Captulo 11

Interao de ftons com a matria

verso 2008.2

Uma onda eletromagntica carrega consigo momento e energia.

Como a onda se propaga com velocidade c, a relao entre energia e
momento para uma onda eletromagntica plana E=cp. Quando a onda
eletromagntica emitida, absorvida ou espalhada, tanto a energia quanto o
momento so compartilhados com as partculas responsveis pelo processo.
Ento, enquanto analisando qualquer processo no qual radiao
eletromagntica interage com partculas carregadas, devemos aplicar as leis
de conservao e energia e momento. O problema surge quando
consideramos a interao de uma onda eletromagntica com um eltron
livre. Se, por exemplo, um eltron absorve uma energia E da onda, ele deve
tambm absorver um momento p=E/c. Mas se supormos que o eltron livre
est inicialmente em repouso no referencial do laboratrio, a energia
absorvida transforma-se em energia cintica do eltron. Mas a energia
cintica de um eltron relacionada com seu momento por
K = mo2 c 4 + p 2 mo c 2
onde mo a massa de repouso do eltron. Mas esta relao incompatvel
com p=E/c e E=K, de acordo com as leis de conservao de energia e
momento. Assim, conclumos que um eltron livre no pode interagir com
uma onda eletromagntica sem violar os princpios de conservao de
energia e momento. No caso de um eltron ligado a um tomo, molcula ou
slido, a energia e o momento absorvidos so compartilhados tanto pelo
eltron quanto pelo tomo, molcula ou slido. Mas como o tomo,
molcula ou slido possuem uma massa muito maior do que a massa do
eltron, a energia de recuo do tomo, molcula ou slido to pequena que
no levada em conta.
Embora um grande nmero de interaes so conhecidos para ftons
com a matria, os mais importantes so : efeito fotoeltrico, espalhamento
Compton, Thomson, Rayleigh, interao foto-nuclear e produo de pares.
O Espalhamento Rayleigh e elstico, o fton e meramente redirecionado
para um angulo sem perda de energia. As interaes foto-nucleares so
importantes apenas para energias acima de alguns MeV, onde so
responsveis por problemas de proteo radiolgica atravs da produo

159
(,n) de nutrons. A importncia relativa do efeito Compton, do efeito
fotoeltrico, e da produo de pares, depende da energia do fton e do
numero atmico Z do meio absorvedor. Estes processos levam a uma
transferncia de energia total ou parcial para a matria. Uma diferena entre
ftons e partculas carregadas que Raios-x e gama so muito mais
penetrantes na matria do que as ltimas. Outra diferena que o feixe de
ftons no degradado em energia conforme atravessa a matria. Somente
atenuado em intensidade. Os ftons ou desaparecem totalmente ou so
espalhados para ngulos significativos. Este comportamento destoa
completamente da interao de partculas carregadas, que so freadas
lentamente atravs de uma interao contnua com os tomos absorvedores.
A atenuao sofrida por um feixe de ftons segue um decaimento
exponencial com respeito espessura
I=Ioexp(-x)
Onde Io intensidade do feixe incidente; x a espessura do absorvedor; o
coeficiente de absoro.
O coeficiente de absoro a grandeza que caracterstica do material
absorvedor e diretamente relacionada com a seo de choque de interao.

Efeito fotoeltrico

No processo de absoro por efeito fotoeltrico, um fton totalmente

absorvido por um tomo. No seu lugar, um fotoeltron rpido ejetado do
tomo. A interao acontece com o tomo como um todo e no pode ocorrer
com eltrons livres, uma vez que um eltron livre no pode absorver um
fton sem o momento no seja conservado. A energia do fotoeltron (Ee)
dada por:
E e = h - E b
Onde Eb a energia de ligao do eltron e h a energia do fton. Para
raios gama com energias acima de algumas dezenas de keV, o fotoeltron
leva consigo a maioria do energia do fton. A interao tambm cria um on
no material absorvedor com uma vacncia em uma de suas camadas. Em
geral, esta vacncia rapidamente preenchida com a captura de um eltron
livre do meio e/ou por rearranjo de outros eltrons do tomo. Ento, um ou
mais ftons de raio-X podem ser produzidos. Na maioria dos casos, os
ftons de raio-X so re-absorvidos pelo meio, embora sua possvel emisso
possa vir a influenciar a resposta dos detetores de radiao. Outro efeito
possvel a emisso de um eltron Auger. O efeito fotoeltrico a interao
dominante para ftons (UV, raio-X ou gamma) de baixa energia. O

