado para amplificacin de
tensiones.

4.1.7 Medida de las capacidades propias de los transformadores

Para medir las capacidades propias de los transformadores de alta tensin, Capacidad del
lado de Alta Tensin (CAT), Capacidad del lado de Baja Tensin (CBT), y la Capacidad
entre el lado de Baja y Alta Tensin (CAB), se realizan cuatro montajes, y con la medida de
las capacidades equivalentes de cada montaje, se determinan las capacidades anteriormente
mencionadas. Las capacidades se miden entre los puntos 1 y 2 de cada montaje, tal como se
muestran en las figuras 3.20 a 3.23. Los montajes son los siguientes:

Montaje 1

El esquema de conexiones y el equivalente del circuito se pueden observar en la siguiente


figura.

94
Figura 4.20 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 1.

Por anlisis de circuitos se puede determinar que el valor de la capacidad equivalente del
primer montaje es:
C C
C1 = AT BT + C AB
C AT + C BT

Montaje 2

La siguiente figura muestra el esquema de conexiones y el circuito equivalente de este


montaje.

Figura 4.21 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 2.

La capacidad equivalente de este montaje es:

C 2 = C AB + C AT

Montaje 3

La siguiente figura ilustra este montaje.

95
Figura 4.22 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 3.

Este montaje es muy similar al anterior, con la nica diferencia que se cortocircuita el
devanado de Alta Tensin. La capacidad equivalente de este montaje, medida entre los
puntos 1 y 2 es:

C 3 = C AB + C BT

Montaje 4

En este montaje se conecta el devanado de alta tensin, directamente con el devanado de


baja tensin.

Figura 4.23 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 4.

El esquema de conexiones y su circuito equivalente se muestra en la figura 4.23.

C 4 = C BT + C AT

Despus de realizar estos cuatro montajes, se pueden determinar los valores de CAT, CBT y
CAB utilizando adecuadamente las cuatro ecuaciones de los cuatro condensadores
equivalentes.

96
4.2 GENERACIN DE ALTA TENSIN A.C.

Como antes se mencion, los transformadores usados para pruebas de laboratorio de alta
tensin, son especiales debido a los esfuerzos especficos y cargas a las que se someten, de
tal manera que las siguientes son las caractersticas que stos deben tener:

Alta relacin de transformacin. A diferencia de los transformadores de potencia que


tienen una relacin de transformacin entre 2 y mximo 10 veces la tensin aplicada, los
transformadores monofsicos de prueba tienen relaciones de transformacin que estn entre
500 y 1000.

Por ello es que se usan transformadores secos, ya que van a estar sometidos a grandes
esfuerzos en donde su se tuviern dielctricos difeentes al aire, se daaran muy rpido.

Alta impedancia de corto circuito. La impedancia de corto circuito debe ser alta, ya que
en el momento en que se perfore el objeto de prueba, esta impedancia de corto circuito
limitar la corriente. En los transformadores de prueba esta impedancia se encuentra
alrededor del 16 %.

Bajas corrientes nominales en el secundario. Estas corrientes tienen magnitudes entre los
500 mA y 1 A. Esto se debe a que generalmente estos transformadores se someten a cargas
capacitivas bajas que implican altas impedancias.

Tienen menor potencia comparada con los transformadores de potencia. El hecho que
este tipo de transformadores tengan bajas corrientes en el secundario, implica que su
potencia nominal sea baja en comparacin con los transformadores de potencia.

Existen otras maneras o configuraciones para la obtencin de altas tensiones, sin depender
de transformadores robustos, tal es el siguiente montaje.

4.2.1 Montaje de Greinacher (diodos en cascada)

Este tipo de montaje permite obtener una tensin de salida mayor que la proporcionada por
el transformador. El Montaje de Greinacher en cascada es ilustrado en la figura 4.24.

97
Figura 4.24 Circuito del montaje de Greinacher.

Este montaje puede contar con muchas ms etapas, se debe tener espacial cuidado con el
nivel de asilamiento de los condensadores y de los diodos del montaje, ya que deben
soportar grandes niveles de tensin. Para ste caso la tensin de salida es una onda de igual
frecuencia de la de entrada pero amplificada 4 veces, tensin dada por la carga de los
condensadores.

4.3 GENERACIN DE ALTA TENSIN D.C.

La generacin de alta tensin d.c. se basa en la generacin de alta tensin a.c. la cual debe
rectificarse, sin embargo la rectificacin no es perfecta, por lo tanto es necesario conocer
algunos parmetros que dan informacin a cerca de que tan aproximada a tensin d.c. es la
seal de salida del rectificador.

4.3.1 Parmetros de las seales

T
1
Valor RMS de una seal: Se define como: U RMS (t ) = U (t ) 2 dt
T 0

1 2
Valor d.c. de una seal: Se define como: U d .c (t ) = U (t )dt
T 1
Oscilaciones de una seal d.c.: se refieren a las variaciones en la magnitud de la tensin:
1
U = (U mx U min )
2
Factor de rizado (FR) en una seal d.c.: Es la relacin que hay entre las oscilaciones y el
valor d.c.

98
U
FR = 1
U d .c.
Un buen generador d.c. debe contar con las siguientes caractersticas.

FR < 3%
U d .c. U MAX

Figura 4.25 Valores caractersticos de una seal d.c.

4.3.2 Circuitos rectificadores

Los circuitos rectificadores son generalmente series de diodos y se construyen de hasta 100
kV de tensin inversa pico. Los rectificadores ms comunes y usados en la generacin de
alta tensin d.c., son:

4.3.2.1 Rectificador de media onda

Este tipo de rectificador solo deja pasar el semiciclo positivo de la seal alterna. El
esquema de este rectificador se puede ver en la figura 3.26 y la seal obtenida a la salida en
la figura 3.27.

Figura 4.26 Rectificador de media onda.

1
Se debe tener en cuenta que el factor de rizado cambia al colocar el objeto de prueba.

99
Figura 4.27 Seal obtenida de un rectificador de media onda.

Sin embargo la seal obtenida sobre el objeto de prueba (Z) est lejos de ser una seal d.c.,
por lo que se debe agregar un condensador al circuito como se ve en la siguiente figura.

Figura 4.28 Rectificador de media onda con condensador.

De sta manera se obtiene una seal como se ve en la siguiente figura.

Figura 4.29 Seal obtenida de un rectificador de media onda con condensador.

La tensin UMAX, es dada por el nivel de salida del transformador menos la tensin de
polarizacin de los diodos (Ud), la tensin UMIN, es dada por el condensador del circuito,
entre mayor su capacidad mas prximos sern los valores de tensin UMAX y UMIN, luego
menor ser el rizado. Sin embargo como hay todo un ciclo que debe ser alimentado por el
condensador, los anteriores valores son ms distantes que para un rectificador de onda
completa.

