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Octubre, 2015
Abstract
En el estudio del comportamiento de los dispositivos electrnicos y
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1 Introduccin
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Figure 2: Comportamiento general de un diodo en voltaje reverso y directo
2 Resultados y anlisis.
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Figure 3: Regresin lineal del la conductividad en funcin de la temperatura
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como el punto de funcionamiento a su frecuencia mxima.
A una mayor frecuencia se puede observar el que los tiempos de almace-
namiento y recuperacin disminuye adaptndose lo mejor posible al cambio de
polarizacin (Figura N.5)
sta frecuencia determina el doble del tiempo mnimo que el diodo tiene para
recuperarse antes de dejar de funcionar, as el tiempo de recuperacin reverso
es el inverso de sta frecuencia.
353,41 1,2148
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2.2 Caracterstica del Diodo Zener en polarizacin directa
e inversa.
Figure 6: Diagrama de circuito para la polarizacin directa e inversa del diodo Zener
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Table 2: Voltaje y corriente de un diodo zener en polarizacin directa e inversa
Voltaje [V] Corriente [I]
0,817 0,027
0,813 0,024
0,809 0,021
0,806 0,018
0,8 0,015
0,794 0,012
0,789 0,009
0,779 0,006
0,756 0,003
0,726 0,001
-2,003 -0,0015
-7,21 -0,001
-9,34 -0,0015
-10,33 -0,002
-11,86 -0,002
-11,9 -0,003
-11,92 -0,004
-11,95 -0,005
-12,13 -0,01
-12,16 -0,011
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Figure 7: Diagrama de circuito para la polarizacin directa e inversa del diodo Zener
En la zona directa:
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Para comprobar el comportamiento comn de una juntura NP en la zona de
polarizacin directa se hizo una regresin exponencial obteniendo la siguiente
grca y sus respectivos parmetros:
Figure 8: Diagrama de circuito para la polarizacin directa e inversa del diodo Zener
Parmetros de ecuacin:
En este proceso se utiliz un LCR- metro para obtener los valores de Voltaje,
Conductancia y capacitancia para diferentes frecuencias. Las grcas de cada
caracterstica se muestra en la siguiente grca:
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Figure 9: Capacitancia en funcin de la frecuencia para cada voltaje aplicado
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Figure 10: Conductancia en funcin de la frecuencia para cada voltaje aplicado
3 Conclusin
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para la polarizacin directa. Adems, se logr comprobar como se comporta
un diodo cuando la frecuencia de una seal supera el tiempo de respuesta,
por lo tanto no trabaja correctamente, el valor encontrado fue 353 Hz. Vale
la pena mencionar que el incremento de la frecuencia afecta ms al tipo de
almacenamiento que al de recuperacin por las razones antes determinadas.
Finalmente se pudo comprobar con xito el comportamiento de la juntura
NP cuando se le aplica bajas y altas frecuencias, en especco de la capacitancia
y la conductancia.
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4 Bibliografa
Sze, S., & Ng, K. (2007). Physics of semiconductor devices (3rd ed.). Hoboken,
N.J.: Wiley-Interscience.
Colinge, J., & Colinge, C., (2005). Physics of Semiconductor Devies. New
York. Kluwer Academic Publishers
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