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    LNLS.A.— RENNES 2010-2011 Département Matériaux ot Nano Technologies Se SEMICONDUCTEURS. Travaux Dirigés ¢.LEVALLOIS TD Pogue der Smicoictows-2MOT = «A= Exercice | Dans un semiconducteur intringbque a la température Tp = 300K, on a les valours suivantes: Ne= y= 10 om? ny= 10" em®; R= 1.38.10 JK" «+ Pour cette température, calculer la bande interdite Ey du matériau en eV et la position du niveau de Fermi par rapport & la bande de valence. «Ge sericonducteur est maintenant dopé N avec une concentration en atomes ‘donneurs (No). Etablr Texpression donnant la concentration des porteurs tmajoritates (rn) et minortalres (p,) pour une température T = 27o en sachant ‘que ce semiconducteur est non dégénéré, « Sacnant que le yup Ep est ici considéré comme indépendant dela température, et que No = 10° cm, est on encore en régime extrinséque? ‘+ En déduie les valours de n, ot pp @ a température T. Exercice tl ‘Soit un semiconducteur dopé, maintenu & une température T: La concentration totale ‘de dopant vaut Np pour les donneurs et Nx pour les accepteurs et celles-ci sont constantes ‘+ Etablic la relation de neutralté pour le cristal en faisant le bilan des charges: négatives et positives. «Donner la concentration des cenires fonisés par les accepteurs (WV) et pour Jes donneurs (173) en fonction de la concentration totale (N, pour Np et Ny pour W;), du niveau de Fermi Er, et du niveau de dopant (Ep pour le donneur tt Ex pour Faccepteur) pour des dopants dont le facteur de dégénérescence vaut 1 ‘Rappel: la probebité ¢'occupation dun niveau d'énergie E est donnée par: 1 LO) wT «+ Pour le donneur, le niveau dénergie Eo est stu & Eo Fiveau de Ferm! & Ep = Ee -0.11eV. Pour Feccepteur, on a Ex = Ey + 0.020V et Ee= Ey + 0.080V. a quelle température, 99% des donneurs serontonisés 7 “'A-qualle température, 9% des accepteurs serontonisés 7 Bagge k= 1.98.10 14" + Onuppose qu'un mateiau est compensé & a température Tsion a: 7 Ma No Ma Donner la postion de Er la compensation 170 Posie der Seiconhcers= 24007 Exercice it (On considére un échantilon de Ge ayant inilement une concentration dun stome impureté, de type donneur, pour 4.10" atomes de Ge. Dans quel régime se trouve ‘ce matériau & 300K 7 On introdut ensuite, de fagon uniforme dans tout le volume de "échantiton, des impuretés de type accepteur avec une densité Na = 2.6.10" cm®, En supposent toutes les impuretés ionisées 2 300K, quelle eet la concentration en Porteurs libres 7 Quelle est la position du niveau de Fermi ? On dope maintenant le matériau inital, de fagon non homogéne, en feisantciffuser & partir de la surface des impuretés de type accepteur. La concentration varie selon oo = Maesf 3} (03 Nao est 1a concentration en surface maintenue constante et L ta constante de

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