UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

ELECTRONICA DE POTENCIA_Trabajo Prctico

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

Electrnica de Potencia

Practica de laboratorio

ESTUDIANTE:

Jose Lacat

Mauricio Vasquez

GRUPO:

Tutor Laboratorio

Mara Eugenia Herrera

Tutor virtual:

Jaime Cabarcas

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS ECBTI

CEAD BARRANQUILLA

MAYO de 2017
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INTRODUCCIN

Con el presente trabajo se busca adquirir conocimiento y experiencias practicas sobre

las caractersticas de diferentes tiristores como son los SCR,Mosfet,transistor IGBT y
el comportamiento que tienen estos dispositivos en el control de corriente y voltaje,
para lo cual se implementaran diferentes circuitos tanto fsica y virtualmente atraves
de software de simulacin como es proteus, Pspice.
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PRACTICA No.4:
CONTROL DE FASE DE MEDIA ONDA

Cuando se pretende desarrollar un control del ngulo de encendido del SCR partiendo
de la misma tensin que alimenta a la carga, es preciso recurrir a circuitos capaces de
retardar la seal de disparo durante un intervalo regulable mientras transcurre todo el
semiciclo de conduccin del dispositivo. La configuracin ms sencilla para
conseguirlo se puede materializar utilizando una red desfasa dora serie R-C, a cuyos
extremos se aplica una fraccin de la tensin que ha de estar presente en la carga. La
propia naturaleza de la red R-C introduce un desfase variable entre 0 y 90 respecto
de la tensin aplicada, pudindose conseguir con una adecuada relacin de valores
resistencia capacidad un control pleno de la corriente por la carga entre los 0 y
prcticamente los 180.
Figura
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En el circuito de la figura 5 la red desfasadora est formada por R1 + P1 y C,

que tiene aplicada la tensin presente entre nodo y ctodo del SCR. La seal
de control, variable en fase y amplitud por la accin de P1 se extrae en
extremos de C y se aplica entre puerta y ctodo a travs de la resistencia
limitadora R2 y el diodo D1 que previene la descarga de C durante los
semiciclos negativos.

En el anlisis del funcionamiento del control debe tenerse presente que cuando
el Valor de la reactancia que presenta C es mucho mayor que el de la
resistencia serie asociada con ste R1 + P1 (P1 al mnimo), el circuito se
comporta como capacitivo, la tensin que se extrae del condensador es
mxima y se puede considerar en fase con la tensin aplicada; la conduccin
del SCR se produce casi al inicio de cada semiperiodo positivo.

4.1. Montar en el simulador el circuito de la Figura 5. (Anexe imagen del

circuito al informe).
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4.2. Realizar la simulacin anexe la grfica que muestre al menos 4 ciclos de la

tensin entrada V1 y la de la tensin en la carga RL Que ha notado?

Es
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oLquesntamirlpcP1
Se puede evidenciar que mientras el potencimetro est en su mximo valor no
circular corriente por el circuito, impidiendo as activar el SCR por la
compuerta Gate con el resultado que el SCR no se activar y por ende no
habr voltaje en la resistencia de carga
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4.3. Observar la tensin de salida para diferentes valores del potencimetro

P1.
Qu sucede cuando la resistencia disminuye?

P1 VRL Vv1
20 k 0.0 v 24 v

15 k 0.0 v 24 v
14.4 k 0.0 v 24 v

13.8 k 22.78 v 23.50 v

10 k 22.78 v 23.50 v

5 k 23.91 v 23.25 v
0 k 23.63 v 23.5 v

Cuando la resistencia disminuye se incrementa el paso de la corriente por el

circuito RC permitiendo gatillar el SCR travs de la compuerta GATE
obteniendo un diferencial de potencial en RL
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Como se puede observar en la grafica el tiempo del semiciclo es de 8.64ms

Del voltaje en V1

Y el tiempo de la seal del SCR es de 3.99 ms estos tiermpos se dividen y se

multiplican por el ciclo completo 180

3.99
180=82.83
8.67
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El ngulo de conduccin del SCR para este caso es de 82.83

Y el tiempo del semiciclo en su mxima potencia del voltaje en la carga es de

7.45ms para hallar el ngulo de disparo se dividen ambos valores multiplicando
por 180 que corresponde al ciclo completo

7.45
180=154.67
8.67

El ngulo de disparo del SCR para este caso es de 154.67

4.4. Para qu valor de P1 la potencia entregada a la carga es la mitad de la

potencia mxima?

Segn el comportamiento de la seal al momento de ajustar el potencimetro

La potencia media entregada a la carga ser cuando este este posicionado en
un valor de 13 k ya que se encuentra a la mitad del recorrido en 90.10
grados del angulo de conduccin
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4.5 Calcule los ngulos de disparo y conduccin para al menos 6 valores

distintos de P1 Registrar los valores en una tabla. Utilizar como referencia la
Figura 3 y emplear las siguientes ecuaciones.
Figura

P1 t2 t3 Angulo ( t 2) Angulo ( t 1)
13 k 4.34 ms 8.67 ms 90.10 89.9

10 k 5.3 ms 8.67 ms 110 70

6 k 6.25 ms 8.67 ms 129 51

2 k 6.94 ms 8.67 ms 144 36

200 7.63 ms 8.67 ms 158.95 21.05