Laborator 4

Amplificator cu tranzistor bipolar

Se va studia amplificatorul cu tranzistor in conexiune EC in varianta cu polarizare simpla
fara si cu reactie.
Se realizeaza intai schema fara reactie cu o singura rezistenta de polarizare a bazei pentru
care se va fixa punctul de functionare la mijlocul caracteristicilor de iesire. Se va evalua initial
efectul variatiei RB asupra pozitiei punctului de functionare si se vor determina si limitele
extreme.
Se realizeaza un amplificator de semnal mic fara reactie, se masoara amplificarea si se
evalueaza efectul variatiei RB asupra formei semnalului de iesire
Se repeta studiul pentru un amplificator cu o rezistenta de polarizare a bazei si o rezistenta
de stabilizare (reactie) in emitor. Se va observa si care este efectul conectarii unei rezistente
separate de sarcina cat si efectul decuplarii rezistentei de reactie.

1. Introducere teoretic

Amplificatoarele electronice sunt circuite care realizeaz mrirea nivelului de putere al

unui semnal electric cu modificri minime ale formei semnalului (distorsiuni minime). Ele sunt n
mod necesar alimentate de la o surs de curent continuu (baterie, redresor).

Fig. 1. Structura fundamental a unui amplificator.

Din punct de vedere al semnalului amplificatorul este privit ca un cuadripol, structura
fundamental a unui amplificator fiind prezentat n figura 1. La intrare amplificatorul este
echivalent cu o impedan de intrare iar la ieire cu un generator ideal i o impedenta interna
Semnalul poate avea component variabila (in majoritatea cazurilor componenta util,
purtatoare de informaie) i componenta continu. Exceptnd cazul amplificatoarelor de curent
continuu, componenta continu este nlaturata prin cuplaj. n mod obinuit prin semnal se va
nelege componenta variabila. Avnd n vedere c amplificatoarele pot fi n mare majoritate a
situaiilor considerate circuite liniare crora le poate fi aplicat principiul superpozitiei i c un
semnal variabil poate fi aproximat printr-o suma de semnale sinusoidale, studiul
amplificatoarelor se face lund n considerare un semnal sinusoidal.
 Parametrii amplificatoarelor
Parametrii amplificatoarelor sunt mrimi care le caracterizeaz performantele, Se mpart
n marimi de intrare, mrimi de ieire, mrimi de transfer (legturi ntre semnalele de intrare i de
ieire), alte marimi. Se exprim pentru un semnal sinusiodal n regim permanent, la frecvena
central, civa fiind prezentati n continuare:
-Impedana de intrare este impedana echivalent la bornele de intrare
U
Zi i (1)
Ii
La frecvene joase sau medii poate avea doar componenta rezistiv, Ri.
U
-Amplificarea de tensiune : Au o (2)
Ui
Din considerente de simplificare a reprezentrilor grafice ct i a calculelor, amplificrile
pot aparea n exprimare logaritmic, msurndu-se n decibeli (dB) conform relaiei:
U
AdB 20 log o pentru tensiuni (cureni) (3)
Ui

Schemele amplificatoarelor elementare cu tranzistoare bipolare

Amplificatoarele cu tranzistoare bipolare au la baza cele trei scheme elementare din figura
2 n care tranzistoarele funcioneaz n conexiune EC (figura 2a), n conexiune BC (figura 2b) i
n conexiune CC (figura 2c).
n practic amplificatoarele elementare sunt completate cu elemente de polarizare i
cuplaj.

Fig. 2. Schemele amplificatoarelor elementare cu tranzistoare bipolare: a) amplificator n

conexiune EC; b) amplificator n conexiune BC; c) amplificator n conexiune CC.

Amplificator elementar n conexiune emitor comun

Pentru amplificatorul n conexiune EC (figura 2), schema echivalent de semnal mic este
aceea din fig 3, unde s-a utilizat pentru tranzistor schema simplificat natural.
Pparametrii principali sunt:
U
Ri i r ; (4)
Ii
 Uo RC
Au g m RC (5)
Ui r

Influena retelei de polarizare

Performanele acestor variante
elementare pot fi serios modificate de reeaua de Fig. 3. Schema echivalent de semnal
polarizare a tranzistorului. Aceasta este mic a amplificatorului n conexiune EC
compus n cazul general dintr-una sau dou
rezistene de polarizare a bazei i din rezistena
din emitor pentru stabilizare termic
Cel mai simplu mod de a polariza baza unui tranzistor bipolar npn, indiferent de
conexiune, este conectarea ei printr-o rezisten la borna pozitiv a sursei de alimentare (figura
4a). Schema echivalent n acest caz este aceea din figura 4b. Schema echivalent este similar
cu cazul amplificatorului elementar n conexiune EC, cu deosebirea c la intrare exist dou
rezistente n paralel, r i RB.

Fig. 4. Amplificator n conexiune EC cu o rezisten de polarizare a bazei.

Amplificarea de tensiune nu este modificat.

