Chimie

Composs du silicium

Exercice III-16

Exercice III-16 : Composs du silicium.

Le silicium est aprs l'oxygne l'lment le plus abondant de la crote terrestre. On le rencontre
sous forme de silicates ou de silice essentiellement.
1- Ecrire la configuration lectronique du silicium de numro atomique Z = 14.
A quelle colonne appartient-il ?
Quel autre lment appartient cette colonne ?
2- La comparaison du silicium et du carbone se traduit par :
Rayon covalent (nm) Energie d'ionisation (eV) Electrongativit (Pauling)
0,077 11,26 2,5
0,117 8,15 1,9
a- Dfinir et commenter ces valeurs. Attribuer les valeurs chacun des deux lments.
b- Comment justifier lvolution de ces valeurs ?
c- Retrouver l'nergie de premire ionisation du silicium dans le modle de Slater (utiliser les
donnes de lexercice prcdent).
d- Pourquoi cet cart ?
3- Le silicium est seulement attaqu par l'acide fluorhydrique HF pour conduire l'hexafluorure de
silicium SiF62 et du dihydrogne.
a- Donner une structure de Lewis.
b- Prvoir la gomtrie selon Gillespie d'un tel difice.

Donnes : Constantes de Slater :

groupe Contribution des autres lectrons
de l'lectron
tudi couches couche autres lectrons de niveau n couches
n-2, n-3 n-1 1s s et p d f suprieures
1s - - 0,30 0
s et p 1,00 0,85 0,35 0 0 0
d 1,00 1,00 1,00 0,35 0 0
f 1,00 1,00 1,00 1,00 0,35 0

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Composs du silicium

Exercice III-16

Correction :
1- On rappelle les rgles de construction de la configuration lectronique et on en dduit celle du
silicium de numro atomique Z = 14 :
Si : 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
Le silicium appartient la 4ime/14ime colonne comme le carbone, C, le germanium Ge, ltain,
Sn, le plomb, Pb.

2- La comparaison du silicium et du carbone se traduit par :

a- Le rayon covalent dun atome est dfini partir de mesure de distance internuclaire dans les
difices molculaires o la liaison chimique est de nature covalente. Ainsi le rayon covalent
de lhydrogne est la moiti de la distance internuclaire H-H dans la molcule de
dihydrogne, celui du chlore :
rcov(Cl) = d(H-Cl) rcov(H)
Lnergie dionisation est lnergie quil faut fournir au potassium (dans ltat gazeux) pour
lui arracher un lectron (suppos tre ltat gazeux) et former ainsi K+ ltat gazeux une
temprature de 0 K. Les lments sont ainsi dans leur tat fondamental, lnergie cintique
de llectron ject est nulle.
E.I. (M) = Electronique(M+) Electronique(M)
Les noyaux de ces espces ayant la mme nergie
Lnergie dattachement lectronique (laffinit lectronique est loppos de lnergie
dattachement lectronique) est lnergie fournir un atome pour lui rajouter un lectron,
tous les constituants tant ltat gazeux, la temprature tant de 0 K :
E att e
M + e M+
(g ) (g ) (g )
Lnergie dattachement lectronique est une grandeur ngative (il est favorable de rajouter
un lectron un atome et de former son anion) ; laffinit lectronique est donc une grandeur
positive.
Llectrongativit dun atome est laptitude de cet atome attirer les lectrons dans une
liaison chimique covalente. Il existe plusieurs chelles dlectrongativit, lchelle de
Mullinken est une moyenne de lnergie dionisation et de laffinit lectronique :
E.N.Mullinken = k (A.E. + E.I.)

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Exercice III-16

Lvolution gnrale de ces grandeurs est une augmentation dans une priode de la gauche
vers la droite et dans une colonne de bas en haut.

b- On attribue alors les valeurs chacun des deux lments :

Rayon covalent (nm) Energie d'ionisation (eV) Electrongativit
(Pauling)
carbone 0,077 11,26 2,5
silicium 0,117 8,15 1,9

c- On justifie lvolution de ces valeurs laide du modle de Slater :

l'nergie d'ionisation, l'affinit lectronique peuvent se calculer dans ce modle ; en premire
approximation ces grandeurs sont proportionnelles lnergie en valeur absolue dune orbitale
atomique la plus haute occupe, proportionnelle au carr de la charge effective et inversement
proportionnelle au carr de n.
la taille des atomes (rayons atomiques) ainsi que la polarisabilit s'interprte partir du rayon
de l'O.A. la plus haute occupe (dfini au maximum de densit de probabilit radiale de
prsence) :
n2
= a0 avec a0 rayon de Bohr
Zeff
La charge effective augmente dans une priode de la gauche vers la droite (augmente dune
unit de la charge du noyau alors que la constante dcran naugmente que de +0,35 !).
Dans une colonne, la charge effective augmente de moins dune unit dune ligne lautre
alors que n augmente chaque fois dune unit !

d- On retrouve l'nergie de premire ionisation du silicium dans le modle de Slater :

E.I. (Si) = Electronique(Si+) Electronique(Si)
Les lectrons de cur du silicium et de lion Si+ peroivent les mmes charges effectives, les
niveaux nergtiques des orbitales occupes par ces lectrons sont donc les mmes :

s = 14 0,30 = 13,70 ; Z2s, 2p = 14 ( 2 0,85 + 7 0,35 ) = 9,85 ;

Z1eff eff

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Exercice III-16

On en dduit les niveaux nergtiques des orbitales atomiques occupes par des lectrons de
cur :
2 2
Zeff Zeff
1s = 13,6 1s = 2552,6 eV ; 2s, 2p = 13,6 2s, 2p = 329,9 eV ;
1 2

Pour les lectrons de valence :

Z(Si )3eff
s, 3p = 14 ( 2 1 + 8 0,85 + 3 0,35 ) = 4,15 ;

2
Z(Si )eff
3s, 3p = 13,6 = 26,0 eV
Si 3s, 3p
3

et

Z(Si+ )3s, 3p = 14 ( 2 1 + 8 0,85 + 2 0,35 ) = 4,50 ;

eff

2
Z(Si+ )eff
+ 3s, 3p
Si
3s, 3p = 13,6 = 30,6 eV
3

Comme Electronique(Si) = 2 1s + 8 2s,2p + 4 Si

3s,3p
+
Et Electronique(Si+) = 2 1s + 8 2s,2p + 3 Si
3s,3p
+
Do E.I. = Electronique(Si+) - Electronique(Si) = 3 Si
3s,3p - 4 3s,3p = 12,.3 eV
Si

c- Lcart de 9% est d au fait que le modle calcule simplement des charges effectives sans
tenir compte de la rorganisation des lectrons.
3- La structure de Lewis de l'hexafluorure de silicium SiF62 est :

F F
Si 2

F F

Gomtrie octadrique AX6

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