Fisico Quim CA

Facultad de Ingeniera Qumica y Metalurgia
E. A. P. Ing Metalurgia
DEDICATORIA:
Este trabajo esta dedicado a
nuestros compaeros por su
esfuerzo por salir adelante
ponindole mucho empeo en
sus estudios y en especial a
nuestras familias que siempre
estn all para apoyarnos
Ing Abarca Rodrguez, Jose Joaqun

Pg.2
INTRODUCCIN
Se estudia la solubilidad de ciertos compuestos entre otras cosas, con el fin de

establecer su nivel de solubilidad en un sistema con un solvente o tal vez dos,
si fuera as, ambos solventes deben ser insolubles entre s, pero deben de
solubilizar al soluto.
En 1391 se formula la ley del reparto, dada por Nerst, esta ley se ha aplicado al
estudio de problemas a nivel terico y prctico, como el proceso de extraccin,
el de anlisis y determinacin de las constantes de equilibrio, las cuales
dependen de la temperatura dada.
Poniendo de ejemplo a la extraccin, este procedimiento se utiliza a nivel de

laboratorio e industrial. En el primero se utiliza para remover una sustancia de
un lquido o de un slido mediante la utilizacin de un solvente orgnico como
eter, cloroformo, benceno, tetracloruro de carbono o en agua.
A nivel industrial se aplica en la remocin de elementos no deseables en el

producto final, pero para esto se necesita saber la cantidad de solvente a
utilizar y el nmero de veces que se a de efectuar el ciclo de la extraccin, ya
que no se debe desperdiciar reactivos ni energa.

Pg.3
SOLUBILIDAD
En qumica, la solubilidad es una medida de la capacidad de una determinada
sustancia para disolver en un lquido. Puede expresarse en moles por litro, en
gramos por litro, o en porcentaje de soluto/disolvente. Una forma indirecta de
hacer referencia es a travs del KPS, muy utilizado para calcular cmo es
afectada la solubilidad por el efecto ion comn. Tambin es posible extender el
concepto a solubilidad en slidos. Cuando la concentracin de una disolucin
alcanza la solubilidad, se dice que estamos en presencia de una solucin
saturada; bajo algunas condiciones puede sobrepasarla, denominndose
solucin sobresaturada.
En la solubilidad, el carcter polar o apolar de la sustancia influye mucho, ya

que, debido a estos la sustancia ser ms o menos soluble, por ejemplo: Los
compuestos con ms de un grupo funcional presentan gran polaridad por lo
que no son solubles en eter etlico. Entonces para que sea soluble en eter
etlico ha de tener poca polaridad, es decir no ha de tener ms de un grupo
polar el compuesto. Los compuestos con menor solubilidad son los que
presentan menor reactividad como son: las parafinas, compuestos aromaticos
y los derivados halogenados.
El trmino solubilidad se utiliza tanto para designar al fenmeno cualitativo del

proceso de disolucin como para expresar cuantitativamente la concentracin
de las soluciones. La solubilidad de una sustancia depende de la naturaleza
del disolvente y del soluto, as como de la temperatura y la presin del sistema,
es decir, de la tendencia del sistema a alcanzar el valor mximo de entropa. Al
proceso de interaccin entre las molculas del disolvente y las partculas del
soluto para formar agregados se le llama solvatacin y si el solvente es agua,
hidratacin.
Otra propiedad fsica que permite conocer el tipo de enlace es la solubilidad.

Los compuestos con enlace inico son solubles en agua y los que tienen
enlace covalente se disuelven en otros compuestos covalentes. Esta propiedad
tiene varias excepciones, la fundamental es que las sustancias que tienen
molculas con muchos tomos de oxgeno y que no son macromolculas son
solubles en agua porque los tomos de oxgeno se unen con los tomos de
hidrgeno del agua.
Prcticamente todos los compuestos formados con elementos situados a la

derecha de la tabla peridica tienen enlaces covalentes. En la vida corriente
seran todas las pinturas, disolventes, grasas, hidrocarburos, azcar, alcohol,
etc.

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Equilibrio de solubilidad
La aparicin de precipitados en una disolucin, introduce peculiaridades

propias en el tratamiento matemtico del equilibrio. Al producirse la
precipitacin, los balances de masas de las especies implicadas en la
misma, dejan de cumplirse pues parte de la masa que antes haba en la
disolucin a pasado al precipitado. Por contra, la disolucin permanece
saturada en las especies que forman el precipitado, de forma que se
cumple el producto de solubilidad:
a A + b B < = > Aa Bb
(1) Ks = [A]a [B]b

Esta expresin tambin se cumple, justo al inicio de la precipitacin,
cuando todava no hay precipitado, pero la disolucin ya se encuentra
saturada de A y B.
Un problema comn en equilibrios de precipitacin es la determinacin
de la solubilidad, s, de un precipitado en diversas condiciones
experimentales. La solubilidad se define como la concentracin del
precipitado que se haya en disolucin. En el caso anterior, si el
precipitado Aa Bb se aade en agua destilada, la solubilidad ser:
s = concentracin de Aa Bb disuelta = [A] / a = [B] / b
por lo que:
(2) Ks = (a s)a (b s)b
(3) s = (Ks / ( aa bb)) 1/(a+b)
La solubilidad puede disminuirse aadiendo a la disolucin, alguno de

los componentes del precipitado. Por ejemplo, si se aade una
concentracin C de A:
(4) Ks = (C + a s)a (b s)b
en general C >> s, por lo que:
(5) Ks = Ca (b s)b
Problema.- Determinar la solubilidad del sulfato de bario en agua

destilada y en una disolucin 0,1 M de Na 2SO4.
En este caso:
Ba2+ + SO42- < = > BaSO4
Ks = [Ba2+] [SO42- ] = s . s = 10 -9,97
s = 10 -4,985 M

Pg.5
Si la disolucin es adems 0,1 M en Na2SO4:
Ks = [Ba2+][SO42-] = s . (C + s) ~ s . C = 10 -9,97
s = 10 -8,97 M
Vemos como la solubilidad a disminuido considerablemente por efecto

del ion comn.
Equilibrios laterales
Los equilibrios laterales aumentan la solubilidad de los precipitados.

Esto se manifiesta en un aumento del valor de la constante de
solubilidad condicional:
(6) Ks' = [A']a [B']b = [A]a [B]b Aa Bb
Problema 4.13.- Una disolucin amortiguada a pH = 2 que es 1 M en

EDTA y 0.01 M en Pb2+ se satura en H2S precipitar el PbS?
La concentracin de una disolucin saturada de H 2S es 0,1 M. En primer

lugar plantearemos los equilibrios:
Pb2+ + S2- < = > PbS pKs = 26,6
Pb2+ + Y4- < = > PbY2- log KPbY = 18,0
Los equilibrios laterales son provocados por H +y OH-, y afectan al Pb2+,

al S2-, al Y4- y al PbY2-. Las constantes sern:
Pb2+ / OH- log = 6,2; 10,3 y 14,0
S2- / H+ log K = 12,9 y 7,05
Y4- / H+ log K = 11,0; 6,3; 2,5 y 1,9
PbY2- / H+ log KH = 2,8
De donde:
Pb = 1,000
S = 1015,95
Y = 1014,03
PbY = 7,31

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Por lo que las constantes condicionales sern:
Ks' = Ks Pb S = 10-10,65
KPbY' = KPbY PbY / ( Pb Y) = 10-4,83
Para saber si precipitar el PbS, evaluaremos la concentracin de Pb2+

libre que quedara en equilibrio con el EDTA:
[Pb2+] = 0,01 / (1 + KPbY' [Y'])
como [Y'] >> [Pb2+], podemos poner [Y'] = 1 M y por lo tanto:
[Pb2+] = 1,48 10-7 M
Como estamos a pH=2, nos encontramos claramente en la zona de

predominio del H2S, podemos poner [S '] = 0,1 y evaluar el producto
inico del precipitado:
[Pb2+] [S ' ] = 1,48 10-7 0,1 = 1,48 10-8 > Ks' = 2,24 10-11 M
por lo tanto el PbS precipitar.
Si queremos conocer la solubilidad del PbS en las condiciones del

problema, tendremos que obtener la concentracin de Pb 2+ en equilibrio
con el precipitado:
[Pb2+] = Ks / [S ' ] = 2,24 10-10 M
La solubilidad ser:
s = [Pb2+] + [PbY']
y la concentracin condicional de complejo:
[PbY'] = KPbY' [Pb2+] [Y'] = 1,515 10-5
y por lo tanto s = 1,515 10-5 M.
Factores que afectan la solubilidad:
Los factores que afectan la solubilidad son:
a) Superficie de contacto: La interaccin soluto-solvente aumenta cuando

hay mayor superficie de contacto y el cuerpo se disuelve con ms rapidez
( pulverizando el soluto).
b) Agitacin: Al agitar la solucin se van separando las capas de disolucin

que se forman del soluto y nuevas molculas del solvente continan la
disolucin.