100
4.3.2.2 Puente rectificador de onda completa

Tambin es llamado Puente de Graftz, su circuito y forma de onda, son ilustrados en la


figura 4.30.

Figura 4.30 Circuito para puente rectificador de onda completa y seal de salida.

De igual manera a este puente rectificador se le agrega un condensador para aproximarse a


seal d.c1.

4.4 GENERACIN DE IMPULSOS DE TENSIN

Los impulsos de tensin son tiles en las pruebas de laboratorio para determinar el nivel de
aislamiento de un equipo o elemento y su capacidad para soportar grandes gradientes de
campo elctrico.

Los impulsos de tensin son usualmente generados por la descarga de capacitores de alto
voltaje, a travs de brechas de aire sobre una red RC, por eso cualquier modificacin en las
configuraciones, o valores de los elementos, da como resultado diferentes tipos de
respuesta.

El generador de impulsos puede ser usado para simular un rayo, a partir de su onda
normalizada estndar (onda impulso tipo rayo 1,2/50 s), es decir, ste impulso simula el
impacto en tensin que sufrira un equipo elctrico al ser alcanzado por una onda de rayo
(sobre tensin generada por una descarga elctrica atmosfrica); Los generadores de
impulsos de tensin estn en capacidad de simular otros tipos de ondas, tales como las de
maniobra (250/2500 ms) y en general cualquier onda que se logre disear a partir del
circuito de descarga apropiado.

Equipos tales como: Aisladores, transformadores de distribucin, protecciones, estn


propensos a sufrir los impactos de ondas tipo rayo principalmente, por ello es la que se

1
Su aplicacin es ms frecuente a nivel industrial.

101
analizar ms a fondo, adems tambin por que es la ms usada y con la que los equipos
sufren menos.

En ingeniera es importante tener una aproximacin objetiva del comportamiento de este


tipo de fenmenos, con el objeto de proteger los equipos y especialmente las personas, a
travs de simulaciones de variables crticas como las presentadas por un rayo, de tal manera
que se permita disear e implementar soluciones reales a la industria y a la infraestructura
elctrica.

4.4.1 Formas de onda de los impulsos de tensin

Un pulso de tensin unipolar, es llamado, impulso de tensin; aqu se muestran algunos


tipos de onda, mencionndose algunos de sus parmetros caractersticos:

Impulso rectangular

Figura 4.31 Impulso rectangular de tensin.

El pulso rectangular sube bruscamente a un valor casi constante de Tensin; en donde


permanece un tiempo tp (tiempo de pulso), para luego bajar de nuevo a cero; este tiempo es
medido entre el noventa por ciento (90 %), del valor mximo en el intervalo de subida, y el
90% del valor mximo en el intervalo de bajada.

Impulso Rampa

Figura 4.32 Impulso rampa de tensin.

El impulso rampa, se caracteriza por la pendiente tan lineal como sea posible; al llegar a su
valor mximo tiene una pendiente de cada abrupta. La pendiente de subida es la relacin

102
entre el valor mximo de tensin y el tiempo que tarda en alcanzarlo desde un cero virtual
como puede apreciarse en le figura.
U
S = MAX
td

Impulso doble exponencial

Dos tipos de ondas son los mas utilizados para la medicin de impulsos de voltaje; el
primero, mostrado en la figura 4.33, es el llamado impulso de tensin tipo Rayo, que tiene
valores normalizados de tiempo de frente y de cola de 1,2/50 s; mientras que el impulso
de onda tipo switcheo o maniobra, mostrado en la figura 4.34, tiene valores de tiempo de
250/2500 s de frente y cola, respectivamente.

Figura 4.33 Impulso de tensin de doble exponencial, tipo rayo.

Por razones ms histricas que tcnicas, para dar un valor al tiempo de frente es necesario
trazar una recta entre el 30 % y el 90 % (recta AB de la figura 4.33)del valor del pico de
tensin, la cual se prolonga hasta interceptarla con el eje de tiempo, de tal manera se
consigue el cero virtual, y por el otro lada se intercepta con el pico mximo de tensin, el
tiempo entre estos dos puntos es llamado tiempo de frente o de subida; El tiempo de cola es
el tiempo entre el creo virtual y el momento en que se llega al 50 % del pico de la seal
(punto C de la figura 4.33).

103
Figura 4.34 Impulso de tensin de doble exponencial, tipo maniobra.

En este caso como los tiempos son mucho ms amplios que en el anterior caso, no es
necesario construir la recta AB como en el caso del impulso tipo rayo, simplemente el
tiempo de subida, que en este caso se conoce como tcr, es el tiempo entre el punto donde
arranca (cero) la seal y el valor mximo, y el tiempo de cola th, es el tiempo entre el cero y
el momento en el que la onda alcanza la mitad del valor mximo en su bajada, tal y como se
aprecia en la figura 4.34.

4.4.2 Circuitos de generacin de impulsos de tensin

Para la generacin de los impulsos de tensin pueden usarse dos tipos de configuraciones, a
saber:

Configuracin 1

Figura 4.35 Configuracin 1 para generacin de Impulsos de tensin.

104
Configuracin 2

Figura 4.36 Configuracin 2 para generacin de Impulsos de tensin.

Los dos circuitos mostrados, en las figuras anteriores, son utilizados para obtener, impulsos
de voltaje de tipo doble exponencial. El capacitor llamado Cs, se carga gracias a una
resistencia de carga que esta alimentada por una fuente de voltaje directo U0; y la descarga
se realiza cuando el gap se enciende; el voltaje aparece sobre el capacitor Cb1.

Los valores de los elementos del circuito determinan la forma de la onda del impulso de
tensin, y se seleccionan de acuerdo a la siguientes consideraciones; el tiempo de subida
(tiempo corto) es el tiempo requerido para cargar a Cb, luego su constante de tiempo esta
dada como: = Rd Cb; y el tiempo de descarga (tiempo largo) se logra s Re >> Rd.

Para entender mejor su funcionamiento, considere los siguientes pasos: primero, el


condensador Cs se esta cargado hasta una tensin U02, debido a que ste tiene conectado
una resistencia y una fuente de tensin3, segundo, cuando se llega al nivel de tensin U0, se
acciona el gap, la mayora de la carga se deposita en el condensador Cb ya que se tiene la
condicin Re >> Rd, de sta manera se consigue que la seal u(t) llegue en un tiempo corto
a su pico mximo de tensin, tercero, el condensador Cb se descarga lentamente a travs
del lazo formado por Rd-Re-Cd, de esta manera se consigue el lento tiempo de cola.