Se modific rezistena de intrare care devine egal cu combinaia paralel a rezistenei de
intrare a tranzistorului cu rezistena de polarizare a bazei, fapt ce este evident i din examinarea
direct a schemei echivalente.
Modificarile sunt n realitate mici, pentru c obinuit:
RB >> r (6)
i atunci rezistena de intrare, combinaia RB || r are o valoare ceva mai mic dar apropiata de r
i similar amplificarea de curent are o valoare ceva mai mic dar apropiata de . Dac ns
condiia (8) nu este ndeplinit atunci modificarile rezistenei de intrare i a amplificrii de curent
sunt mai importante.

Influena rezistenei de emitor

Schema cu rezistenta de emitor i schema echivalenta sunt prezentate n figura 5.
parametrii sunt in acest caz:
U
Ri i r (1 g m r ) RE r g m r RE r RE (7)
Ii
Se observ c RE mreste mult rezistena de intrare a amplificatorului, efectul fiind
proporional cu factorul de amplificare n curent, .
 Fig. 5. Amplificator cu rezisten de emitor (a)
i schema echivalent (b).

Uo g m r RC RC
Au (8)
Ui r g m r RE r RE

Rezistena RE micoreaz amplificarea de tensiune, termenul de la numitor fiind chiar

rezistena de intrare, mrit.
O situaie speciala este n cazul des ntlnit cnd rezistena RE este de o valoare
comparabil cu rezistena de intrare a tranzistorului r i este ndeplinit condiia:
RE >> r (9)
i se poate neglija r astfel c amplificarea de tensiune devine:
RC
Au (10)
RE
Ea este o constant, fiind un raport de rezistene. Acesta este un rezultat important, fiindc
amplificarea este predictibil i nu mai depinde de parametrii tranzistorului, i r,.

Punctul static de funcionare, dreapta de sarcin i regimul variabil

Pentru a utiliza proprietatea de amplificator de curent a tranzistorului acesta trebuie s fie
n zona activ si este caracterizat n spaiul de ieire prin dou mrimi continue i anume curentul
de colector IC i tensiunea colector emitor UCE. Aceste dou mrimi definesc un punct M n
planul caracteristicilor de ieire ale tranzistorului, punct denumit punct static de funcionare
(PSF) (figura 6). Un circuit de polarizare bun aduce tranzistorul ntr-un punct de funcionare dorit
i n plus asigur stabilitatea acestuia atunci cnd anumii factori interni sau externi se modific
(cei mai influenti fiind temperatura, factorul de amplificare n curent si tensiunea de alimentare)
Influenta tensiunii de alimentare eliminata prin
utilizarea surselor stabilizate. Mai dificil este cu
ceilali doi factori. Temperatura unui tranzistor
se modific att din cauza variaiilor din mediul
exterior ct i din cauza pierderilor Joule din
tranzistor. Ea poate fi stabilizat dar cu cheltuieli
mari. Factorul de amplificare n curent are din
fabricaie o dispersie mare, o variaie intre 100 i
Fig. 6. Punctul static de functionare al 500 fiind uzual.
tranzistorului
 Dac regimul este variabil atunci ecuaia principal care leaga mrimile de iesire este:
EA RC iC uCE (11)
adic ecuaia unei drepte n planul mrimilor de ieire, iC, uCE (figura 7), numit dreapt de
sarcin. Panta acestei drepte (tg) este proporionala cu RC.
Dac variaz curentul de comand, iB, mrimile de iesire se modific proporional (atta
vreme ct tranzistorul rmne n zona activ) i verifica ecuaia (10).
Dac presupunem regimul variabil de frecvena joas el poate fi privit ca o succesiune de
regimuri statice i putem considera c M (PSF) se mic pe dreapta de sarcin. Dar punctul M nu
se poate deplasa dect ntre limitele zonei active, adic ntre punctele notate cu M1 (saturaie) i
M2 (blocare).
Fig. 7. Regimul variabil pentru amplificatorul elementar n conexiune EC

Un curent de comand sinusoidal (iB) produce un curent de iesire (iC) sinusoidal care la rndul
lui produce o variaie sinusoidal a tensiunii uCE ca n figura 7. Curentul iB variaz ntre valorile
maxim IBM= IB3 i minim IBm= IB1 n jurul valorii corespunztoare regimului de c.c., IB2
(punctul M de funcionare) iar variatiile iC i uCE sunt figurate la rndul lor. Punctul M se
deplaseaz pe segmentul MM Mm. Se poate observa i inversarea de faz a variaiei curentului i
a tensiunii de ieire (la cresterea curentului corespunde o scdere a tensiunii).

a) b)
Fig. 8. Regim variabil simetric la limita (a) i distorsionat (b).
 Poziia punctului static de funcionare i distorsiunile
La o anume valoare a curentului de comand tensiunea de iesire atinge o valoare maxim
nedistorsionat (figura 8a) n timp ce un curent de comand mai mare, (figura 8b) provoac o
limitare a amplitudinii i deci distorsiuni (care n acest caz sunt simetrice).
Situaia din figura 8 presupune c n regim de curent continuu punctul M este la mijlocul
caracteristicilor, adic tensiunile pe rezistena de colector i pe tranzistor sunt aproximativ egale
(i egale cu jumatate din tensiunea de alimentare).
Dac M este situat excentric, ca n figura 9, atunci distorsiunile apar la amplitudini mai
mici ale tensiunii de ieire, sunt nesimetrice i amplitudinea maxim far distorsiuni este mai
mic.