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c) Temperatura: Al aument6ar la temperatura se favorece el movimiento de las
molculas y hace que la energa de las partculas del slido sea alta y puedan
abandonar su superficie disolvindose. generalmente un aumento de
temperatura facilita el proceso de disolucin de un soluto. Lo que se explica por
los siguiente hechos:
a. El calor suministrado al sistema aumenta la velocidad de difusin de las

partculas del soluto en el seno del solvente.
b. El calor suministrado es absorbido por las molculas del soluto,
debilitndose las fuerzas intermoleculares y facilitndose el proceso de
solvatacin.
Si embargo, existen casos en donde un aumento de temperatura disminuye la

solubilidad, como el caso del Ce2(SO4)3 el cual su solubilidad en agua a O C
es de 39,5 % mientras que a 100 C es de 2,5 %.
Existe otro caso como el del NaCl el cual una variacin de temperatura no
altera, apreciablemente la solubilidad. Otro caso muy particular es el Na 2S04 el
cual al aumentar la temperatura aumenta la solubilidad hasta alcanzar un
mximo, a partir de all un incremento de temperatura, disminuye la solubilidad.
Este comportamiento se debe a que a cierta temperatura los cristales de la sal
se hidratan provocando un descenso en la solubilidad.
La influencia de la temperatura en la solubilidad de las sustancias, para

algunas sustancias se han recogidos datos experimentales que han permitido
construir la grfica de solubilidad en funcin de la temperatura.
d) Presin: Esta influye en la solubilidad de gases y es directamente

proporciona. este es un factor que tiene efecto apreciable en la solubilidad de
gases. Experimentalmente se ha comprobado que la solubilidad del gas es
directamente proporcional a las presiones aplicadas.
e) La Naturaleza Del Soluto y Del Solvente: no existe una regla fija que
permite establecer una generalizacin en cuanto al fenmeno de la disolucin.
Cuando un soluto es agregado en un solvente se da un proceso de difusin de
las molculas del soluto hacia el seno de las molculas del soluto y del
solvente, lo cual ocurre solo y cuando entre las molculas del soluto y del
solvente se establezcan fuerzas interactivas capaces de vencer las fuerzas
intermoleculares existentes en el cuerpo a dispersar. Es por ello que los
solventes polares tienden a disolver a las sustancias de polaridad semejante,
aunque este proceso puede ser interferido por la existen de molculas ms
voluminosas que las del solvente y por ende, la existencias de fuerzas
intermoleculares superiores a las que podran establecerse entre el soluto y el
solvente

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EFECTO DE LA PRESION:
Campo de trabajo: el tomo
Los orgenes de la teora atmica se remontan a la

Grecia antigua, a la escuela filosfica de los
atomistas. La base emprica para tratar a la teora
atmica de acuerdo con el mtodo cientfico se
debe a un conjunto de trabajos aportados por
Lavoiser, Proust, Richter, Dalton, Gay-Lussac y
Avogadro, entre otros, hacia principios del siglo XIX.
tomo de Helio
El tomo es la menor fraccin de materia de inters directo para la qumica,

est constituido por diferentes partculas que poseen diferentes tipos de
cargas, los electrones con carga negativa, los protones con carga positiva y los
neutrones que como su nombre indica son neutros (sin carga); todos ellos
aportan masa para contribuir al peso del tomo. El estudio explcito de las
partculas subatmicas es parte del dominio de la fsica, la qumica slo est
interesada en estas partculas en tanto en cuanto stas definan el
comportamiento de tomos y molculas.
Conceptos fundamentales:
Partculas:
Los tomos son las partes ms pequeas de un elemento (como el carbono, el

hierro o el oxgeno). Todos los tomos de un mismo elemento tienen la misma
estructura electrnica (responsable esta de la gran mayora de las
caractersticas qumicas), pudiendo diferir en la cantidad de neutrones
(istopos). Las molculas son las partes ms pequeas de una sustancia
(como el azcar), y se componen de tomos enlazados entre s. Si tienen
carga elctrica, tanto tomos como molculas se llaman iones: cationes si son
positivos, aniones si son negativos.
Como los tomos, las molculas y los iones son muy pequeos, normalmente
se trabaja con enormes cantidades de ellos. El mol se usa como contador de
unidades, como la docena (12) o el millar (1000), y equivale a .
Se dice que 12 gramos de carbono, o un gramo de hidrgeno, o 56 gramos de
hierro, contienen aproximadamente un mol de tomos.
Dentro de los tomos, podemos encontrar un ncleo atmico y uno o ms

electrones. Los electrones son muy importantes para las propiedades y las
reacciones qumicas.
De los tomos a las molculas:
Los enlaces son las uniones entre tomos para formar molculas. Siempre que
existe una molcula es porque sta es ms estable que los tomos que la
Pg.9
forman por separado. A la diferencia de energa entre estos dos estados se le
denomina energa de enlace.
Generalmente, los tomos se combinan en proporciones fijas para dar

molculas. Por ejemplo, dos tomos de hidrgeno se ombinan con uno de
oxgeno para dar una molcula de agua. Esta proporcin fija se conoce como
estequiometra.
Momento de un dipolo:
Un campo elctrico es una regin donde una carga elctrica experimenta una
fuerza culombiana.
Un campo elctrico uniforme es aqul en el cual la magnitud y direccin de

son las mismas en todos los puntos. En consecuencia, en un campo semejante
las lneas de fuerza son paralelas.
(a) Un dipolo elctrico en un campo externo uniforme. (b)Una vista en

perspectiva para visualizar el momento producido.
Si se coloca un dipolo en un campo elctrico con las caractersticas

mencionadas, ambas cargas (+Q y -Q), separadas una distacia 2a,
experimentan fuerzas de igual magnitud y de sentido opuesto y , en
consecuencia, la fuerza neta es cero y no hay aceleracin lineal (ver figura (a))
pero hay un torque neto respecto al eje que pasa por O cuya magnitud esta
dada por: .
Teniendo en cuenta que y , se obtiene:

(1).
As, un dipolo elctrico sumergido en un campo elctrico externo ,

experimenta un torque que tiende a alinearlo con el campo:

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Los vectores respectivos se muestran en la figura (b).
Se define el momento dipolar elctrico como una magnitud vectorial con

mdulo igual al producto de la carga q por la distancia que las separa d, cuya
direccin es la recta que las une, y cuyo sentido va de la carga negativa a la
positiva:
Debe hacerse trabajo (positivo o negativo) mediante un agente externo para

cambiar la orientacin del dipolo en el campo. Este trabajo queda almacenado
como energa potencial U en el sistema formado por el dipolo y el dispositivo
utilizado para establecer el campo externo.
Si en la figura (a) tiene el valor inicial , el trabajo requerido para hacer

girar el dipolo, est dado por:
Teniendo en cuenta la igualdad (1):
Como solo interesan los cambios de energa potencial, se escoge la

orientacin de referencia de un valor conveniente, en este caso 90. As se
obtiene:
lo cual se puede expresar en forma vectorial:
Dielctricos
Un material no conductor como por ejemplo el vidrio, el papel o la

madera, se denomina dielctrico. Faraday descubri que cuando el espacio
entre los dos conductores de un condensador se ve ocupado por el dielctrico,
la capacidad aumenta en un factor k que es caracterstico del dielctrico y se
denomina constante dielctrica. La razn de este incremento es que el campo
elctrico entre las placas de un condensador se debilita por causa del
dielctrico. As, para una carga determinada sobre las placas, la diferencia de
potencial se reduce y la relacin Q/V se incrementa.
Un dielctrico debilita el cambo elctrico entre las placas de un
condensador pues, en presencia de un campo elctrico externo, las molculas