El anterior proceso es igual para las dos configuraciones anteriores. La forma de onda
entregada por cualquiera de estos circuitos, viene dada por la siguiente expresin general:

t t
U0 T T
u (t ) = 1 2 e T1 e T2
Rd C b T1 T2

1
Es el condensador del generador Cs debe ser alrededor de 10 veces mayor que la capacidad del objeto
de prueba (COUT). Esto con el propsito de que pueda almacenar suficiente carga para producir el impulso de
tensin sobre el objeto de prueba.
2
El nivel de tensin U0, esta dado por la separacin del gap.
3
Que no se muestran en los circuitos ya que no hacen parte del circuito generador de los impulsos.

105
Y difiere entre uno de otro por el valor de las constantes de tiempo que son determinadas, a
su vez, por los valores de los elementos. Para el primer circuito, se tienen las siguientes
expresiones para T1 y T2:
T1 = Re (C s + Cb )
C s Cb
T2 = Rd
C s + Cb

Y para el segundo circuito se tiene:

T1 = (Re + Rd ) (C s + Cb )
Rd Re C s Cb
T2 =
Rd + Re C s + Cb

Lo cual determina el tiempo de subida y el de cola de la onda que se vera en el capacitor


Cb. Tenindose as, dos ondas diferentes, con los mismos elementos.

4.4.3 Generadores de impulsos de tensin de varias etapas

Este es uno de los mtodos ms utilizados en la generacin de impulsos de alto voltaje. Fue
propuesto por Marx1. Consiste en generar impulsos en cascada donde los condensadores se
cargan en paralelo y se descargan en serie. El montaje tpico es el que muestra lasiguiente
figura.

Figura 4.37 Generador de impulsos de tensin de varias etapas. Generador Marx.

4.4.4 Laboratorio docente Universidad Nacional de Colombia - Bogot

El generador de impulsos de tensin de que se encuentra en el laboratorio docente tiene a su


disposicin varios juegos de resistencias y condensadores, para obtener diferentes tiempos

1
Este generador es comnmente conocido como generador Marx.

106
en una forma de onda doble exponencial, el transformador con el que se cuenta tiene las
siguientes caractersticas:

Figura 4.38 Esquema de conexiones del transformador de alta tensin disponible en el Laboratorio
docente de la Universidad Nacional de Colombia.

La siguiente tabla muestra su configuracin:

Prim U X V
u x v u x v u x v
Sek
GND 50 kV 00 kV 50 kV GND 50 kV 100 kV 50 kV GND
Uk % - 4.8 10 4.8 - 4.8 10 4.8 -

Datos de placa

Prftransformator

Form T2G 100/5a F Nr 64 / 233206


Art LT Wdgs
Schaltgruppe IiO Wichl Prfspg 2 x 60 / 2,5 kV
Betriebsart KB 30 Min Nennspg 220 V /50 100 kV
Khlart S Nennstrom 22,7 / 0,05 0,05 A
Frequenz 60 Hz Nennleistung 2,5 5 kVA

107
4.5 GENERACIN DE IMPULSOS DE CORRIENTE

Los impulsos de corriente son utilizados gracias a las caractersticas propias que se
relacionan con ellos, como son las grandes fuerzas y altas temperaturas; simulando de esta
manera corrientes de rayo y de corto circuito utilizados para pruebas de equipos que en su
operacin normal estn expuestos a fenmenos como los antes mencionados.

4.5.1 Circuito de generacin de impulsos de corriente

El circuito para generar una onda de corriente de impulso corresponde a una conexin en
serie de un condensador cargado a un voltaje inicial, una bobina y una resistencia. Adems,
debe contar con un interruptor que soporte la energa descargada por los condensadores y
que acte de manera casi instantnea (gaps de aire).

Figura 4.39 Circuito para generacin de Impulsos de corriente.

La respuesta natural del circuito es una ecuacin integro-diferencial de la forma:

di 1 t
L + R i + i dt U 0 (t 0 ) = 0
dt C to

Derivando respecto al tiempo se obtiene la ecuacin diferencial lineal homognea de


segundo orden,

d 2i di 1
L 2 + R + i = 0
dt dt C

sujeta a las condiciones iniciales,

UC(0+) = Uo
I(0+) = Io

Utilizando la tcnica de la transformada de Laplace se obtiene la ecuacin caracterstica:


1
I (L s 2 + R s + ) = 0
C

108
Cuya solucin es:

2
R R 1
S1, 2 =
2 L 2 L L C

Se definen los valores de coeficiente de amortiguamiento, frecuencia natural y frecuencia


compleja para un circuito RLC serie, respectivamente:

R 1
= ,W0 = ,Wd = W0 2
2

2 L L C

La solucin de la ecuacin caracterstica se puede escribir como:

S 1, 2 = 2 W0
2

La naturaleza de la respuesta depende de las magnitudes de la frecuencia natural y del


coeficiente de amortiguamiento puesto que el valor dentro del radical que aparece en las
expresiones para S1 y S2 puede tomar valores positivos, negativos o cero. El primer caso se
conoce como respuesta sobreamortiguada y se rige por la ecuacin:

i (t ) = A1 e S1t + A2 e S 2t

Donde S1 y S2 son valores reales negativos y A1 y A2 son constantes dependientes de las


condiciones iniciales.

En el segundo caso, conocido como respuesta subamortiguada, la forma de onda la define:


i (t ) = e t ( A1 cos(Wd t ) + A2 sen (W d t ))
En el tercer caso, S1 es igual a S2 y su respuesta se conoce como amortiguamiento crtico.
La expresin es:

i (t ) = e t ( A1t + A2 )

Dado que es ms fcil cargar el condensador que forma parte del circuito, se considera que
slo se almacena energa en este elemento, es decir, el circuito tiene las siguientes
condiciones iniciales:

Uc(0+) = Uo
I(0+) = 0

La respuesta para cada caso, considerando las anteriores condiciones iniciales, est dada
por:

109
i (t ) = A e S 1t + A e S 2t
i (t ) = A e t sen(Wd t )
i (t ) = A t e t

A continuacin se muestran las curvas de cada tipo de respuesta de un circuito RLC serie,
con condiciones iniciales en el condensador Uc(0+)=Uo.

Figura 4.40 Grfico de las respuestas de un circuito RLC.

4.5.2 Laboratorio docente Universidad Nacional de Colombia - Bogot

El generador de impulsos de corriente que se encuentra en el laboratorio docente tiene un


carcter verstil, por las combinaciones del banco de condensadores, los valores mximos
de voltaje y corriente mximos son:

Corriente pico mxima de 20 kA


Voltaje de carga de condensadores mximo de 40 kV

Partiendo de la tensin mxima aplicable a cada condensador y del valor de la capacidad de


cada uno, existen varias configuraciones para obtener diversos valores de capacidad
equivalente, de voltaje y de energa; con el fin de cumplir con la flexibilidad del equipo
generador. El nmero de configuraciones est limitado por factores como:

110
El nivel de voltaje que soporta cada uno de los condensadores
El tiempo de carga de la configuracin de los condensadores
La distribucin del campo elctrico sobre la topologa de la configuracin de los
condensadores.

