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ELECTRONICA
CONFIGURACION DARLINGTON
INFORME PREVIO 2
Fundamento terico:
La configuracin Darlington (originalmente realizada con dos transistores
separados) fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell, Sidney
Darlington quien solicit la patente el 9 de mayo de 1952. La idea de poner dos o
tres transistores sobre un chip fue patentada por l, pero no la idea de poner un
nmero arbitrario de transistores que originara la idea moderna de circuito
integrado.
Comportamiento
Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una
gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos
espacio que dos transistores normales en la misma configuracin. La ganancia
total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales.
Un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin
tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico
transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en inestable. La tensin base-
emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para
transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par Darlington
se halla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector
se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total
Informe previo
1. Mencionar aplicaciones dela configuracin Darlington y algunos cdigos de su versin de
circuitos integrados.
se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes
muy pequeas.
En la interface para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la interfase consta de dos
integrados Darlington ULN2803 que sirven para incrementar la intensidad de las seales TTL que les
llegan, y otros elementos ms.
Cuando se quiere controlar un motor o un rel, necesitas emplear un dispositivo que sea capaz de
suministrar esta corriente. Este dispositivo puede ser un circuito Darlington
Para realizar el anlisis del circuito del circuito es preciso determinar un valor
aproximado del 1 y 2 del transistor 2n222 este valor vara de acuerdo a la
temperatura ambiente y la corriente de colector de 5Ma y siendo la
temperatura media de lima de 20c podemos asumir un
= hFE =100
CIRCUITO A IMPLEMENTAR
Tomando los condensadores como circuito abiertos.
7.5k 12k
Rth ( R1 // R2 ) R3 100k 104.615k
7.5k 12k
I C 2 5.18mA
MALLA 2 LVK
VCE 2 7.23v
Anlisis en c.a:
Hallamos
re1 y re 2 :
26mv 26mv 26mv 26mv
re1 2
I c1 IB2 Ic2 Ic2
2
Por lo tanto
re1 2 re 2 847 re 2 4.99
y
Vg
El volataje de entrada es:
Vg i f R f 1i b1re1 2i b2 re2 (i3 i c2 )( R1 // R2 // R f // RL )
Vg i f R f 1 2i b1re2 1 2i b1re2 (i3 i c2 )( R1 // R2 // R f // RL )
2re2 1 2r
Vg (i b11 2 ( )) R f 21 2i b1re2 i b11 2 ( e2 1)( R1 // R2 // R f // RL )
R 3 1 2 R3
2r 1 2r
Vg (i b11 2 ( e2 ) R f 2re2 ( e2 1)( R1 // R2 // R f // RL )
R 3 1 2 R3
zi
Calculamos la impedancia de entrada:
2r 1 2r
i b11 2 ( e2 ) R f 2re2 ( e2 1)( R1 // R2 // R f // RL )
V
zi g R 3 1 2 R3
if 2r
i b11 2 ( e2 1)
R3
2re2 1 2r
( ) R f 2re2 ( e2 1)( R1 // R2 // R f // RL )
Vg R 3 1 2 R3
i
if 2r 1
( e2 )
R 3 1 2
2re2
2re2 ( 1)( R1 // R2 // R f // RL )
Vg R3
zi Rf
if 2r 1
( e2 )
R 3 1 2
1 1
1 ( )( R1 // R2 // R f // RL )
R 3 2re2
Rf
1 1
( )
R 3 2re2 1 2 =
1 1
1 ( )( R1 // R2 // R f // RL )
Vg R 3 2re2
zi Rf 7.25m
if 1 1
( )
R 3 2re2 1 2
i0
Determinamos
(i3 i c2 )( R1 // R2 // RE ) (i3 i c2 )( R1 // R2 // RE ) RL (i 3 i c2 )( R1 // R2 // RE // RL )
i0
R1 R2 RE RL (( R1 R2 RE ) RL ) RL (( R1 R2 RE ) RL
2r
i b11 2 ( e2 1)( R1 // R2 // RE // RL )
R3
i0
(( R1 R2 RE ) RL
Determinamos el voltaje de salida
2re2 2r
i b11 2 ( 1)( R1 // R2 // RE // RL ) i b11 2 ( e2 1)( R1 // R2 // RE // RL )
R3 R3
VO i0 RL i0 RL
(( R1 R2 RE ) RL (( R1 R2 RE )
Hallamos la ganacia de voltaje:
2re2
i b11 2 ( 1)( R1 // R2 // RE // RL )
R3
VO (( R1 R2 RE ) 1
Av 0.99
Vg 2r 1 2r 1 1
i b11 2 ( e2 ) R f 2re2 ( e2 1)( R1 // R2 // R f // RL ) ( ) R 1
R 3 2re2 1 2
f
R 3 1 2 R3 ( R1 R2 RE )
1
( 1
)( R1 // R2 // R f // RL ) 1
R 3 2re2
Av 0.99
z0
Determinamos la impedancia de salida
VO V V2 VO V1 VO V V2 VO V2 VO V1 VO V V 1 V V
i0 2i b2 O 2 O O 2 (1 ) O 1
R1 // R2 // RE 2 re2 R3 R1 // R2 // RE 2 re2 2 re2 R3 R1 // R2 // RE re2 2 R3
1 1 1 1 1 V V
( (1 ) )VO ((1 ) 2 1 )
R1 // R2 // RE re2 2 R 3 2 re2 R 3
Se tinadmas:
V2 V0 V2 V1 V2 V0 V2 V1
1ib1
2 re2 1re1 2 re2 1 2 re2
V V V 1 V0 V1
1 2 1 2 (1 )
1re1 2 re2 1 1 2 re2 1 2 re2
V2 V1 V V0 V1
2
re1 2 re2 1 2 re2 1 2 re2
1 1 V 1 V
V2 ( (V1 (1 ) 0 ) (V1 0 )
2 1 1 2 1
V1 V1 V2 V1 V0
0
Rf 1re1 R3
1 1 1 V V
( )V1 2 0
R f R 3 1re1 1re1 R 3
1 1 1 1 V V
( )V1 (V1 0 ) 0
R f R 3 1re1 2 2 1re2 1 R 3
1 1 1 1 1 1
( )V1 ( )V0
R f R 3 1re1 2 2 1re2 R 3 1
1 1 1 1 1
i0 ( )V0 (1 )V1
R1 // R2 // RE re2 R 3 2 1re2 R3
1 1
( )V0
1 1 1 1 R 3 1
i0 ( )V0
R1 // R2 // RE re2 R 3 21re2 1
(
1
1
)
Rf R3 2 2 1re2
1 1
) (
i0 1 1 1 1 R 3 1
( )
V0 R1 // R2 // RE re2 R 3 2 1re2 (
1 1
1
)
Rf R3 2 2 1re2
Entonces:
1 1
)
(
i 1 1 1 1 R 3 1
( 0 ) 1 (( ) ) 1
V0 R1 // R2 // RE re2 R 3 2 1re2 (
1 1
1
)
Rf R3 2 2 1re2
1
Z0 0.7
1 1
( )
1 1 1 1 R 3 1
( )
R1 // R2 // RE re2 R 3 2 1re2 ( 1 1 1
)
Rf R3 2 2 1re2
Simulaciones
Voltaje de polarizacin:
Corriente de polarizacin:
TABLA1.2
Nota:
BIBLIOGRAFIA
*ELECTRONICA TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS. Robert l
boylstad