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del dielctrico producen un campo elctrico adicional de sentido opuesto al del
campo externo.
Si las molculas del dielctrico son molculas polares, es decir, poseen
momentos dipolares permanentes, estos momentos estn originalmente
orientados al azar. Pero en presencia de un campo existente entre las placas
del condensador, estos momentos dipolares experimentan la accin de un par
o momento que tiende a alinearlos en la direccin del campo. La magnitud de
alineacin depende de la fuerza del campo y de la temperatura. A temperaturas
elevadas, el movimiento trmico aleatorio de las molculas tiende a
contrarrestar la alineacin. En el caso en que las molculas del dielctrico no
sean polares poseern momentos dipolares inducidos en presencia del campo
elctrico existente entre las placas. Los momentos dipolares inducidos tienen la
direccin del campo original. Un dielctrico que tiene momentos dipolares
elctricos predominante en la direccin del campo externo, se dice que est
polarizado por el campo, bien sea porque la polarizacin se deba a la
alineacin de los momentos dipolares permanentes de la molculas polares o
bien a la creacin de momentos dipolares inducidos en el caso de las
molculas no polares. En cualquier caso, la alineacin de los dipolos
moleculares produce un campo elctrico adicional debido a los dipolos cuyo
sentido es opuesto al del campo original. El campo original se ve as debilitado.
El efecto neto de la polarizacin es de un dielctrico homogneo es la
creacin de una carga superficial sobre las caras del dielctrico prximas a las
placas. Es esta carga superficial, ligada al dielctrico, la que produce un campo
elctrico opuesto a la direccin del engendrado por la carga libre de los
conductores. As, el campo elctrico entre las placas se debilita.
Si el campo elctrico original entre las placas de un condensador sin
dielctrico es E0 el campo en el dielctrico es:
Momentos dipolares dbiles. . Los momentos dipolares, por ejemplo

elctricos y magnticos, son magnitudes caractersticas de cada partcula
elemental y su inters radica en que dan informacin acerca de las
propiedades de transformacin ante las simetras discretas de las
interacciones. Por ejemplo, un momento dipolar elctrico para una partcula
elemental indicara una ruptura de la invarianza temporal. En el grupo se
estudian los momentos dipolares de las partculas elementales ms pesadas,
proponiendo observables adecuados para su medida y calculando las
predicciones del Modelo Estndar y algunas de sus extensiones para estas
magnitudes.
Dipolo elctrico
Un dipolo elctrico es un sistema de dos cargas de signo opuesto e igual

magnitud cercanas entre s.
Los dipolos aparecen en cuerpos aislantes o dielctricos. A diferencia de lo que

ocurre en los materiales conductores, en los aislantes los electrones no son
libres. Al aplicar un campo elctrico a un material dielctrico este se polariza

Pg.12
dando lugar a que los dipolos elctricos se reorienten en la direccin del campo
disminuyendo la intensidad de ste.
Momento dipolar en la molcula de agua
Es el caso de la molcula de agua. Aunque tiene una carga total neutra (igual
nmero de protones que de electrones), presenta una distribucin asimtrica
de sus electrones, lo que la convierte en una molcula polar, alrededor del
oxgeno se concentra una densidad de carga negativa, mientras que los
ncleos de hidrgeno quedan desnudos, desprovistos parcialmente de sus
electrones y manifiestan, por tanto, una densidad de carga positiva. Por eso en
la prctica, la molcula de agua se comporta como un dipolo.
As se establecen interacciones dipolo-dipolo entre las propias molculas de

agua, formndose enlaces o puentes de hidrgeno. La carga parcial negativa
del oxgeno de una molcula ejerce atraccin electrosttica sobre las cargas
parciales positivas de los tomos de hidrgeno de otras molculas adyacentes.
Aunque son uniones dbiles, el hecho de que alrededor de cada molcula de

agua se dispongan otras cuatro molculas unidas por puentes de hidrgeno
permite que se forme en el agua (lquida o slida) una estructura de tipo
reticular, responsable en gran parte de su comportamiento anmalo y de la
peculiaridad de sus propiedades fsicoqumicas.
Constante dielctrica
Un dielctrico es un material no conductor (vaco, aire, papel, etc) Para cada

material dielctrico existe un factor K (kappa) llamado, constante dielctrica.
Ejemplo: Entre las paredes de un capacitor se coloca un material dielctrico,
aumentando la capacidad del mismo. Si en un capacitor de capacidad q se le
aade un material dielctrico, aquel adquiere una nueva capacidad Q, siendo
Q > q.
CQ / Cq = K; CQ = K * Cq
La constante dielctrica es una propiedad macroscpica. Se suele representar

con la letra psilon mayscula. Define la polaridad de una sustancia, y guarda
estrecha relacin con el momento dipolar total de cada una de las molculas
que conforman esa sustancia. En su valor influyen muchos factores, como el
peso molecular, la forma de la molcula, la direccin de sus enlaces (geometra
de la molcula) o el tipo de interacciones que presente.

Pg.13
Fuerza sobre un dielctrico
Por qu los objetos dielctricos se mueven hacia los campos elctricos ms

intensos?
En un condensador de plano-paralelo el campo no est confinado en el interior

del condensador, sino que es intenso entre las placas y disminuye rpidamente
fuera de las mismas. Si las placas estn separadas una distancia pequea en
comparacin con sus dimensiones, podemos considerar despreciable el campo
fuera de las mismas.
Sin embargo, este campo no homogneo es el responsable de la atraccin que

experimenta un dielctrico que se acerca a las proximidades de un
condensador cargado.
Un dielctrico en un campo elctrico presenta cargas inducidas en su

superficie, negativas cerca de la placa positiva y positivas cerca de la placa
negativa. Como vemos en la figura la carga inducida negativa (positiva) est
ms cerca de la placa positiva (negativa) de la placa del condensador, existe
una fuerza neta sobre el cuerpo dielctrico que lo arrastra hacia el interior del
condensador.
Si mantenemos V constante (la batera permanece conectada al condensador).

La energa del condensador cargado es
Vamos a calcular fuerza sobre el dielctrico
Si V permanece constante, al introducir el dielctrico su capacidad C

aumenta y su energa U aumenta .
La fuerza acta en el sentido en el que aumenta la energa del condensador.
Si se mantiene la carga Q fija (la batera carga al condensador y luego

se desconecta).
Pg.14
Si mantenemos Q constante al introducir el dielctrico C aumenta y U

disminuye.
El signo negativo indica que la fuerza tiene el sentido en el que disminuye la

energa almacenada en el condensador
Efecto sobre los dielctricos lquidos
Vamos a considerar dos casos:
La superficie del dielctrico es paralela a las lneas de campo elctrico
Consideremos un condensador plano-paralelo cuyas armaduras son

perpendiculares a la superficie de un dielctrico lquido de constante dielctrica
k. Cuando introducimos el condensador en el recipiente que contiene el
dielctrico su superficie libre se eleva entre las placas del condensador, tal
como se muestra en la figura.
Sean a y b la dimensiones de la
placa rectangular, Si el dielctrico
est introducido una longitud x en el
condensador su capacidad es la
suma de las capacidades de dos
condensadores uno de longitud x
con dielctrico y otro de longitud a-x
en el vaco.
Si la diferencia de potencial en el condensador V permanece constante,

entonces la fuerza vertical que se ejerce sobre la superficie libre del lquido
dielctrico, perpendicularmente a las lneas del campo es
Esta es la fuerza que hace que el lquido ascienda

Pg.15
En el equilibrio la fuerza que ejerce el campo

elctrico sobre el dielctrico Fx se iguala al peso de
la columna de lquido mg= gbhd.
(1)
La presin p que hace la columna de lquido de altura h es
Donde E=V/d es la intensidad del campo elctrico entre las placas del
condensador vaco.
La presin, en la superficie de separacin entre dos medios dielctricos es

proporcional al cuadrado de la intensidad del campo elctrico E.
Constante Dielctrica
Hemos definido una constante , llamada susecptibilidad dielctrica, que

relaciona la polarizacin con el campo elctrico, para medios materiales
lineales, istropos y homogneos (en adelante, LIH, para abreviar). La relacin
, se puede expresar como una relacin entre los vectores y , que

tiene la forma
Se acostumbra a definir la 'constante dielectrica', como
De lo que hemos dicho, es fcil ver la relacin que existe entre las diferentes
constantes , y .
Para referencia futura, incluyamos algunas definiciones