Fig. 9. Regimul variabil nesimetric

Dac punctul M este mai aproape de zona de blocare (punctul M2) atunci se produce o
limitare a prii superioare a tensiunii de ieire iar dac
punctul M este mai aproape de zona de saturaie (punctul
M1) atunci se produce o limitare a prii inferioare a
tensiunii de ieire.

Influena unei sarcini separate

De cele mai multe ori RC nu este i rezistenta de
sarcina a amplificatorului, RS, aceasta fiind separata n c.c.
cu un condensator (figura 10a). n acest caz PSF rmne
acelai dar sarcina total echivalent pentru regim variabil
(presupunem condensatorul suficient de mare ca s fie
considerat de impedan neglijabil) este RC||RS i dreapta
de sarcin, dei trece prin M are o alt pant, tg, mai
accentuat, proportional cu RC||RS i atunci apare efectul
din figura 10b prin care distorsiunile (la blocarea
tranzistorului) apar la amplitudine mai mic (limitare a
prii superioare a tensiunii de ieire). n figura 10b sunt
desenate tensiunile uCE variabile de valoare maxim
nedistorsionat fr RS (punctat), de valoarea maxim
nedistorsionat cu RS i cazul distorsionat cu RS.

Fig. 10. Regimul variabil cu RS

 2. Mersul lucrrii

1. Se masoara cu schema din figura 11;

2. Se modifica RB si se completeaza tabelul 1;
3. Generatorul de semnal se fixeaza la 1 KHz;
4. Se adauga generatorul de semnal, condensatorul de separare CB si osciloscopul ca in figura 12
si se observa si deseneaza efectul modificarii amplitudinii semnalului de la generator;
5. Se regleaza amplitudinea generatorului astfel incat tensiunea de iesire sa fie la valoarea
maxima fara distorsiuni importante. Se masoara valoarea varf la varf a tensiunii de iesire,
apoi se muta osciloscopul la intrare si se masoara valoarea varf la varf a tensiunii de intrare
pentru a determina amplificarea de tensiune, iar datele se trec in tabelul 2.
6. Se micsoreaza de 2 ori RB, se regleaza valoarea varf la varf a tensiunii de iesire la nivelul
rezultat la punctul 5 si se observa efectul. Se deseneaza tensiunea cu efectul vizibil.
7. Se mareste de 2 ori RB, se regleaza valoarea varf la varf a tensiunii de iesire la nivelul
rezultat la punctul 5 si se observa efectul. Se deseneaza tensiunea cu efectul vizibil.
8. Se adaug RE (figura 13) i se reface punctul 5. Se observ diferentele asupra formei
semnalului.
9. Se conecteaza un condensator de 10 F in paralel cu RE i se reface punctul 5. La sfarsit acest
condensatorul se deconecteaza.
10. Se adauga o rezisten de sarcina, cuplata cu un condensator CC (figura 14) i se observa
efectul asupra semnalului de iesire pentru doua valori ale RC. Se reface punctul 5
3. Referat 4 CEL

Amplificator cu tranzistor bipolar

Nume Data Grupa

1. =

Tabelul 1
RB [K] gol 2x330K 330K 330/2K 33K 1K
UCE [V]
URC [V]
IC [mA]

2. gm= r =

Tabelul 2
Ui [V] Uo [V] Au masurat Au calculat
Amplificator fr RE
Amplificator cu RE
Amplificator cu RE si CE
Amplificator cu RE si RS1
Amplificator cu RE si RS2

Calcul Au
4. Coninutul referatului

Referatul va fi ntocmit conform formularului atasat, pasii fiind precizai n continuare.

1. Numele, prenumele, grupa i semigrupa, data la care a fost fcut laboratorul.

2. Valoarea msurat pentru tranzistorului.
3. Tabelul 1
4. Desenul cu dreapta de sarcina in planul IC - UCE
5. Desenele tensiunilor de iesire pentru valoarea maxim nedistorsionata i pentru
cazul n care este distorsionat puternic.
6. Se calculeaz amplificrile i se completeaz tabelul 2 cu valorile amplitudinilor
masurate i a amplificrilor rezultate din msurtori i din calcul. Se utilizeaz formulele
(5) i (8)
Se va calcula n prealabil pentru tranzistor:
gm = 40 IC (A/V)
r = /gm

7. Desenele tensiunilor de iesire pentru cazurile de distorsionare de la punctele 6,7

i 10.