Prctica 5

Josefina Ivonne Rico Rodrguez, Miguel ngel Ruiz Villegas, Gustavo Mendoza Arreguin, Jos Manuel Lpez
Luna, David Peaflor Luna

Departamento de ingeniera mecatrnica, Instituto Tecnolgico de Celaya

Celaya, Mxico

ricorodriguez.ivo@hotmail.com
miguelruiz.ville@outlook.com
stavmdza@gmail.com
jl_mane@hotmail.com
davidpenaflorluna@gmail.com
Resumen En esta prctica usamos el transistor npn bd135, dos
fuentes de voltaje, una de ellas la calibramos a tres voltajes, los
cuales fueron 10, 30 y 50 volts, y en cada una de ellas aplicamos
varios valores, y de esta manera pudimos apreciar la forma en la
que se comporta el transistor npn bd135.

I. INTRODUCCION
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor
utilizado para entregar una seal de salida en respuesta a una seal de
entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador.

La corriente que podr conducir colector-emisor ser como Fig. 1 Circuito requerido
mximo, la inyectada en la base multiplicada por la ganacia del
mismo (hFE).
Despus medimos V BE, el resultado fue V BE=0.68V, la
En lo referente a la tensin de la fuente de la que proceda la suposicin era aproximada, ya que pensamos que sera muy parecido
corriente colector-emisor, no es importante mientras conduzca. Lo al V F de un diodo de silicio, que es 0.7, la variacin es por
ser en el momento en que pueda dejar de conbducir, por que la caractersticas de fabricacin, sin embargo es una aproximacin
unin deber soportarla. No deber sobrepasar la mxima Vceo bastante buena.
especificada (en el caso del BD135 es de 45 V).
Usando la frmula siguiente pudimos calcular V 1, ya que es la
II. DESARROLLO nica incgnita en la relacin
Comenzamos por armar el circuito requerido para sta prctica, % "'
usamos un transistor npn BD13, los valores para las resistencias se " =
%
muestran en la tabla 1, y la figura 1 nos deja ver la manera en la que
se deben colocar los elementos. Despejando V1 de la ecuacin anterior para cada valor de IB
sugerido, los resultados se muestran en la tabla 2.
TABLA I.
VALORES DE RESISTENCIAS
TABLA II.
R1 100k VALORES DE V 1
R2 1k IB(A) V1(V)
10 1.68
30 3.68
50 5.68

En cada toma de medicin, obtuvimos valores para IC y V CE los

cuales podemos observar en la tabla 3.

TABLA III.
VALORES DE V 2 E IC
 IB=10A menor grado de incertidumbre, ya que de eso depender por ejemplo,
V 2 (V) V CE (V) IC (mA) el diseo amplificadores.
0 0.02 0.05 Ivonne Josefina Rico Rodrguez
1.0 0.14 1.01
2 0.59 1.53 De la prctica presentada en el laboratorio se obtuvieron
2.78 1.3 1.54
conocimientos sobre los transistores, su zona de saturacin y la zona
4.09 2.63 1.55
activa, as como el factor de amplificacin de corriente. Adems se
IB=30A
V 2 (V) V CE (V) IC (mA) not que la corriente del emisor es siempre la mayor corriente de un
0 0.02 0.039 transistor, mientras que la de la base es siempre ms pequea.
1.2 0.08 1.44 Miguel ngel Ruiz Villegas
2.03 0.1 2.06
2.77 0.12 2.68 Esta prctica fue algo tediosa, para comenzar nos equivocamos al
4 0.14 3.81 momento de identificar el emisor, colector y la base el transistor
IB=50A bd135, pero en si, me gusta trabajar con transistores, ya cuando
V2 V CE IC identificamos bien las partes del transistor, fue ms fcil trabajar,
0 0.02 0.04 porque solo aplicamos diferentes voltajes y as graficar los
1.2 0.06 1.10
resultados.
2.03 0.08 2.04
2.71 0.09 2.74 Jos Manuel Lpez Luna
4 0.11 3.97
En la practica realizada sobre transistores, en un principio resulto
confuso lo que se pretenda realizar, pero con ayuda del profesor y el
Despus calculamos , pero tuvimos problemas con ese paso, conocimiento teorico sobre transistores, pudimos observar cuando el
debido a que tomamos algunos valores inapropiados para IC, debido colector amplifica una corriente que circula la cual se transmite al
a que estos correspondan aun a la zona de saturacin, y variaban emisor y asi poder determinar el factor de amplificacin .
mucho; afortunadamente pudimos rescatar valores cuando IB=10A, David Peaflor Luna
entonces usamos la siguiente frmula

*
=
"

Entonces llegamos a la conclusin de que =155

III. DISCUSION
Durante esta prctica nos dimos a la tarea de encontrar el factor
de amplificacin de corriente directa en emisor comn (), esto de
una manera prctica en el laboratorio de mecatrnica.

Usamos dos fuentes de corriente continua, la primera para ajustar

la corriente de base y la segunda para variar la corriente del colector;
realizamos mediciones de corriente de base, de colector, voltaje base
emisor y voltaje base colector.

Durante la prctica hubo algunos problemas, pero despus de

revisar si la conexin del circuito estaba correcta, se determin que
uno de los cables de la fuente no daba continuidad y al cambiarlo se
pudo continuar la prctica para realizarla satisfactoriamente.

En esta prctica pudimos apreciar la zona activa de los

transistores, para poder entender de una manera ms clara las
posibles aplicaciones que tienen.

IV. CONCLUSION
Los valores para en la zona de saturacin son muy alejados de
la realidad, por ello debemos tomar en cuenta que debemos elegir
mayores valores de voltaje para alcanzar mediciones tiles y con