UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

DEPARTAMENTO ACADMICO DE ELETROTCNICA

CURSO DE ENGENHARIA INDUSTRIAL ELTRICA

Disciplina de Eletrnica de Potncia ET66B

Aula 20 Chaves Eletrnicas

Prof. Amauri Assef

amauriassef@utfpr.edu.br

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 Eletrnica de Potncia DIAC

DIAC

O DIAC um tiristor bidirecional (capaz de bloquear ou conduzir uma
corrente nos dois sentidos) bastante utilizado na proteo de circuitos e
no disparo de TRIACs

Conduz quando recebe uma tenso maior que sua tenso de trabalho VBO,
sendo ela positiva ou negativa
Curva caracterstica
Exemplo: DB3 (DO-35)
VBO = 28V a 36V

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 Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

MOSFET de Potncia

Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

O MOSFET uma chave ativa com camadas semicondutoras N e P, cujo

controle de conduo feito por um terminal isolado chamado de gate
(porta)

um semicondutor totalmente controlado, atravs de uma tenso
aplicada entre o gate e o source

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 Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

Quando uma tenso VGS adequada aplicada, o MOSFET entra em

conduo e conduz correntes positivas (i > 0)

Com a remoo da tenso VGS, o MOSFET bloqueia tenses positivas
(VDS) > 0

Smbolo (Canal N) Curva v x i (ideal) Curva v x i (real)

D (dreno)

G(gate)

S (source)

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 Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

Possui um diodo intrnseco em anti-paralelo, tambm conduzindo

correntes negativas

O diodo intrnseco possui tempo de comutao maiores do que o MOSFET

A resistncia de conduo RDSon possui coeficiente de temperatura
positivo, facilitando a operao em paralelo

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 Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

Diodo intrnseco em anti-paralelo

A juno p-n- resulta em um diodo em anti-paralelo (body diode) com
sentido de conduo dreno-source

Assim, uma tenso negativa dreno-source polariza diretamente este
diodo, com capacidade de conduzir a corrente nominal do MOSFET

Mas, os tempos de
recuperao deste diodo so
normalmente significativos

As elevadas correntes que
fluem durante a recuperao
reversa do diodo podem
causar danos ao
componente

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 Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

Circuito de prevenir a conduo do diodo intrnseco

Uso de diodos externos

Caracterstica do MOSFET de potncia para prevenir a conduo
MOSFET de potncia e body diode do diodo intrnseco

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 Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

Circuito equivalente do MOSFET

Cgs: elevada e praticamente constante

Cgd: pequena e altamente no linear

Cds: mdia e altamente no linear

Os tempo de comutao so
determinados pelo tempo necessrio
para carregar e descarregar estas
capacitncias

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 Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

Caractersticas de MOSFETs de Potncia comerciais

RDSon aumenta rapidamente com o valor de Vds suportvel

Os MOSFETS normalmente so utilizados para aplicaes com Vds < 400V

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 Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

Exemplo:

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 Eletrnica de Potncia MOSFET de Potncia

Concluses:

A principal vantagem dos MOSFETs que so acionados por nvel de
tenso, ou seja, no h necessidade de grandes potncias no circuito de
disparo, resultando em circuitos para disparo mais simples

Estes semicondutores esto disponveis em faixas de at mais de 1000V,
porm com baixas potncias, da ordem de 100W, e baixas tenses

Os tempos de comutao so de 50n a 200 ns. Em tenses superiores a 400
e 500V, os dispositivos formados por portadores minoritrios (IGBT por
exemplo) possuem uma queda direta menor. A nica exceo em
aplicaes onde a velocidade de comutao mais importante do que o
custo do semicondutor para obter queda em conduo aceitvel.

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 Eletrnica de Potncia GTO

Tiristores Gate-turn-off (GTO)

Os GTOs, basicamente, so SCRs com controle de desligamento, ou seja,

possuem mais um terminal de porta, que serve para parar sua conduo.

A figura a seguir ilustra seu smbolo, bem como um circuito simplificado
tpico de supresso (snubber), obrigatrio neste caso, que reduz os picos
de tenso quando conectado a cargas indutivas.

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 Eletrnica de Potncia GTO

Necessitam circuito de disparo mais complexo, devido aos parmetros de

tempo de disparo e de desligamento, e elevada corrente de desligamento
(baixo ganho)

Utilizado em circuitos de alta potncia, uma vez que pode trabalhar com
tenses acima de 4,5kV, altas correntes (kA) e a uma frequncia de
chaveamento de algumas centenas de Hertz a 10kHz

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 Eletrnica de Potncia IGBT

IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor

Os IGBTs (Transistores Bipolares com Gate Isolado) so semicondutores

que combinam as caractersticas dos BJT com as dos MOSFETs

Smbolo Circuito equivalente

C (coletor)

G (gate)

E (emissor)

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 Eletrnica de Potncia IGBT

Quando uma tenso Vge adequada aplicada, o IGBT entra em conduo,

conduzindo correntes positivas (i > 0)

Quando uma tenso Vge removida, o
IGBT bloqueia, podendo suportar
tenses negativas

Tempos de comutao maiores do
que os MOSFETs

Aplicvel onde se desejam elevadas
tenses entre o coletor e emissor

Dispositivo com caractersticas de
coeficiente de temperatura positivo,
facilitando o paralelismo (tambm
existem com coeficiente negativo)

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 Eletrnica de Potncia IGBT

Os IGBTs, como os BJTs, tm baixas tenses de acionamento/desligamento,

trabalhando com altas tenses (1000V, por exemplo)

Tempos de chaveamento esto na ordem de 1s, em blocos com tenso e
corrente de 1700V e 1200A (> MOSFETs)

Outra caracterstica aproveitada do MOSFET que o circuito de acionamento
precisa de baixas correntes de acionamento

Atualmente as freqncias tpicas de conversores com IGBT so de 1 a 30 kHz

O preo pago por reduzir a tenso direta do IGBT o aumento dos tempos de
comutao, especialmente os tempos de desligamentos

O IGBT no desligamento apresenta uma corrente de calda current tailing.

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 Eletrnica de Potncia IGBT

Caractersticas dinmicas (corrente de calda)

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 Eletrnica de Potncia IGBT

Caractersticas de IGBT comerciais

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 Eletrnica de Potncia IGBT

Exemplo:

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 Eletrnica de Potncia IGBT

Concluses:

Est se tornando o dispositivo de escolha para aplicaes entre 500 e

1700V, com nveis de potncia de 1 a 1000kW

Coeficiente de temperatura positivo para alta corrente facilidade no
paralelismo e construo de mdulos

Facilidade no drive similar ao MOSFET

Queda de tenso direta: diodo em srie com a on-resistance: 2-4V tpico

Mais lento que o MOSFET, porm mais rpido que o GTO, Darlington e
SCR

Frequncia de chaveamento tpica entre 1 a 30 kHz

A tecnologia do IGBT est avanando rapidamente com dispositivos para
maiores frequncias e tenses (> 2500V)

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