El banco de condensadores consta de dos niveles, superior e inferior. En cada nivel hay seis
condensadores en parejas que permiten la utilizacin de uno solo o el equivalente en
paralelo y la conexin en serie de las parejas.

A continuacin se muestran las posibles configuraciones del banco de condensadores:

Figura 4.41 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 1 y sus caractersticas.

Figura 4.42 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 2 y sus caractersticas.

111
Figura 4.43 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 3 y sus caractersticas.

Figura 4.44 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 4 y sus caractersticas.

Figura 4.45 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 5 y sus caractersticas.

112
Como puede apreciarse el laboratorio permite muchas configuraciones y otras ms que no
estn ac listadas.

4.5.2.1 Ejemplo de montaje de ensayo en Laboratorio docente

Un ejemplo de montaje que puede usarse en el desarrollo de sta prctica es el siguiente:

Figura 4.46 Circuito de montaje del laboratorio de Impulsos de corriente aplicable al laboratorio
docente de la Universidad Nacional de Colombia. Capacidad equivalente 6 uF.

La capacitancia equivalente que se obtiene es:


1 1
C eq = + = 6uF
1 1 1 1 1 1
+ + + +
12 12 12 6 6 6

Relacin de transformacin del divisor de tensin:

140000 + 202.6
a= = 692
202.6

4.5.3 Influencia de los elementos del circuito de impulsos de corriente en la forma de


onda

Simulando el circuito RLC bsico, manteniendo constante las magnitudes de dos de sus
constantes y variando la magnitud del otro, se analiza la onda de corriente resultante para
determinar la influencia de cada elemento en la sensibilidad de la respuesta del circuito a la
variacin de los parmetros mencionados.

113
Si se mantienen constantes los valores de L y C, y se vara la resistencia (R) del circuito, el
pico de la onda disminuye fuertemente. En cambio los tiempos de frente y de cola no sufren
cambios dramticos, tal y como se aprecia en la siguiente figura.

Figura 4.47 Simulacin de un impulso de corriente manteniendo L, y C constantes y variando el


valor de resistencia. L = 20 uH, C = 6 uF, Vcarga = 60 kV.

Manteniendo constantes R y C y variando L, el tiempo de frente de la onda se incrementa y


el pico disminuye en forma leve, en lo correspondiente al tiempo de cola aumenta de
manera notable en comparacin con los parmetros anteriores, estas variaciones se
muestran en la figura 4.46.

Figura 4.48 Simulacin de un impulso de corriente manteniendo R, y C constantes y variando el


valor de la inductancia. R = 20 , C = 6 uF, Vcarga = 60 kV.

114
Manteniendo constantes L y R y variando la magnitud de la capacitancia, el pico de la onda
aumenta, el tiempo de cola se incrementa de manera significativa y el tiempo de frente
ligeramente como se muestra en la figura 4.47.

Figura 4.49 Simulacin de un impulso de corriente manteniendo R, y L constantes y variando el


valor de la capacidad. R = 20 , L = 20 uH, Vcarga = 60 kV.

115
116
5 MEDICIONES EN ALTA TENSIN

Al igual que la generacin de alta tensin que para mejor entendimiento se divide en
generacin de a.c., d.c. y de impulsos, as mismo es necesario reconocer que dispositivos
permiten hacer las mediciones respectivas, dependiendo del fenmeno bajo estudio.

5.1 MEDICIONES EN ALTA TENSIN, A.C. E IMPULSOS

Los dispositivos que acontinuacin se describen pueden usarse para medir tensiones a.c
dentro del ancho de banda que cada dispositivo posee, sin embargo pueden usarse para la
medicin de impulsos, aunque las consideranciones para mediciones de impulsos se har
ms adelante.

5.1.1 Divisor capacitivo puro

Este tipo de divisor consta de una capacidad de alta tensin en serie con una capacidad de
baja tensin como se muestra en la figura 5.1.

Figura 5.1 Divisor Capacitivo.

La relacin de transformacin para un divisor capacitivo es:

1
X c2 j C2 C1
V2 (t ) = V1 (t ) = V1 (t ) = V1 (t )
X c1 + X c2 1 1 C1 + C 2
+
j C1 j C 2

117
V2 (t ) C1
RT = =
V1 (t ) C1 + C2

Para obtener un voltaje V2 cuya magnitud pueda ser medida con instrumentos
convencionales, la reactancia de C1 debe ser mayor que la de C2, para que la mayor parte de
la tensin caiga en la capacidad C1, esto se consigue C1 < C2, por lo que para construir C1
se hace un montaje de varias capacitancias en espiral como lo muestra la siguiente figura:

Figura 5.2 Montaje fsico de las capacitancias, para construccin de una capacitancia de alta
tensin.

La configuracin del montaje en la figura 5.2 crea varios nodos con alta tensin, los cuales
al interactuar con las paredes de su encapsulado y entre ellos mismos, crean capacidades de
dispersin a tierra y capacidades internodales que causan fugas de corriente. Un modelo
aproximado se muestra en la figura 5.3, en donde la corriente que circula por C2 es menor
que la corriente que entra al divisor, y por lo tanto, la consideracin de RT es errnea.

Otro aspecto que se debe tener en cuenta con este tipo de divisores es que la inductancia del
montaje no puede ser despreciada porque estas pueden ocasionar reflexin de ondas.

118
Figura 5.3 Capacidades externas presentes en los divisores capacitivos.

5.1.2 Divisor resistivo puro

Como su nombre lo indica, consiste en dos o ms elementos resistivos conectados en serie,


como se muestra en la figura 5.4.

Figura 5.4 Divisor resistivo puro.

La relacin de transformacin para un divisor resistivo es:

119
R2
V2 (t ) = V1 (t )
R1 + R2
V2 (t ) R2
RT = =
V1 (t ) R1 + R2

Para obtener un voltaje V2 cuya magnitud pueda ser medida con instrumentos
convencionales, la resistencia R1 debe ser mayor que R2, para que la mayor parte de la
tensin caiga en la resistencia R1.

Cuando es utilizado el divisor resistivo acoplado a un aparato de medida como un


osciloscopio este ltimo se comporta como un circuito RC en paralelo, cuya componente
capacitiva no puede despreciarse ya que a altas frecuencias mostrara una lectura errnea,
vease figura 5.5.

Figura 5.5 Dependencia a la frecuencia del divisor ohmico.

El objetivo del divisor es obtener un voltaje que mantenga los tiempos de las seales
desconocidas. Luego en muchos casos ste divisor resulta imprctico, por los diferentes
inconvenietes intrinsecos a l mismo, como el hecho de que R1 este conformado por varias
resistencias conectadas en serie, y al igual que el divisor capacitivo, presentan fugaz de
corriente a travs de las capacidades de dispersin a tierra, y de las internodales,
provocando los mismos inconvenientes que tiene el divisor capacitivo.

