Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas Laboratorio 4

TRANSISTOR BJT
Jara Lpez, Michael Snchez Huertas, William Amado Holgun, Juan
michaeljaralopez@gmail.com shwandres@gmail.com juank.amado.holguin@gmail.com
Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas
Electrnica de potencia
Informe de laboratorio 4

Resumen
La prctica de laboratorio busca verificar la el rango
de frecuencias al cual se puede controlar un transistor
BJT, llegar la frecuencia de control desde un un rango 1
KHz hasta 30 KHz, en la que se puede comprobar las
caractersticas de conmutacin del transistor BJT, por
esta razn se utiliza un circuito controlador que pueda
reproducir una seal cuadrada con el rango de
frecuencias, con variacin entre frecuencia a un valor
de 1 KHz, 10 KHz y 30 KHz en los que se pueda
visualizar un ciclo til entre el 10 % y el 90% de la
seal de entrada.
Abstract
It lab besiket te kontrolearjen de frekwinsje berik dat
kinne in BJT transistor, krije kontrle frekwinsje fan in
berik 1 KHz nei 30 KHz, dr't jo kontrolearje it
wikseljen skaaimerken fan de transistor BJT, troch dit is
drom in stjoerprogramma circuit dat kin dan in plein
weach mei de frekwinsje berik, mei fariaasje fan
frekwinsje ta in wearde fan 1 KHz, 10 KHz en 30 KHz
dr't jo kinne visualize in plicht syklus fan 10% wurdt
brkt en 90% fan de ynbring sinjaal.
TABLA DE CONTENIDO

I. OBJETIVOS GENERALES.........................................1
II. MARCO TERICO......................................................1
III. MATERIALES Y EQUIPOS....................................2
IV. PROCEDIMIENTOS................................................2
A. Seal de control de PWM que permita ajustar la frecuencia. 2
V. RESULTADOS...............................................................3
A. Circuito doblador de voltaje sincronizado con la red. 3
B. Circuito sujetador de voltaje sincronizado con la red. 3
VI. ANLISIS DE RESULTADOS................................3
VII. CONCLUSIONES.....................................................3
VIII. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS....................4

presentan un valor de alta impedancia. En la regin

activa el transistor acta como un amplificador
I. OBJETIVOS GENERALES

1. Observar las caractersticas de conmutacin del

transistor BJT mediante el diseo y uso de un
circuito de control.

II. MARCO TERICO

El transistor BJT es un dispositivo semiconductor

unidireccional de tres terminales, dos de potencia
(colector y emisor) y uno de control (base). Posee tres
regiones de operacin: corte, activa y saturacin. En la
regin de corte la corriente de base es insuficiente para Figura 1 Transistor BJT, pines de contacto
activarlo, por lo que sus terminales de potencia

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Transistor BJT
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Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la
direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica
la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de
transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con
los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor
(E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que
tiene la flecha en el grfico de transistor.
KHz en los que se pueda visualizar un ciclo til entre el
10 % y el 90% de la seal de entrada, en este diseo de
circuito se tiene en cuenta el semiconductor y las
resistencia segn las simulaciones realizadas, con una
fuente de 40 V y la carga que se le asigna es un
bombillo incandescente de 100 W. en el circuito se
prueban las frecuencias a diferentes ciclos tiles, con
mucha atencin en los ciclos de encendido y apagado del
transistor BJT.

III. MATERIALES Y EQUIPOS

Para el desarrollo del laboratorio en referencia se
necesit de los siguientes materiales y equipos para
cumplir los objetivos del laboratorio:

1 Osciloscopio RIGOL DS1102E

2 Sondas para osciloscopio
1 Multmetro Fluke 179
1 Protoboard
1 Bombillo de 100 W
2 Resistencias de 1 K y 5W10
1 Diodos
Figura 2 Circuito variador de frecuencia con
1 Juego de conectores banana caimn transistor BJT
1 Juego de conectores banana banana
1 Banco de LORENZO A. Seal de control de PWM que permita
ajustar la frecuencia.
Tabla 1 Materiales y equipos

IV. PROCEDIMIENTOS

Teniendo en cuenta las condiciones de disparo del

transistor BJT en las aplicaciones posibles en las que
puede operar en aplicaciones de electrnica de potencia
se disea un circuito en el cual el transistor puede
controlar una carga en este caso emulando un dimmer
con capacidad de controlar la luminancia de una
bombilla de halgeno en el cual se puede observar el
ciclo til de la seal de salida del transistor BJT, en los
clculos del laboratorio se tienen en cuenta la
resistencia en la base del transistor, a la entrada de la Figura 3 Seal de salida del transistor BJT
base se conecta una seal de control alimentada por el
driver de una seal de control de PWM que permita Dentro de las caractersticas del transistor BJT, se tienen
ajustar la frecuencia a un valor de 1 KHz, 10 KHz y 30 especificaciones de funcionamiento, importantes para el