160
processo mais significativo para absorvedores com alto nmero atmico Z.
No h uma expresso analtica simples para a probabilidade de absoro
por efeito fotoeltrico para toda a faixa de energia E e Z, mas uma
aproximao dada por
Zn
Pfe
E3,5

onde o expoente n varia entre 4 e 5. Esta forte dependncia do efeito

fotoeltrico com o nmero atmico do material a razo principal para o
uso de matrias de alto Z (como o chumbo) em blindagens. Detetores de
raios gama tambm utilizam materiais com alto Z.
A figura abaixo mostra o coeficiente de absoro total, mas tambm a
contribuio parcial de cada processo especfico, para do NaI em funo da
energia do fton incidente. Conforme pode ser visto pela figura, o
coeficiente de absoro cai rapidamente com a energia do fton, mas
aumenta rapidamente nas proximidades de uma camada interna. Logo aps
este ponto, o coeficiente de absoro volta a cair rapidamente.
No caso no relativstico e energias acima da camada K (supe-se que
apenas eltrons da camada K contribuem), a aproximao de Born prev que
a seo de choque para o efeito fotoeltrico
7/2
mc 2
fe = 4 4
2 Z o
5
por tomo
hv
8re2
onde o = = 6,651 10 25 cm 2 a seo de choque de espalhamento
3
Thomson, e a constante de estrutura fina =1/137.

Fig. 1 Efeito fotoeltrico em um tomo livre. Se o eltron da camada K

ejetado pelo fton incidente, outro eltron de um nvel de maior energia

161
pode preencher a vacncia, resultando na emisso de um fton com uma
energia igual diferena de energia entre os dois nveis envolvidos.

5
10 NaI
4 total
10 fotoeltrico
3 Rayleigh
10
Compton
2
10 pares
/(cm /g)

1
10
2

0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10 0 1 2 3 4 5
10 10 10 10 10 10
Energia (keV)

Fig. 2 coeficiente de absoro por densidade para NaI em funo da

energia do fton para os diversas interaes. Fonte programa XmuDat.

Espalhamento Rayleigh

O espalhamento Rayleigh elstico. O modelo de espalhamento Rayleigh,

proposto inicialmente por Lord Rayleigh em 1871, aplicvel quando o raio
do alvo muito menor do que o comprimento de onda do fton incidente, o
que implica que a energia transferida durante o processo muito pequena.
Par a maioria dos raios-X e raios gama de baixa energia, O processo de
espalhamento Rayleigh o modo predominante de espalhamento elstico. A
seo de choque para este processo inversamente proporcional a 4 da
radiao incidente e pode ser escrita como
4 2
8a 6 2nm m 2 1
Rayleigh = m 2 + 1
3
Onde a o raio da partcula alvo, m=ns/nm a razo do ndice de refrao da
partcula alvo (ns) em realao ao ndice de refrao do meio (nm) .

162
Espalhamento Compton

No espalhamento Compton, a interao acontece entre o fton

incidente e o eltron no material absorvedor. Na faixa de energia dos raios
gama, o espalhamento Compton o mecanismo dominante (veja Fig. 1). A
interpretao mais comum para o efeito Compton (encontrada em vrios
textos) que o fton incidente transfere parte de sua energia para o eltron
(supostamente em repouso), tambm chamado de eltron de recuo. O fton
ento espalhado em um ngulo com respeito a sua direo inicial.
Devido ao fato que todos os ngulos de espalhamento so possveis, a
energia transferida para o eltron pode variar de zero at uma frao
significativa da fton incidente.
A expresso que relaciona a energia transferida e o ngulo de
espalhamento pode ser obtida aplicando simultaneamente a conservao de
energia e momento.

po = p cos + pe cos
0 = psen pe sen
Como o eltron est inicialmente em repouso, a sua energia total moc2 .
Aps o espalhamento, o eltron adquire momentum e de acordo com a
relatividade especial, sua energia dada por
E e2 = pe2 + mo2 c 4
Aplicando a conservao da energia
Eo + mo c 2 = E + Ee
Resultando em
Eo
E=
Eo
1+ (1 cos )
mo c 2
onde moc2 a energia de repouso do eltron (511 keV). Para ngulo
pequenos, a energia transferida tambm muito pequena.