5.1.3 Divisor resistivo compensado

Para mejorar el divisor resistivo se puede colocar un condensador en paralelo con la


resistencia R1 y otro en paralelo con R2, de tal manera que las capacidades de la
compensacin tienen un peso mayor que las parsitas e internodales obligando a las
corrientes de fuga a pasar a travs del divisor; Se tiene la ventaja que ahora dichas
capacidades son conocidas y manipulables, por lo tanto para garantizar que la alta tensin
este en fase con la baja se debe buscar que R1 C1=R2 C2. De sta manera se soluciona el
problema de la componente capacitiva del aparato de medida.

El divisor resistivo compensado es mostrado en la figura 5.6.

120
Figura 5.6 Divisor resistivo compensado.

La relacin de transformacin para un divisor resistivo compensado es:


Z2
V2 (t ) = V1 (t )
Z1 + Z 2
Donde,
R1
Z1 =
s R1 C1 + 1
R2
Z2 =
s R2 C 2 + 1
s = j
Pero como la condicin es:
R1 C1=R2 C2=K
Se tiene:
R2
V2 (t ) = V1 (t ) s K +1
R1 R2
+
s K +1 s K +1
R2
V2 (t ) = V1 (t ) s K + 1
R1 + R2
s K +1
R2
V2 (t ) = V1 (t )
R1 + R2
V2 (t ) R2
RT = =
V1 (t ) R1 + R2

Con el anterior resulta se evidencia la independencia del divisor a la frecuencia de la seal


de medida.

121
5.1.4 Divisor capacitivo amortiguado

Para mejorar el divisor capacitivo puro se agregan un par de resistencias R1 y R2 como se


aprecia en la siguiente figura.

Figura 5.7 Divisor capacitivo amortiguado.

La relacin de transformacin para un divisor capacitivo amortiguado es:


Z2
V2 (t ) = V1 (t )
Z1 + Z 2
Donde,
s R1 C1 + 1
Z1 =
R1
s R2 C 2 + 1
Z2 =
R2
s = j
Pero como la condicin es:
R1 C1=R2 C2=K
Se tiene:
s K +1
C2
V2 (t ) = V1 (t )
s K +1 s K +1
+
C1 C2
s K +1
C2
V2 (t ) = V1 (t )
C1 (s K + 1) + C 2 (s K + 1)
C1 C 2

122
s K +1
C2
V2 (t ) = V1 (t )
(s K + 1) (C1 + C2 )
C1 C2
V2 (t ) C1
RT = =
V1 (t ) C1 + C2

Con el anterior resulta se evidencia la independencia del divisor a la frecuencia de la seal


de medida.

Los anteriores divisores son los ms usados sin embargo existen otros dispositivos de
medida que pueden ser usando evaluando la situacin de cada aplicacin, a saber:

5.1.5 Impedancia serie

Este mtodo de medicin basa su funcionamiento en que la corriente que circula sobre una
impedancia serie de alto valor resistivo que puede ser leda mediante un aparato de bobina
mvil. La medida por impedancia serie, se ilustra en las figuras 4.8 a y b.

(a) (b)
Figura 5.8 Circuitos de medida para Impedancia serie.

En la anterior figura, Z debe ser de valor muy alto y conocida con el fin de calcular U, con
la ley de Ohm.

Un inconveniente que suele presentarse es que si por algn motivo se desconecta el


ampermetro, todo el voltaje ser transmitido al tablero de control, lo cual puede ser muy

123
peligroso para los operarios. Para evitar esto se debe colocar un descargador en paralelo
con el ampermetro, esto se ilustra en la figura 5.9a.

Debido a que fsicamente esta impedancia esta conformada por varias resistencias en serie
(ver figura 5.9b), tambin se presentan problemas de capacitancias a tierra y capacitancias
internodales, por consiguiente fugas de corriente, tal como lo ilustra la figura 5.10a.

(a) (b)
Figura 5.9 (a) Conexin de un descargador de gas, para proteccin de operarios y equipos, (b)
esquema fsico del circuito Impedancia serie.

Como puede apreciarse en la figura 5.9 b, la presencia intrnseca de capacidades parsitas


puede alterar la medida (especialmente para altas frecuencias ya que los condensadores se
comportan como circuito cerrado a altas frecuencias), sin embargo esto se puede solucionar
colocando condensadores en paralelo con las resistencias para evitar que la corriente tome
otro camino y se fugue, por lo cual el condensador que coloca debe de tener una
capacitancia ms grande que la capacitancia de dispersin, figura 5.10 b.

Colocando los capacitores, se est aproximando a la filosofa del divisor resistivo


compensado.

Una de las desventajas de este mtodo de medicin es que no es lineal con la frecuencia.

124
(a) (b)
Figura 5.10 (a) Corrientes de fuga por dispersin en un sistema de medida Impedancia serie, (b)
Correccin de las fugas de dispersin colocando una capacitancia mayor que las capacitancias de
dispersin.

5.1.6 Condensador serie

La figura 5.11 ilustra este tipo de arreglo.

Figura 5.11 Esquema del condensador serie.

En ste tipo de arreglo tambin es necesario poner descargadores de gas, como en el caso
anterior, para la proteccin de operarios y equipos.

El principio de este mtodo de medicin es el mismo de la impedancia serie y su


comportamiento se basa en la expresin.

I = CV

El valor efectivo puede ser medido con un aparato de hierro mvil. Si la medida contiene
armnicos aparecen errores:

125
2 2 2 2
V = V1 + V3 + V5 + ... + Vn

y con I = C V = 1 C V para = 1, 3, 5,..., n.

2 2 2
I = I 1 + I 3 + ... + I n

I =C (1 V1 )2 + (3 V3 )2 + (5 V5 )2 + ... + ( n Vn )2
I = i C V1 + 9 V3 + 25 V5 + ... + n 2 Vn
2 2 2

La corriente as calculada da valores ms altos. Debe por lo tanto analizarse siempre el


contenido de armnicos de la seal.

5.1.7 Medidores electrostticos

Construido con dos electrodos de placas paralelas, su funcionamiento se basa en la fuerza


que produce el campo elctrico al aplicar un voltaje U(t) entre estos; Esta fuerza F(t), que
es proporcional al campo elctrico, tiende a reducir el espacio (distancia d) que separa los
electrodos y puede ser calculada por la variacin de la energa del campo elctrico. Este
medidor es ilustrado en la figura 5.12.

Figura 5.12 Medidor Electrosttico.

En este medidor la fuerza F(t) acta sobre los electrodos y maniobra un eje o pivote central
el cual posee un espejo el cual reflecta el rayo de luz, que se le proyecta, para la indicacin
ptica, y midiendo el ngulo de refleccin se tiene una medida indirecta y proporcional al
nivel de tensin.