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Transistor BJT
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laboratorio que se deben tener en cuenta, estas
especificaciones son los intervalos de tiempo de
conmutacin indispensables para la definicin del
tiempo til y la seal de salida del transistor.
Teniendo en cuenta el inicio de una seal peridica, el
inicio del flanco de subida del impulso de la seal de
entrada, es el punto en el que el impulso de entrada
alcanza su valor nominal, que es el valor mximo de la
seal de salida del transistor BJT. De igual manera, el
inicio del flanco de bajada del impulso de salida alcanza
el componente negativo, este intervalo varia entre la
seal positiva y la seal negativa como se muestra en la
Figura 3 Seal de salida del transistor BJT ese valor
indica el nivel de tensin que tiene la carga a la entrada .
dependiendo a que dispositivos estemos controlando.
Por ejemplo se puede controlar un LED con PWM
haciendo variar su brillo y as no tener que depender
nicamente de encenderlo totalmente o apagarlo. Con la
bombilla de 10 W pasa algo parecido y podemos
controlar su velocidad. Esto se debe a que una seal con
el 50% de ciclo de trabajo entrega la misma energa que
una seal de 2.5V constante por ese motivo se puede
usar como una salida conmutada

tr es el tiempo de subida, medido desde el punto de

inicio hasta el punto final del flanco de subida del
impulso de salida en este pulso se puede observar un
tiempode demora en el transistor (retardo a la respuesta
al momento de polarizar el transistor)

Se utiliz la seal PWM con el uso de Arduino

realizando una modulacin por ancho de pulso y as de Figura 4 Seal de salida del transistor BJT para ciclo
esta forma mostrar una seal de alimentacin del til en porcentaje de 25 %
conector base del transistor BJT con una seal cuadrada.
La seal est compuesta por un valor alto y un valor
bajo, en nuestro caso 5 y 0 voltios respectivamente.
La relacin entre el tiempo que la seal est en alto en
comparacin con la que est en bajo la definimos como
ciclo de trabajo y est definida en un tanto por ciento
(%). Para mostrar el nivel medio de la seal de
alimentacin se tiene una seal de prueba de esta 5 V
arriba y 0.2 V a cero, por lo que su ciclo de trabajo es
de un 50 %
Esta seal seal PWM alimenta el circuito con el
montaje del transistor BJT en la que se realiza un barrido
de frecuencia de 1 KHz hasta 10 KHz, ya que la seal
de entrada del la tarjeta arduino tiene una seal
controlada de hasta 10 KHz. Ahora el siguiente paso es
generar esta seal con Arduino, hay que tener en cuenta Figura 5 Seal de salida del transistor BJT con una
que no todos los pines de Arduino pueden generar PWM frecuencia de 10 KHz
solo los que lo indique la placa.Para usar el PWM
simplemente usaremos la funcin analogWrite(pin,valor)
donde el valor es un numero entre 0 y 10 . Esto es
debido a que el generador PWM de Arduino es de 8 bits
por lo que tiene 256 valores distintos de codificacin de
seal. Esto limita nuestra precisin para codificar la
seal.

Arduino usa el nombre analogWrite porque se puede

considerar el PWM como una salida analogica,
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Transistor BJT
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Figura 6 Seal de salida del transistor BJT con una
frecuencia de 10 KHz
V. ANLISIS DE RESULTADOS
Los resultados obtenidos en la prctica de laboratorio
con el transistor BJT una diferencia con la simulacin en
el ciclo til de la seal de salida del transistor, el ciclo
til fue menor de 10% para una seal de 1 kHz y 80%
para una seal de 5 KHz, para la seal de salida que
alimenta la carga se tiene una carga de 10 W, un
bombillo Halgeno, por medio de esta seal se pudo
realizar un control al nivel de luminancia del bombillo.
La variacin en frecuencia permiti estimar que a una
menor frecuencia, el nivel de luminancia de la bombilla
descendi a su nivel hasta aproximadamente la mitad del
nivel nominal de esta. Al aumentar la frecuencia,
aumenta el ciclo de vida til y por ende aumenta la
luminancia de la bombilla, en la prctica pudimos
realizar por medio de comparacin el uso de un
transistor BJT y la seal de entrada de alimentacin del
transistor en el pin base una diferencia en el ciclo til
con el simulador en el tiempo muerto de la seal. El
transistor BJT es un transistor ms eficiente en el uso de
control de una carga por variacin de frecuencia, cargas
como por ejemplo, el control de motores, moto
reductores, servomotor, iluminacin, resistencias de
temperatura, termostatos.
La seal de control PWM del integrado 555, permiti la
variacin correcta en el tiempo de polarizacin y tiempo
Transistor BJT
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de apagado del transistor BJT, este control se logro
gracias al transistor 555 que en comparacin con la seal
de salida del controlador del circuito integrado de
Arduino en la que no es posible cambiar la variacin de
frecuencia desde un rango de 1 kHz y 80% para una
seal de 3 KHz
VI. CONCLUSIONES
Podemos concluir que el transistor BJT permite hacer
una conmutacin de la seal de salida con un barrido de
frecuencia de un rango alto, importante para el control
de cargas de electrnica, y valores bajos de frecuencia
ideales para el control de cargas como motores,
resistencias, cargas de iluminacin como bombillas
halgenas o bombillas encandecentes.
Es importante tener en cuenta la seal de control del
transistor en su nodo base, esta seal es administrada por
un circuito PWM que permite hacer una variacin de los
pulsos de la seal de salida del transistor, la seal que
utilizamos en el laboratorio nos restringi la frecuencia
en un rango de 1 KHz a una frecuencia de 31.5 KHz
VII. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
[1] C. A. Rojas Vargas, Diseo y Simulacin de
Tecnicas de Modulacin PWM Natural para el
Control de Motores Trifasicos, pp. 4144, 2006.
[2] C. Andrs and M. Miranda, Laboratorio de
electrnica de potencia - circuitos generadores de
seales de control. Modulacin de Ancho de
Pulso ( PWM ) y Amplificadores
Operacionales ., pp. 14.
[3] A. Andueza San Martn, Escuela Tcnica
Superior De Ingenieros, pp. 3133, 2010.
[4] Data Sheet LM 555.
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