Pg.16
Medio Lineal: Es un material en que la relacin entre y es una
funcin lineal. Esto quiere decir que dicha relacin se puede expresar en
la forma
En otras palabras, los elementos ( i,j = 1,2,3) forman una matriz

simtrica.
Medio Istropo: Es un material cuyas propiedades dielctricas no

dependen de la orientacin del material. En el caso de lo medios que
son adems lineales, esto significa que la relacin se expresa como
(i=1,2,3)
Medio Homogneo: Es un material cuyas propiedades dielctricas son

las mismas en todo punto del material. Si el medio es lineal, la (o las)
son constantes, indpendientes de la posicin en el material.
Contraste Dielectrico:
La denominada era de la informacin que actualmente vivimos es producto de

la revolucin tecnolgica derivada del fuerte desarrollo de la microelectrnica
en las ltimas dcadas. Dicho desarrollo se ha basado principalmente en el
transistor como componente bsico y se ha puesto de manifiesto por la
miniaturizacin de los componentes electrnicos ya que en el espacio de
tiempo de unos aos hemos pasado de circuitos milimtricos a micromtricos
(mil veces ms pequeos que un milmetro) y a nanomtricos (un milln de
veces ms pequeos). Este progreso ha propiciado la integracin en
microchips de cantidades ingentes de transistores y con ello la dificultad de
disipar grandes cantidades de energa. sta, en forma trmica, se origina
principalmente por las corrientes usadas como portadores de informacin entre
componentes del microchip y ha estimulado la bsqueda de formas alternativas
de transmisin de informacin. Aqu entra en juego la nanofotnica que intenta
dar solucin a este y otros problemas por medio del uso de la luz como
portador de informacin. Si sustituyramos los cables de cobre dentro de los
chips por conductos fotnicos no slo evitaramos en buena medida la
disipacin trmica en los componentes pasivos del chip sino que podramos
alejar y favorecer la disipacin en los componentes activos. Si a esto aadimos
que las fuentes de luz pueden ser integradas en los propios chips
(microlseres) y que los componentes fotnicos pueden ser dotados de
funciones activas y de control (lgica fotnica) el futuro de la fotnica
(electrnica asistida por fotnica) es sin duda brillante. Todas estas soluciones
son objeto de intensa investigacin hoy da y no slo ofrecen soluciones a la

Pg.17
electrnica, que las demanda fuertemente, sino a otros frentes tecnolgicos
como sensores y, un paso ms all la fotnica molecular que supone la
miniaturizacin mxima.
De entre todos estos componentes que

pueden tener su fundamento en la
fotnica resaltamos tres ejemplos
paradigmticos. Los cristales fotnicos
pueden ser la nueva materia prima para
fabricar circuitos fotnicos. Esto incluye
tanto fuentes lser de tamao
submicromtrico como canales de
conduccin (guas pticas) como
componentes lgicos (amplificadores,
transistores fotnicos etc.). La magneto-
fotnica que puede proveer herramientas de control de luz as como de
deteccin. Y, finalmente, la plasmnica que hace uso de los metales para la
alta concentracin de luz en volmenes de dimensiones menores que la
longitud de onda, para transportar luz por la superficie nano-estructurada de un
metal o para ayudar a transmitir luz a travs de agujeros muy pequeos en
comparacin con su longitud de onda.
2. Cristales Fotnicos
Los actuales circuitos electrnicos y el procesado de informacin estn

basados en el estricto control de las propiedades de transporte de carga, de las
corrientes, en el interior de estas estructuras. Entre otras cosas, dicho control
depende de una propiedad fundamental de los semiconductores, como el
silicio, llamado intervalo de energa prohibido (gap, en ingls): un rango de
energas en el que los electrones ven bloqueada su propagacin por el
semiconductor. El control de dicho gap electrnico proporciona un grado de
versatilidad enorme en el manejo de las corrientes electrnicas y fue el germen
del que naci el elemento bsico de la microelectrnica: el transistor. Desde la
invencin del lser, la comunicacin ptica (transmisin y procesado de
informacin por medio de impulsos de luz en lugar de impulsos elctricos) ha
progresado rpidamente. Su xito se ha basado, por un lado, en la eficacia y
rapidez de las fibras pticas en transmitir seales (la luz viaja mucho ms
rpido y sin resistencia) y, por otro, gracias al desarrollo de los diferentes
dispositivos que a modo de interruptores, divisores, etc. hacen que la luz pueda
propagarse por circuitos pticos de forma similar a como los electrones lo
hacen por los circuitos electrnicos. Hay sin embargo una diferencia entre
estas dos tecnologas: mientras las comunicaciones pticas slo se han hecho
fuertes en la transmisin de enormes cantidades de datos a grandes
distancias, la tecnologa electrnica, con medio siglo de ventaja, ha sido capaz
de alcanzar tal nivel de miniaturizacin y de eficiencia en el procesado de
seales que ha provocado una revolucin tecnolgica a finales del siglo
pasado. Sin embargo, este desarrollo descomunal tiene que hacer frente a
diversos problemas que surgen cuando el grado de integracin se acerca a la
escala cuntica, o, simplemente, cuando el calor generado en dicha escala es
difcil de disipar.

Pg.18
Con el afn de suplir, o aliviar, estas carencias, se ha venido proponiendo que
los fotones sean usados de forma similar en vista de su mayor rapidez y menor
disipacin. El control de los fotones a nivel micro o nanoscpico (en tamaos
reducidos) requiere primeramente el desarrollo de materiales semiconductores
de fotones, es decir, el silicio de los fotones, con propiedades similares a los
electrnicos pero aplicadas a la luz: deben posibilitar el guiado de luz (a modo
de cable), y deben poseer un intervalo de energas prohibido, (gap fotnico)
similar al de los electrones (gap electrnico). La introduccin hace casi veinte
aos del concepto de cristal fotnico por Eli Yablonovitch y Sajeev John apunta
en esa direccin. stos son materiales micro y nanoestructurados con
formaciones ordenadas de agujeros (o inclusiones) que podran conducir a una
revolucin optoelectrnica, haciendo con luz lo que los semiconductores hacen
con electrones.
En esencia, un cristal fotnico es un material compuesto por mltiples

elementos peridicamente distribuidos que dispersan la luz de una manera
coherente y conjunta, cooperativa. Este hecho produce, de manera similar a lo
que ocurre con los electrones en los semiconductores, un rango de energas
prohibido para la propagacin de los fotones, en este caso, un gap fotnico.
Mediante la combinacin y estructuracin de estos elementos es posible
disear circuitos fotnicos similares a los electrnicos, con sus cables,
interruptores, divisores, etc. Estamos pues ante unos materiales con los que,
en un futuro cercano, se pueden microchips para la luz.
Los parmetros que definen un cristal fotnico (y de los que dependen sus
propiedades) son principalmente cuatro: Simetra, o en qu forma estn
distribuidos los elementos dispersores, Contraste Dielctrico, que es la relacin
de ndices de refraccin de los materiales que forman el cristal (en el caso de
agujeros, su ndice de refraccin sera 1 en el aire y n en el material), Factor de
Llenado, o relacin de volmenes entre el material y los agujeros y finalmente
el parmetro de red, o periodo, que nos fijar el rango energtico donde
operaciones situar el gap.
El primer cristal fotnico que funcion se hizo partiendo de un bloque de

material cermico en el que se practicaron tres conjuntos de agujeros. En cada
grupo los agujeros eran paralelos entre s y formando 35 grados de inclinacin
con la vertical. El material as fabricado se ha denomin Yablonovita en honor a
su inventor. En dicho diseo los agujeros eran de seis milmetros de dimetro y
su distribucin peridica cortaba ondas de radio de entre 13 y 16 gigahertzios.
En algo menos de 20 aos se ha reducido la escala hasta el rango ptico

(longitudes de onda inferiores a la micra) y se han desarrollado algunas
aplicaciones basadas en la fabricacin de circuitos fotnicos. En stos la luz es
guiada por conductos rodeados de cristal fotnico que impide que la luz se
escape ya que se comportan como un material opaco. Asimismo se han
fabricado nuevas fibras pticas, cuya envoltura est constituida por un cristal
fotnico, que presentan espectaculares prestaciones y han permitido, por
ejemplo, fabricar fuentes de luz de amplio espectro por generacin de
supercontinuo. La imposibilidad de propagacin fue inicialmente propuesta
para anular la emisin espontnea (principal fuente de prdidas en numerosos