Estos instrumentos se caracterizan por su alta resistencia y pequea capacidad, es muy til
para medir a muy altas frecuencias y su principal ventaja es que no tiene los inconvenientes
de un circuito elctrico dentro del sistema de medida.

Su mximo inconveniente es que para muy altas tensiones d debe ser muy grande para
evitar disrupciones y no interferir en la medida.

126
5.1.8 Espintermetro de esferas

Este mtodo es uno de los ms utilizados para medir alta tensin a.c., d.c. e impulsos. Su
funcionamiento se basa en el fenmeno de la produccin de descargas entre esferas. En este
medidor la tensin de disrupcin es proporcional a la separacin entre los electrodos (dos
esferas metlicas de igual radio), de manera que si conocemos la separacin de los
electrodos se puede inferir el nivel de tensin en el electrodo a alta tensin. La figura 5.13
muestra el esquema de un Espintermetro de Esferas.

Figura 5.13 Espintermetro de Esferas.

Este tipo de medida es posible por que la tensin disruptiva es lineal con la separacin de
las esferas.

Para mejorar la medicin, la distancia (S) entre los electrododos no debe superar el radio de
las esferas S < R, para garntizar que el campo elctrico entre las esferas es suficientemente
homogneo.

Esta clase de aparatos presenta la ventaja de su alta precisin de medicin (error probable
aproximado 3 %) y su montaje es sencillo.

Aunque tiene muchas aplicaciones, su uso ha estado ms ligado con calibraciones, tiene
como desventajas, primero que las esferas son costosas, segundo, interrumpe el circuito
cuando se presenta la descarga, y tercero, el voltaje debe ser corregido por la densidad de
aire.

127
5.2 MEDICIONES EN ALTA TENSIN D.C.

Para la medicin de tensiones d.c. se debe tener en cuenta que los capacitores se comportan
como circuito abierto, razn por la cual no se pueden usar para stas aplicaciones los
siguientes sistemas de medida: [1] Divisor capacitivo, [2] Divisor capacitivo amortiguado y
[3] Capacitancia serie, otros como Impedancia serie, puede usarse pero su nombre cambia,
aunque no su principio, el cual es conocido como resistencia serie, el resto de los sitemas de
medida puede aplicarse para la medicion de tensiones d.c., los que a continuacin se listan,
no pueden ser usados para la medicin de tensiones a.c.

5.2.1 Mtodo de los electrodos flotantes

Su funcionamiento se basa en el hecho que para cada nivel de tensin o de campo elctrico
se producirn un determinado numero de disrupciones entre las esferas (electrodos
flotantes), es decir contando el nmero de disrupciones por unidad de tiempo se puede
hallar el nivel de tensin.

5.2.2 Voltmetros giratorios

Este tipo de voltmetros consisten en un condensador variable y se basa en lo siguiente:

C
V =i
t
Si la variacin de la capacitancia se hace en forma sinusoidal obtendremos una corriente
sinusoidal a partir de una tensin d.c.

Consiste en tres placas que forman dos condensadores en serie. Una de las placas esta mas
separada de la otra para obtener capacitancias diferentes. El objetivo es obtener una
capacitancia pequea en donde caiga la mayor parte de la tensin y otra capacitancia grande
donde se pueda obtener una tensin tal que se pueda hacer la medida con un instrumento
convencional.

La capacitancia se vara a parir de dos placas, una fija y la otra la hace girar un motor. Para
que la corriente sea sinusoidal, las placas deben tener forma de lemniscata.

Esta es la forma comercial de medir tensiones d.c.

128
5.3 MTODOS PROBABILISTICOS PARA DETERMINAR LA TENSIN DE
DISRUPCIN

Los siguientes mtodos probabilsticos son usados en la medicin de tensin a


travs de los mtodos, espintermetro de esferas y mtodo de los electrodos
flotantes

Cuando en un laboratorio de alta tensin se le realizan pruebas a un objeto, las disrupciones


se presentan a diferentes niveles de tensin de voltaje, esto se debe a que hay factores que
intervienen y estn cambiando constantemente.
.
Por esta razn se ha definido la tensin cincuenta por ciento disruptiva (V50%) como la
tensin a al cual hay una probabilidad del 50 % de que haya disrupcin.Para hallar este
nivel de tensin se emplean mtodos probabilsticos que se basan en la toma de varias
muestras.

5.3.1 Mtodo del nivel mltiple (Multiple Level Method - MLM)

Este mtodo consiste en hacer pruebas a varios niveles de tensin, desde un nivel de tensin
con probabilidad de disrupcin cero, hasta un nivel de tensin con probabilidad 1 (100 %).
La grfica de probabilidad de estas pruebas sigue una distribucin normal, tal como lo
muestra la siguiente figura.

Figura 5.14 Distribucin probabilstica de tensiones en las que ocurre disrupcin.

Debido a que en la grfica anterior, es difcil trazar una lnea de tendencia con bastante
exactitud, en la prctica para hallar el V50% disruptivo se linealiza la grfica de probabilidad
utilizando papel probabilstico normal o transformando la variable x a la variable
normalizada z.

129
La funcin del comportamiento disruptivo depende de la polaridad, la geometra de los
electrodos, la forma de onda y las condiciones ambientales atmosfricas1, siendo estas
ultimas muy importantes. Otro factor que hay que tener en cuenta es el tiempo entre prueba
y prueba ya que es necesario que el medio donde ocurra la disrupcin, se regenere y adopte
las condiciones iniciales que tuvo la prueba anterior.

Adems de lo anterior, entre ms niveles de tensin utilizados, mejor ser el ajuste de la


funcin de distribucin.

5.3.1.1 Linealizacin usando papel probabilstico

El papel probabilstico normal tiene una escala donde se representa la funcin de


probabilidad normal, dado por la ecuacin:

1( x ) 2
1
( , s , x ) = e 2 s s
dx
2 s

Donde:
: Valor Medio
s : Desviacin Estndar
x : Valor determinado de la medida

El hecho de que la escala represente la distribucin normal implica que toda funcin de
probabilidad normal aparecer como una lnea recta.

Hallar la desviacin estndar de las muestras est basado en el hecho de que entre -s y
+s hay un 68 % de probabilidad, por tanto desde - hasta -s hay un 16 % de
probabilidad, al igual que de +s hasta +. Vease figura 4.15.

Figura 5.15 Distribucin Normal de probabilidad.

1
presin absoluta, humedad relativa, temperatura, circulacin de aire.

