Tipos de sustancias

Son sustancias inorgnicas unidas mediante enlaces covalentes altamente direccionales.

Son bsicamente elementos del grupo 14 (Si o Ge) que pueden tener impurezas de
Elementos de los grupos 13 (B,Al y Ga) y 15 (P,As y Sb).

Clasificacin
Los materiales electrnicos estn formados por semiconductores fundamentalmente.
Los semiconductores se pueden clasificar en:

Semiconductores Intrnsecos
Son aquellos materiales cuyas conductividades elctricas se encuentran entre la de
los metales, altamente conductores y la de los aislantes, pobremente conductores. Son
semiconductores puros cuya conductividad elctrica est determinada por sus propiedades
conductoras innatas. Los elementos Si y Ge puros son materiales semiconductores
intrnsecos.

Semiconductores Extrnsecos
Son soluciones slidas muy diluidas donde existen impurezas con caractersticas de
valencia distintas a las de la red que acta como disolvente. La concentracin de las
impurezas est entre 100 y 1000 partes por milln.
Pueden ser de dos tipos:
Tipo n: En las redes de Si o Ge se introducen elementos del grupo 15 los
cuales debido a que tienen un electrn mas en su capa de valencia que los
elementos del grupo14 se comportan como impurezas donadoras de
electrones o portadores negativos.
Tipo p: En este caso se introducen elementos del grupo 13 que presentan un
electrn menos en su capa de valencia, por lo que se comportan como
aceptores o captadores de electrones.

En un cristal de silicio o germanio puros, los cuatro electrones de

valencia de un tomo forman un arreglo de enlace con cuatro tomos
adyacentes, como se muestra en la figura 1.4. Este enlace de tomos,
reforzado por compartir electrones, se llama enlace covalente.

Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un nmero
predeterminado de tomos de impureza a una base de silicio.

Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza que

contienen cinco electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio,
el arsnico y el fsforo. El efecto de tales elementos de impureza se indica
en la figura 1.7 (con antimonio como la impureza en una base de silicio).
Observe que los cuatros enlaces covalentes permanecen.
Existe, sin embargo, un quinto electrn adicional debido al tomo de
impureza, el cual no est asociado con cualquier enlace covalente
particular. Este electrn restante, enlazado de manera poco firme a su
tomo padre (antimonio), est en cierto modo libre para moverse dentro del
material tipo n recin formado, puesto que el tomo de impureza insertado
ha donado un electrn relativamente libre a la estructura.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen
como tomos donadores.
Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio
puro con tomos de impureza que tienen tres electrones de valencia.
Los elementos ms utilizados para este propsito son boro, galio e
indio. El efecto de uno de estos elementos, el boro, en una base de
silicio se indica en la figura 1.9.
Observe que ahora el nmero de electrones es insuficiente para completar
las bandas covalentes de la estructura recin formada. El vaco resultante se
llama hueco y se denota con un pequeo crculo o un signo ms, para
indicar la ausencia de una carga positiva. Por lo tanto, el vaco resultante
aceptar con facilidad un electrn libre:
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman
tomos aceptores.
El material tipo p es elctricamente neutro por las mismas razones descritas
para el material tipo n.

CONDUCTIVIDAD ELCTRICA

Semiconductores intrnsecos: La conductividad elctrica se produce cuando un

electrn de la banda de valencia (llena) absorbe la suficiente energa para saltar a la
banda de conduccin (vaca) creando dos portadores de carga, un electrn y un
hueco positivo.
Semiconductores extrnsecos: La conductividad elctrica se ve favorecida por la
accin de las impurezas existentes en estos materiales.
Tipo n: Se crea un nivel donor donde encontramos el electrn extra que
poseen las impurezas. Este nivel energtico se encuentra cerca de la banda
de conduccin facilitando el salto electrnico.
Tipo p: Se crea un nivel aceptor por la adicin de un elemento del grupo 13,
muy prximo a la banda de valencia, de forma que con una pequea
cantidad de energa el electrn puede saltar al nivel aceptor. Al suceder esto
se crea un hueco positivo en la banda de valencia, cuya movilidad produce la
conduccin elctrica.