Pg.19
dispositivos electrnicos y optoelectrnicos) y para localizar luz (y almacenar
informacin). Aunque la aplicacin directa de esta idea ha permitido la
fabricacin de lseres de bajo umbral, este concepto ha dado lugar a nuevas
expectativas e interesantes aplicaciones tanto tecnolgicas como
fundamentales. La microestructura de los cristales fotnicos que produce
selectividad en la propagacin de distintas longitudes de onda en distintas
direcciones se traduce en irisaciones. Este mecanismo se puede explotar para
obtener color estructural sin necesidad de pigmentos que, en numerosos
casos, son costosos productos txicos.
Los mtodos de fabricacin propuestos y usados han sido tan diversos como la
imaginacin puede crear pero podemos hacer una clasificacin simple entre lo
que llamaremos "de arriba abajo" (top down) y "de abajo arriba" (bottom up).
Los primeros se basan en el procesado por mtodos foto-litogrficos prestados
de tecnologas maduras, a menudo costosos y tecnolgicamente complejos.
Otras tcnicas incluyen la litografa hologrfica, o la prometedora escritura
directa por lser. sta se basa en la polimerizacin, por absorcin de dos
fotones, de una resina fotosensible en que se dibuja por medio de un lser, a
modo de pincel. Posteriormente se revelan y extraen las estructuras por
disolucin de la parte no expuesta. Los segundos, tambin llamados de auto-
ensamblado, estn basados en la tendencia natural de ciertos sistemas
(molculas, virus, micropartculas, etc.) a auto-ordenarse. La naturaleza provee
numerosos ejemplos como los palos, las plumas de los pavos reales o los
colores de las alas de ciertas mariposas.
Figura 1: palo inverso obtenido tras infiltrar un

palo artificial, formado al ordenar esferas
submicromtricas, con un material y disolver la
matriz inicial. El mtodo permite fcilmente
ensamblar grandes cantidades de material
comparado con los mtodos de arriba abajo. La
posibilidad de posterior infiltracin con otros
materiales potencia sus posibilidades
Uno de los mtodos de abajo arriba de mayor

uso es el ensamblado de palos artificiales. Se
trata de empaquetamientos compactos de esferas (habitualmente de slice o de
polmero) que se fabrican por sedimentacin natural de una suspensin
coloidal de dichas nanoesferas. Estos sistemas se han revelado
extraordinariamente tiles por su gran versatilidad para ser usados como
armazones de arquitecturas ms complejas. De hecho la infiltracin de estas
estructuras con materiales como el silicio dio lugar al primer cristal 3D con un
intervalo fotnico completo a la longitud de onda de las comunicaciones pticas
(1.5 m). Estos mtodos pueden ser combinados con otras tcnicas como la
escritura directa por lser para definir estructuras (guas, circuitos, etc) en el
interior del material.
Los mtodos de arriba abajo destacan por su versatilidad, la cual ocurre a

expensas de una complejidad experimental y coste econmico elevado, pero
que sin embargo los dota de una potencia extraordinaria para producir tanto

Pg.20
sistemas 2D como 3D por medio de lo que se conoce como fabricacin capa a
capa. sta comienza por la definicin litogrfica de motivos que son fijados por
mtodo qumicos o fsicos en obleas de semiconductor. En un segundo paso
se rellenan los huecos y planariza el conjunto con un material de sacrificio para
depositar una nueva capa de semiconductor y se repite el proceso. Finalmente,
se disuelve el material sacrificial para obtener la estructura final. Como la
definicin se hace capa a capa se puede incluir cualquier motivo en su interior
como guas de onda, resonadores, fuentes de luz, detectores, etc. que quedan
enterrados al continuar el crecimiento del resto de la estructura.
Un buen ejemplo de este tipo es la fabricacin de cristales fotnicos 3D

combinando capas de barras y capas de agujeros. El proceso consiste en la
definicin y vaciado litogrfico de una red 2D hexagonal de agujeros en silicio
que se rellenan con slice para, a continuacin cubrirlos de nuevo con una capa
de silicio. Aqu se inicia de nuevo el proceso realizando esta vez los agujeros
desplazados en relacin con la capa anterior. Si se hacen ms profundos que
el espesor de la capa depositada los agujeros alcanzarn, en parte, la capa
anterior (donde ya hay agujeros rellenos de slice) de modo que en ciertas
subcapas los agujeros solapan dejando en rodeando lo que sern columnas.
As se definen capas de capas de agujeros y de columnas que, tras el vaciado
de toda la slice, simulan los enlaces atmicos del diamante: tres brazos en un
plano y el cuarto definido por una columna en su interseccin. La virtud de este
mtodo es que en slo cuatro procesos litogrficos se consiguen siete capas
activas.
Un ejemplo prominente de aplicacin de los cristales fotnicos es la fabricacin

de un lser basado en la inhibicin de emisin espontnea por medio de un
gap fotnico. En este caso, y como material base, se usa un pozo cuntico
mltiple como fuente de emisin pero se combina con un cristal fotnico
formando una red de agujeros de tamao nanomtrico vaciados
litogrficamente. A diferencia de un lser ordinario de estado slido, en ste la
emisin ocurre en una zona muy reducida -definida por la ausencia de unos
pocos agujeros que constituyen una microcavidad dentro del cristal fotnico- y
que incrementan fuertemente la eficiencia del laser. Todo el dispostivo (ver
Figura 3) no ocupa ms que unas micras y se puede hacer funcional con
corrientes de alimentacin de algunos microamperios.
Figura 2: Cristal fotnico 3D fabricado capa

a capa por litografa. Las capas compuestas
por agujeros (menores de una micra en
dimetro) separados por brazos en estrella
y las capas compuestas por columnas se
alternan simulando los enlaces qumicos de
una red de diamante

Pg.21
Figura 3: Esquema de lser

basado en cristal fotnico 2D. La
falta un agujero constituye una
microcavidad (menos de una
micra de tamao) donde se
concentra el campo
electromagntico. El material de
que est constituido el cristal
fotnico es un pozo cuntico
mltiple (multicapa
semiconductora) que por s solo
constituira in diodo emisor de luz
(LED). El pilar central en la base
sirve como electrodo posterior
mientras que el anillo dorado en la cara superior es el electrodo frontal. El cristal
fotnico impide que la emisin salga por los laterales del dispositivo y hace que
se canalice verticalmente desde la cavidad central
3. Magneto Nanofotnica
En 1845 Michael Faraday descubri que un vidrio poda adquirir actividad

ptica al aplicar un campo magntico. Faraday observ que plano de
polarizacin de la luz giraba cuando se aplicaba un campo magntico paralelo
a la direccin de propagacin de la luz. Treinta y dos aos despus John Kerr
tambin observ un efecto similar en la luz reflejada por la pieza polar de un
electroimn, pieza que era de metal ferromagntico. Ambos efectos, conocidos
en la actualidad como Efecto Faraday y Efecto Kerr, son las dos caras de un
mismo fenmeno relacionado con la modificacin que sufren las propiedades
pticas de los materiales al aplicar un campo magntico. Esta modificacin se
manifiesta de diferentes formas dependiendo de la orientacin relativa del
campo magntico aplicado, direccin de propagacin y polarizacin de la luz.
Por ejemplo, en la figura 4 vemos tres casos que ilustran los cambios que se
pueden producir en la luz reflejada por un material magneto-ptico.
Figura 4. Diferentes configuraciones de aplicacin del campo magntico y las

propiedades pticas que se modifican
La posibilidad de controlar las propiedades de transmisin de la luz aplicando