130
5.3.1.1.1 Ejemplo de linealizacin usando papel probabilstico

Se realiz la prueba con 5 niveles de voltaje, haciendo 10 pruebas en cada nivel, hallar el
nivel de tensin 50 % disruptivo (V50%). Los resultados fueron los siguientes:

V1 -x----x--- P(V1) = 2/10 = 0,2


V2 x-x----x-- P(V2) = 3/10 = 0,3
V3 -xx-x--xx- P(V3) = 5/10 = 0,5
V4 --xxxxxxx P(V4) = 7/10 = 0,7
V5 xxxxxxxx- P(V5) = 8/10 = 0,8

Donde,
- No disrupcin x Disrupcin

Los anteriores datos obtenidos son graficados en el papel probabilstico, en una grfica Pv
vs. V, se hace una aproximacin lineal con los datos obtenidos, y el valor de tensin
correspondiente a una probabilidad de 0,5, es el que se conoce como nivel de tensin 50 %
disruptivo (V50% ), que para ste caso es el nivel de tensin 3 (V3)

5.3.1.2 Linealizacin usando la transformacin a la variable normalizada z

Este mtodo de linealizacin se basa en el hecho de que para una funcin de probabilidad
f(x), que sige una distribucin normal, la grfica z contra x es una lnea recta.

Usando los valores de probabilidad del ejemplo anterior obtenemos:

P(V1) = 0,2 P(V2) = 0,3 P(V3) = 0,5 P(V4) = 0,7 P(V8) = 0,8

Utilizando una tabla estadstica, por cada valor de probabilidad buscamos su respectivo
valor z.

x P(x) z
V1 0,2 -0,84
V2 0,3 -0,53
V3 0,5 0
V4 0,7 0,73
V5 0,8 0,84

Graficando z contra x y uniendo los puntos, se tiene aproximadamente una lnea recta. Para
calcular el voltaje cincuenta por ciento disruptivo (V50%), se ubica en la grfica la tensin
correspondiente a z = 0.

131
En la normalizacin al valor +s le corresponde un valor de z de 1 y a -s un valor de 1;
al ubicar el voltaje correspondiente a z = 1, se tiene el valor +s, conociendo que es
(V50%), se puede hallar la Desviacin Estndar (s).

5.3.2 Mtodo Up & Down (Up and Down Method)

Al igual que en el mtodo anterior, las pruebas se hacen entre un nivel de tensin con
probabilidad de disrupcin cero, hasta un nivel de tensin con probabilidad 100 %.

El ensayo se hace de la siguiente manera:

Primero, se hace la prueba al primer nivel de tesnin, si no ocurre disrupcin se aplica el


siguiente nivel de tensin y as sucesivamente hasta que ocurra disrupcin; segundo, en el
momento en que ocurre disrupcin se hace la prueba con el nivel de tensin
inmediatamente inferior; tercero, s en este nivel de tensin ocurre disrupcin se sigue
bajando de nivel; cuarto, s no ocurre disrupcin se vuelve a hacer la prueba en el nivel
inmediatamente superior hasta llehar a la tensin con probabilidad 1 de disrupcin.

Despus de realizar todas las pruebas se obtiene una grafica como la siguiente:

Up and Down Method

7
6
Nivel de tensin

5
4 No disrupcin
3 Disrupcin

2
1
0
0 10 20 30
No. de intentos

Figura 5.16 Resultados de un enayo por el mtodo Up & Down.

Para obtener la tensin 50 % disruptiva se utiliza la siguiente expresin

m
k i Vi
V50% = i =1

m
Donde,
Vi : Nivel de tensin i

132
ki : Nmero de veces que se hace la prueba a la tensin i
m : Total de pruebas que se hacen sin contar las pruebas que se hagan en el nivel uno de
tensin

5.4 RECOMENDACIONES EN LA REALIZACIN DE MEDICIONES EN ALTA


TENSIN

Al realizar medicones en alta tensin es conveniente considerar ciertas circustancias que


ayudan a obtener un mejor resultado del proceso de medir, por eso es necesario considerar
las siguientes recomendaciones.

5.4.1 Acoplamiento del osciloscopio al divisor

La seal de los divisores entra al osciloscopio por medio de un cable coaxial, y es a partir
de la seal que se observa en el osciloscopio, que se hace la interpretacin del fenmeno,
luego es importante garantizar que en los acoples no se est distorsionando la informacin.
Bajo ste objetivo, el cable de medida no se debe colocar directamente al osciloscopio ya
que la diferencia de impedancias puede ocacionar reflexiones de onda que si no son bien
conocidas o identificadas pueden ocacionar errores de medida, esto ocurre por que la
impedancia de entrada del osciloscopio (una resistencia de 1 M en paralelo con un
capacitor de 20 pF, para el caso de los osciloscopios Tektronix) es mucho mayor que la del
cable coaxial (50 75 ) para corregir ste error se acopla una impedancia Z0 de igual
valor a la impedancia del cable, este hecho se puede observar en la siguiente figura.

Figura 5.17 Acoplamiento del osciloscopio al sistema de medida, el acoplamiento es apropiado


cuando Zc=Z0, de otra manera es incorrecto.

5.4.2 Consideraciones para la medicin de corriente

Cuando se trata de medir corrientes, se debe tener especial cuidado, ya que es un parmetro
realmente complicado de medir, los mtodos ms usuales usan la medicin de la caida de
tensin sobre una resistencia conocida, la cual conocida como resistencia shunt. Una shunt
tiene baja resistencia y puede soportar altas corrientes, y como ya se sealo su principal
aplicacin es para la medicin de corrientes, por lo tanto su construccin sigue especial

133
cuidado con la geometra, con el fin de disminuir las inductancias para no ofrecer
impedancia adicional a la seal de corriente a travs de ella, y de sta manera garantizar un
amplio ancho de banda y respuesta lineal; Existen dos tipos de Shunt, a saber,

5.4.2.1 Resistencia Shunt tubular coaxial

Se construye como un arreglo de cilindros concntricos conductores, generalmente tres,


concetados elctricamente por dos anillos, por el de menor es la entrada de corriente,luego
llega al segundo anillo que lo conecta elctricamente al segundo tubo, y finalmente a travs
del segundo anillo se conecta al tercer tubo que esta debidamente aterrizado (tubo externo).

La cada de tensin es medida entre el tubo interno y la tierra (tubo externo), y su


resistencia est dada principalemte por el tubo intermedio, los dos anillos de conexin y las
uniones entre ellos.

Como el espacio entre el tubo interno y el cilindro intermedio es libre de campo magntico,
el dispositivo es de carcter lineal, pero por efecto pelicular se limita el ancho de banda al
retardarse la propagacin de la onda de corriente a travs de la seccin del tubo resistivo,
(tubo intermedio).

El efecto pelicular es el principal causante de que la shunt tenga un ancho de banda alto o
bajo. Este efecto hace que la carga elctrica circule inicialmente por la superficie externa
generando, subsecuentemente, campo magntico que penetra dentro del tubo al tiempo con
la densidad de corriente.