163
A energia do eltron de recuo dada por

Eo
2 (1 cos )
mo c
Ee = Eo
E
1+ o 2 (1 cos )
mo c

Dois casos extremos podem ser identificados:

a) 0. Neste caso, as equaes para as energias do fton e do eltron
predizem que EEo e Ee 0.
b) Coliso frontal . Neste extremo, o fton incidente retro-
espalhado para a sua direo incidente, enquanto que o eltron recua
na direo do fton incidente (espalhamento para ngulo zero). Este
extremo representa a mxima energia que pode ser transferida ao
eltron em uma interao Compton. Neste caso as energias finais do
fton e do eltron ficam

Eo
E ( = ) = p/ o fton
E
1+ 2
mo c 2
e
2 Eo
mo c 2
Ee = Eo p/ o eltron
1 + 2 Eo
mo c 2

Para um dada energia do fton incidente, a distribuio de energias do

eltron tem uma forma geral mostrada na figura abaixo

164
 dN/
dN/dEe =

=0
Eo

EC

Contnuo Compton

Ee
Borda Compton

O gap entre o a energia mxima do eltron de recuo e a energia do

fton incidente dada por
E
EC = E E e ( = ) =
1+ 2 E
mo c 2

No limite hv>>moc2 , esta diferena de energia tende a um valor constante

mo c 2
EC = = 0.256 MeV
2
A anlise anterior supe que o eltron est livre (no ligado). De fato,
a energia de ligao do eltron influencia o contnuo Compton. Estes efeitos
so mais notados para energias do fton baixas, onde aparece um
arredondamento do pico prximo ao extremo superior, alm do
aparecimento de uma queda mais gradual, ao invs de abrupta , do espectro
de energias do eltron.
A distribuio angular dos gammas espalhados descrito pela frmula
de Klein-Nishina
1 + cos 2 2 (1 cos ) 2
2
d 1
= Zr 2
1+
d
o
1 + (1 cos )


2
( 2
)
1 + cos [1 + (1 cos )]
onde =E/moc2 e ro o raio clssico do eltron.
Integrando a equao acima encontramos

165
 1 + 2(1 + ) 1 1 1 + 3
C = 2ro2 2
ln (1 + 2 ) + ln (1 + 2 )
1 + 2 2 (1 + 2 )2

Fig. _ Distribuio angular de Compton.

Produo de Pares

Produo de pares o processo que resulta na converso de um fton em um par eltron-

psitron. Como o fton no possui massa, enquanto ambos o psitron e o eltron
possuem, dizemos que este processo converte energia em massa de acordo com a relao
E = mc2. Este processo o inverso da aniquilao de psitrons, onde massa convertida
em energia. No entanto, h uma diferena operacional entre os dois processos: a
produo de pares acontece na presena de um material enquanto que a aniquilao no
requer esta condio. Isto se deve necessidade de um terceiro corpo para a conservao
de momentum. O processo na vizinhana de um ncleo pode ser representado como
+ X e + e+ + X *
Onde X e X* representam o estado fundamental e estado excitado do ncleo,
respectivamente.

166
Como a energia convertida em duas partculas que possuem massas discretas, deve
haver um limiar para que este processo ocorra. Ou seja, o fton deve ter, pelo menos,
uma energia equivalente soma das massas das duas partculas:

Emin 2moc2

Emin 1,022 MeV

O limiar verdadeiro de energia para a produo de pares na vizinhana de um ncleo d

massa mnucl dado por
2mo c 2
E min 2mo c 2 +
mnucl

A seo de choque para a produo de pares pode ser escrita como

7 183 1
par = 4 2 ro2 Z 2 ln 1 / 3 cm 2
9 Z 54

A produo de pares tambm ocorre nas vizinhanas de partculas leves, como eltrons.
Este processo geralmente conhecido como produo de tripleto.