un campo magntico ha abierto las puertas al desarrollo de diversos tipos de

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dispositivos fotnicos activos, es decir dispositivos controlados por un agente
externo, cuya funcin depende de cmo se aplique el campo magntico. En la
actualidad existen diferentes materiales con efecto magneto-ptico apreciable
a campos magnticos bajos, y que ya se estn utilizando en diversas
aplicaciones tales como el almacenamiento de informacin o el control de las
comunicaciones pticas. As, para aplicaciones de almacenamiento de
informacin (discos magneto-pticos), se utilizan metales o aleaciones
metlicas ferromagnticas. En estos discos hay zonas (de unos cientos de
manmetros de tamao) que se encuentran imanadas perpendicularmente a la
superficie y en direcciones opuestas (hacia arriba o hacia abajo) constituyendo
los bits de informacin. Dependiendo de la orientacin de la imanacin en la
zona, la luz reflejada tendr su plano de polarizacin girado en uno u otro
sentido, lo que permite leer la informacin del disco. Por otra parte, en las
aplicaciones relacionadas con las comunicaciones pticas (dispositivos pticos
integrados tales como los aisladores y moduladores) se utilizan materiales
transparentes. Para estas aplicaciones los materiales ms utilizados hasta la
fecha han sido los granates. Hay diversos tipos de granates y, si bien todos
ellos son transparentes en la zona del infrarrojo, presentan absorcin ptica en
la zona el visible. Esto hace necesario el desarrollo de nuevos materiales que
presentes propiedades pticas y magneto-pticas adecuadas en el rango de
longitudes de onda requerido. Muy recientemente se han empezado a
desarrollar materiales formados por nanopartculas de metales ferromagnticos
embebidos en matrices transparentes. Estos materiales presentan efectos
magneto-pticos elevados y una absorcin ptica aceptable en la zona del
visible.
Existen diversas formas de obtener estos materiales, por ejemplo, partiendo de

una lmina de aluminio mediante un proceso de anodizacin electroqumica se
puede obtener una lmina de almina porosa (oxido de aluminio con poros en
su interior). El tamao de los poros de la capa de almina se puede controlar y
varia entre 30 y 180nm y la distancia entre ellos es de unos cientos de
manmetros. Mediante un adecuado control de las condiciones de elaboracin
o empleando lminas pre-tratadas se puede conseguir capas de almina
porosa donde los poros presentan un ordenamiento hexagonal perfecto. Estos
agujeros se pueden rellenar con otros materiales como por ejemplo un metal
ferromagntico, lo que da lugar a que la capa as obtenida tenga propiedades
magneto-pticas inducidas por el metal ferromagntico que rellena los poros.
El control del tamao de los poros y las distancias entre ellos permite la
obtencin de materiales con propiedades magneto-pticas diferentes, las
cuales pueden ser superiores a los materiales masivos de partida.
En la figura 5 se muestra un esquema de estas nanoestructuras formadas por

hilos de nquel en un entorno de almina. A pesar de que la cantidad de Ni en
las muestras es de slo el 18% en lugar de obtener una rotacin Kerr 5 veces
menor, por la reduccin de la cantidad de material magneto-ptico, si los hilos
tienen un dimetro de 40 nm los valores de rotacin Kerr que se obtienen en el
visible son equivalentes e incluso superiores a los del Ni masivo.

Pg.23
Figura 5. Esquema de una nanoestructura de hilos de nquel en almina, junto

con micrografas de dos nanoestructuras con la misma densidad de hilos de
nquel (18%) pero con tamaos de hilos diferentes. Hilos de nquel de 180 nm
separados por 500 nm e hilos de 40 nm separados 105 nm respectivamente
Pero la nanoestructuracin no slo permite conseguir aumentar los efectos

existentes en los materiales macroscpicos, adems permite manipular la
respuesta. Por ejemplo, si en lugar de utilizar hilos de 40nm de dimetro
utilizamos hilos de 180nm de dimetro la rotacin Kerr en el visible disminuye
radicalmente y aumenta en la zona del infrarrojo. Esto es extremadamente til,
ya que permite el diseo de materiales prcticamente a la carta, con
propiedades pticas y magneto-pticas adecuadas en el rango de energa
deseados. As mismo, se puede disear el material de forma que las
interacciones magnticas entre los componentes del material permitan que los
efectos sean claramente visibles a campos magnticos suficientemente bajos,
de tal manera que el dispositivo sea lo ms compacto posible y permita
fcilmente su integracin.
Las nanoestructuras que hemos presentados en el ejemplo anterior son

fundamentalmente dielctricas. No obstante para muchas aplicaciones en
nanofotnica se requiere la utilizacin de materiales metlicos para propagar la
luz (ptica de plasmones). En este caso la utilizacin de metales que tengan
propiedades pticas que se puedan modificar por un campo externo, por
ejemplo un campo magntico, puede permitir desarrollar nuevos dispositivos
para el control y manipulacin de la luz. Estos materiales se pueden fabricar
introduciendo nanopartculas de metales ferromagnticos en matrices de
metales nobles. El material as obtenido tiene propiedades magneto-pticas,
inducidas por las nanopartculas ferromagnticas, y propiedades pticas
parecidas a los metales nobles, en particular presentan resonancias de
plasmon no amortiguadas. Existen diversas posibilidades para fabricar estas
nanoestruturas: una forma es generar por mtodos qumicos capas de
nanopartculas tipo cebolla cuyo ncleo es un metal ferromagntico y cuya
envoltura es un metal noble, otra es mediante tcnicas de deposicin de capas
delgadas. En estos sistemas los tomos del metal ferromagntico, que
proceden de un blanco o fuente, se depositan sobre un sustrato en cuya
superficie hay depositada una fina lmina de metal noble. Los tomos de metal
ferromagntico se agregan en la superficie para formar nanopartculas. El
tamao de las mismas y su concentracin se pueden variar modificando las
condiciones de deposicin (temperatura del sustrato y cantidad de material
depositado).

Pg.24
Posteriormente a la deposicin del metal ferromagntico se deposita una capa
de metal noble, quedando las partculas embebidas en la matriz de metal
noble. La capas as obtenidas se pueden utilizar para diversos dispositivos y en
particular para biosensores de resonancia de plasmn. En este campo se han
desarrollado ya los primeros prototipos de biosensores magneto-pticos, que
muestran sensibilidades cinco veces superiores a los biosensores pticos
convencionales. Mediante un adecuado diseo de los materiales se espera que
esta sensibilidad pueda llegar a ser 50 veces superior a la de los biosensores
actuales.
Figura 6. Ejemplo de estructuras complejas de metal noble combinadas con

material magneto-ptico
4. Plasmnica:
La superficie de un metal est decorada por lo que se conocen como

plasmones superficiales. Estos son bsicamente modos electromagnticos que
se propagan por la superficie de un metal y que se originan en el proceso de
interaccin de luz con los electrones libres del material. Una caracterstica
importante es que estos modos permiten la alta concentracin de luz en las
superficies metlicas en volmenes de dimensiones mucho menores que la
longitud de onda de la luz incidente. Esta propiedad ha permitido el uso de
nano-estructuras metlicas desde hace unos veinte aos como sensores
qumicos basados en el fenmeno conocido como Surface Enhanced Raman
Scattering (SERS). Menos utilizada ha sido la propiedad de los plasmones de
transportar luz de un punto a otro de una superficie metlica. La razn radica
en que en ese proceso de transporte parte de la luz es absorbida por el metal.
En metales con poca absorcin en el rango visible como el oro o la plata, la
longitud tpica de propagacin es del orden de 100 micras (para distancias
mayores que este valor, la intensidad de la luz ha decado a un valor ms
pequeo que 1/e del valor inicial). Este valor para la longitud de propagacin es
demasiado pequeo si estamos pensando en llevar luz de un punto a otro a
travs de grandes distancias mediante un cable metlico pero resulta
suficientemente grande si pretendemos construir circuitos pticos de
dimensiones de unas pocas micras. Por otro lado, el hecho de que en un metal
se pueda transportar al mismo tiempo luz (en forma de plasmones
superficiales) y corriente elctrica hace que este tipo de materiales sean muy
prometedores. Es por ello que el inters por las propiedades de transporte de
los plasmones de superficie ha crecido enormemente en los ltimos diez aos
y de hecho podemos decir que ha surgido una nueva rama de investigacin
dentro de la ptica que ya se conoce como Plasmnica. El objetivo ltimo de
esta rama de investigacin sera poder hacer ptica en dos dimensiones: poder
llevar luz de un punto a otro en la superficie de un metal utilizando para ello
dispositivos pticos anlogos a las lentes, espejos, etc. que se utilizan en