5.4.2.2 Resistencia Shunt jaula de ardilla

Ahora en lugar de una lmina tubular se utilizan varias de bronce para conducir la corriente
que retorna por el tubo exterior de bronce, soldando estas a los dos discos laterales. A
diferencia de la Shunt tubular coaxial, el modelo de la resistencia Shunt jaula de ardilla
incluye los efectos inductivos producidos por la presencia de espacios entre las varillas
(Lm).

134
Figura 5.18 Circuito equivalente de una resistencia Shunt jaula de ardilla.

5.4.3 Posibles errores en el proceso de medicin

Los errores tipicos en el proceso de medicin son:

Las corrientes en los apantallamientos de los cables, de los aparatos de medida


(osciloscopio) pueden causar tensiones de ruido sobre el conductor interno.

Por la variacin rpida del campo se crean oscilaciones electromagnticas que por un
apantallamiento insuficiente causan seales de ruido y distorsionan la seal de medida.

5.5 MEDICIN DE PRDIDAS DIELCTRICAS

Se parte del hecho que un dielctrico es un material aislante que puede ser polarizado a
nivel atmico, un material es polarizado si las cargas negativas y positivas se separan
ligeramente formando dipolos.

Al conectar una fuente de tensin a un condensador la diferencia de potencial entre sus


placas produce un campo elctrico E externo el cual polariza el dielctrico y a la vez
ejerce una fuerza sobre ellos produciendo una alineacin parcial con el campo, alineacin
que depende de la intensidad de E . Vease figura 4.16.

135
Figura 5.19 Polarizacin del dielctrico de un condensador al soimeterlo a alta tensin. E0, es el
campo elctrico externo resultado de la tensin aplicada, Ei, es el campo interno, en sentido
contrario al aplicado, el cual es producido por la polarizacin del material dielctrico.

Cuando se desconecta la fuente, el campo elctrico permanece entre las placas del
condensador y su efecto neto sobre el dielctrico es la formacin de una densidad de carga
superficial positiva i sobre la cara inferior del dielctrico y una densidad de carga negativa
-i sobre la cara superior, Vease figura 5.20.

Figura 5.20 Polarizacin del dielctrico de un condensador al soimeterlo a alta tensin. 1, es la


densidad de carga superficial sobre el dielctrico.

Esta alineacin parcial de los dipolos producen un campo elctrico interno Ei que se opone
al campo elctrico externo E0 ocasionando una reduccin del campo original E.

ETOTAL = E0 Ei

A partir de esto podemos tener una relacin entre el campo elctrico externo E0 y la
densidad de carga de las placas del condensador

Densidad superficial de carga:

136
q
E0 = =
o A 0
Y el campo interno Ei asociado es:
qi
Ei = =
A

Dado como la densidad de carga sobre el dielctrico, entonces se tiene que el campo
presente es:

ET =
o r o

Y la densidad de carga en el dielctrico es:


r 1
E=
r 0

Demostrando as que el campo elctrico con dielctrico, es menor que el campo elctrico en
vaco (o en aire), pues r siempre es mayor que 1.

De lo anterior resulta conveniente resaltar las ventajas de usar dielctricos en los


condensadores y en general en los aislamientos:

Primero, entre mayor constante dielctrica r posea un dielctrico, mayor es su oposicin al


campo elctrico aplicado, haciendo que el campo elctrico interno sea menor y logre
almacenar ms carga en el mismo condensador y que soporte mayores niveles de tensin,
Segundo, los dielctricos proporcionan soporte mecnico entre los electrodos.

5.6 MEDICIN DE CONDENSADORES

Como ya se ha sealado, independientemente del dielctrico (slidos, lquidos o gases) los


condensadores siempres tienen prdidas a travs de ellos, como consecuencia la tensin y la
corriente no se encuentren exactamente desfasadas un ngulo de 90. Esto ocurre por que la
corriente en un concdensador posee dos componentes, una capacitiva y otra activa.1

El modelo real de un condensador est constituido por un condensador y una resistencia (se
desprecia la inductancia) que pueden representarse en una configuracin serie o paralelo
dependiendo de la frecuencia y mediante las cuales se puede definir el factor de prdidas o
comnmente conocido como tan .

1
Para mayor informacin revisar capitulo 1 numerales 1.2, 1.4, 1.5 y 1.6.

137
La medida de los condensadores de prueba que se utilizan en el laboratorio, no se realiza
directamente con un multmetro (en la funcin de capacitancias), ya que los multmetros
tienen una fuente de impulsos, que alteran la medida, puesto que la reactancia capacitiva
propia del condensador depende de la frecuencia de estos impulsos.

Adems de la medida de los condensadores de prueba, tambin es necesario medir las


capacidades propias de los transformadores de alta tensin utilizados en el laboratorio. Para
realizar estas medidas se emplean puentes de medida, en donde son utilizados elementos
como resistencias y condensadores variables, que permitirn de manera indirecta
determinar los parmetros buscados.

5.6.1 Puente de Shering

La medida de las capacidades comnmente se realiza utilizando un Puente Shering, en


donde son utilizados elementos elctricos fijos y variables, que conectados de la manera
adecuada, y con el valor adecuado, permiten equilibrar el puente. Equilibrar el puente
significa que la diferencia de potencial entre los nodos 1 y 2 sea cero. El circuito de ste
montaje se puede apreciar en la siguiente figura.

Figura 5.21 Circuito elctrico del Puente Shering, Cs es la capacidad a medir

Haciendo un anlisis sencillo de circuitos se puede establecer una relacin entre las
impedancias Zs, Z2, Z3 y Z4, as:

I1 Z S = I 2 Z 2
I1 Z 3 = I 2 Z 4
I1 Z 2
=
I2 ZS
I1 Z 4
y =
I2 Z3

138
Z2 Z4
=
Z S Z3

Z S Z 4 = Z 2 Z3

Como lo que se busca es encontrar el valor de Rs y Cs, se expresa Zs en funcin de los


elementos elctricos utilizados en el puente, as:

j j R3
R3 (R4 C 4 j )
Z C2 C2
ZS = Z3 2 = ZS =
Z4 j R4 j R4
R4 C 4 j

R3 R 4 C 4 R3 R3 R 4 C 4 R3
j j
C2 C2 C2 C2
ZS = ZS =
R4 R4 R4

R3 C 4 R3
ZS = j
C2 R4 C 2

1
Cmo: Z S = RS j
CS

Entonces:
R3 C 4 R4 C 2
RS = y Cs =
C2 R3

139
BIBLIOGRAFA

1 ROMN C., Francisco J., FORERO C., Luis M. Notas de clase Aislamiento Elctrico
primer semestre 2004.
2 ROMN C., Francisco J., FORERO C., Luis M. Notas de clase Aislamiento Elctrico
segundo semestre 2004.

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