Relao entre o coeficiente de absoro e a seo de choque

Se multiplicarmos a seo de choque de atenuao de ftons (, em

cm ) pelo densidade de tomos (N, em cm-3), obtemos a probabilidade por
2

unidade de comprimento pra uma interao

=N =(Na/A)

167
onde Na o nmero de Avogrado, a densidade do material, A o peso
molecular. Para misturas compostas, o coeficiente de absoro pode ser
calculado usando a regra de Bragg (regra da aditividade)

= wn n
n n
onde wn o peso relativo de cada elemento no material
Os ftons podem tambm ser caracterizados pelo seu livre caminho
mdio

xe
x
dx
1
= 0
=


e
x
dx
0

O efeito Auger

Nem todos os tomos ionizados em camada interna retornam ao

estado fundamental emitindo raios-X. Por conta disto, o rendimento
quntica (quantum yield) freqentemente menor que a unidade. O
rendimento quntico definido como
= (nmero de tomos emitindo raios-X)/(numero de tomos
ionizados em camada interna)

Assim e possvel que os tomos retornem ao seu estado fundamental

sem emitir radiao. A probabilidade para este processo no radioativo, que
compete com a emisso de raios-X, decresce com o aumento do numero
atmico do elemento. Para tomos leves, o processo no radioativo domina
sobre o radioativo.
A volta ao estado fundamental no processo no radioativo realizado
pelo efeito Auger. Apos a remoo de um eltron de camada interna, o
excesso de energia pode ser liberado na forma de raios-X ou pela emisso
de um eltron de camada mais externa . O efeito Auger similar a um efeito
fotoeltrico interno. Se um eltron cai para um nvel mais baixo de energia e
um outro ejetado, a interao Coulombiana entre os dois a responsvel
pelo processo.
O efeito Auger esta representado na figura abaixo. Um eltron da
camada K ionizado deixando uma vacncia. Um eltron externo cai para a
camada K, preenchendo a vacncia. A energia liberada neste decaimento
usada para liberar um outro eltron externo (eltron Auger). Como resultado

168
temos um tomo duplamente ionizado (existe a possibilidade de efeito
Auger resultando em on multiplamente carregados).

ou

Auger normal Decaimento radioativo

Fig. 5 Um eltron Auger emitido pelo excesso de energia quando um

eltron externo cai para um nvel de energia mais baixo

169
 1.0
radioativo
0.8

0.6

0.4

0.2 Auger + Coster-Kronig

0.0
0 20 40 60 80
Z

Fig. A eficincia quntica para a emisso de raios-X (decaimento

radioativo) em funo do numero atmico.

170
Exerccios:

1 O coeficiente de absoro total para ftons de 5 MeV em chumbo cerca

de 0,04 cm2/gm. Se a densidade do chumbo 11,3 gm/cm3, qual a meia
espessura (espessura para qual o feixe cai a 50 %) do cobre para estas raios
gama? Qual a espessura do cobre necessria para reduzir a intensidade para
6 % do valor inicial? (1gm o mesmo que 1 grama)

2 Qual a seo de choque que corresponde a um coeficiente de absoro de

0.45 cm-1 pra ftons em chumbo?

R: 13.7 b (1b 1 barn = 10-24 cm2)

3 Aplicando a conservao de momento e energia, obtenha a relao entre

a energia final do fton e o ngulo de espalhamento no espalhamento
Compton

4 Calcule a energia de recuo do eltron no espalhamento Compton em

funo da energia e ngulo do fton espalhado.

5- A borda de absoro L1 do tungstnio ocorre em 1,02 . Suponha que

um fton K absorvido por um dos eltrons 2s atravs do efeito Auger.
Determine a velocidade do fotoeltron liberado.

6 (Provao 2002) Na figura abaixo mostrado um arranjo experimental para estudar a absoro de
radiao E por diferentes materiais. Sal de KC", que disponvel comercialmente, colocado numa
pequena caixa cilndrica, em cima de uma folha fina do material a ser estudado. Abaixo da folha colocada
uma fotomultiplicadora e todo o sistema blindado em chumbo.