Pg.25
ptica tradicional o incluso construir circuitos fotnicos basados en las
propiedades de transporte de los plasmones superficiales.
En la figura 7 mostramos un ejemplo de espejo para plasmones realizado por

el grupo experimental que dirige Joachim Krenn en la Universidad de Graz [4]).
Este espejo consiste bsicamente en 5 hileras de esferas de oro de
dimensiones nanomtricas dispuestas peridicamente sobre una superficie de
oro. Las distancias entre esferas y entre hileras estn elegidas de tal forma que
un plasmn de una longitud de onda determinada es reflejado totalmente
cuando incide sobre este sistema.
Figura 7. Conjunto peridico de nano-

estructuras metlicas que acta como espejo
para un plasmon superficial que viene por la
izquierda de la imagen
Como ya se mencion anteriormente el gran

cuello de botella para transportar luz de un
punto a otro en escalas pequeas es poder
cambiar la direccin de la propagacin de la
luz. Una de las estrategias ms exitosas en
este empeo ha sido crear guas de ondas
rodeadas de cristales fotnicos metlicos bi-
dimiensionales (bsicamente conjuntos
peridicos de protuberancias metlicas).
Como en el caso de los cristales fotnicos
dielctricos, el periodo de estas estructuras es
elegido de tal forma que la propagacin de un plasmn dentro de este sistema
est prohibida (en trminos ms precisos, que la longitud de onda del plasmn
est dentro del gap fotnico del cristal fotnico metlico). De esta forma la luz
en forma de plasmn se propagar dentro de la gua de onda construida y no
por el resto de la superficie. Un ejemplo de embrin de circuito plasmnico
basado en este tipo de ideas se muestra en la figura 8 y corresponde a un Y-
splitter creado por el grupo experimental que dirige Sergey Bozhevolnyi en
Aalborg (Dinamarca) [5]. Sin embargo, el problema de todos estos dispositivos
basados en la existencia de gap fotnico en la estructura peridica metlica es
que parte de la intensidad de luz que se transporta se pierde durante el
proceso no tanto por absorcin por el metal sino por radiacin al aire haciendo
que la longitud efectiva de propagacin de los plasmones en este tipo de
circuitos sea de unas pocas micras en lugar del valor de 100 micras cuando el
plasmn se propaga por una superficie de metal que no presentan nano-
estructuracin. Quizs la mejor forma de utilizar los plasmones superficiales
para transportar luz a travs de una superficie metlica sea horadando canales
en forma de V (V-grooves) de tal forma que se puedan excitar los llamados
channel plasmon polaritons (un tipo especial de plasmones superficiales que
presentan alto confinamiento electromagntico y largas longitudes de
propagacin). Recientemente se ha demostrado que estos modos
electromagnticos pueden tener longitudes de propagacin de hasta 100
micras [6].

Pg.26
Aparte de las propiedades antes mencionadas de los plasmones superficiales
de almacenar luz en volmenes muy pequeos y de transportar luz a lo largo
de una superficie metlica, desde el ao 1998 se sabe que los plasmones
superficiales sirven tambin para transmitir luz a travs de agujeros de
dimensiones ms pequeas que la longitud de onda de la luz incidente. En un
artculo seminal aparecido en Nature [7], el grupo experimental de Thomas
Ebbesen en Princeton (USA) demostr que la transmisin de luz a travs de
agujeros muy pequeos en comparacin con la longitud de onda de la luz
poda aumentar en varios rdenes de magnitud si stos agujeros estaban
dispuestos de forma peridica sobre una superficie de oro o plata. Este
fenmeno era resonante y apareca para un valor concreto de la longitud de
onda de la luz incidente. Ya en ese artculo se sugiri que los plasmones
superficiales eran los responsables de este fenmeno de transmisin
extraordinaria. Esta visin se ha visto corroborada por diversos estudios
tericos llevados a cabo por diferentes grupos de investigacin durante los
ltimos aos. Aparte de su inters desde el punto
de vista fundamental, se han sugerido diversas
aplicaciones prcticas del fenmeno: desde la
nano-litografa al desarrollo de pantallas, pasando
por el diseo de bio-sensores o de dispositivos
activos (puertas pticas) introduciendo en este tipo
de estructuras materiales no-lineales.
El anlisis terico de este fenmeno de transmisin extraordinaria demostr

que el ingrediente fundamental para observarlo era la periodicidad de la
estructura que permita el acoplo de la luz incidente con los plasmones
superficiales. Por tanto, se sugiri que un nico agujero rodeado de una
estructura peridica de trincheras (vase panel (a) en Figura 9) podra dar
lugar al mismo fenmeno. Esta hiptesis terica se verific experimentalmente
en 2002 [8]. En este mismo trabajo se demostr tambin que si esta corrugacin
se creaba tambin rodeando a la superficie de salida del agujero, la luz en vez
de emerger difractada en todas direcciones como ocurre cuando el agujero
tiene dimensiones menores que la longitud de onda apareca fuertemente
colimada, como se puede observar en el panel (b) de la Figura 9.
Figura 8. Gua de ondas en forma de Y-

splitter creada en un cristal fotnico
metlico formado por una red
hexagonal de protuberancias de oro
depositadas sobre una superficie del
mismo material (panel de arriba). En el
panel de en medio se muestra una
imagen obtenida mediante AFM de la
estructura mientras que en el panel
inferior se visualiza mediante SNOM la
propagacin de un plasmn superficial
por la gua de ondas

Pg.27
Figura 9. En el panel se muestra la
estructura conocida como ojo de buey:
agujero central (en este caso su dimetro
es de 90 nm) rodeado de trincheras
peridicas concntricas separadas
500nm y de anchura igual a 250nm. En el
panel de abajo se muestra una simulacin
terica del fenmeno de colimacin de la
luz cuando la superficie de salida que
rodea al agujero central presenta tambin
una corrugacin en forma de ojo de buey
Todos estos resultados muestran el

potencial que tienen los plasmones
superficiales para almacenar luz en
volmenes pequeos, de transportar luz
de un punto a otro dentro de una
superficie metlica o de ayudar a
aumentar enormemente la intensidad
de luz transmitida a travs de un
agujero de dimensiones menores que la
longitud de onda. Actualmente hay un
nmero enorme de grupos que estn
investigando desde el punto fundamental este tipo de estructuras y durante los
ltimos dos aos han surgido grupos eque estn analizando las posibilidades
prcticas de utilizacin de los plasmones superficiales en diversos dispositivos
pticos.
Solvatacin:
La solvatacin es el proceso de interaccin entre las molculas de un
solvente y las de un soluto formando agregados. Algunos de estos
agregados son estables y tienen un nmero determinado de molculas
de solvente y otras no. Cuando el solvente es el agua, al proceso se le
llama hidratacin. Cualquier soluto covalente polar puede interactuar
con solventes polares.
Cuando un cristal de un compuesto inico como el cloruro de sodio se

introduce en agua, las molculas de agua que son polares se autoorientan con
relacin a los iones de la superficie del cristal de cloruro de sodio. La fuerza de
atraccin entre las molculas de agua y los iones superficiales del cloruro de
sodio es suficientemente intensa para causar que los iones abandonen sus
posiciones en el cristal y que se muevan a situarse entre molculas de agua, a
tal proceso se le llama solvatacin de ambos iones. La naturaleza polar de las
molculas de agua es importante cuando se usa como solvente. El agua
disuelve con facilidad a muchos compuestos inicos debido a la hidratacin de
los iones. Un ion hidratado es un agregado formado por un ion y una o ms
molculas de agua. Por ejemplo: CuCl24H2O (cloruro de cobre II
tetrahidratado), MgCl26H2O, ZnCl26H2O, CuSO25H2O (color azul). El
CuSO4 , sulfato de cobre II, es de color blanco. Higroscopa es la propiedad de
las sustancias que absorben vapor de agua.

