Professional Documents
Culture Documents
1. Introducere teoretic
Limitele sunt o dat limitele zonei active, aici primul cadran, apoi limitele maxime
pentru tensiunea colector-emitor i curentul de colector. Mai exista o limit dat de puterea
disipata maxim, PD, numit i hiperbola de disipaie plus o limit caracteristic zonei de
tensiune mare de sub hiperbola de disipaie denumit a strpungerii secundare, fenomenul
care apare mai ales n cazul unor sarcini inductive, fiind distructiv.
-1-
1.2. Tranzistorul Darlington
Un tranzistor Darlington e compus din dou tranzistoare, unul principal, de putere mai
mare i un al doilea de comand, de putere mai mic (figura 2a). Schema intern a unui
tranzistor Darlington existent pe pia poate fi mai complicat i cuprinde diode de protecie
la tensiune invers i rezistene, o variant fiind prezentat n figura 4b.
a) b)
Fig. 2. Tranzistor Darlington
Avantajul principal este ca ofer un factor de amplificare mult mai mare dect
tranzistorul individual i deci curent mic i circuit mai simplu de comand
Dezavantajele sunt o tensiune mai mare n conducie cu 0,8- 1V i timp de comutatie
invers mai mare, deoarece tranzistorul principal ncepe blocarea dupa ce s-a blocat cellalt.
-2-
conducie. Coeficientul de temperatur pozitiv al rezistenei face ca operaiile cu MOSFET-
uri desfurate n paralel s fie mai uor de realizat.
n timp ce pierderile n conducie ale tranzistoarelor MOSFET sunt semnificative pentru
dispozitive folosite la tensiuni mari, timpii de comutaie sunt foarte mici, cauznd pierderi
mici de comutaie. Tranzistoarele acestea sunt foarte utilizate pentru scheme de comutare la
tensiuni joase, puteri mici i frecvene mari de ordinul sutelor de KHz.
Parametrii principali ai tranzistorulu de putere MOS:
- VTh - tensiunea de prag, (Threshold Voltage) este tensiunea aplicat ntre grila i
surs, pentru care se obine un curent de dren precizat;
- RDS(ON) - rezistena dren-surs n conducie (ON);
- VDSS tensiunea maxim dren surs.
-3-
2. Mersul lucrrii
2.1. Se va realiza circuitul din figura 4. Tranzistorul este BD237 i se va consulta foaia
de catalog pentru identificarea terminalelor (Baza - 1, Colector - 2, Emitor - 3).
RB = 120, RC - 2 rezistene de 4,7 n serie.
Atenie: Deoarece n circuit vor fi cureni de peste 1A, ampermetrul va avea intrarea
la borna de 10A.
2.3. Se va fixa Uvar la 20V i se vor msura Idisp, Ucom Udisp care se vor trece
tabelul 1.
-4-
3. Referat laborator:
Tabel 1. BD237
Tens prag RC=9,4 RC=4,7 RC=2,35
Idisp (A) 0.05
Ucom(V)
Udisp(V) -
Uvar(V) 20 20 20
Pcomanda
Pdisipata -
Tabel 2. BD679
Tens prag RC=9,4 RC=4,7 RC=2,35
Idisp (A) 0.05
Ucom(V)
Udisp(V) -
Uvar(V) 20 20 20
Pcomanda
Pdisipata -
Tabel 3. 06n80c
Tens prag RC=9,4 RC=4,7 RC=2,35
Idisp (A) 0.05
Ucom(V)
Udisp(V) -
Uvar(V) 20 20 20
Pcomanda
Pdisipata -
Observaii:
-5-
4. Coninutul referatului
4.1. Nume, prenume, data, grupa.
4.2. Tabelele 1-3, completate si cu puterile de comanda si disipata pe tranzistor.
4.3. Caracteristicile grafice Idisp = f(Udisp) pentru cele trei tranzistoare. Cele trei
grafice vor fi trasate pe un aceeai desen.
-6-