171
Como em potssio natural h uma abundncia relativa de 0,0118% de K 40 , que sofre decaimento E, o sal
de cloreto de potssio fracamente radiativo. A experincia consiste em medir a taxa de contagens dN/dt
(nmero de pulsos contados por unidade de tempo), em funo da espessura x da folha. Como a absoro
depende da densidade do material, usual expressar aespessura da folha em kg/m2. No grfico, em que a
escala vertical logartmica e a horizontal linear, mostrado o resultado obtido para dN/dt, em funo de
x. Sabendo que a absoro de radiao pela matria leva ao decaimento do nmero de partculas que
atravessam uma distncia x dentro do meio, de acordo com a equao N(x) N0ePx, o coeficiente de
absoro P para o alumnio, em unidades de m2/kg, , aproximadamente,

a) 0,10
b) 0,20
c) 0,50
d) 1,0
e) 2,0

172
7 A tabela abaixo corresponde a um conjunto de medidas da intensidade de
um feixe de ftons de 5 MeV transmitido em folhas de chumbo de
espessuras conhecidas para a determinao do coeficiente de absoro. Cada
medida foi tomada durante um tempo de aquisio igual a 10 min. A rea
total corresponde ao nmero de ftons transmitidos + contagens de fundo.

a)Considerando que a contagem de fundo foi 10 contagens/minuto, complete

a tabela

Espessura (mm) rea total incerteza rea liquida Incerteza

0 10100
3,0 8800
6,0 7700
9,0 6700
12,0 5900
15,0 5200

b) Faa um grfico da intensidade (nmero de ftons medidos) versus espessura em papel

mono-log e determine o coeficiente de absoro em cm-1.

173
c) Se um feixe de 1020 ftons incide perpendicularmente em uma folha de chumbo de
12,0 mm de espessura (a densidade do chumbo = 11,3 g/cm2) e se o coeficiente de
absoro total em cm2/g de ftons de 5 MeV em chumbo total(soma de todos os
processos): 4,24 10-2 cm2/g; fotoeltrico: 1,26 10-3 cm2/g ; criao de pares: 2,1
10-2 cm2/g ; Compton : 1,98 10-2 cm2/g e Rayleigh: 8,72 10-5 cm2/g, calcule quantas
interaes de cada tipo (fotoeltrico, ; criao de pares, Compton, e Rayleigh) ocorrem
no chumbo.

d) Supondo que cada interao no item anterior resulta em um fton primrio sendo
removido do feixe, quanta energia removida por cada tipo de interao ?

8) Raios-X passam atravs de folhas de alumnio, cada uma de 4 10-3 m de

espessura. Um Contador Geiger registra 8 103, 4,7 103, 2,8 103, 1.65
103 e 9,7 102 eventos por min quando os raios atravessam 0, 1, 2, 3, e 4
folhas, respectivamente. Calcule o coeficiente de absoro do alumnio.

9) Raios gama com energias de 0,05, 0,3 e 1 MeV, mas com intensidades
iguais, so absorvidos por chumbo. Os coeficientes de absoro do chumbo
para estas energias so 8 103, 5 102 e 78 m-1.
a) calcule a espessura de chumbo necessria para reduzir a intensidade
de cada feixe a 1/10 de seu valor original.
b) Qual a relao entre a intensidade total (para cada energia do feixe) a
uma profundidade de 5 mm em relao a intensidade incidente total?

10) A espessura de meia-absorcao de um material (x1/2) e definida como a

espessura para absorver 50 % da intensidade de um feixe de ftons
incidente. Quantas espessuras de meia-absorcao so necessrias para atenuar
um feixe de raios-X a a)1/16, b) 1/20, c)1/200, da intensidade do feixe
incidente?

Respostas
1-
2- 13.7 b (1b 1 barn = 10-24 cm2)
6- letra d)

174
Referencias:
1 W. R. Leo, Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments
2- Knoll
3 A. Das e Th. Ferbel, Introductionto Nuclear and Particle Physics

Prtica 1

Espectroscopia gamma de diversas fontes

Objetivo: familiarizar o aluno com o analisador multi-canal utilizado para a
anlise de altura de pulsos em conjuno com o detetor Si(Li) e diversas
fontes radioativas.

Prtica 2

Absoro de raios gama por cobre

175
 I(x)
Detetor Si(Li)
241Am
x
x

Io I(x)

chumbo

cobre
Prtica 3
Espalhamento Compton

Detetor Si(Li)

alvo

chumbo

241Am

176