Pg.28
DISOLUCIN DE SAL EN AGUA:
El CLORURO DE SODIO, NaCl o SAL DE MESA se disuelve en AGUA, de eso

no tenemos dudas, salvo que la cantidad que pretendamos disolver sea
demasiado grande.
Aqu se presentan ambas sustancias:
CLORURO DE SODIO
AGUA
Iones presentes en el NaCl tomos presentes en el agua
CLORURO SODIO OXGENO HIDRGENO
CLORURO Anin o ion negativo de la sal. Cl-

SODIO Catin o ion positivo de la sal. Na+
OXGENO El tomo de oxgeno presente en la
molcula de agua tiene densidad de carga
negativa.
HIDRGENO Cada tomo de hidrgeno presente en la
molcula de agua tiene densidad de carga
positiva.
Teniendo en cuenta esto la parte positiva de la molcula de

agua buscar arrancar un anin del NaCl
y la parte negativa de la molcula de agua buscar arrancar
un catin del NaCl.
Pero, es muy importante comprender lo siguiente:
NO SE FORMA UNA NUEVA SUSTANCIA.
PARA INCRDULOS:

Pg.29
Si existe alguna mnima duda el siguiente experimento la
aclarar:
Disolver sal en agua, calentar hasta que entre en ebullicin,

y seguir calentando hasta que toda el agua que utilizamos
como solvente se encuentre en estado de vapor; entonce
podremos observar unos cristales en nuestro recipiente
que corresponden a la sal que disolvimos inicialmente.
Esto confirmar que la sal y el agua no haban formado
ninguna sustancia nueva.
Veamos ahora cmo es el proceso mediante el cual el NaCl

se disuelve en H2O . Este proceso se denomina
SOLVATACIN
MECANISMO DE DISOLUCIN Y DE HIDRATACIN DE IONES.
Las molculas del disolvente universal (agua - H2O) son polares; es decir,
tienen una parte ms positiva y otra parte ms negativa. Con lo cual, al
meter un compuesto qumico en el agua, la zona ms positiva de esta molcula
tiende a ir hacia el anin y la negativa hacia el catin. Ms tarde, el agua rodea
a los iones y a los cationes y si puede los arranca.
A este proceso se le llama hidratacin si el disolvente es agua, y solvatacin si

el disolvente es otro compuesto.
El agua es el disolvente universal ya que es polar, porque hace que la

constante (K) de la ley de Coulomb sea muy pequea, y porque el Oxgeno
(O) es uno de los elementos ms electronegativos y el Hidrgeno (H) uno de
los que menos, por lo cual el agua tiene una constante dielctrica muy elevada:
q+ q-
F = K ---------------
r2
Ms electronegativos.

Pg.30
Cuando el soluto es un slido
Se calcula dividiendo el nmero de moles de soluto entre el volumen de la

disolucin. El nmero de moles se calcula dividiendo la masa entre la masa
molecular.
Ej: 0,319 g de CuSO4 0,1 litros de H2O masa molecular del CuSO4 = 159,5
Nmero de moles de soluto = 0,319 : 159,5 = 0,002
Molaridad = 0,002 : 0,1 = 0,02 0,02 M
Cuando el soluto es un lquido
Cogemos la molaridad de la disolucin, que es igual al nmero de moles de

soluto que no conocemos dividido entre el volumen de la disolucin. Como el
nico datos que no conocemos es el del nmero de soluto lo igualamos a X y
hayamos este dato. Y con l hayamos a su vez la masa del soluto igualando
esta al nmero de moles por la masa molecular.
Luego cogemos la densidad (conocida) que es igual a la masa (conocida) entre

el volumen desconocido). Como el volumen es el nico dato desconocido lo
igualamos a X y lo hayamos.
Ej:

Pg.31
Calcula del volumen necesario de HCl para preparar una disolucin 6M de 250
cm3 si el cido es puro.
Molaridad = 6 volumen disolucin = 0,25 l
M = N moles soluto : volumen disolucin 6 = X : 0,25
X = 6 x 0,25 = 1,5
1,5 moles N moles = masa : masa molecular 1,5 = X : 36,5
X = 36,5 x 1,5 = 54,75 g
D = masa : volumen 1,18 = 54,75 : X X = 54,75 : 1,18 =
= 46,39830508475

Pg.32
CONCLUSIN
La solubilidad por efecto de la temperatura varia dependiendo si el soluto es

soluble o no en un determinado solvente.
La solubilidad por efecto de la temperatura depende de la cantidad de soluto

en el solvente y de otras variables como la presin.
En la grfica experimental hay valores que no se ajustan a una recta debido a

que las concentraciones a una temperatura dada no estn muy cercanas.
La pendiente de la grfica nos permite calcular el calor de dilucin mediante la
relacin:
m = H ds/R.

Pg.33
BIBLIOGRAFA
www.rincondelvago.com
www.monografias.com
www.google.com
Atkins P. "Fisicoqumica" 2da. Edicin. Ed. Fondo Educativo Interamericano,

Mxico, 1986, pg: 204 205.
Castellan G. "Fisicoqumica" 2da. Edicin. Ed. Fondo Educativo.
Interamericano, EEUU, 1987, pg: 106, 144. 312-313;324,337.
Maron S. Prutton "Fundamentos de Fisicoqumica" 1era. Edicin. Ed. Limusa,

Mxico, 1968, pg: 269 272.
Pons Muzzo Gastn "Fisicoqumica" 6ta Edicin Ed. Universo, Lima, 1985.
pg: 271 274. 272,273,413,418.
Gorbachev " Practicas de Fisicoquimica", 1ra Edicion, Ed. MIR, Pags 234; 242-
247.

Pg.34

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Facultad de Ingeniera Qumica y Metalurgia

Ing Abarca Rodrguez, Jose Joaqun

Se estudia la solubilidad de ciertos compuestos entre otras cosas, con el fin de

Poniendo de ejemplo a la extraccin, este procedimiento se utiliza a nivel de

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Otra propiedad fsica que permite conocer el tipo de enlace es la solubilidad.

Prcticamente todos los compuestos formados con elementos situados a la

Ing Abarca Rodrguez, Jose Joaqun

La aparicin de precipitados en una disolucin, introduce peculiaridades

(1) Ks = [A]a [B]b

(2) Ks = (a s)a (b s)b

(3) s = (Ks / ( aa bb)) 1/(a+b)

La solubilidad puede disminuirse aadiendo a la disolucin, alguno de

(4) Ks = (C + a s)a (b s)b

en general C >> s, por lo que:

Problema.- Determinar la solubilidad del sulfato de bario en agua

Ks = [Ba2+] [SO42- ] = s . s = 10 -9,97

Ing Abarca Rodrguez, Jose Joaqun

Vemos como la solubilidad a disminuido considerablemente por efecto

Los equilibrios laterales aumentan la solubilidad de los precipitados.

(6) Ks' = [A']a [B']b = [A]a [B]b Aa Bb

Problema 4.13.- Una disolucin amortiguada a pH = 2 que es 1 M en

La concentracin de una disolucin saturada de H 2S es 0,1 M. En primer

Pb2+ + S2- < = > PbS pKs = 26,6

Pb2+ + Y4- < = > PbY2- log KPbY = 18,0

Los equilibrios laterales son provocados por H +y OH-, y afectan al Pb2+,

Pb2+ / OH- log = 6,2; 10,3 y 14,0

S2- / H+ log K = 12,9 y 7,05

Y4- / H+ log K = 11,0; 6,3; 2,5 y 1,9

PbY2- / H+ log KH = 2,8

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KPbY' = KPbY PbY / ( Pb Y) = 10-4,83

Para saber si precipitar el PbS, evaluaremos la concentracin de Pb2+

[Pb2+] = 0,01 / (1 + KPbY' [Y'])

como [Y'] >> [Pb2+], podemos poner [Y'] = 1 M y por lo tanto:

[Pb2+] = 1,48 10-7 M

Como estamos a pH=2, nos encontramos claramente en la zona de

por lo tanto el PbS precipitar.

Si queremos conocer la solubilidad del PbS en las condiciones del

y la concentracin condicional de complejo:

[PbY'] = KPbY' [Pb2+] [Y'] = 1,515 10-5

y por lo tanto s = 1,515 10-5 M.

Factores que afectan la solubilidad:

Los factores que afectan la solubilidad son:

a) Superficie de contacto: La interaccin soluto-solvente aumenta cuando

b) Agitacin: Al agitar la solucin se van separando las capas de disolucin

Ing Abarca Rodrguez, Jose Joaqun

a. El calor suministrado al sistema aumenta la velocidad de difusin de las

Si embargo, existen casos en donde un aumento de temperatura disminuye la

La influencia de la temperatura en la solubilidad de las sustancias, para

d) Presin: Esta influye en la solubilidad de gases y es directamente

Ing Abarca Rodrguez, Jose Joaqun

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Los orgenes de la teora atmica se remontan a la

El tomo es la menor fraccin de materia de inters directo para la qumica,

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Dentro de los tomos, podemos encontrar un ncleo atmico y uno o ms

De los tomos a las molculas:

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Un campo elctrico uniforme es aqul en el cual la magnitud y direccin de

(a) Un dipolo elctrico en un campo externo uniforme. (b)Una vista en